专业技术职务任职资格评审表教师 工程 实验系列.docx

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专业技术职务任职资格评审表教师工程实验系列

专业技术职务任职资格评审表

（教师、工程、实验系列）

---2011版---

单位：

微电子学院

姓名：

宋建军

现任专业

技术职务：

讲师

申报评审

任职资格：

副教授

教师类型：

教学科研型

申报类型：

正常申报____

西安电子科技大学

2011年5月

一、基本情况

姓

名

现名

宋建军

性别

男

民族

汉

请贴1寸

彩色照片

曾用名

------

出生日期

1979年08月24日

出生地

山西省大同市

教师资格

证书号码

20106100071000261

现任专业

技术职务

讲师

任职时间

2009.04

岗位

专业技术10级

参加工作时间

2009.04

身体状况

良好

最高学历

毕业时间

学校

专业/学科

学制

学位

博士研究生

2008.12

西安电子科技大学

微电子学与固体电子学

三年

博士

现从事专业（二级学科及研究方向）

二级学科：

微电子学与固体电子学；研究方向：

高速/高性能半导体材料与器件

业绩简况

教学

工作

每年主讲1门本科生课程。

年均教学工作量187.1学时。

论文

与论著

第1作者：

发表学术论文16篇（其中核心期刊10篇，会议论文6篇），SCI检索7篇，EI检索6篇。

出版专著（教材）__部，个人编写___万字。

科研

项目

主持科研项（其中纵向项），到校经费万元（其中纵向万元），不含校内科研项目。

作为主要成员（排名前3）参加6项，个人可支配到校经费107万元。

获奖

与专利

获国家奖等项；

获省部级奖等项。

（如获奖1项以上，可按此格式续添）

申请国家专利（排名前3）3项，其中授权专利（排名前3）项。

二、个人经历

2.1工作经历

工作起止时间

工作单位

从事何种专业技术工作

职务

2009.04-至今

西安电子科技大学微电子学院

微电子学与固体电子学

2.2教育经历（从大学填起）

学习起止时间

毕业院校

专业

学历

学位

1997.09~2001.07

太原理工大学

材料学

本科

学士

2002.07~2005.03

西安电子科技大学

材料学

研究生

硕士

2005.09~2008.12

西安电子科技大学

微电子学与固体电子学

研究生

博士

2.3国内培训及进修经历

培训起止时间

参加何种培训（进修）

取得何种证书

证明人

2.4国（境）外研修经历

研修起止时间

国家（地区）

研修单位

研修身份

派出方式

2.5国内外学术团体任职及社会兼职经历（填写主要任职及兼职）

起止时间

学术团体名称、社会兼职单位名称

职务

三、个人总结（请填写任现职以来德、能、勤、绩等方面的情况，限800字）

本人坚持四项基本原则，拥护改革开放，要求自己严格，团结同志，关心集体，积极参加校、院、系等各级组织的各项公益活动（如冬季长跑比赛、唱红歌比赛、学院组织的本科生创新实践等），积极上进，工作认真负责，任劳任怨，重视专业理论知识学习，业务熟练，圆满地完成了本人所承担的各项教学、科研等工作任务。

