电工电路初级实训.docx

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电工电路初级实训

表1：

电阻器的各部分字母意义

第一部分

第二部分

第三部分

第四部分

用字母表示主称

用字母表示材料

用数字或字母表示电阻器的分类

用数字表示序号

符号

意义

符号

意义

符号

意义

R

电阻器

T

碳膜

1

普通

W

电位器

P

硼碳膜

2

普通

U

硅碳膜

3

超高频

H

合成膜

4

高阻

I

玻璃釉膜

5

高温

J

金属膜

6或7

精密

Y

氧化膜

8

高压

S

有机实心

9

特殊

N

无机实心

G

高功率

X

线绕

T

可调

C

沉积膜

X

小型

G

光敏

L

测量

W

微调

D

多圈

表2：

四色环、五色环电阻器上色环的意义

颜色

第一位

有效数字

第二位

有效数字

倍率

允许

误差

颜色

第一位

有效数字

第二位

有效数字

第三位

有效数字

倍率

允许

误差

棕

1

1

101

棕

1

1

1

101

1%

红

2

2

102

红

2

2

2

102

2%

橙

3

3

103

橙

3

3

3

103

黄

4

4

104

黄

4

4

4

104

绿

5

5

105

绿

5

5

5

105

0.5%

蓝

6

6

106

蓝

6

6

6

106

0.25%

紫

7

7

107

紫

7

7

7

107

0.1%

灰

8

8

108

灰

8

8

8

108

白

9

9

109

白

9

9

9

109

黑

0

0

100

黑

0

0

0

100

金

10－1

5%

金

10－1

银

10－2

10%

银

10－2

无

20%

v电容器的型号命名

C字母数字/字母数字

第一部分用字母C表示电容器的主称；

第二部分用字母表示构成电容器的介质材料；

第三部分用数字或字母表示电容器的类别；

第四部分用数字表示生产序号。

表3：

电容器中第二部分介质材料字母代号的意义

字母代号

介质材料

字母代号

介质材料

A

钽电解

L

聚酯

B

聚苯乙烯

N

铌电解

C

高频陶瓷

O

玻璃膜

D

铝电解

Q

漆膜

E

其他材料电解

T

低频陶瓷

G

合金电解

V

云母纸

H

纸膜复合

Y

云母

I

玻璃釉

Z

纸介

J

金属化介质

表4：

电容器中第三部分类型代号的意义

代号

瓷介电容

云母电容

有机电容

电解电容

1

圆形

非密封

非密封

箔式

2

管形

非密封

非密封

箔式

3

叠片

密封

密封

非固体

4

独石

密封

密封

固体

5

穿心

6

支柱等

7

无极性

8

高压

高压

高压

9

特殊

特殊

G

高功率型

J

金属化型

Y

高压型

W

微调型

v电容器容量的数码标示方法

单位为pF；

第一位表示有效数值；

第二位表示有效数值；

第三位表示倍乘数，如表5所示。

表5：

电容器容量数码法倍乘数意义

标示数字

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

倍乘数

100

101

102

103

104

105

106

107

108

10－1

v电容器容量的色环标示方法

棕、红、橙、黄、绿、蓝、紫、灰、白、黑代表1、2、3、4、5、6、7、8、9、0；轴式电容器第一环表示温度系数；最靠近引线的第一环、第二环表示有效数字；第三环表示倍乘数；第四环表示容许误差；远距离最后一环表示电压等级。

