模电复习资料专科.docx

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模电复习资料专科

模拟电路复习资料

一、填空题

1在本征半导体硅中，加入三价元素硼形成（P型）半导体，加入五价元素磷形成（N型）半导体；

2．为了保证三极管工作在放大区，要求发射结（正向）偏置、集电结（反向）偏置；

3．在三种基本组态放大电路中，输入电阻最高的是（共集电极）电路，输入

电阻最低的是（共基极）电路，输出电阻最低的是（共集电极）电路；

4．在场效应管放大电路中，结型场效应管需要（反向）偏置，增强型绝缘栅场效应管需要（正向）偏置；

5．（串联）负反馈使输入电阻提高，（电压）负反馈使输出电阻减小；

6．振荡器电路产生振荡时，必须满足（振幅平衡）条件和（相位平衡）

条件；

7．电容滤波适用于（小电流）负载场合，电感滤波适用于（大电流）负载

场合。

1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素组成的。

这种半导体内的多数载流子为（自由电子），少数载流子为（空穴）。

2、二极管的伏安特性曲线上可分为死区、（正向导通）区、反向截止区和（反向击穿）区四个工作区。

3、双极型三极管简称晶体管，属于（电流）控制型器件，单极型三极管称为MOS管，属于（电压）控制型器件。

4、放大电路应遵循的基本原则是：

（发射）结正偏；（集电）结反偏。

5、射极输出器具有（电压放大倍数）恒小于1、接近于1，输入信号和输出信号同相，并具有（输入电阻）高和（输出电阻）低的特点。

6、对放大电路来说，人们一般希望电路的输入电阻（越大）越好，因为这可以减轻信号源的负荷。

人们又希望放大电路的输出电阻（越小）越好，因为这可以增强放大电路的整个负载能力。

7、晶体管由于在长期工作过程中，受外界（温度的影响）及电网电压不稳定的影响，即使输入信号为零时，放大电路输出端仍有缓慢的信号输出，这种现象叫做（零点）漂移。

克服该漂移的最有效常用电路是（差动）放大电路。

8、理想运放工作在线性区时有两个重要特点：

一是差模输入电压约等于零，称为（虚短）；二是两输入端电流约等于零，称为（虚断）。

9、单相半波整流电路的输出电压平均值是变压器输出电压U2的0.45倍；桥式整流电路的输出电压平均值是变压器输出电压U2的（0.9）倍；桥式、含有电容滤波的整流电路,其输出电压的平均值是变压器输出电压U2的（1.2）倍。