1、教学任务：

主讲本科生“量子力学”课程，计193.7学时工作量。

该课程内容抽象、理论性强，学生不易理解。

为此，我做了充分的准备，不仅备课认真细致，还抽出时间加强对学生的辅导，帮助他们消化吸收课堂内容。

2、指导毕业设计：

2010年和2011年共指导本科生毕业设计10人，计180.5学时。

在指导本科生毕业设计过程中，严格要求自己，也严格要求学生，认真负责，圆满完成了设定课题。

3、协助指导硕士生、博士生的科研课题，协助筹建学科专业实验室，积极参与筹备电力电子硕士点专业实验室的建设工作。

4、参与纵向科研项目6项：

（1）硅基应变集成器件应力引入方法及机理（本人排名2）；

（2）硅基应变集成器件性能增强机理（本人排名2）；

（3）应变SiCMOS关键技术研究（本人排名3）；

（4）硅基应变器件模型与参数提取（本人排名3）；

（5）高效非晶Si/SiGe薄膜太阳能关键技术研究（本人排名2）；

（6）基于MEMS弱电压信号的拾取电路设计技术研究（本人排名2）。

5、论文情况：

任职以来，共发表第一作者论文16篇，其中7篇被SCI检索，6篇被EI检索。

以第一发明人身份，申请国家发明专利3项。

获国家发明专利5项（排名：

第四，3项；第五、第六，各1项）。

四、任现职以来教学工作情况

4.1本科生课堂教学（同一课程填写一行，主讲/辅导超过一次者在班级/班次中注明次数）

起止时间

讲授课程名称

课程性质

（必、限、任）

班级（班次）

主讲/

辅导

学时

备注

2010.03~2010.06

量子力学

必

140811

主讲

46

2010.09~2011.01

量子力学

必

140911/140912

主讲

46

2010.09~2011.01

量子力学

必

140991

主讲

46

审核意见

审核人签名：

年月日

4.2本科生实践教学（指导毕业设计等）

起止时间

实践教学内容

班级

人数

教学工作量（学时）

备注

2010.01~2010.06

本科生毕业设计

140622

3

47.5

2011.01~2011.06

本科生毕业设计

140710/140721/140722

7

133

审核意见

审核人签名：

年月日

4.3研究生课堂教学（同一课程填写一行，主讲/辅导超过一次在班级/班次中注明次数）

起止时间

讲授课程名称

课程性质

（学位、选修）

班级/班次

主讲/

辅导

学时

备注

审核意见

审核人签名：

年月日

4.4指导研究生情况

起止时间

指导研究生类型及班级

指导人数

教学工作量（学时）

备注

审核意见

审核人签名：

年月日

4.5任现职以来年均教学工作量

总教学工作量

374.2

任职年限

2

年均教学工作量

187.1

核算人签名：

年月日

4.6公开出版教材情况

教材名称

出版

单位

出版

时间

性质

（统编、出版、讲义）

本人编写字数

总

字数

印数

审核意见

审核人签名：

年月日

4.7公开发表教学改革论文情况

题目

发表刊物（或会议交流）

发表时间

获奖情况

审核意见

审核人签名：

年月日

4.8教学获奖情况

获奖项目

获奖级别与等级

获奖时间

本人作用、排名

审核意见

审核人签名：

年月日

4.9指导青年教师及进修人员情况（限200字）

4.10对教研室、实验室建设的贡献（限200字）

本人积极参与筹备专业实验室的建设工作，协助制定了电力电子硕士研究生的专业实验计划、实验内容及实验方案。

协助指导课题组硕士生、博士生的课题，为教研室、实验室的建设作出了贡献。

4.11教学情况审核意见

学院

审核意见

签名：

_________

年月日

教务处

审核意见

签名：

_________

年月日

研究生院

审核意见

签名：

_________

年月日

五、任现职以来承担科研任务情况

5.1纵向科研任务

5.1.1主持纵向科研项目

序号

项目名称及校内编号

项目

来源

起止

时间

总

经费

到校

经费

完成情况

总人数

经费小计

----

----

5.1.2参加纵向科研项目

序号

项目名称及校内编号

项目

来源

起止

时间

总

经费

到校

经费

个人支

配经费

完成情况

排名/总人数

课题组长

签名

1

硅基应变集成器件应力引入方法及机理（Z010*******）

国家部委

2009.01~2012.12

178.5万

149万

40万

在研

2/8

2

硅基应变集成器件性能增强机理（Z010*******）

国家部委

2009.01~2012.12

110.5万

98.25万

30万

在研

2/8

3

应变SiCMOS关键技术研究（Y157********）

国家部委

2006.1~2010.12

300万

300万

30万

结题

3/6

4

