模拟电子技术复习题及答案.docx
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模拟电子技术复习题及答案
一、填空题:
(要求)
1、电子电路中常用的半导体器件有二极管、稳压管、双极型三极管和场效应等。
制造这些器材的主要材料
是半导体,例如_和_等。
半导体中中存在两种载流子:
和。
纯净的半导体称为,它的导电能力很差。
掺有少
量其他元素的半导体称为杂质半导体。
杂质半导体分为两种:
型半导体一一多数载流子是;
型半导体一一多数载流子是。
当把P型半导体和N型半导体结合在一起时,在两者的交界处形成一个结,这是制造半导体器件的基础。
2、三极管的共射输岀特性可以划分为三个区:
区、区和区。
为了对输入信号进行线形放大,
避免产生严重的非线形性失真,应使三极管工作在区内。
当三极管的静态工作点过分靠近区
时容易产生截止失真,当三极管的静态工作点靠近区时容易产生饱和失真。
3、半导体二极管就是利用一个加上外壳,引岀两个电极而制成的。
它的主要特点是具有性,
在电路中可以起整流和检波等作用。
半导体二极管工作在_区时,即使流过管子的电流变化很大,管子
两端的电压变化也很小,利用这种特性可以做成。
4、场效应管利用栅源之间电压的_效应来控制漏极电流,是一种控制器件。
场效应管分为型
和型两大类。
5、多极放大电路常用的耦合方式有三种:
耦合、耦合和耦合。
6、在本征半导体中加入价元素可形成N型半导体,加入价元素可形成P型半导体。
7、集成运放中常用的偏置电路有_电流源、_电流源和电流源等。
8不同类型的反馈对放大电路产生的影响不同。
正反馈使放大倍数;负反馈使放大倍数;但其
他各项性能可以获得改善。
直流负反馈的作用是,交流负反馈能够。
9、电压负反馈使输岀保持稳定,因而了放大电路的输岀电阻;而电流负反馈使输岀
保持稳定,因而了输岀电阻。
串联负反馈了放大电路的输入电阻;并联负反馈则了
输入电阻。
在实际的负反馈放大电路中,有以下四种基本的反馈组态:
式、式、式和—
式。
10、将一个RC低通电路与一个RC高通电路联在一起,可以组成带通滤波器;将一个RC低通电路
与一个RC高通电路联在一起,可以组成带阻滤波器。
11、滤波电路的主要任务是尽量滤掉输岀电路中的成分,同时,尽量保留其中的成分。
滤波电路主要由电容、电感等储能元件组成。
电容滤波适用于
电流,而电感滤波适用于电流。
在实际工作中常常将二者结合起来,以便进一步降低成
分。
12在三极管多级放大电路中,已知Av1=20、Av2=-10、Av3=1,每一级的负载电阻是第二级的输入电阻,则
总的电压增益Av=();
Av1是()放大器,Av2是()放大器,Av3是()放大器。
13集成运算放大器在()状态和()条件下,得出两个重要结论他们是:
()和
()
14单相桥式整流电路中,若输入电压V2=30,则输出电压Vo=()V;若负载电阻Rl=100Q,整流二
极管电流ld(av)=()A。
二、选择题:
1、PN结外加正向电压时,扩散电流漂移电流,耗尽层
2、图中D1-D3为理想二极管,A,B,C灯都相同,试问哪个灯最亮?
正詰文谊电■源
2-
JD
r-
ABC
3、设硅稳压管Dz1和Dz2的稳定电压分别为5V和10V,求图中电路的输出电压Uo。
已知稳压管的正向压
降为0.7Vo
4、图所示电路,设Ui=sin3t(V),V=2V,二极管具有理想特性,则输出电压Uo的波形应为图示
图。
5、判断图所示电路中各二极管是否导通
并求A,B两端的电压值。
设二极管正向压降为0.7V
6、二极管最主要的特性是,它的两个主要参数是反映正向特性的和反映反向特
性的。
(注:
本题为往年考题)
7、在晶体管放大电路中测得三个晶体管的各个电极的电位如图所示。
试判断各晶体管的类型(是PNP管还是NPN管,是硅管还是锗管),并区分e、b、c三个电极。
8、测得某NPN管得VBE=0.7V,VCE=0.2V,由此可判定它工作在区
9、为保证BJT共发射极放大器不产生削波失真,并要求在2K得负载上有不小于2V得信号电压幅度,在选
择静态工作点时,就应保证|ICQp,|VCEQp。
(注:
以上两题为2000年北京理工大学研究生入学考试“模拟与数字电路”考题)
10、在由PNP晶体管组成的基本共射放大电路中,当输入信号为1KHz5mV的正弦电压时,输出电压波形
岀现了顶部削平的失真。
这种失真是。
A.饱和失真B.截止失真C.交越失真D.频率失真
11、如下电路能否实现正常放大?
