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4填空题
1.图SK_01所示符号各表示哪种沟道的结型场效应管?
其箭头方向代表什么?
1.为什么结型场效应管的输入电阻比三极管的输入电阻高得多?
2.结型场效应管作放大器件用时,它的栅极与沟道间的PN结能加正向偏置电压吗?
为什么?
3.N沟道与P沟道结型场效应管产生预夹断的条件分别是什么?
预夹断与全夹断有什么区别?
选择正确答案填空
1.场效应管是利用外加电压产生的____来控制漏极电流的大小的。
A.电流 B.电场 C.电压
2.场效应管是____器件,而三极管是____器件。
A.电压控制电压 B.电流控制电压 C.电压控制电流 D.电流控制电流
3.结型场效应管利用删-源极间所加的____来改变导电沟道的电阻。
A.反偏电压 B.反向电流 C.正偏电压 D.正向电流
4.场效应管漏极电流由____的漂移运动形成。
A.少子 B.电子 C.多子 D.两种载流子
5.P沟道结型场效应管的夹断电压Vp为____,漏-源电压vDS为____。
A.正值 B.负值 C.vGS D.零
6.P沟道结型场效应管发生预夹断时,漏-源极间电压____。
A. vDS=vGS-VP B. vDS ≥vGS-VP
C. |vDS|=|vGS-VP| D. |vDS| ≥|vGS-VP|
7.P沟道结型场效应管工作在放大区的条件是____。
A. 0 ≤vGS B. VP C. 0 ≤vGS D. 0 ≤vGS 答案: 1.B 2.C,D 3.A 4.C 5.A,B 6.C 7.D 1.试判断图SK_01所示输出特性曲线各对应哪种器件。 如是结型场效应管,请说明它属于何种沟道。 图SK_01 2.试画出P沟道结型场效应管的输出特性曲线和转移特性曲线,并在特性曲线中标出IDSS及VP等参数。 3.预夹断后,结型场效应管处于何种工作状态? 此时沟道中夹断点到源极的电位差为多少? 它是不是常数? 1.为什么MOS管的输入电阻比结型场效应管的输入电阻高? 2.试画出P沟道增强型MOS管的结构示意图。 1.夹断电压VP与开启电压VT各是哪种类型的管子的参数? 它们有区别吗? 说明理由。 2.结型场效应管与耗尽型MOS管同属耗尽管,为什么前者的vGS只能有一种极性,而后者的vGS可以有两种极性? 3.试画出P沟道耗尽型MOS管的结构示意图。 并说明它的夹断电压是正值还是负值? 选择正确答案填空: 1.N沟道结型场效应管的夹断电压VP为____,N沟道增强型MOS管的开启电压VT为____。 A.正值 B.负值 C.零 D.vGS 2.N沟道耗尽型MOS管产生预夹断的条件是____。 N沟道增强型MOS管产生预夹断的条件 是____。 A.vDS=vGS-VP B.vDS=vGS-VT 及vGS>VT C.vDS=vGS-VT D.vDS=vGS-VP 及 vGS>VP 答案: 1.B,A 2.A,B 1.图LX-01所示为MOS管的转移特性,请分别说明各属于何种沟道。 如是增强型,说明它的开启电压VT=? 如是耗尽型,说明它的夹断电压VP=? (图中iD的假定正向为流进漏极。 ) (a) (b) (c) 图LX_01 2.一个MOS管的转移特性如图LX_02所示(其中漏电极电流iD的方向是它的实际方向)。 试问: (1)该管是耗尽型还是增强型? 图LX_02 (2)是N沟道还是P沟道FET? (3)从这个转移特性上可求出该FET的夹断电压VP还是开启电压VT? 其值等于多少? 3.四只场效应管的转移特性分别如图LX-03(a)、(b)、(c)、(d)所示,其中漏极电流iD的方向是它的实际方向。 试问它们各是哪种类型的FET? (a) (b) (c) (d) 图LX_03 1.图LX-01所示为MOS管的转移特性,请分别说明各属于何种沟道。 如是增强型,说明它的开启电压VT=? 如是耗尽型,说明它的夹断电压VP=? (图中iD的假定正向为流进漏极。 ) (a) (b) (c) 图LX_01 2.一个MOS管的转移特性如图LX_02所示(其中漏电极电流iD的方向是它的实际方向)。 试问: (1)该管是耗尽型还是增强型? 图LX_02 (2)是N沟道还是P沟道FET? (3)从这个转移特性上可求出该FET的夹断电压VP还是开启电压VT? 其值等于多少? 3.四只场效应管的转移特性分别如图LX-03(a)、(b)、(c)、(d)所示,其中漏极电流iD的方向是它的实际方向。 