硅基应变器件模型与参数提取（Z010*******）

国家部委

2009.01~2012.12

76.5万

20.5万

4.0万

在研

3/8

5

高效非晶Si/SiGe薄膜太阳能关键技术研究（F010*******）

陕西省自然科学基础研究计划资助项目

2010.1~2012.12

4.0万

4.0万

2.0万

在研

2/6

6

基于MEMS弱电压信号的拾取电路设计技术研究（ZZ0303072517）

国家部委

2007.05~2010.04

5.32万

4.32万

1.0万

结题

2/5

经费小计

674.82万

576.07万

107万

----

----

审核意见

审核人签名：

年月日

5.2横向科研任务

5.2.1主持横向科研项目

序号

项目名称及校内编号

委托方

起止

时间

总

经费

到校

经费

完成情况

总人数

经费小计

----

----

5.2.2参加横向科研项目

序号

项目名称及校内编号

委托方

起止

时间

总

经费

到校

经费

个人支

配经费

完成情况

排名/总人数

课题组长

签名

经费小计

----

----

审核意见

审核人签名：

年月日

5.3校内科研项目（包括校基本业务科研经费、各类校内基金项目等）

5.3.1主持校内科研项目

序号

项目名称及校内编号

项目

来源

起止

时间

总

经费

到校

经费

完成情况

总人数

1

单轴应变Si能带结构及载流子迁移率研究（72105499）

教育部中央高校基本科研业务费

2009.9~2011.8

6.0万

6.0万

在研

4

经费小计

6.0万

6.0万

----

----

5.3.2参加校内科研项目

序号

项目名称及校内编号

项目

来源

起止

时间

总

经费

到校

经费

个人支

配经费

完成情况

排名/总人数

课题组长

签名

1

应变MOS器件可靠性研究（72104089）

教育部中央高校基本科研业务费

2009.9~2011.8

6.0万

6.0万

3.0万

在研

2/4

经费小计

6.0万

6.0万

3.0万

----

----

审核意见

审核人签名：

年月日

5.4发表学术论文情况（按国际刊物、国内刊物、会议论文依次填写）

5.4.1国际刊物

序号

论文题目

发表刊物或

收入会议录名称

发表年月

及卷期号

排名/

作者人数

SCI/EI/ISTP

检索号码

1

2

3

IntrinsiccarrierconcentrationinstrainedSi1-xGex/（101）SiMaterials

ModelofDOSneartheTopofValenceBandinStrainedSi1-xGex/（001）Si

ElectronMobilityModelforStrained-Si/（001）Si1-xGex

MaterialsScienceForum

AppliedMechanicsandMaterials

MaterialsScienceForum

2011,Vols.663-665pp470-472

2011,Vols.55-57pp979-982

2011,Vols.663-665pp477-480

1/5

1/5

3/5

EI:

20105013481108

EI检索源期刊

EI:

20105013481110

5.4.2国内刊物

序号

论文题目

发表刊物或

收入会议录名称

发表年月

及卷期号

排名/

作者人数

SCI/EI/ISTP

检索号码

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

17

18

19

Calculationofbandstructurein（101）biaxiallystrainedSi

ValencebandstructureofstrainedSi/（111）Si1-xGex

应变Si/（001）Si1-xGex空穴有效质量各向异性

应变Si1-xGex能带结构研究

应变Si/（001）Si1-xGex本征载流子浓度模型

应变Si1-xGex/（111）Si空穴有效质量模型

不同晶系应变Si状态密度研究

CalculationofbandedgelevelsofstrainedSi/（111）Si1-xGex

应变Si沟道nMOSFET阈值电压模型

含有本征SiGe层的SiGeHBT集电结耗尽层宽度模型

HoleeffectivemassinstrainedSi（111）

漏致势垒降低效应对短沟道应变硅MOSFET阈值电压的影响

（001）面任意方向单轴应变硅材料能带结构

Impactof[110]/（001）uniaxialstressonthevalencebandstructureandeffectivemassofsilicon

