国家科技重大专项极大规模集成电路制造装备及成套工艺项目指南.docx

国家科技重大专项极大规模集成电路制造装备及成套工艺项目指南.docx

《国家科技重大专项极大规模集成电路制造装备及成套工艺项目指南.docx》由会员分享，可在线阅读，更多相关《国家科技重大专项极大规模集成电路制造装备及成套工艺项目指南.docx（38页珍藏版）》请在冰豆网上搜索。

国家科技重大专项极大规模集成电路制造装备及成套工艺项目指南

国家科技重大专项

“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”

2011年项目指南

为推动我国集成电路制造产业的发展，提升我国集成电路制造装备、工艺及材料技术的自主创新能力，充分调动国内力量为重大专项的有效实施发挥作用，国家科技重大专项“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”根据实施方案和“十二五”实施计划，安排一批拟于2011年启动的项目在全国公开发布，通过竞争择优方式选择优势单位，组织产学研用联盟承担项目。

一、项目申请范围

根据附件1列出的项目指南说明，进行项目申请，编制《项目申报书》。

二、项目申报与组织方式

由专项实施管理办公室组织，通过工业与信息化部、教育部、中国科学院、各省（计划单列市）科委（厅、局）向所辖企事业单位发布指南。

申请单位编制项目申报材料，由行业主管部门或各省（计划单列市）科委（厅、局）汇总后统一报送专项实施管理办公室。

汇总上报的主管部门需出具正式呈报公函（含项目清单、申报概算表）和落实地方资金的承诺。

专项实施管理办公室对各地方（部门）申报项目进行汇总后，由专项总体组组织专家进行申请材料初审，筛选符合指南要求的单位提交专项办公室，由专项办公室组织评审委员会进行正式评审和重点项目复审，依据评审结果择优委托主承担单位，在专项总体组指导下组织产业联盟和产学研用联盟承担项目。

三、项目申报单位基本要求

1、在中国境内注册的中资控股企业，注册资本为申请国拨经费的10%以上。

2、具备独立法人资格的科研院所和高校等事业单位。

3、同一单位本次主承担项目原则上不超过2项。

同一个人负责项目及下设课题/子课题不能超过1项，参与项目不能超过1项。

四、资金集成要求

有资金集成要求的项目，需由地方政府或行业主管部门按照指南要求比例提供出资承诺。

最终金额以项目立项后财政审核批复预算为依据。

五、报送要求

每个项目报送《项目申报书》纸质材料一式3份（具体要求见附件3）及电子版（光盘）1份，以及其它材料（见附件2）。

六、联系方式

联系人：

张国铭、高华东、吴如菲

联系电话：

010－，

电子邮件：

gaohuadong@

通讯地址：

北京市海淀区知春路27号（大运村）量子芯座集成电路设计园403室

邮编：

七、截止时间

2010年5月24日17：

00前送达专项实施管理办公室。

附件1

2011年项目指南说明

一、集成电路关键制造装备产品

1.项目任务：

32-22nm栅刻蚀机产品研发及产业化

项目编号：

2011ZX02101

项目类别：

产品开发与产业化

项目目标：

研究开发面向32-22nm极大规模集成电路生产线的栅刻蚀设备，突破高温E-Chuck等关键技术，研究相关高k介质和金属栅的刻蚀工艺，取得核心自主知识产权，满足32-22nm主流集成电路栅刻蚀工艺要求，性能指标达到同类产品国际先进水平，并通过集成电路大生产线的考核与用户认证，具备产业化能力及市场竞争力。

2013年首台设备产品进入大生产线考核，2014年通过考核，并实现3台以上的销售。

组织实施方式：

公开招标，择优支持，系统组织

项目承担单位要求：

主承担单位要求是独立法人的企业或企业性质的研究所，组织产学研用联盟联合承担项目。

研发团队应有稳定的队伍并有国际前沿技术研发能力，需要具备知识创新能力，具备产业化能力和经验。

执行期限：

2011－2014年

资金集成要求：

国拨：

地方：

企业＝1:

