半导体制程实验.docx
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半导体制程实验.docx
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半导体制程实验
題目一、金屬氧化物半導體(MOS)電容器製作,與電壓電容量測。
題目二、金屬半導體接面與蕭基二極體之製作與I-V量測。
國立虎尾科技大學
題目一、金屬氧化物半導體(MOS)電容器製作,與電壓電容量測。
原理:
MOS二極體結構是在半導體基板上成長氧化物,再於氧化物上沉積金屬薄膜,MOS的結構如下圖所示。
圖中金屬稱為閘極,而氧化物是一種絕緣體,氧化物的作用再隔絕電流通過。
金屬氧化物半導體(MOS)結構中,絕緣體的氧化物介於導體與半導體之間,因此這個結構的功能相當於一個平行版電容器。
如果再金屬與半導體隻堅加一電壓時,在金屬與半導體的兩邊將會被充電,並在界面附近堆積電荷。
當不同材料連結一起時,費米能階必須對齊。
當無外加偏壓時,半導體中的能帶彎區是由金屬功函數Φm與半導體功函數Φs的差所決定的。
所以如果在閘極外加一偏壓VG,使得半導體中不會有能帶彎曲,及所需要的閘極電壓為:
VFB=Φm-XS-EC+EF=Φm-Φs=ΦMs
其中,XS為半導體的電子親和力。
這是閘極電壓VFB稱為MOS結構的平帶電壓(FLAT-BANDVOLTAGE)。
電容-電壓(C-V)之量測、分析:
一個典型的C-V給出了MOS電容和直流電壓的關係。
通過分析C-V曲線可以監測氧化膜的性能及其介面性質。
可以測出的參數有:
Qf/q=單位面積固定氧化層電荷
Vfb=平帶電壓=Ψms-(Qf/Co)
Qm/q=單位面積可移動離子玷汙電荷
一個交流訊號疊加在呈斜線上升的直流電壓上。
”LF”和”HF”分別指”低頻”(低於100Hz)和”高頻”(1MHz)下的測量值。
低頻曲線和高頻曲線的差別是由熱產生的電子-空穴對造成的:
低頻時再一個週期所經歷的時間內產生很多電子-空穴對,因此不存在耗屬電容。
但在高頻時,在一個週期內只能產生少量的電子-空穴對。
高頻C-V特性原理根低頻差不多,唯讀不同的是,高頻C-V曲線在反轉區域時電容值不會提高,那是因為當量測頻率超過100Hz時,反轉電荷將無法跟的上交流訊號,因此整體電容值不會上升如圖;圖中有一條C-V曲線(C)到最低點時依然繼續下降,那是深空乏現象,主要的原因是因為閘極電壓掃過的速度過快而造成的。
利用高低頻C-V量測方法,可以觀察出一些有關氧化層在電性方面資訊,進一步分析我們想要了解的訊息,可是低頻C-V曲線在氧化層很薄時,容易受到漏電流的影響,所以不容易量出,因此在做高介電係數材料相關研究的團隊,當期氧化層的物理厚度很薄時,多享都利用高頻儀器來量測C-V特性曲線。
當在一MOS結構閘極外加一電壓時,其中一部分電壓VOX落在氧化物上,而另一部分落在半導體,半導體的表面電壓:
V=VOX+ΦS
在MOS結構中,氧化物電容COX=ε0XA/dox=Koxε0A/dox
A為閘極面積,Kox是氧化物相對介電常數,ε0是真空的介電常數,dox是氧化物厚度。
半導體電容Cs=εSA/W=Ksε0A/W
電容電壓(C-V)關係的量測通常是在一直流閘極偏壓上,再加上一個為小的交流測試電壓訊號,因此所量測的電容值會隨測試電壓頻率而可能有所不同。
但有一個不隨電壓而改變之固定電容C=Cox=ε0XA/dox
金屬氧化物半導體(MOS)電容器製作步驟:
1、準備試片
用鐵弗龍夾子拿出試片,再用鑽石切割刀將晶片切割成所需大小,取用之。
2、晶片清洗
a、沖去離子水(D.I.WATER)。
b、調配H2SO4:
H2O2=3:
1溶液,煮試片10~20分鐘,75℃~85℃去除重金屬及有機物。