试问它们各是哪种类型的FET? (a) (b) (c) (d) 图LX_03 选择正确答案填空: 1.各种场效应管对电压vDS极性的要求由____决定。 A.vGS的极性 B.耗尽型还是增强型 C.沟道的类型 2.结型场效应管中,外加电压vGS和vDS的极性____。 A.无特殊要求 B.必须相反 C.必须相同 3.P沟道耗尽型MOS管中,外加电压vGS的极性为____,外加电压vDS的极性为____。 A.正 B.负 C.可正可负 4.P沟道增强型MOS管中,外加电压vGS的极性为____,外加电压vDS的极性为____。 A.正 B.负 C.可正可负 5.vGS= 0 时,不能工作在放大区的场效应管是____。 A.结型管 B. 耗尽型MOS管 C. 增强型MOS管 答案: 1.C 2.B 3.C,B 4.B,B 5.C 1.与三极管相比,场效应管的性能有哪些特点? 2.场效应管与三极管都是电压放大器件,为什么场效应管的放大能力只能用gm表示,而三极管的放大能力可用或gm表示? 3.为什么场效应管的热稳定性、抗辐射能力比三极管好? 4.双极型三极管从结构上看可以分成___和___两种类型,它们工作时有___和___两种载流子参与导电。 场效应管从结构上可分成___和___两种类型,它们工作时只有___载流子参与导电。 场效应管热稳定性好的原因是___。 5.MOS管有___型和___型两种类型,每一种类型的MOS管有___沟道和___沟道两种导电沟道。 6.场效应管是___控制器件,漏极电流的大小受___控制;三极管若用简化的小信号模型等效时可以认为是___控制器件。 7.场效应管与三极管相比,静态输入电流___(大、小),受温度影响___(大、小),放大作用___(大、小)。 一、判断下列说法是否正确 1.结型场效应管通常可采用两种直流偏置电路,即自偏压方式和分压式自偏压电路。 () 2.增强型MOS管也可以采用与结型场效应管同样的两种偏置方式。 () 3.耗尽型MOS管不能采用自偏式方式。 () 二、选择正确答案填空 1.图CS_01所示电路中能进行正常放大的是电路____。 A.图(a) B.图(b) C.图(c) (a) (b) (c) 图CS_01 2.为使图CS_02所示电路具有放大作用,必须____。 A.在源极加一电阻R B. 在栅极与Rg2间加一电阻Rg3 C.去掉电阻Rg2 D.将电源+VDD改为-VDD 图CS-02 答案: 一.1.对 2.错 3.错 二.1.C 2.A 1.试分析图SK_01所示各电路能否进行正常放大,并说明如何加以改正才能实现正常放大。 选择正确答案填空: 1.电路如图CS_01所示,已知场效应管的IDSS=4mA,VP=–4V,VDD=20V,静态电压VGS=–2V。 (1)该电路的静态电流ID_____。 A.4mA B.2mA C.1mA D.0. (2)电阻R1=_____ A.0.5k B.1k C.2k D.4k (3)在正常放大条件下,R2可能的最大值是_____。 A.1k B.2k C.4k D.6k (a) 2.电路如图CS_02(a)所示,图CS_02(b)是场效应管的转移特性曲线, (1)所用场效应管类型是____。 A.N沟道耗尽型MOS管 B.N沟道增强型MOS管 C.P沟道耗尽型MOS管 D.N沟道结型场效应管 (2)它的VP=____V。 A.0 B.-1 C.-4 D.5 (3)IDSS=____mA。 A.-4 B.5 C.0 D.4 图CS_02 (b) (4)该电路中静态偏置电压VGS的表达式为____。 A. -IDR B.0 C.IDR D.IGRg (5)若要求VGS=-2V,则源极电阻R应为____。 A.4k B.2k C.1.6k D.1k 答案: 1. (1).C (2).C (3).D 2. (1).D (2).C (3).B (4).A (5).C 选择正确答案填空: 在图CS_01所示的放大电路中,耗尽型MOS管的gm=1ms,rd趋于无穷大,各电容对交流信号可视为短路。 1.该电路的Av=____。 A.-3 B.3 C.-5 D.5 2.该电路的Ri=____,Ro=____。 A. B. 3k C. 5M D. 5k 3.若C3开路,R短路,Rd和RL不变,则Av的大小____。 A.减小 B.增大 C.不变 4.若C3开路,R
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