12、在如图所示的基本放大电路中,输出端接有负载电阻RL,输入端加有正弦信号电压。
若输出电压波形
岀现底部削平的饱和失真,在不改变输入信号的条件下,减小RL的值,将岀现什么现象?
A.可能使失真消失B.失真更加严重C可能岀现波形两头都削平的失真。
13、为了使一个电压信号能得到有效的放大,而且能向负载提供足够大的电流,应在这个信号源后面接入
什么电路?
A.共射电路B.共基电路C.共集电路
14、在如图所示的放大电路中,设Vcc=10V,Rb1=4©,Rb2=6KQ,Rc=2KQ,Re=3.3KQ,RI=2KQ。
电容C1,
C2和Ce都足够大。
若更换晶体管使B由50改为100,rbb'约为0),则此放大电路的电压放大倍数。
A.约为原来的2倍B.约为原来的0.5倍C.基本不变D.约为原来的4倍15、对于如图所示电路,问关于放大倍数的计算,以下式子哪个正确?
A.-px[(Rc||RL)/(rbe+Re)]B.-B[(Rc||RL)/rbe]C.-px[(Rc||RL)/(Rb1||Rb2||rbe)]
16、集成运算放大器是一种采用耦合方式的放大电路,最常见的问题是,限于集成工艺
的限制,在内部组成上,对高阻值电阻通常采用由三极管或场效应管组成的来替代,或是采用
的方法来解决。
17、在差动放大电路中,若Vs1=18mVVs2=10mV则输入差模电压Vsd=mV,共模输入电压
Vsc=mV若差模电压增益Avd=-10,共模电压增益Avc=-0.2,则差动放大电路输出电压
Vo=mV
18、差动放大电路的基本功能是对差模信号的作用和对共模信号的作用。
(注:
本题为1998
年北京理工大学研究生入学考试“模拟与数字电路”考题)
俗案)
19、在不考虑反馈网络的附加移相作用时,负反馈转化为正反馈需
A:
—级放大B:
二级放大C:
三级放大
20、某放大电路在负载开路时的输出电压为4V,接入12KQ的负载电阻后,输出电压降为3V,这说明放大
电路的输出电阻为:
A:
10KQB:
2KQC:
4KQD:
3KQ
(答案与提示)
21.在考虑放大电路的频率失真时。
若Ui为正弦波,则Uo()
A有可能产生相位失真
B有可能产生幅度失真和相位失真
C一定会产生非线性失真
D不会产生线性失真
22某电路有用信号频率为2KHz,可选用()
A低通滤波器B高通滤波器
C带通滤波器D带阻滤波器
23工作在电压比较器中的运放与工作在运算电路中的运放的主要区别是,前者的运放通常工作在()
A开环或正反馈状态B深度负反馈状态
C放大状态D线形工作状态
24与甲类功率放大方式比较,乙类OCL互补对称功放的主要优点是()
A不用输出变压器B不用输出端大电容
C效率高D无交越失真
三、计算题1、写出下图所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压Ud=0.7V。
2、电路如图所示,
Vcc=15V,3=100,Ube=0.7V。
试问:
(1)Rb=50kQ时,uo=?
(2)若T临界饱和,贝URb~?
3、电路如图所示,晶体管导通时Ube=0.7V,卩=50。
试分析Vbb为0V、1V、3V三种情
况下T的工作状态及输出电压Uo的值。
4、
olu
(+12V)
电路如图所示,试问卩大于多少时晶体管饱和?
<
*oi
(+5V)
looktiL
T
5、电路如下图所示,晶体管的=60,rbb=100Q。
(1)求解Q点、Au、Ri和Ro;
(2)设Us=10mV(有效值),问Ui=?
Uo=?
若C3开路,则Ui=?
Uo
6、电路如图下所示共集电极电路,晶体管的=80,rbe=1kQo
(1)求出Q点;
(2)分别求出Rl=s和Rl=3kQ时电路的A和Ri;
O
O
R
出
求
3
7、电路如图P2.13所示,晶体管的=100,rbb=100Qo
(1)求电路的Q点、Au、R和Ro;
(2)若电容Ce开路,则将引起电路的哪些动态参数发生变化?