1．半导体中有两种载流子，一种是电子，另一种是（空穴）。

2．由三极管的制造过程可知，三极管的结构特点是：

发射区掺杂浓度最高；基区很薄，掺杂浓度最低；集电区掺杂浓度比（发射区）低，但面积较大。

3．硅稳压管是一种特殊的面接触型硅二极管，它的正向特性曲线与普通二极管相似，它与普通二极管的主要区别在于它工作在（反向击穿区）。

4.三极管工作在饱和区时，其外部条件是保证发射结（正向）偏置，集电结正向偏置。

5.放大电路的（交流负载线）才是动态工作点的移动轨迹。

6．三极管是一种电流控制电流型器件，场效应管是一种（电压控制）电流型器件。

7．功率放大器根据功放管导通时间的长短分为五种工作状态：

甲类工作状态、乙类工作状态、（甲乙类工作状态）、丙类工作状态和丁类工作状态。

二、判断题：

1．因为PN结上存在内电场，所以若将P区端和N区端短路时，将有电流通过；（×）

2．阻容耦合放大电路能够放大交流信号，但不能放大缓慢变化信号和直流成分的变化；（√）

3．串联和并联负反馈将改变放大电路的输入电阻，但不影响输出电阻；（√）

4．差动放大电路的差模放大倍数Aud愈大愈好，而共模放大倍数Auc愈小

愈好;（√）

5．放大电路只要引入了正反馈，就一定会产生振荡；（×）

6．为了既能放大直流信号，又可以放大交流信号，多级放大电路通常采用电容耦合方式进行连接。

（×）

7．场效应管组成的放大电路与三极管组成的放大电路分析方法相似。

（√）

8．电压串联负反馈使输入电阻减小，输出电阻增大。

（×）

9.负反馈电路的反馈深度如果过深，电路有可能产生自激振荡。

（√）

10.开关稳压电源的调整管工作在开关状态，通过改变其导通与截止时间的比例来改变输出电压的大小。

（√）

1．负反馈不但使放大倍数不变，而且又能减小非线性失真、展宽频带、提高输出电压的稳定性。

（×）

2．极跟随器电压放大倍数A≈1，但是有电流放大能力，它最大的特点是输入阻抗高，输出阻抗低。

它在电路中常用来做放大器的输入/输出级。

它可以间接提高共发射极电路的放大倍数。

（√）

3．通常情况下，三极管工作于截止状态时，其两个PN结均反向偏置。

（√）

4．三极管工作时只有一种载流子参与导电，而场效应管工作时有两种载流子参与导电；因此，称场效应管为双极性器件。

（×）

5．在功率放大电路中，出现的交越失真是线性失真。

（×）

（×）1、只要在二极管两端加正向电压，二极管就一定会导通。

（×）2、晶体管和场效应管一样，都是由两种载流子同时参与导电。

（×）3、二极管只要工作在反向击穿区，一定会被击穿而造成永久损坏。

（√）4、分压式偏置共发射极放大电路是一种能够稳定静态工作点的放大器。

（√）5、微变等效电路不能进行静态分析，也不能用于功放电路分析。

（×）6、单管共射放大电路输出波形出现上削波，说明电路出现了饱和失真。

（×）7、同相输入和反相输入的运放电路都存在“虚地”现象。

（√）8、射极输出器是典型的电压串联负反馈放大电路。

（×）9、甲类、乙类和甲乙类功放电路均存在有交越失真。

（×）10、用万用表测试晶体管好坏和极性时，应选择欧姆档R×10K档位。

三、单选题（请将正确答案选项填写在括号内）

1．三极管采用共射接法，当温度升高时，反向饱和电流ＩＣＢＯ（A），穿透电流ＩＣＥＯ（Ａ），电流放大倍数

（Ａ）

A．增大B.减小C.基本不变

2．要使场效应管工作在恒流区，对结型场效应管应使（A），对增强型绝缘栅场效应管应使（Ｂ），对耗尽型绝缘栅场效应管应使（Ｃ）；

A．ＵＧＳ＜０B.ＵＧＳ＞０C.ＵＧＳ＜０或ＵＧＳ＞０或ＵＧＳ＝０

3．在三种组态放大器中，（Ａ、Ｂ）组态有电压放大作用，（Ａ、Ｃ）组态有电流放大作用，　（　Ａ　）组态有倒相作用；

A．共射　　　B.共基C.共集

4．放大电路引入电压并联负反馈使输入电阻（B），使输出电阻（B）；使电压放大倍数（　Ｂ　）

A．变大B.变小C.不变

5．要产生较高的可调振荡频率应采用（B）振荡器，产生低频正弦波一般采用（　Ａ　）振荡器，产生频率稳定度高的正弦波采用（　Ｃ　）振荡器。

A．RC振荡电路B．LC振荡电路C．晶体振荡电路

1、P型半导体是在本征半导体中加入微量的（A）元素构成的。

A、三价；B、四价；C、五价；D、六价。

2、单极型半导体器件是（C）。

A、二极管；B、双极型三极管；C、场效应管；D、稳压管。

3、稳压二极管的正常工作状态是（C）。

A、导通状态；B、截止状态；

C、反向击穿状态；D、任意状态。

4、测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为VE＝2.1V，VB＝2.8V，VC＝4.4V，说明此三极管处在（A）。