c、沖去離子水(D.I.WATER)。
d、調配HF:
H2O=1:
100溶液,煮試片10~30秒。
e、沖去離子水(D.I.WATER)。
f、調配NH4OH:
H2O2:
H2O=0.25:
1:
5溶液,煮試片10~20分鐘,75℃~85℃去除有機物、細菌、金屬離子…等。
g、沖去離子水(D.I.WATER)。
h、調配HCL:
H2O2:
H2O=1:
1:
6溶液,煮試片10~20分鐘,75℃~85℃。
i、沖去離子水(D.I.WATER)。
j、吹乾,收於盒中。
*先倒H2O,再倒酸或鹼溶液,若有H2O2則最後倒。
*廢液倒入回收桶。
3、高溫爐管操作步驟
a、開總電源POWER「ON」。
b、冷卻水,儀表風扇POWER「ON」。
c、開N2VALVE,開氣體控制器POWER「ON」AUTOMANU「ON」N2「ON」氣體輸出「ON」調節N2流量(錶調至1㎏/㎝2,流量高度設定10)。
d、升溫,CONTROL「ON」,ELEMENT「ON」,SET溫度錶400℃,待三個燈都滅表爐溫已達設定溫度,再以200℃STEP(每次升溫200℃),升至1000℃。
e、將WAFER置於BOAT上,以專用推緩緩推入至爐內中心位置。
f、開O2VALVE,O2「ON」,調解O2流量(錶調至1㎏/㎝2,流量高度設定15)N2「OFF」,計時2小時。
g、時間到,N2「ON」,O2「OFF」,關O2VALVE緩緩拉出BOAT。
h、以200℃為STEP降溫至400℃。
i、ELEMENT「OFF」,CONTROL「OFF」,N2「OFF」,關N2VALVE。
j、約1小時候,關冷卻水,儀表風扇POWER「OFF」。
k、總電源POWER「OFF」。
4、熱蒸镀機操作步驟
a、開啟空壓機及冰水機,再開啟蒸镀機POWER。
b、等真空計達2PA以下,將標示「HVP」調成「ON」並等待40分鐘,等待時,可先將試片貼上光罩,再將試片放入腔體中,開腔體放試片時需確定玻璃窗是否乾淨,此窗用來觀察镀料是否溶化。
c、40分鐘一到,DIFFUSIONPUMP前置閥關掉,開機械PUMP粗抽閥抽腔體,等待5分鐘使下方真空計達2PA以下。
d、關機械PUMP粗抽閥,將DIFFUSUIPNPIUMP前置閥開啟排放油氣,抽CHAMBER主閥開啟。
e、過5分鐘,上方真空計達5×10TORR以下。
f、確定镀料及試片已放置定位。
g、開啟「POWER」調整「POWERADJ」加熱鎢舟,使其到達發紅溫度,讓镀料溶解至適當狀態。
h、調整加熱電力(150mA以上),使镀料蒸镀到試片上。
(需確定镀料已完全蒸镀上去,若有殘留,鎢舟下次即不能使用)
i、「POWERADJ」歸零。
j、POWER「OFF」按下後2分鐘,再洩真空取出試片。
k、FV「OFF」RV「ON」抽CHAMBER5分鐘,使下方真空計達2PA以下,RV「OFF」FV「ON」。
(此動作為保護機器)
l、HVP「OFF」,等40分鐘。
m、FV「OFF」RP「OFF」。
n、關蒸镀機、冰水機、總電源開關。
關空壓機、冰水機出水閥。
5、四點探針量測
5-1:
連接探針
a、將連接在基座上之連接頭和探針的連接頭接在一起。
b、將四隻探針分別依HI/LO連接於4-WIRESENSE區之HI/LO。
INPUT-OUTPUT區之HI/LO。
c、上拉扶桿到頂端。
d、小心接上四點探頭於基座上。
5-2:
設定為四點量測
a、按下控制面板上之POWER,等待5秒。
b、按下CONFIG。
c、按下MEAS區之Ω。
d、按下EDIT區之鍵,選SENCEMODE後,按下ENTER。
e、按下EDIT區之鍵,選4-WIRE後,按下ENTER。
f、按下EXIT,回主選單。
5-3:
參數設定
a、按下SOURCE區之I。
(即設定電流,若要設定電壓,則按V)