国标单位制标示方法：

2μ2=2.2μF、4n7=4.7nF

v电容器引脚极性标示方法

长脚表示正极引线，短脚表示负极引线；若有标志特征的则为负极。

v电感器的型号命名

L（ZL）字母字母字母

第一部分用字母L（ZL）表示电感的主称，其中“L”为电感线圈，“ZL”为阻流圈；

第二部分用字母表示电感器的特征；

第三部分用字母表示电感器的类型；

第四部分用字母表示区别代号。

v电感器的电感量的色环标示方法

第1、2环表示两位有效数字，第三环表示倍乘数，第四环表示允许误差。

表6：

小型固定电感器额定电流、误差代码和等级误差

字母代号

额定电流

误差代码

等级误差

A

50mA

Ⅰ

±5%

B

150mA

Ⅱ

±10%

C

300mA

Ⅲ

±20%

D

700mA

E

1.6A

表7：

国产晶体二极管的型号意义

第一部分

第二部分

第三部分

第四部分

第五部分

符号

意义

符号

意义

符号

意义

意义

意义

2

二极管

A

B

C

D

E

N型锗材料

P型硅材料

N型硅材料

P型锗材料

化合物材料

P

W

Z

L

N

K

F

S

U

普通管

稳压管

整流管

整流堆

阻尼管

开关管

发光管

隧道管

光敏管

表示产品序号，如第一、二、三部分相同，仅此部分不同，则表示同类型管在某些性能上有差别

规格可缺

表8：

韩国三星电子公司半导体三极管型号、极性和用途

型号

极性

功率（mW）

fr（MHz）

用途

9011

NPN

400

150

高频

9012

PNP

625

150

功放

9013

NPN

625

140

功放

9014

NPN

450

80

低放

9015

PNP

450

80

低放

9016

NPN

400

500

超高频

9018

NPN

400

500

超高频

表9：

国产晶体三极管型号意义

第一部分

第二部分

第三部分

第四部分

第五部分

符号

意义

符号

意义

符号

意义

意义

意义

3

三极管

A

B

C

D

E

PNP型锗材料

NPN型硅材料

PNP型硅材料

NPN型锗材料

化合物材料

X

G

D

A

K

T

U

低频小功率管

高频小功率管

低频小功率管

低频小功率管

开关管

闸流管

光电管

表示产品序号，如第一、二、三部分相同，仅此部分不同，则表示同类型管在某些性能上有差别

规格可缺

表10：

功率管的散热片尺寸

型号

额定功率

无散热片时功率

典型功率要求的散热片尺寸（长×宽×厚）mm

3AD6

10W

1W

5W

50×50×3

10W

140×140×3

3AD30

20W

2W

15W

175×175×3

20W

220×220×3

表11：

红外发光二极管参数

符号

单位

HG310

HG450

HG520

正向工作电压

IF

Ma

50

180

3000

反向击穿电压

VR

V

＞5

≥5

管压降

VF

V

≤1.5

≤1.8

≤2

反向漏电流

IR

μA

≤50

≤100

光功率

Po

Mw

1～2

5～20

100～650

光波长

λP

Nm

940

940

940

最大功耗

Pm

mW

75

300

6000

表12：

光电二极管与光电三极管性能指标比较

性能指标

光电二极管

光电三极管

光电流

小

大

灵敏度

较低

高

输出特性曲线

好

差

响应时间

快

慢

v光电耦合器的性能指标

①正向电压UF，使发光二极管正向导通的最小电压；

②输出电IL，正向电压时的输出电流；

③反向击穿电压UBR。

v光电三极管引脚：

靠近色标且引脚较长的是e、较短的是c

v可关断晶闸管的型号

第一部分用字母K表示晶闸管的主称；

第二部分用字母K表示可关断晶闸管；

第三部分用数字表示通态额定平均电流；

第四部分用数字表示重复峰值电压；

第五部分用数字表示电路换向关断时间。

表13：

3CT系列晶体闸流管参数

型号

IT（A）

（额定正

向均流）

VDRM（V）

（正向阻

断峰压）

IGT（mA）

（控制触

发电流）

VGT（V）

（控制触

发电压）

IH（mA）

（维持

电流）

小型晶闸管

3CT021~024

3CT031~034

3CT041~044

3CT051~054

3CT061~064

0.1

0.2

0.3

0.5

1

200~1000

0.01~10

0.01~15

0.01~20

0.05~20

0.01~30

≤1.5

0.4~20

0.4~30

0.5~30

0.8~30

≤2

表14：

石英晶体型号的意义

第一部分（外壳）

第二部分（晶片切型）

第三部分（性能与尺寸）

符号

意义

符号

意义

符号

意义

符号

意义

J

金属壳

A

AT切型

H

HT切型

B

玻璃壳

B

BT切型

M

MT切型

S

塑料壳

C

CT切型

N

NT切型

D

DT切型

U

WX切型

E

ET切型

X

X切型

F

FT切型

Y

Y切型

G

GT切型

表15：

国产半导体集成电路的命名符号及意义

第一部分

第二部分

第三部分

第四部分

第五部分

主称

分类

系列品种和代号

工作温度范围

封装形式

符号

意义

符号

意义

符号

