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模拟电子技术复习资料
《模拟电子技术》复习资料
一.选择题
1.1在单级共射极放大电路中,输入电压信号和输出电压信号的相位是B。
A.同相B.反相C.相差90º
1.2在单相桥式整流(有滤波时)电路中,输出电压的平均值UO与变压器副边电压有效值U2应满足D关系。
A.U0=0.45U2B.U0=1.4U2C.U0=0.9U2D.U0=1.2U2
1.3半导体的特性不包括D。
A.热敏性B.光敏性C.掺杂性D.遗传性
1.4在分压式偏置放大电路中,除去旁路电容CE,下列说法正确的是D。
A.输入电阻减小B.静态工作点改变C.电压放大倍数增大D.输出电阻不变
1.5晶体三极管内部结构可以分为三个区,以下那个区不属于三极管的结构B。
A.发射区B.截止区C.基区D.集电区
1.6集成运放制造工艺使得同类半导体晶体管的C。
A.指标参数准确B.参数不受温度影响
C.参数一致性好
1.7工作在放大状态的NPN三极管,其发射结电压UBE和集电结电压UBC应为A。
A.UBE>0,UBC<0B.UBE>0,UBC>0C.UBE<0,UBC<0D.UBE<0,UBC>0
1.8在如图所示的稳压电路中,稳压管D1与D2相同,其稳压值UZ=5.3V、正向压降0.7V,输出电压U0为A。
A.1.4VB.4.6VC.5.3VD.6V
1.9在PN结中由于浓度的差异,空穴和电子都要从浓度高的地方向浓度低的地方运动,这就是A。
A.扩散运动B.漂移运动C.有序运动D.同步运动
1.10在如图所示的稳压电路中,稳压管D1与D2相同,其稳压值UZ=5.3V、正向压降0.7V,输出电压U0为C。
A.1.4VB.4.6VC.0.7VD.6V
1.11半导体中少数载流子在内电场作用下有规则的运动称为B。
A.扩散运动B.漂移运动C.有序运动D.同步运动
1.12二极管的用途不包括D。
A.整流B.钳位C.保护D.放大
1.13为得到单向脉动较小的电压,在负载电流较小,且变动不大的情况下,可选用___C____。
A.LC滤波B.LCπ滤波C.RCπ滤波D.不用滤波
1.14由NPN管构成的基本共射放大电路,输入是正弦信号,若从示波器显示的输出信号波形发现底部(负半周)削波失真,则该放大电路产生了B失真。
A.放大B.饱和C.截止
1.15图中运算放大器电源电压±9V,D为理想二极管,R1=RF,若ui=1V时,输出uo=____D____。
A.+9VB.-9VC.1VD.-1V
1.16在如图所示的稳压电路中,稳压管D1与D2相同,其稳压值UZ=5.3V、正向压降0.7V,输出电压U0为C。
A.1.4VB.4.6VC.5.3VD.6V
1.17图示电路中,稳压管的稳压值为UZ1=2V,UZ2=5V,稳压管正向导通时UD=0.7V,则输出电压U0为____A____。
A.2B.7C.5D.0.7
1.18直流稳压电源中滤波电路的目的是____C____。
A.将交流变为直流B.将高频变为低频 C.将交直流混合量中的交流成分滤掉
1.19晶体三极管内部结构可以分为三个区,以下那个区不属于三极管的结构B。
A.发射区B.截止区C.基区D.集电区
1.20稳压管的稳压区是工作在____C____。
A.正向导通区 B.反向截止区 C.反向击穿区
1.21PN结的基本特性是B。
A.半导性B.单向导电性C.电流放大性D.绝缘性
1.22稳压管的正常工作区域就是它的反向击穿区,在这个区域里电流幅度变化很大,而电压变化___B___。
A.很大B.很小C.不会变D.不定
1.23二极管的用途不包括D。
A.整流B.钳位C.保护D.放大
1.24稳压二极管一般要串A进行工作,以限制过大的电流。
A电阻B电容C电感D电源
1.25在单相半波整流电路中,如果电源变压器二次侧电压为100V,则负载电压将是_A___。
A.45VB.90VC.100V
1.26在图示电路中,UZ1=2V,UZ2=5V,正向导通时UD=0.7V,其输出电压为____B____V。
A.2.7B.7C.5.7D.3.7
二.填空题
2.1画放大电路的交流通路时,电路中的电容应(短路)。
2.2集成稳压器W7812输出的是(正电压),其值为12伏。
2.3电容滤波的特点是电路简单,输出电压较高,脉动较小,但是外特性较差,有电流冲击。
2.4在半导体二极管中,与P区相连的电极称为正极或阳极,与N区相连的电极称为负极或阴极。
2.5由理想二极管组成的单相桥式整流电路(无滤波电路),其输出电压的平均值为9V,则输入正弦电压有效值应为(10V)。
2.6当输入信号不为零时,放大电路的工作状态称为动态。
2.7二极管的反向漏电流越小,二极管的单向导电性能就越好。
2.8半导体三极管是具有二个PN结即发射结和集电结。
2.9N型半导体中自由电子是多数载流子,空穴是少数载流子。