b、按下EDIT區之鍵,閃動的零即為目前所要調整的位數。
c、按下EDIT區之▲或▼鍵,可設定電流大小,設定完後按下ENTER。
d、置一濾紙於底板上,並將待測的WAFER置於濾紙上。
e、按下ON/OFF,當紅燈亮時,即可量測。
f、小心壓下扶桿到底,面板上顯示的數字即為量測的數值。
g、按下MEAS區之V,即為所測得的電壓。
h、按下MEAS區之Ω,即為所測得的電阻。
i、按下MEAS區之I,即為所設定的電流值。
j、面板螢幕上之ISRC:
所設定之電流。
面板螢幕上之CMPL:
所負載的最大電壓值。
k、按下ON/OFF,紅燈熄滅。
l、小心上拉扶桿到底,取下試片。
5-4:
關機步驟
a、按下POWER。
b、取下探針。
c、取下控制面板上之探針。
d、歸回儀器。
6、I-V曲線量測
6-1:
連接探針
a、將兩探針的一端分別接於控制面板上之INPUT/OUTPUT的HI/LO孔中。
b、按下控制面板之POWER。
6-2:
電腦軟體操作
a、執行IV_2400。
b、選定電壓量電流或定電流量電壓。
SWEEP-------固定的項目。
SENSE--------量測的項目。
c、若設定為定電流量電壓,則需設定起始電流,終端電流以及間隔電流之大小。
若設定為定電壓量電流,則需設定起始電壓,終端電壓以及間隔電壓之大小。
註:
最大電壓為3V,間隔電壓為3mV。
最大電流為50mA,間隔電流為50μA。
d、輸入功率容許值W:
若系統設定為定電流,則系統會自動由所設定的功率,換算出電壓容許值。
e、執行RUNTEST,開始量測。
f、執行IINSPECT,可編輯、列印所繪製的I-V曲線。
6-3:
關機步驟
a、關電腦。
b、按下POWER。
c、取下探針。
d、取下探頭,收回盒內。
e、歸回儀器。
註:
需先開I-VSOURCE後才能開電腦,如此才能偵測到儀器。
7、退火處理
a、利用高溫爐管加熱到450℃,再緩冷至室溫。
8、再次I-V曲線量測
8-1:
連接探針
a、將兩探針的一端分別接於控制面板上之INPUT/OUTPUT的HI/LO孔中。
b、按下控制面板之POWER。
8-2:
電腦軟體操作
a、執行IV_2400。
b、選定電壓量電流或定電流量電壓。
SWEEP-------固定的項目。
SENSE--------量測的項目。
c、若設定為定電流量電壓,則需設定起始電流,終端電流以及間隔電流之大小。
若設定為定電壓量電流,則需設定起始電壓,終端電壓以及間隔電壓之大小。
註:
最大電壓為3V,間隔電壓為3mV。
最大電流為50mA,間隔電流為50μA。
d、輸入功率容許值W:
若系統設定為定電流,則系統會自動由所設定的功率,換算出電壓容許值。
e、執行RUNTEST,開始量測。
f、執行IINSPECT,可編輯、列印所繪製的I-V曲線。
8-3:
關機步驟
a、關電腦。
b、按下POWER。
c、取下探針。
d、取下探頭,收回盒內。
e、歸回儀器。
註:
需先開I-VSOURCE後才能開電腦,如此才能偵測到儀器。
9、C-V量測
9-1連接探針
a、將連接在基座上和探針之連接頭接在一起。
b、將四隻探針分別依HI/lo連接於4-WireSense區之HI/lo;INPUT-OUTPUT3.區之HI/lo。
c、上拉扶桿到頂端。
d、小心接上四點探頭於基座上。
9-2設定為四點量測
a、按下控制面板上之POWER鈕,並暫停5秒。
b、按下控制面板上之CONFIG鈕。
c、按下控制面板上之MEAS區之Ω鍵。
d、按下控制面板上之DEIT區之>鍵,選擇SENCEMODE後,按下控制面板上之ENTER鈕。
e、按下控制面板上之DEIT區之>鍵,選擇4-WIRE模式後,按下控制面板上之ENTER鈕。
f、按下控制面板上之EXIT鈕,回到主選單。
9-3參數設定