1：

1

2.项目任务：

45-22nm超低能注入设备产品研发及产业化

项目编号：

2011ZX02102

项目类别：

集成电路关键制造装备产品

项目目标：

研究开发面向45-22nm集成电路工艺要求的超低能大束流离子注入机，研究超浅结注入工艺，取得核心自主知识产权。

性能指标达到同类产品国际先进水平，完成相关工艺开发，并通过集成电路大生产线的考核与用户认证，具备产业化能力及市场竞争力。

2012年首台设备产品进入大生产线考核，2013年通过考核，2014年实现2台以上的销售。

组织实施方式：

公开招标，择优支持，系统组织

项目承担单位要求：

主承担单位要求是独立法人的企业或企业性质的研究所，组织产学研用联盟联合承担项目。

研发团队应有稳定的队伍并有国际前沿技术研发能力，需要具备知识创新能力，具备产业化能力和经验。

执行期限：

2011－2014年

资金集成要求：

国拨：

地方：

企业＝1:

1：

1

3.项目任务：

45-22nm互连镀铜设备研发与产业化

项目编号：

2011ZX02103

项目类别：

产品开发与产业化

项目目标：

研究开发面向45-22nm集成电路工艺的镀铜设备，研究相关镀铜工艺，取得核心自主知识产权，满足45-22nm主流集成电路工艺的相关参数要求，性能指标达到国际同类产品的先进水平，2012年设备进入大生产线考核，2013年完成考核，实现10-20台的销售。

组织实施方式：

公开招标，择优支持，系统组织

项目承担单位要求：

主承担单位要求是独立法人的企业或企业性质的研究所，组织产学研用联盟联合承担项目。

研发团队应有稳定的队伍并有国际前沿技术研发能力，需要具备知识创新能力，具备产业化能力和经验。

执行期限：

2011－2014年

资金集成要求：

国拨：

地方：

企业＝1:

1：

1

4.项目任务：

高性能外延炉设备研发与产业化

项目编号：

2011ZX02104

项目类别：

产品开发与产业化

项目目标：

研究开发减压和常压外延设备产品并实现产业化，研究开发面向45-32nm应变硅工艺的超高真空化学气相淀积选择性外延设备。

取得核心自主知识产权，性能指标达到国际同类产品的先进水平，2013年进入大生产线考核,2014年完成考核并实现销售。

组织实施方式：

公开招标，择优支持，系统组织

项目承担单位要求：

主承担单位要求是独立法人的企业或企业性质的研究所，组织产学研用联盟联合承担项目。

研发团队应有稳定的队伍并有国际前沿技术研发能力，需要具备知识创新能力，具备产业化能力和经验。

执行期限：

2011－2014年

资金集成要求：

国拨：

地方：

企业＝1:

1：

1

5.项目任务：

45-32nmLPCVD设备产业化

项目编号：

2011ZX02105

项目类别：

产品开发与产业化

项目目标：

研究开发面向45-32nm工艺的LPCVD设备，研究相关工艺，取得核心自主知识产权，性能指标达到国际同类产品的先进水平，2013年进入大生产线考核,2014年完成考核，实现销售5台以上销售。

组织实施方式：

公开招标，择优支持，系统组织

项目承担单位要求：

主承担单位要求是独立法人的企业或企业性质的研究所，组织产学研用联盟联合承担项目。

研发团队应有稳定的队伍并有国际前沿技术研发能力，需要具备知识创新能力，具备产业化能力和经验。

执行期限：

2011－2014年

资金集成要求：

国拨：

地方：

企业＝1:

1：

1

6.项目任务：

300mm硅片前道光刻匀胶显影设备研发与产业化

项目编号：

2011ZX02106

项目类别：

产品开发与产业化

项目目标：

研制完成300mm硅片前道光刻匀胶显影设备，自主研发关键零部件、开发相关工艺，取得自主知识产权，满足65－45纳米主流工艺的相关参数要求，性能指标达到同类产品国际先进水平，2012年进入生产线考核及用户认证，2013年完成考核，实现5台以上销售。

组织实施方式：

公开招标，择优支持，系统组织

项目承担单位要求：

主承担单位要求是独立法人的企业或企业性质的研究所，组织产学研用联盟联合承担项目。

研发团队应有稳定的队伍并有国际前沿技术研发能力，需要具备知识创新能力，具备产业化能力和经验。

组织实施方式：

公开招标，择优支持，系统组织

执行期限：

2011－2014年

资金集成要求：

国拨：

地方：

企业＝1:

1：

1

7.项目任务：

45-22nmOCD检测系统研发与产业化

项目编号：

2011ZX02107

项目类别：

产品开发与产业化

项目目标：

开发45－22nm集成电路设备用OCD嵌入式模块产品与设备研发，实现与相关设备的集成，满足膜厚、线宽、图形形貌等工艺测量要求，取得自主知识产权，满足45－22纳米主流工艺的相关参数要求，性能指标达到同类产品国际先进水平，2011年完成与45-22nm刻蚀机等设备的集成应用以及45-22纳米集成电路大生产线的考核认证，具备产业化能力及市场竞争力，并完成3台以上的示范应用。

组织实施方式：

公开招标，择优支持，系统组织

项目承担单位要求：

主承担单位要求是独立法人的企业或企业性质的研究所，组织产学研用联盟联合承担项目。

研发团队应有稳定的队伍并有国际前沿技术研发能力，需要具备知识创新能力，具备产业化能力和经验。

执行期限：

2011－2013年

资金集成要求：

国拨：

地方：

企业＝1:

1：

0.5

8.项目任务：

45-22nm工艺检测设备研发与产业化

项目编号：

2011ZX02108

项目类别：

产品开发与产业化

项目目标：

面向45-22nm工艺需求，研究开发缺陷、颗粒、化学沾污等工艺测试分析设备产品，通过生产线考核与认证，并实现销售。

组织实施方式：

公开招标，择优支持，系统组织

项目承担单位要求：

主承担单位要求是独立法人的企、事业单位，组织产学研用联盟联合承担项目。

研发团队应有稳定的队伍并有国际前沿技术研发能力，需要具备知识创新能力，具备产业化能力和经验。

执行期限：

2011－2015年

资金集成要求：

国拨：

地方：

企业＝1:

1:

0.5

9.项目任务：

先进掩膜制造工艺与设备研制

项目编号：

2010ZX02103

项目类别：

产品开发与产业化

项目目标：

面向集成电路掩膜版的制造要求，开展130－65nm掩模制造工艺研究开发，具备高端掩模版规模制造能力，通过用户考核认证。

开展制版关键设备研制，突破图形生成、腐蚀、清洗、检测和图形修补等设备关键技术，研制设备产品，掌握制造和集成工艺，取得自主知识产权；产品通过生产线考核与用户认证，具备产业化能力及市场竞争力。

组织实施方式：

公开招标，择优支持，系统组织

项目承担单位要求：

主承担单位要求是独立法人的企业或企业性质的研究所，组织产学研用联盟联合承担项目。

研发团队应有稳定的队伍并有国际前沿技术研发能力，需要具备知识创新能力，具备产业化能力和经验。

执行期限：

2011－2013年

资金集成要求：

国拨：

地方：

企业＝1:

1：

1

10.项目任务：

300mmIC生产线自动物料搬运系统研发与应用

项目编号：

2011ZX02109

项目类别：

产品开发与产业化

项目目标：

研发面向300mm集成电路生产线的自动物料搬运系统。

符合SEMI相关标准。

研发通用标准的晶片工艺制造设备的外接晶片装载设备，可以与多数工艺生产设备相结合。

2012年进入大生产线考核,2013年通过考核，实现销售及示范应用。

组织实施方式：

公开招标，择优支持，系统组织

项目承担单位要求：

主承担单位要求是独立法人的企业或企业性质的研究所，组织产学研用联盟联合承担项目。

研发团队应有稳定的队伍并有国际前沿技术研发能力，需要具备知识创新能力，具备产业化能力和经验。

执行期限：

2011－2014年

资金集成要求：

国拨：

地方：

企业＝1:

1：

1

二、装备共性技术与关键零部件产品

11.项目任务：

IC装备特种精密零部件加工及表面处理技术

项目编号：

2011ZX02402

项目类别：

公共平台与关键技术

项目目标：

建立面向300mm集成电路生产线工艺装备特殊需求的精密机械零部件制造及表面处理、光学部件加工等支撑平台，突破超精密机械零件加工技术、超精密光学部件制造技术、集成电路装备高端部件所需表面处理、清洗、超洁净包装等技术，满足国内关键IC装备零部件制造的相关工艺要求，制造能力和制造技术达到国际先进水平，具备批量加工制造能力，2012年通过5家以上国内整机制造企业的考核与用户认证，并开展应用服务。