如何变化?
图P2.13
8、电路如下图所示,判断反馈类型,并求出输出与输入的表达式。
Rf
Ui
R
解:
利用虚断及虚短和叠加定理
RRf
(a)U十fuo1十fui0;uo1
(b)冇©
ui;Uo2
RRf
R
Ui
9、比例运放电路如下图所示,试求其输出电压
Vo与输入Vi1、Vi2的关系表达式。
10、试分别判断比较器类型,并求出图
(a)、(b)所示各电路的电压传输特性。
U
Ui
(a)同相滞回比较器
(b)反相滞回比较器
11、下图所示电路参数理想对称,晶体管的卩均为50,rbb=100Q,Ubeq
沁0.7。
试计算Rw滑动端在中点时Ti管和T2管的发射极静态电流Ieq,以及动态参数Ad和Ri。
(-6V)
12、判断图(a)所示电路的反馈类型,并估算图(a)所示负反馈放大器的闭环电压增益
Auf=U)/U。
(a)电路
Uf
Uo
(b)反馈网络
13、定性分析图所示电路,说明T1、T2在电路中的作用。
七Vet
14:
判断如图电路的反馈类型
C1
15、判断如图电路的反馈类型
c.eK
16、倍压整流电路如图所示,求输出电压VL2的值。
BC三位置时,
17、电路如图所示,设半导体三极管的3=80,试分析当开关K分别接通A三级管各工作在输出特性曲线的哪个区域,并求出相应的集电极电流Ic。
18、已知某共射放大电路的中频电压放大倍数为Aum=-1000,fL=10HzfH=1MHz
请画出该放大电路的对数幅频特性曲线图。
19、在下图所示运算放大电路中,已知v1=10mVv2=30mV,推导输入输出表达式,并求vo=?
+
vo
20、
理想比例运放电路如下图所示,试指出反馈的类型,并求其电压放大倍数
1、21、指出下列电路图的输入、输出接法,两个电路的电压放大倍数有何关系?
Affl
-VKE
错误!
错误!
不能读取或显示文件。
LL
四、问答题1、PN结是如何形成的?
2、二极管正、负极性的判断方法?
3、举例说明二极管的主要应用?
4、在三极管的输出特性曲线上三极管有哪三个区?
各区的特点?
5、放大电路的组成及各元件的作用?
6、放大电路有哪三种基本分析方法?
举例说明。
复习题答案
说明:
将鼠标放在答案两字位置即有显示一、填空题:
(要求)
1、电子电路中常用的半导体器件有二极管、稳压管、双极型三极管和场效应等。
制造这些器材的主要材料
是半导体,例如硅_和锗等。
半导体中中存在两种载流子:
电子和空穴。
纯净的半导体称为本征半导体,它的导电能力很差。
掺有少
量其他元素的半导体称为杂质半导体。
杂质半导体分为两种:
n型半导体一一多数载流子是电子;p型
半导体一一多数载流子是空穴。
当把P型半导体和N型半导体结合在一起时,在两者的交界处形成一个PN结,这是制造半导体器件的基础。
2、三极管的共射输岀特性可以划分为三个区:
截止放大区区和饱和区。
为了对输入信号进
行线形放大,避免产生严重的非线形性失真,应使三极管工作在放大区内。
当三极管的静态工作
点过分靠近截止区时容易产生截止失真,当三极管的静态工作点靠近饱和区时容易产生饱和失
真。
3、半导体二极管就是利用一个PN结加上外壳,引出两个电极而制成的。
它的主要特点是具有单向
性,在电路中可以起整流和检波等作用。
半导体二极管工作在反向击穿区时,即使流过管子的电流变
化很大,管子两端的电压变化也很小,利用这种特性可以做成稳压管。
4、场效应管利用栅源之间电压的电场效应来控制漏极电流,是一种电压控制器件。
场效应管分
为结型型和绝缘栅型两大类。
5、多极放大电路常用的耦合方式有三种:
阻容耦合、直接耦合和变压器耦合。
6、在本征半导体中加入5价元素可形成N型半导体,加入3价元素可形成P型半导体。
7、集成运放中常用的偏置电路有镜像电流源、比例电流源和微电流源等。
8不同类型的反馈对放大电路产生的影响不同。
正反馈使放大倍数提高:
负反馈使放大倍数降低:
但
其他各项性能可以获得改善。
直流负反馈的作用是稳定静态工作点,交流负反馈能够改善放大电路的各项动态技术指标。
9、电压负反馈使输岀电压保持稳定,因而减小了放大电路的输岀电阻;而电流负反馈使输岀电流保