a、按下控制面板上之SOURCE區之I鍵。
b、按下控制面板上之DEIT區之>鍵,閃動的0既為目前所要調整的位數。
c、按下控制面板上之DEIT區之鍵,▲或▼鍵,既可調整設定電流的大小,設定完之後再按下ENTER鈕。
d、置一濾紙於底板上,並將待測的Wafer至於濾紙上。
e、按下控制面板上之ON/oFF鍵,當紅色燈亮起時,既開始量測。
f、小心壓下扶桿到底,面板上的數字既所要之數值。
g、按下控制面板上之MEA區之V鍵,則面板上的數字既所測得之電壓數值。
當按下控制面板上之MEA區之Ω鍵,則面板上的數字既所測得之電阻數值。
當按下控制面板上之MEA區之I鍵,則面板上的數字會趨於所設定的定電流值。
h、面板螢幕上Isrc之:
為所設定的電流。
面板螢幕上Cmpl之:
為所能負載的最大電壓值。
系統會自動偵測及控制所設定極所量測的I*V值不會超過SYSTEM的額定負荷之大小。
如當ISRC為100MA時,最大只能為2.0V。
i、按下控制面板上之ON/oFF鍵,使紅色燈熄滅。
j、小心上拉扶桿到底後,取下試片。
9-4關機
a、按下控制面板上之POWER鈕。
b、取下探針。
c、取下控制面板上探針。
d、歸還儀器。
題目二、金屬半導體接面與蕭基二極體之製作與I-V量測。
原理:
IC製程中,線路與元件連接時,其間「接面」是必須重視的問題。
當兩者相接時,往往無法形成理想接面,都會在介面處造成狹窄且高能障的接面。
原因是一般在製作時介面處都會有表面態,就像某一程度的污染一樣,最常見的是半導體本身氧化,或是金屬原子的污染。
這些都是我們在製程過程中需考量且去除之因素。
假設我們不考慮以上的因素(理想接面),金屬和半導體間的接面特性,就決定於金屬與半導體的功率數的高低差異,與半導體本身載子形成。
如下圖,假若欲於N形半導體上形成毆姆接觸,理論上條件是金屬的功率數須小於半導體的功率數,否則會形成具整流作用的蕭基接觸,其能障可用SCHOTTKY-MOTT理論,φb=φm-xs,而φm為金屬功函數,xs為半導體的電子親和力,P形半導體情況則相反。
蕭基接觸勢壘(SCHOTTKYBARRIER)
當一個金屬和一個半導體還沒有接觸時,兩者能帶圖可由下圖表示,以N形半導體為例。
功函數代表真空能階(VACUUMLEVEL)與費米勒能階(FERMILEVEL)之差。
金屬的功函數在圖中用qΦm表示。
而半導體的功函數qΦs則為q(x+Vn),其中qx是真空能階與半導體能帶底端能階Ec的差,叫電子清親和勢(ELECTRONAFFINITY),qVn則市Ec與半導體費米能階之間的距離。
金屬與半導體二者費米能階之差,也就是qΦm-q(x+Vn)稱為接觸電位差(CONTACTPOTENTIAL)。
當金屬與半導體漸靠近而接觸時,兩者費米能階必須變相同,若Φm>Φs,再剛開始接觸時半導體中的電子會移動到金屬,金屬表面因而帶負電荷,而半導體中則會有一個相同數量的正電荷分佈,這會改變半導體的能帶狀況。
最後情況會如上圖最右方所示。
金屬與半導體之間會有一勢壘,他的大小
qΦBn=q(Φm-x)。
這勢壘就稱蕭基勢壘。
金屬楚於正電壓的情況下,電子傳導的機制有以下四種。
1、從半導體通過勢壘之頂的熱發射。
2、通過勢壘的量子力學穿遂。
3、在半導體表面空間電荷區的電子電洞複合。
4、在半導體內部電中性區的電子電洞複合。
蕭基二極體的特點:
不論在金屬或N形半導體中,所有的傳導行為幾乎完全由電子來完成,也就是指在多數載體才能對電流傳導有貢獻,因而稱之為多數載體元件(MAJORITYCARRIERDEVICE),其最大優點就是沒有少數載子儲存效應,固為一高速元件。
金屬半導體接面與蕭基二極體之製作步驟:
1、準備試片
用鐵弗龍夾子拿出試片,再用鑽石切割刀將晶片切割成所需大小,取用之。
2、晶片清洗