意义

符号

意义

符号

意义

C

T

TTL

根据第二部分的符号和相对应的类型而定，每一类型的集成电路都有一系列的品种代号。

例：

⑴CT3020ED表示肖特基系列双4输入与非门。

⑵CC14512MF表示8选1数据选择器。

C

0~75

W

陶瓷扁平

H

HTL

E

－40~85

B

塑料扁平

E

ECL

R

－550~85

F

金属扁平

C

CMOS

M

－55~125

P

塑料直插

F

线性

D

陶瓷直插

D

音响电视

T

金属壳圆形

W

稳压

J

接口

B

非线性

M

存储器

μ

微处理器

v继电器的型号命名

J字母字母数字字母

第一部分用字母J表示继电器的主称；

第二部分用字母表示继电器的功率或类型；

第三部分用字母表示继电器的外形特征；

第四部分用1~2数字表示序号；

第五部分用字母表示继电器的封装形式。

表16：

继电器型号中字母的意义

功率或类型

外形特征

封装形式

符号

意义

符号

意义

符号

意义

W

微功率

W

微型

F

封闭型

R

小功率

C

超小型

M

密封型

Z

中功率

X

小型

Q

大功率

G

干式

A

干簧

S

湿式

M

磁保持

H

极化

P

高频

L

交流

S

时间

U

温度

表17：

色环保险丝各种颜色的意义

额定电流（mA）

第一环颜色

第二环颜色

第三环

第四环

颜色

倍率

25

红

绿

黑

100

时间电流特性随保险丝的规格而定

100

棕

黑

棕

101

1000

棕

黑

棕

101

2000

红

黑

红

102

5000

绿

黑

红

102

10000

棕

黑

橙

103

v国产单结晶体管的型号命名

BT3数字字母

第一部分用字母B表示半导体管；

第二部分用字母T表示特种管；

第三部分用3表示3个电极；

第四部分用数字表示耗散功率；

第五部分用字母表示特性参数分类。

v单结晶体管的引脚

靠近特征标志的为E，顺时针依次为B1、B2。

表18：

国产2AP型二极管技术参数

参数

型号

最大整流电流/mA

（平均值）

最大反向工作电压/V

反向击穿电压/V

（电流为400μA）

正向电

流/μA

（电压为1V）

反向电流/μA

（电压为10、25、50、100V）

截止频率/MHz

结电容/pF

2AP1

2AP2

2AP3

2AP4

2AP5

2AP6

2AP7

16

16

25

16

16

12

12

20

30

30

50

75

100

100

≥40

≥45

≥45

≥75

≥110

≥150

≥150

≥2.5

≥1.0

≥7.5

≥5.0

≥2.5

≥1.0

≥5.0

≤250

150

≤1

2AP8A

2AP8B

≥5

≥8

15

≥20

≥4.0

≥6.0

≤200

150

≤1

2AP9

2AP10

2AP10B

10

20

20

≥65

8.0

≤200

100

≤1

表19：

国产2CZ型二极管技术参数

型号

额定整流电流IF/A

正向电压降UF/V

反正向电流IR/μA

不重复正向浪涌电流ISUR/A

工作频率f/kHz

最高结温Tj/℃

散热器规格（mm3）或面积

125℃

140℃

150℃

2CZ50

0.03

≤1.2

80

5

0.6

3

150

2CZ51

0.05

1

2CZ52A-H

0.01

≤1.0

100

10

2

2CZ53C-K

0.03

6

2CZ54B-G

0.50

10

2CZ55C-M

1

20

60×60×1.5

2CZ56C-K

3

≤0.8

100

20

65

140

60×60×1.5

2CZ57C-M

5

105

100cm2

2CZ58

10

1500

2000

4000

30

210

200cm2

2CZ59

20

420

400cm2

2CZ60

50

900

600cm2

表20：

国产2CZ最高反向工作电压URM分档标志意义

标志

URM/V

标志

URM/V

标志

URM/V

标志

URM/V

标志

URM/V

A

25

F

400

K

900

P

1800

U

2800

B

50

G

500

L

1000

Q

2000

V

3000

C

100

H

600

M

1200

R

2200

D

200

I

700

N

1400

S

2400

E

300

J

800

O

1600

T

2600

表21：

国产2CW型二极管技术参数

型号

最大耗散功率PZ/mW

最大工作电流IZM/mA

最高结温TjM/℃

稳定电压UZ/℃

电压温度系数CTU（10-4/℃）

动态电阻

（稳压电流）

rZ1/Ω

（1mA）

rZ1/Ω

（5mA）

2CW50

2CW51

2CW52

2CW53

2CW54

2CW55

250

83

150

1.0~2.8

≥－9

300

50

71

2.3~3.5

400

60

55

3.2~4.5

≥－98

550

70

41

4.0~5.8

－6~4

550

50

38

5.5~6.5

－3~5

500

30

33

6.2~7.5