2.10放大电路输出信号的能量来自直流电源。
2.11电容滤波的特点是电路简单,输出电压较高,脉动较小,但是外特性较差,有电流冲击。
2.12画放大电路的直流通路时,电路中的电容应断开。
2.13单相桥式整流电路(无滤波电路)输出电压的平均值为27V,则变压器副边的电压有效值为30V。
2.14反相比例运算电路中,由于u+=u-≈0,所以反相输入端又称为“虚地”点。
2.15集成运算放大器Auo=105,用分贝表示100dBdB。
2.16当输入信号不为零时,放大电路的工作状态称为动态。
2.17放大电路的静态分析方法有估算法、图解法。
2.18若放大电路的静态工作点选得过高,容易产生饱和失真。
2.19单相半波整流的缺点是只利用了电源的半个周期,同时整流电压的脉动较大。
为了克服这些缺点一般采用桥式整流电路。
2.20P型半导体中空穴是多数载流子,自由电子是少数载流子。
2.21单相半波整流的缺点是只利用了电源的半个周期,同时整流电压的脉动较大。
为了克服这些缺点一般采用桥式整流电路。
2.22三极管的偏置情况为发射结正向偏置、集电结正向偏置时,三极管处于饱和状态。
三.计算题
3.1[库中题号:
050132]10分
如图所示电路,输入端A的电位UA=+3V,B点的电位UB=0V,电阻R接电源电压为-15V,求输出端F的电位UF。
解:
因为DA和DB为共阴极连接,A、B两端为它们的阳极,因此UA、UB中的高电位对应的管子将会优先导通。
(2分)
由UA>UB可知,DA将会优先导通。
如果DA为硅二极管,其正向压降为0V,则此时UF=+3V。
当DA导通后,DB因承受反向电压而截止。
(4分)
在此处,DA起的就是钳位作用,把F端的电位钳置在+3V;DB起隔离作用,把输入端B和输出端F隔离开。
(4分)
3.2△在共发射极基本交流放大电路中,已知UCC=12V,RC=4k,RB=300k,晶体管的输出特性曲线如上图。
(1)作出直流负载线,
(2)求静态值。
解:
(1)由IC=0时,UCE=UCC=12V,和UCE=0时,
可作出直流负载线(3分)
(2)由
得出静态工作点Q(3分)
静态值为
(2分)
(2分)
3.3△在共发射极基本交流放大电路中,已知UCC=12V,RC=4k,RB=300k,晶体管的输出特性曲线如上图。
(1)作出直流负载线,
(2)求静态值。
解:
(1)由IC=0时,UCE=UCC=12V,和UCE=0时,
可作出直流负载线(3分)
(2)由
得出静态工作点Q(3分)
静态值为
(2分)
(2分)
3.4△电路如图所示的放大电路中,己知晶体管的β=50,UCC=12V,rbe=1.5kΩ,
,RB1=20kΩ,RB2=100kΩ,RE=1.5kΩ,RC=4.5kΩ。
⑴估算放大器的静态工作点。
(取
V)
⑵计算放大器的电压放大倍数
⑶当输入信号Ui=10毫伏时,输出电压为多少?
解:
⑴
(V)(2分)
故UE=UB-Ube=2-0.5=1.5(V),IC≈IE=UE/RE=1(mA)(2分)
IB=IC/β=20(μA),UCE=UCC-IC(RC+RE)=6(V)(2分)
⑵电压放大倍数
(2分)
(3)故Uo=
Ui=1.5(V)(2分)
3.5电路如图所示,晶体管的=50,rbe=1KΩ,
V,求
(1)电路的静态工作点;
(2)电路的电压放大倍数
。
解:
(1)
(μA)(2分)
(V)(2分)
(2)
(k)
3.6图为分压式偏置放大电路,已知UCC=24V,RC=3.3KΩ,RE=1.5KΩ,RB1=33KΩ,RB2=10KΩ,RL=5.1KΩ,β=60,rbe=1KΩ,
V。
试求:
(1)计算电压放大倍数
;
(2)空载时的电压放大倍数
;(3)估算放大电路的输入电阻和输出电阻。
解:
(1)
(k)(2分)
(2分);
(2)
(2分)
(3)
3.7△图示电路,写出输出电流Io表达式。
解:
设Uo、I1电流如图所示
u+=Us,Uo=u-(3分)
又u-=u+,故Uo=Us(2分)
又i+=i-=0,则Io=I1(2分)
故
(3分)
3.8△图示电路,求输出电压uo。
解:
设I1、If电流如图所示
由u-=u+=0
则
(4分)
又i+=i-=0,则If=-I1(2分)
故:
(4分)
3.9△图示电路,已知R2=10kΩ,R3=30kΩ。
试求ui=1V时,uo的值。
解:
由u-=u+=ui(2分)
又i+=i-=0则
(5分)
故
(3分)
3.10△图示电路,试求放大倍数Auf。
若ui=0.3V,则uo为多少?
解:
设I1、If电流如图所示
由u+=u-=0
则
(3分)
(3分)
又i+=i-=0则If=-I1
故:
(2分)
当ui=0.3V时,
(2分)
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