a、沖去離子水(D.I.WATER)。
b、調配H2SO4:
H2O2=3:
1溶液,煮試片10~20分鐘,75℃~85℃去除重金屬及有機物。
c、沖去離子水(D.I.WATER)。
d、調配HF:
H2O=1:
100溶液,煮試片10~30秒。
e、沖去離子水(D.I.WATER)。
3、熱蒸镀機操作步驟
蒸鍍前必須先將試片貼上光罩。
(如下圖)
a、開啟空壓機及冰水機,再開啟蒸镀機POWER。
b、等真空計達2PA以下,將標示「HVP」調成「ON」並等待40分鐘,等待時,可先將試片貼上光罩,再將試片放入腔體中,開腔體放試片時需確定玻璃窗是否乾淨,此窗用來觀察镀料是否溶化。
c、40分鐘一到,DIFFUSIONPUMP前置閥關掉,開機械PUMP粗抽閥抽腔體,等待5分鐘使下方真空計達2PA以下。
d、關機械PUMP粗抽閥,將DIFFUSUIPNPIUMP前置閥開啟排放油氣,抽CHAMBER主閥開啟。
e、過5分鐘,上方真空計達5×10TORR以下。
f、確定镀料及試片已放置定位。
g、開啟「POWER」調整「POWERADJ」加熱鎢舟,使其到達發紅溫度,讓镀料溶解至適當狀態。
h、調整加熱電力(150mA以上),使镀料蒸镀到試片上。
(需確定镀料已完全蒸镀上去,若有殘留,鎢舟下次即不能使用)
i、「POWERADJ」歸零。
j、POWER「OFF」按下後2分鐘,再洩真空取出試片。
k、FV「OFF」RV「ON」抽CHAMBER5分鐘,使下方真空計達2PA以下,RV「OFF」FV「ON」。
(此動作為保護機器)
l、HVP「OFF」,等40分鐘。
m、FV「OFF」RP「OFF」。
n、關蒸镀機、冰水機、總電源開關。
關空壓機、冰水機出水閥。
4、四點探針量測
4-1:
連接探針
a、將連接在基座上之連接頭和探針的連接頭接在一起。
b、將四隻探針分別依HI/LO連接於4-WIRESENSE區之HI/LO。
INPUT-OUTPUT區之HI/LO。
c、上拉扶桿到頂端。
d、小心接上四點探頭於基座上。
4-2:
設定為四點量測
g、按下控制面板上之POWER,等待5秒。
h、按下CONFIG。
i、按下MEAS區之Ω。
j、按下EDIT區之鍵,選SENCEMODE後,按下ENTER。
k、按下EDIT區之鍵,選4-WIRE後,按下ENTER。
l、按下EXIT,回主選單。
4-3:
參數設定
k、按下SOURCE區之I。
(即設定電流,若要設定電壓,則按V)
l、按下EDIT區之鍵,閃動的零即為目前所要調整的位數。
m、按下EDIT區之▲或▼鍵,可設定電流大小,設定完後按下ENTER。
n、置一濾紙於底板上,並將待測的WAFER置於濾紙上。
o、按下ON/OFF,當紅燈亮時,即可量測。
p、小心壓下扶桿到底,面板上顯示的數字即為量測的數值。
q、按下MEAS區之V,即為所測得的電壓。
r、按下MEAS區之Ω,即為所測得的電阻。
s、按下MEAS區之I,即為所設定的電流值。
t、面板螢幕上之ISRC:
所設定之電流。
面板螢幕上之CMPL:
所負載的最大電壓值。
m、按下ON/OFF,紅燈熄滅。
n、小心上拉扶桿到底,取下試片。
4-4:
關機步驟
a、按下POWER。
b、取下探針。
c、取下控制面板上之探針。
d、歸回儀器。
5、I-V曲線量測
5-1:
連接探針
a、將兩探針的一端分別接於控制面板上之INPUT/OUTPUT的HI/LO孔中。
b、按下控制面板之POWER。
5-2:
電腦軟體操作
a、執行IV_2400。
b、選定電壓量電流或定電流量電壓。
SWEEP-------固定的項目。
SENSE--------量測的項目。
c、若設定為定電流量電壓,則需設定起始電流,終端電流以及間隔電流之大小。
若設定為定電壓量電流,則需設定起始電壓,終端電壓以及間隔電壓之大小。