组织实施方式：

公开招标，择优支持，系统组织

项目承担单位要求：

主承担单位要求是非整机研发、专业从事部件加工服务、具备大批量加工设备的独立法人企业或企业性质的研究所，熟悉集成电路高端零部件、光学部件制造特殊工艺需求，具有完善的管理体系及质量保证体系，有稳定的技术队伍和加工制造经验。

执行期限：

2011－2013年

资金集成要求：

国拨：

地方：

企业＝1:

1：

1

12.项目任务：

低温真空泵系列产品开发与产业化

项目编号：

2011ZX02406

项目类别：

产品开发与产业化

项目目标：

研究开发极大规模集成电路装备用低温真空泵系列产品，性能指标达到同类产品国际先进水平，通过5家以上高端整机用户的考核与采购认证，具备产业化能力及市场竞争力，获得超过200台的销售。

组织实施方式：

公开招标，择优支持，系统组织

项目承担单位要求：

主承担单位要求是独立法人的企业或企业性质的研究所，组织产学研用联盟联合承担项目。

研发团队应有稳定的队伍并有国际前沿技术研发能力，需要具备知识创新能力，具备产业化能力和经验。

执行期限：

2011－2013年

资金集成要求：

国拨：

地方：

企业＝1:

1：

1

13.项目任务：

集成电路生产线自动化调度控制软件技术

项目编号：

2011ZX02403

项目类别：

产品开发与产业化

项目目标：

研发面向极大规模集成电路生产线的生产调度软件产品和封装生产线自动化系统软件产品。

研究生产资源的调度优化、生产过程的实时监视、异常预警、质量控制等技术，自主研制出相关大生产线制造执行系统软件产品，满足集成电路制造、封装与测试生产线的高实时性、高产率、高成品率的需求；建立客户支持服务体系，并在3家以上企业得到验证与应用，签订长期合作与服务合同。

组织实施方式：

公开招标，择优支持，系统组织

项目承担单位要求：

主承担单位要求是非用户单位的独立法人专业自动化软件企业或企业性质的研究所，组织产学研用联盟联合承担项目。

团队需熟悉集成电路生产线自动化调度与控制技术，具有完善的管理体系及质量保证体系，有稳定的技术队伍和行业经验。

执行期限：

2011－2014年

资金集成要求：

国拨：

地方：

企业＝1:

1：

0.5

14.项目任务：

IC装备多领域建模工艺仿真与多学科协同设计通用平台

项目编号：

2011ZX02404

项目类别：

关键技术研究

项目目标：

面向极大规模集成电路制造装备整机设计和产品开发的需求，研究工艺腔室中流场、热场、电磁场、等离子体等多场强耦合的多领域建模与仿真技术、多学科协同设计技术，开发集成电路装备整机建模与仿真和多学科协同设计平台，形成实用化的软件工具，提供完整的技术解决方案和成果产业化转移方案，并在4家以上典型集成电路制造装备的设计与产品开发中取得实际应用，通过用户企业的考核认证。

组织实施方式：

公开招标，择优支持，系统组织

项目承担单位要求：

主承担单位要求是独立法人的非整机企、事业单位，依托企业组织产学研用联盟，并建立稳定的软件服务平台。

执行期限：

2011－2014年

15.项目任务：

集成电路制造设备、工艺、材料创新技术研究

项目编号：

2011ZX02405

项目类别：

前瞻性研究

项目目标：

面向未来集成电路发展，研究新原理制造设备与工艺、高迁移率材料为有源层的新器件技术、片内光互连技术、石墨烯器件技术等创新技术，形成新器件与电路设计、制造所需的设备、工艺、材料综合解决方案，关键技术取得工程性突破并在专项先导工艺中心得到原理性验证，为进入实际生产应用开发奠定基础。