≤6

400

15

2CW56

2CW57

2CW58

2CW590

2CW60

250

27

150

7.0~8.8

≤7

400

15

26

8.5~9.5

≤8

20

23

9.2~10.5

25

20

10.0~11.8

≤9

30

19

11.5~12.5

40

2CW72

2CW73

2CW74

2CW75

2CW76

2CW77

2CW78

250

29

150

7.8~8.8

≤7

12

6

25

8.5~9.5

≤8

18

10

23

9.2~10.5

≤9

25

12

21

10~11.8

30

15

20

11.5~12.5

35

18

18

12.2~14

≤9.5

35

18

14

13.5~17

45

21

表22：

国产2DW型二极管技术参数

型号

最大耗散功率PZ/mW

最大工作电流IZM/mA

最高结温TjM/℃

稳定电压UZ/℃

电压温度系数CTU（10-4/℃）

动态电阻

（稳压电流）

rZ1/Ω

（1mA）

rZ1/Ω

（5mA）

2DW230

2DW231

2DW232

2DW233

2DW234

2DW235

2DW236

2500

150

30

5.6~6.6

6.0~6.5

5

25

15

10

表23：

国产锗合金低频小功率三极管技术参数

型号

PCM/

mW

ICM/

mA

TjM/

℃

UBR

（CBO）

/V

UBR

（CEO）

/V

ICBO/

μA

UCES/

V

β

fB/

KHz

NF/

dB

3AX31M

A

B

C

D

E

F

125

125

75

≥15

≥6

≤25

≤0.65

80~400

≥8

≤15

≥20

≥12

≤20

40~180

≤8

≥30

≥18

≤12

≥40

≥24

≤6

≤4

20

≥12

≤12

3BX31M

A

B

C

125

125

75

≥15

≥6

≤25

≤0.65

80~400

≥8

≥20

≥12

≤20

≥30

≥18

≤12

40~180

≥40

≥24

≤6

3AX52A

B

C

D

150

150

75

≥30

≥12

≤12

40~150

500

≤8

≥18

30~100

≥24

25~70

3AX81A

B

200

200

75

≥20

≥10

≤30

≤0.65

≥6

≥30

≥15

≤15

≥8

3BX81A

B

200

200

75

≥20

≥10

≤30

≤0.65

≥6

≥30

≥15

≤15

≥8

表24：

国产锗合金低频大功率三极管技术参数

型号

PCM/

mW

ICM/

mA

TjM/

℃

UBR

（CBO）

/V

UBR

（CEO）

/V

ICBO/

μA

UCES/

V

β

fB/

KHz

3AD50A

B

C

10

3

90

50

18

2.5

≤200

20~140

4

60

24

≤100

70

30

≤70

3AD51A

B

C

10

2

50

18

≤60

4

60

24

45

70

30

≤50

3AD53A

B

C

20

6

50

18

12

≤35

2

60

2

70

30

3AD56A

B

C

50

15

60

30

15

3

80

45

100

60

表25：

国产锗合金高频小功率三极管技术参数

型号

PCM/

mW

ICM/

mA

TjM/

℃

UBR

（CBO）

/V

UBR

（CEO）

/V

ICBO/

μA

rbb/

V

β

fB/

KHz

NF/

dB

3AG56A

B

C

D

E1

E2

F

50

10

75

≥0.8

≥10

≤7

≤200

≤100

≤70

≤60

≤45

≤50

≤35

40~270

40~180

≥25

≤6

≤5

≤4

≤4

≤3

≤5

≥50

≥65

≥80

≥100

≥120

表26：

国产硅平面型高频小功率三极管技术参数

型号

PCM/

mW

ICM/

mA

TjM/

℃

UBR

（CBO）

/V

UBR

（CEO）

/V

ICBO/

μA

Cob/V

β

fB/

KHz

NF/

dB

3DG100A

B

C

D

100

20

150

≥4

20

≤0.1

≤4

≥30

15

30

20

300

30

3DG102A

B

C

D

100

20

150

20

150

30

20

300

30

3DG110A

B

C

D

E

F

300

50

175

15

≤5

150

30

45

15

300

30

45

3DG121A

B

C

D

500

100

175

30

≤0.2

≤8

150

45

30

300

45

3DG130A

B

C

D

700

300

≥30

≤1

≤10

150

≥45

≥30

300

≥45

3DG141A

B

C

100

15

≥10

≤0.1

≤2

≥20

600

≤6

≤4

≤2.5