註:
最大電壓為3V,間隔電壓為3mV。
最大電流為50mA,間隔電流為50μA。
d、輸入功率容許值W:
若系統設定為定電流,則系統會自動由所設定的功率,換算出電壓容許值。
e、執行RUNTEST,開始量測。
f、執行IINSPECT,可編輯、列印所繪製的I-V曲線。
5-3:
關機步驟
a、關電腦。
b、按下POWER。
c、取下探針。
d、取下探頭,收回盒內。
e、歸回儀器。
註:
需先開I-VSOURCE後才能開電腦,如此才能偵測到儀器。
6、退火處理
a、利用高溫爐管加熱到450℃,再緩冷至室溫。
7、再次I-V曲線量測
7-1:
連接探針
a、將兩探針的一端分別接於控制面板上之INPUT/OUTPUT的HI/LO孔中。
b、按下控制面板之POWER。
7-2:
電腦軟體操作
a、執行IV_2400。
b、選定電壓量電流或定電流量電壓。
SWEEP-------固定的項目。
SENSE--------量測的項目。
c、若設定為定電流量電壓,則需設定起始電流,終端電流以及間隔電流之大小。
若設定為定電壓量電流,則需設定起始電壓,終端電壓以及間隔電壓之大小。
註:
最大電壓為3V,間隔電壓為3mV。
最大電流為50mA,間隔電流為50μA。
d、輸入功率容許值W:
若系統設定為定電流,則系統會自動由所設定的功率,換算出電壓容許值。
e、執行RUNTEST,開始量測。
f、執行IINSPECT,可編輯、列印所繪製的I-V曲線。
7-3:
關機步驟
a、關電腦。
b、按下POWER。
c、取下探針。
d、取下探頭,收回盒內。
e、歸回儀器。
註:
需先開I-VSOURCE後才能開電腦,如此才能偵測到儀器。
8、C-V量測
8-1連接探針
a、將連接在基座上和探針之連接頭接在一起。
b、將四隻探針分別依HI/lo連接於4-WireSense區之HI/lo;INPUT-OUTPUT3.區之HI/lo。
c、上拉扶桿到頂端。
d、小心接上四點探頭於基座上。
8-2設定為四點量測
a、按下控制面板上之POWER鈕,並暫停5秒。
b、按下控制面板上之CONFIG鈕。
c、按下控制面板上之MEAS區之Ω鍵。
d、按下控制面板上之DEIT區之>鍵,選擇SENCEMODE後,按下控制面板上之ENTER鈕。
e、按下控制面板上之DEIT區之>鍵,選擇4-WIRE模式後,按下控制面板上之ENTER鈕。
f、按下控制面板上之EXIT鈕,回到主選單。
8-3參數設定
a、按下控制面板上之SOURCE區之I鍵。
b、按下控制面板上之DEIT區之>鍵,閃動的0既為目前所要調整的位數。
c、按下控制面板上之DEIT區之鍵,▲或▼鍵,既可調整設定電流的大小,設定完之後再按下ENTER鈕。
d、置一濾紙於底板上,並將待測的Wafer至於濾紙上。
e、按下控制面板上之ON/oFF鍵,當紅色燈亮起時,既開始量測。
f、小心壓下扶桿到底,面板上的數字既所要之數值。
g、按下控制面板上之MEA區之V鍵,則面板上的數字既所測得之電壓數值。
當按下控制面板上之MEA區之Ω鍵,則面板上的數字既所測得之電阻數值。
當按下控制面板上之MEA區之I鍵,則面板上的數字會趨於所設定的定電流值。
h、面板螢幕上Isrc之:
為所設定的電流。
面板螢幕上Cmpl之:
為所能負載的最大電壓值。
系統會自動偵測及控制所設定極所量測的I*V值不會超過SYSTEM的額定負荷之大小。
如當ISRC為100MA時,最大只能為2.0V。
i、按下控制面板上之ON/oFF鍵,使紅色燈熄滅。
j、小心上拉扶桿到底後,取下試片。
8-4關機
a、按下控制面板上之POWER鈕。
b、取下探針。
c、取下控制面板上探針。
d、歸還儀器。
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