持稳定,因而增大了输岀电阻。
串联负反馈增大了放大电路的输入电阻;并联负反馈则减小了输入电阻。
在实际的负反馈放大电路中,有以下四种基本的反馈组态:
电压串联式、电压并联式、电
流串联式和电流并联式。
10、将一个RC低通电路与一个RC高通电路串联联在一起,可以组成带通滤波器;将一个RC低通电
路与一个RC高通电路并联联在一起,可以组成带阻滤波器
11、滤波电路的主要任务是尽量滤掉输岀电路中的交流成分,同时,尽量保留其中的直流成分。
滤波电路主要由电容、电感等储能元件组成。
电容滤波适用于小负载电流,而电感滤波适用于大负载电流。
在实际工作中常常将二者结合起来,以便进一步降低脉动成分。
12在三极管多级放大电路中,已知Av1=20、Av2=-10、Av3=1,每一级的负载电阻是第二级的输入电阻,则
总的电压增益Av=(
);
Av1是()放大器,
Av2是(
)放大器,Av3是(
)放大器。
(答案)
13集成运算放大器在(
()
)状态和(
)条件下,得岀两个重要结论他们是:
(
)和
(答案)
14单相桥式整流电路中,若输入电压V2=30,则输出电压Vo=()V;若负载电阻Rl=100Q,整流二
极管电流ld(av)=()A。
(答案)二、选择题:
1、PN结外加正向电压时,扩散电流漂移电流,耗尽层。
(答案与提示)
2、图中D1-D3为理想二极管,A,B,C灯都相同,试问哪个灯最亮?
Jin
正弦文说电源
(答案与提示)
3、设硅稳压管Dz1和Dz2的稳定电压分别为5V和10V,求图中电路的输出电压Uo。
已知稳压管的正向压
降为0.7V。
(答案与提示)
4、图所示电路,设Ui=sin3t(V),V=2V,二极管具有理想特性,则输出电压Uo的波形应为图示
图。
TJo(V)
i
E
mUcCv)tUo(v)Uo=0
(答案与提示)
5、判断图所示电路中各二极管是否导通
并求A,B两端的电压值。
设二极管正向压降为0.7V
(答案与提示)
6、二极管最主要的特性是,它的两个主要参数是反映正向特性的和反映反向特
性的。
(注:
本题为往年考题)
俗案)
7、在晶体管放大电路中测得三个晶体管的各个电极的电位如图所示。
试判断各晶体管的类型(是PNP管还
是NPN管,是硅管还是锗管),并区分e、b、c三个电极
ABC
(答案与提示)
8测得某NPN管得VBE=0.7V,VCE=0.2V,由此可判定它工作在区
9、为保证BJT共发射极放大器不产生削波失真,并要求在2K得负载上有不小于2V得信号电压幅度,在选
择静态工作点时,就应保证|ICQp,|VCEQp。
(注:
以上两题为2000年北京理工大学研究生入学考试“模拟与数字电路”考题)
俗案)
10、在由PNP晶体管组成的基本共射放大电路中,当输入信号为1KHz5mV的正弦电压时,输出电压波形
岀现了顶部削平的失真。
这种失真是。
A.饱和失真B.截止失真C.交越失真D.频率失真
(答案与提示)
11、如下电路能否实现正常放大?
o-12V
51叱
1kJ
lkQl
100HF
1rf-.
卜
■+
鬆to
+
Ci(1+
(答案与提示)
12、在如图所示的基本放大电路中,输出端接有负载电阻RL,输入端加有正弦信号电压。
若输出电压波形
岀现底部削平的饱和失真,在不改变输入信号的条件下,减小RL的值,将岀现什么现象?
A.可能使失真消失B.失真更加严重C可能岀现波形两头都削平的失真。
(答案与提示)
13、为了使一个电压信号能得到有效的放大,而且能向负载提供足够大的电流,应在这个信号源后面接入什么电路?
A.共射电路B.共基电路C.共集电路
(答案与提示)
14、在如图所示的放大电路中,设Vcc=10V,Rb1=4©,Rb2=6KQ,Rc=2KQ,Re=3.3KQ,RI=2KQ。
电容C1,
C2和Ce都足够大。
若更换晶体管使B由50改为100,rbb'约为0),则此放大电路的电压放大倍数。
A.约为原来的2倍B.约为原来的0.5倍C.基本不变D.约为原来的4倍
(答案与提示)
A.-B
15、对于如图所示电路,问关于放大倍数的计算,以下式子哪个正确?