组织实施方式：

公开招标，择优支持，系统组织

项目承担单位要求：

主承担单位要求是独立法人的企、事业单位，研发团队应有稳定的队伍并有国际前沿技术研发能力，组织产学研用联盟联合承担项目。

执行期限：

2011年－2014年

三、成套工艺与产品工艺

16.项目任务：

面向下一代通讯、多媒体、数字家电产品的集成制造工艺及产品服务平台

项目编号：

2011ZX02501

项目类别：

产品工艺开发与产业化

项目目标：

基于300mm生产线开发出65-45nm高速、低功耗、处理器与存储器（含嵌入式）、数模混合、射频、SOI等产品工艺；

突破可制造性设计技术，建立完善的面向用户产品设计的单元库和IP库，形成集成制造平台与产品设计服务平台。

为国内设计单位提供不少于20个免费工程批用于产品研制。

经过10个以上典型高端产品（包括01、03专项支持产品及其他国内设计产品）的批量生产验证。

进行国产设备的验证考核与试用。

组织实施方式：

公开招标，择优支持，系统组织

项目承担单位要求：

主承担单位要求是独立法人的集成电路芯片大型制造企业，组织产学研用联盟联合承担项目，鼓励制造企业与IP核及芯片产品设计单位联合承担。

执行期限：

2011－2013年

资金集成要求：

国拨：

地方：

企业＝1:

1:

1.5

17.项目任务：

32-28nm产品工艺开发

项目编号：

2011ZX02507

项目类别：

工艺开发与产业化

项目目标：

基于300mm生产线研究开发32-28nm低功耗、低漏电成套产品工艺，形成较为完善的自主知识产权体系；

建立完整的设计单元库、模型参数库和IP库及可制造性设计解决方案，形成完善的产品设计服务体系。

为国内设计单位提供不少于20个免费工程批用于产品研制。

2013年完成典型产品的生产，2014年实现5种以上产品（包括01、03专项支持产品及其他国内设计产品）的规模化量产。

进行国产设备的验证考核与试用。

组织实施方式：

公开招标，择优支持，系统组织

项目承担单位要求：

主承担单位要求是独立法人的集成电路芯片大型制造企业，组织产学研用联盟联合承担项目，鼓励制造企业与IP核及芯片产品设计单位联合承担。

执行期限：

2011－2014年

资金集成要求：

国拨：

地方：

企业＝1:

1：

1.5

18.项目任务：

高压高功率电力电子芯片工艺开发与产业化

项目编号：

2011ZX02502

项目类别：

产品工艺开发与产业化

项目目标：

面向智能电网、电动汽车、高速铁路、家电产品和工业控制等应用，开发薄硅片（FS与NPT）高压高功率IGBT及配套器件产品工艺（基于200mm大规模生产线），研制出6种以上1700V、2500V、3300V高压高功率IGBT及配套器件产品并实现量产；

建立开放的产品设计制造服务平台，为国家发改委、科技部等相关电力电子器件发展计划提供制造服务与支撑；

开展4500－6500V高压IGBT芯片关键技术研究，研制出合格产品。

研究开发高速低功耗600V以上功率芯片产品工艺，形成完整的产品设计、制造、封装解决方案并实现量产。

组织实施方式：

公开招标，择优支持，系统组织

项目承担单位要求：

主承担单位要求是独立法人的大型集成电路芯片制造企业，并组织产学研用联盟联合承担项目，鼓励生产企业与产品设计单位、用户单位联合承担，并与模块封装项目申请单位结成产业链联盟。

执行期限：

2011－2013年

资金集成要求：

国拨：

地方：

企业＝1:

1：

1.5

19.项目任务：

硅基射频功率芯片工艺开发与产业化

项目编号：

2011ZX02503

项目类别：

产品工艺开发与产业化

项目目标：

面向物联网、无线通信、消费电子等领域应用需求，开发BVceo=7-8V、Ft=15-40GHz的SiGe功率HBT制造工艺；

突破封装与可靠性评测技术，5种以上高性能射频单芯片功率放大器（PA）产品实现批量生产与销售；

建立产品设计服务平台，并为01、03专项及其他国家计划支持产品提供制造服务与支撑。

为国内设计单位提供不少于20个免费工程批用于产品研制。

组织实施方式：

公开招标，择优支持，系统组织

项目承担单位要求：

主要承担单位要求是独立法人的集成电路制造企业，组织产学研用联盟联合承担项目，鼓励生产企业与设计单位联合承担。

执行期限：

2011—2013年

资金集成要求：

国拨：

地方：

企业＝1:

1：

1.5

20.项目任务：

与CMOS生产线兼容的MEMS规模制造技术

项目编号：

2011ZX02504

项目类别：

工艺开发与产业化

项目目标：

面向物联网产业发展需求，针对我国MEMS传感器走向产业化遇到的规模制造能力薄弱的瓶颈问题，基于CMOS生产线开发满足批量制造要求的硅基MEMS传感器产品工艺，解决规模化制造的一致性、重复性、可靠性等关键技术问题；

建立专业化的硅基MEMS代工平台，达到2000片以上的月产能；突破MEMS的产品设计技术，建立产品设计服务平台，为国内设计单位提供不少于20个免费工程批用于产品研制。

开发通用MEMS封装与测试技术，形成量产能力。

完成10种以上MEMS典型产品加工工艺开发并实现量产。

组织实施方式：

公开招标，择优支持，系统组织

项目承担单位要求：

主承担单位要求是独立法人的企业或企业性质的研究所，组织产学研用联盟联合承担项目。

鼓励产品设计、制造和封装单位组成产业链联合攻关。

执行期限：

2011－2013年

资金集成要求：

国拨：

地方：

企业＝2:

1：

1

21.项目任务：

汽车电子芯片工艺研发与产业化

项目编号：

2011ZX02506

项目类别：

产品工艺开发与产业化

项目目标：

面向汽车动力控制系统、信息系统、安全控制系统和车身控制系统等领域所需的车载控制芯片，建立汽车电子芯片制造工艺平台，完成汽车电子芯片生产体系的建立和质量认证。

取得自主知识产权，建立完备的模型库、单元库和IP库。

与芯片设计、封装及汽车电子模块企业合作，整合产业链，合作开发车身、底盘、动力控制、车载信息系统和安全控制系统等典型产品，通过汽车电子模块及整车应用考核，进入整车实际应用，实现量产。

为国内设计单位提供不少于20个免费工程批用于产品研制。

组织实施方式：

公开招标，择优支持，系统组织

项目承担单位要求：

主承担单位要求是独立法人的企业或企业性质的研究所，组织产学研用联盟联合承担项目，鼓励产品设计、制造、封装、应用等上下游单位联合攻关。

执行期限：

2011－2014年

资金集成要求：

国拨：

地方：

企业＝1:

1：

1.5

22.项目任务：

高性能图像传感芯片工艺及产业化

项目编号：

2011ZX02801

项目类别：

产品工艺开发与产业化

项目目标：

面向物联网、消费电子等产业对高性能图像传感器芯片产品的需求，开发320－1000万像素的高性能CIS产品工艺，在单元像素、高质量图像、超低漏电工艺等方面取得自主知识产权，建立产品设计服务平台，完成5－8种高性能CMOS图像传感器芯片产品开发并实现量产。

组织实施方式：

公开招标，择优支持，系统组织

项目承担单位要求：

主承担单位要求是独立法人的集成电路芯片制造企业，并组织产学研用联盟联合承担项目，鼓励生产企业与设计单位联合承担。

执行期限：

2011－2013年

资金集成要求：

国拨：

地方：

企业＝1:

1：

1.5（前立项后补助）

23.项目任务：

0.13μm/0.11μm高端BCD工艺及产业化

项目编号：

2011ZX02505

项目类别：

产品工艺开发与产业化

项目目标：

面向高端SoC和功率系统集成芯片领域，完成内嵌NVM的0.13μm/0.11μm高密度BCD工艺开发与设计服务平台建设，LDMOS电压涵盖12V/18V/32V/40V/60V,提供高性能无源器件包括低温漂SiCr电阻，提供4KVESD的设计服务，取得自主知识产权，完成5－10种产品的量产。

组织实施方式：

公开招标，择优支持，系统组织

项目承担单位要求：

主承担单位要求是独立法人的集成电路芯片制造企业，并组织产学研用联盟联合承担项目，鼓励生产企业与设计单位联合承担。

。

执行期限：

2011－2013年

资金集成要求：

国拨：

地方：

企业＝1:

1：

1.5（前立项后补助）

四、封装测试装备、工艺及材料

2