应变SiPMOSFET电流特性研究

GaN基MFS结构C-V特性研究

ScienceInChina（G）

ScienceInChina（G）

物理学报

物理学报

物理学报

物理学报

物理学报

ChineseJournalofSemiconductors

物理学报

物理学报

ScienceInChina（G）

物理学报

物理学报

ChineseJournalofSemiconductors

电子器件

电子器件

2009,52（4）:

546~550

2010,53（3）:

454~457

2009年58卷第7期

2009年58卷第11期

2010年59卷第3期

2010年59卷第1期

2011年60卷第4期

2010,31

（1）:

012001-3

2009年58卷第7期

2011年60卷第1期

2011,54

（2）:

450~452

2011年60卷第2期

2011年60卷第2期

2011年32卷第2期

2010,33（4）:

438~441

2010,33（6）:

684~686

1/5

1/5

1/5

1/5

1/5

1/5

1/5

1/5

5/5

4/7

3/5

4/5

3/5

3/5

4/6

5/5

SCI:

000264844400008;

EI:

20091612032639

SCI:

000276661700015;

EI:

20102312992005

SCI:

000268263700091

SCI:

000271835200087

SCI:

000276004500100

SCI:

000274219100093

SCI:

000289863100092

EI:

20100612693529

SCI:

000268263700089

SCI:

000287419100092

SCI:

000289006600012

EI:

20100123456789

SCI:

000287947000082

SCI:

000287947000081

EI:

20110813679115

5.4.3国际会议

序号

论文题目

发表刊物或

收入会议录名称

发表年月

及卷期号

排名/

作者人数

SCI/EI/ISTP

检索号码

20

21

22

23

24

25

StudyonHoleEffectiveMassofStrainedSi1-xGex/（101）Si

ModelofholescatteringofstrainedSi（101）

ModelofelectronscatteringofstrainedSi/Si1-xGex（100）

ExperimentalstudyonpenetrationdepthofRamanspectroscopyinstrainedSi

ThecalculationofElectronMobilityforStrained-Si（101）

AnalyticalModelforHoleMobilityin（001）-biaxiallyStrainedSi

IEEEInternationalConferenceonElectronDevicesandSolidState

IEEEICISE

IEEEICPST

IEEEInternationalAsiaConferenceonOpticalInstrumentandMeasurement

IEEEICCCI

IEEEICEICE

2009年12月25

2010年12月

2010年12月

2010年11月

2010年12月

2011年4月

1/5

1/4

1/5

1/7

1/4

1/4

EI:

20101212789814

EI:

20110913705660

EI检索源会议

EI检索源会议

EI检索源会议

EI检索源会议

审核意见

审核人签名：

年月日

5.5出版学术著作情况（不含教材）

书名

出版单位

出版时间

总字数

本人编写字数

印数

获奖

情况

审核意见

审核人签名：

年月日

5.6科研获奖情况

序号

项目名称

获奖时间

获奖名称

及等级

本人排名/

证书编号

审核意见

审核人签名：

年月日

5.7专利情况

序号

专利名称

类型（发明/实用新型/外观设计）

授权/申请

时间

专利授权/

申请号

所有发明人姓名

（按排序）

1

2

3

4

5

6

7

8

一种垂直交叉堆叠栅应变SiGeC量子阱沟道CMOS器件结构

多晶Si1-xGex/金属并列覆盖双栅SSGOInMOSFET器件结构

异质金属堆叠栅SSGOIpMOSFET器件结构

SiN掩蔽技术制备纳米级CMOS集成电路的方法

一种SiO2掩蔽技术制备纳米级CMOS集成电路的方法

基于SiN/SiO2掩蔽技术的纳米级CMOS集成电路制备方法

三维量子阱CMOS集成集成器件及其制作方法

基于多层辅助结构制备多晶SiGe栅纳米级CMOS集成电路方法

发明

发明

发明

发明

发明

发明

发明

发明

2011年

2011年

2011年

2009年

2009年

2009年

2009年

2009年

专利