C.-px[(Rc||RL)/(Rb1||Rb2||rbe)]
(答案与提示)
16、集成运算放大器是一种采用耦合方式的放大电路,最常见的问题是,限于集成工艺
的限制,在内部组成上,对高阻值电阻通常采用由三极管或场效应管组成的来替代,或是采用
的方法来解决。
俗案)
17、在差动放大电路中,若Vs1=18mVVs2=10mV则输入差模电压Vsd=mV,共模输入电压
Vsc=mV若差模电压增益Avd=-10,共模电压增益Avc=-0.2,则差动放大电路输出电压
Vo=mV
俗案)
18、差动放大电路的基本功能是对差模信号的作用和对共模信号的作用。
(注:
本题为1998
年北京理工大学研究生入学考试“模拟与数字电路”考题)
答案)
20、在不考虑反馈网络的附加移相作用时,负反馈转化为正反馈需
A:
—级放大B:
二级放大C:
三级放大
(答案与提示)
20、某放大电路在负载开路时的输出电压为4V,接入12KQ的负载电阻后,输出电压降为3V,这说明放大电路的输出电阻为:
A:
10KQB:
2KQC:
4KQD:
3KQ
(答案与提示)
21.在考虑放大电路的频率失真时。
若Ui为正弦波,则Uo()
A有可能产生相位失真
B有可能产生幅度失真和相位失真
C一定会产生非线性失真
D不会产生线性失真
(答案)
22某电路有用信号频率为2KHz,可选用()
A低通滤波器B高通滤波器
C带通滤波器D带阻滤波器
(答案)
23工作在电压比较器中的运放与工作在运算电路中的运放的主要区别是,前者的运放通常工作在()
A开环或正反馈状态B深度负反馈状态
C放大状态D线形工作状态
(答案)
24与甲类功率放大方式比较,乙类OCL互补对称功放的主要优点是()
A不用输出变压器B不用输出端大电容
C效率高D无交越失真
(答案与提示)
25某仪表放大电路,要求Ri大,输出电流稳定,应选()
A电流串联负反馈B电压并联负反馈
C电流并联负反馈D电压串联负反馈
(答案)
26有两个放大倍数相同,输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和B,对同一个具有内阻的信号源电压进
行放大。
在负载开路的条件下,测得A放大器的输出电压小,这说明A的()
A输入电阻大B输入电阻小
C输出电阻大D输出电阻小
(答案)
三、计算题1、写出下图所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压Ud=0.7V。
解:
Uoi〜1.3V,Uo2=0,U03〜一1.3V,Uo4~2V,Uo5~1.3V,
Uo6〜一2V。
2、电路如图所示,Vcc=15V,3=100,Ube=0.7V。
试问:
(1)Rb=50kQ时,uo=?
(2)若T临界饱和,贝URb~?
解:
Ube
(1)Rb=50kQ时,基极电流、集电极电流和管压降分别为
Rb
IcIB2.6mA
UCEVCCICRC152.652V
所以输出电压Uo=Uce=2V。
(2)设临界饱和时管压降:
Uces=0.3V,所以
临界饱和集电极电流:
IcsVCCUcES^^卫32.94mA
Rc5
临界饱和基极电流:
IbsIcS29.4A
VBBUBE
RbTB^
20.7
0.0294
44.2k
3、电路如图所示,晶体管导通时Ube=0.7V,3=50。
试分析Vbb为0V、1V、3V三种情况下T的工作状态及
输出电压UO的值。
解:
(1)当Vbb=0时,T截止,uo=12V。
oinu<■
(2)当Vbb=1V时,因为
1BQ
VBBUBEQ
1CQ1BQ3mA
UOVCC1CQRC9V
所以T处于放大状态。
(3)
VBBUBEQ
1BQ
当Vbb=3V时,因为
Rb
IcqIbq8mA
UoVccIcqRcVUBE
所以T处于饱和状态。
4、电路如图所示,试问卩大于多少时晶体管饱和?
解:
取Uces=Ube,若管子饱和,则
VccUBEVccUBE
RbRC
RdRC
所以,匹100时,管子饱和。
RC
MO
5、电路如下图所示,晶体管的=60,rbb=100Qo
(1)求解Q点、Au、Ri和Ro;
(2)设Us=10mV(有效值),问Ui=?
Uo=?
若C3开路,则
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