A、放大区；B、饱和区；C、截止区；D、反向击穿区。

5、射极输出器的输出电阻小，说明该电路的（A）

A、带负载能力强；B、带负载能力差；C、减轻前级或信号源负荷。

6、稳压二极管在正常稳压工作时是处于（  B  ）工作区间。

A、正向导通B、反向击穿C、反向截止

7、整流的目的是（  B  ）。

A、将正弦波变方波B、将交流电变直流电

C、将高频信号变成低频信号D、将非正弦信号变为正弦信号

8、功放首先考虑的问题是（C）。

A、管子的工作效率；B、不失真问题；C、管子的极限参数。

9、理想运放的输出电阻为（B）。

A、∞；B、0；C、不定。

10、串联型稳压电路中的调整管必须工作在（  A  ）状态。

A、放大B、饱和C、截止D、开关

1．改变电路参数能够使放大器静态工作点上移的是：

（C）。

A．增加UCCB.减小βC.减小RC

2．用指针式万用表判断二极管的正负极时，黑表笔接二极管的正极，红表笔接负极，测得的电阻值应该（A　）两个表笔对调后的测得的电阻值。

A．小于B.等于C.大于

3．多级放大器的三种耦合方式中能够放大直流信号的放大器是（B）。

A．阻容耦合B．直接耦合C．变压器耦合

4．直接耦合多级放大器的主要问题是（B）。

A．静态工作点互相影响B．零点漂移C．通频带窄

5．具有抗干扰能力的电压比较器是（C）。

A．简单比较器B．过零比较器C．滞回比较器

四、简述题：

1、某人用测电位的方法测出晶体管三个管脚的对地电位分别为管脚①12V、管脚②3V、管脚③3.7V，试判断管子的类型以及各管脚所属电极。

（4分）

答：

管脚③和管脚②电压相差0.7V，显然一个硅管，是基极，一个是发射极，而管脚①比管脚②和③的电位都高，所以一定是一个NPN型硅管。

再根据管子在放大时的原则可判断出管脚②是发射极，管脚③是基极，管脚①是集电极。

2、放大电路中为何设立静态工作点？

静态工作点的高、低对电路有何影响？

（4分）

答：

设立静态工作点的目的是使放大信号能全部通过放大器。

Q点过高易使传输信号部分进入饱和区；Q点过低易使传输信号部分进入截止区，其结果都是信号发生失真。

3、指出图1.所示各放大电路能否正常工作，如不能，请校正并加以说明。

（每小题3分，共12分）

答：

（a）图缺少基极分压电阻RB1，造成VB=UCC太高而使信号进入饱和区发生失真，另外还缺少RE、CE负反馈环节，当温度发生变化时，易使放大信号产生失真；

（b）图缺少集电极电阻RC，无法起电压放大作用，同时少RE、CE负反馈环节；

（c）图中C1、C2的极性反了，不能正常隔直通交，而且也缺少RE、CE负反馈环节；

（d）图的管子是PNP型，而电路则是按NPN型管子设置的，所以，只要把管子调换成NPN型管子即可。

五、计算分析题

2．在晶体三极管放大电路中，测得三个晶体管的各个电极的电位如图所示。

试判断晶体管的类型。

答：

PNP型1分

硅管1分

集电极1分

基极1分

发射极1分

3．试判定下图的反馈类型。

（正/负、串联、并联、电压、电流）

答：

电压2分

串联1分

负反馈2分

1．锗管、硅管有哪些不同？

NPN型三极管都是硅管吗？

答：

1）Ube电压不同：

锗管的Ube＝0.3V左右，硅管的Ube＝0.7V左右；（2分）

2）硅管的温度稳定性比锗管好。

（1分）

3）NPN型三极管是发射区、集电区为N型半导体，基区是P型半导体，它与硅材料还是锗材料无关。

（2分）

1、如图2所示分压式偏置放大电路中，已知RC＝3.3KΩ，RB1＝40KΩ，RB2＝10KΩ，RE＝1.5KΩ，β=70。

求静态工作点IBQ、ICQ和UCEQ。

（图中晶体管为硅管）

解：

静态工作点为：

（每步2分，共8分）

2、画出图2.所示电路的微变等效电路，并对电路进行动态分析。

要求解出电路的电压放大倍数Au，电路的输入电阻ri及输出电阻r0。

（12分）

解：

图2-23的微变等效电路如下图所示。

（4分）

动态分析：

（2分）

ri=RB1//RB2//rbe=40000//10000//943≈843Ω（2分）

r0=RC=3.3KΩ（2分）

（2分）

3、图3.所示电路中，已知R1＝2K

，Rf＝5K

，R2＝2K

，R3＝18K

，Ui＝1V，求输出电压Uo。

（10分）

解：

此电路为电压串联负反馈电路　　　（３分）

　　　　　（７分）

图3.

1、如下图所示，已知β=60，UBE=0.7V，试求：

（15分）

（1）估算静太工作点Q；

（2）计算rbe；

（3）用微变等效电路分析法求Au、Ri、Ro；

解：

（1）由直流通路估算Q点：

（8分）

（2）计算rbe：

（2分）

（3）求Au、Ri、Ro（5分）

2、在下图（a）所示的滞回比较器中，假设参考电压UREF=6V，稳压管的稳定电压Uz=4V，电路其他参数为R2=30k，Rf=10k，R1=7.5k。

（20分）

①试估算两个门限电压UTH1和UTH2以及门限宽度UTH。

②设电路其他参数不变，参考电压UREF由6V增大至18V，估算UTH1、UTH2及UTH的值，分析传输特性如何变化。

③设电路其他参数不变，UZ增大，定性分析两个门限电平及门限宽度将如何变化。

解：

①（8分）

②当UREF=18V时，（8分）

③由上面可知，当UZ增大时，UTH1将增大，UTH2将减小，故UTH将增大，即传输特性将向两侧伸展，门限宽度变宽。

（4分）