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LED研究报告
第一章引言
半导体技术已经改变了世界,半导体照明技术将再一次改变我们的世界。
作为一种全新的照明技术,LED是利用半导体芯片作为发光材料、直接将电能转换为光能的发光器件。
自20世纪60年代世界第一个半导体发光二极管诞生以来,LED照明由于具有寿命长、节能、色彩丰富、安全、环保的特性,被誉为人类照明的第三次革命。
我国是世界照明电器第一大生产国、第二大出口国,半导体照明产业有很强的产业基础,而且政策明确表示对行业的支持,因此未来我国LED将面临巨大的发展机遇。
中国的LED产业2003年以来快速发展,已覆盖外延、芯片、封装、应用产品等上下游产业链,“一头沉”的状态正在发生改变,中国LED上游产业得到了较快的发展,其中芯片产业发展最为引人注目。
从产业规模看,2006年中国LED产业包括了衬底、外延、芯片、封装四个环节。
其中,封装仍是中国LED产业中最大的产业链环节,但产值所占比例相对以前有了很大的改善,并在将来的发展中,芯片占的比重将持续得到提升,封装环节占的比重将逐年下降。
中国LED产业结构正在由较低端的封装转向附加值更高、更具核心价值的芯片环节。
LED产业链的不同特点吸引了不同的投资对象。
从我国国内来看,上游和中游的外延/芯片领域受到资本实力强大的企业的关注,这些企业有上市公司(如江西联创、长电科技等),目的是通过上游和中游高端切入,力争在LED领域占据主导地位;但该领域投资额度大,专业技术人才比较匮乏,投资风险比较大,已投资企业的回报率还不高。
下游封装领域近期也受到投资者的高度关注,相对于外延芯片“双高”的特点,投资封装领域不但可以降低技术风险,且投资规模适中,更加接近于应用市场而降低市场风险,故受到投资者的青睐,尤其是对功率型封装更加充满期望;但该领域用高品质芯片还未完全国产化,基本以进口为主,受制于人,很难购买到高品质产品,使功率型封装行业受到很大的发展阻力。
应用产品的市场准入门槛最低,是直接面对终端市场的领域,技术风险小、投资额低而且回收快,是小额资本进入LED行业的首选。
从股价走势看,由于半导体照明具有节能、环保、安全等诸多特点,属于新兴的高新技术产业,上市公司介入半导体照明领域受到股票市场的青睐。
例如,2004年3月,方大A发布研制成功大功率高亮度半导体芯片消息后,股价连续出现三个涨停,股价将近翻倍,在股市上引起很大反响。
此后,上市公司在半导体照明领域的重大举措,都受到股评分析人士和投资者的关注。
第二章LED概述
第一节LED简介
LED(LightEmittingDiode),发光二极管,是一种固态的半导体器件,它可以直接把电转化为光。
初时多用作为指示灯、显示板等;随着白光LED的出现,也被用作照明。
它被誉为21世纪的新型光源,具有效率高,寿命长,不易破损等传统光源无法与之比较的优点。
加正向电压时,发光二极管能发出单色、不连续的光,这是电致发光效应的一种。
改变所采用的半导体材料的化学组成成分,可使发光二极管发出在近紫外线、可见光或红外线的光。
LED的心脏是一个半导体的晶片,晶片的一端附在一个支架上,一端是负极,另一端连接电源的正极,使整个晶片被环氧树脂封装起来。
第二节LED发光原理
一、P-N结
半导体晶片由两部分组成,一部分是P型半导体,在它里面空穴占主导地位,另一端是N型半导体,在这边主要是电子。
但这两种半导体连接起来的时候,它们之间就形成一个“P-N结”。
采用不同的掺杂工艺,通过扩散作用,将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体(通常是硅或锗)基片上,在它们的交界面就形成空间电荷区称P-N结。
PN结具有单向导电性。
P是positive的缩写,N是negative的缩写,表明正荷子与负荷子起作用的特点。
P-N结有同质结和异质结两种。
用同一种半导体材料制成的P-N结叫同质结,由禁带宽度不同的两种半导体材料制成的P-N结叫异质结。
制造PN结的方法有合金法、扩散法、离子注入法和外延生长法等。
制造异质结通常采用外延生长法。
根据P-N结的材料、掺杂分布、几何结构和偏置条件的不同,利用其基本特性可以制造多种功能的晶体二极管。
使半导体的光电效应与P-N结相结合还可以制作多种光电器件。
如利用前向偏置异质结的载流子注入与复合就可以制造半导体发光二极管(LED)。
二、LED发光原理
当电流通过导线作用于这个P-N结的时候,电子就会被推向P区,在P区里电子跟空穴复合,然后就会以光子的形式发出能量,这就是LED发光的原理。
而光的波长也就是光的颜色,是由形成P-N结的材料决定的。
第三节LED优点
LED的内在特征决定了它是最理想的光源去代替传统的光源,它有着广泛的用途。
1、体积小
LED基本上是一块很小的晶片被封装在环氧树脂里面,所以它非常的小,非常的轻。
2、耗电量低
。
这就是说:
它消耗的电不超过0.1W。
3、使用寿命长
在恰当的电流和电压下,LED的使用寿命可达10万小时。
4、高亮度、低热量
5、环保
LED是由无毒的材料作成,不像荧光灯含水银会造成污染,同时LED也可以回收再利用。
6、坚固耐用
LED是被完全的封装在环氧树脂里面,它比灯泡和荧光灯管都坚固。
灯体内也没有松动的部分,这些特点使得LED可以说是不易损坏的。
此外,LED还具有高节能、寿命长、多变幻、利环保高尖新等特点。
第三章LED产业链
第一节LED产业链概述
LED产业一般按照材料制备、芯片制备和器件封装与应用分为上、中、下游。
虽然产业环节不多,但其涉及的技术领域广泛,技术工艺多样化,上下游之间的差异巨大,上游环节进入壁垒大大高于下游环节(上游外延片制备的投资规模比一些下游应用环节高出上千倍),呈现金字塔形的产业结构。
其中,上游和中游技术含量较高,资本投入密度大。
从上游到下游,产品在外观上差距相当大。
LED发光顏色与亮度由磊晶材料决定,且磊晶占LED制造成本70%左右,对LED产业极为重要。
第二节LED上游
LED上游产品分为单晶片和磊晶片,其中单晶片是作为材料的基板(衬底),磊芯片(外延片)长相大概是一个直径六到八公分宽的圆形,厚度相当薄,就像是一个平面金属一样。
上游磊晶制程顺序为:
单芯片(III-V族基板)、结构设计、结晶成长、材料特性/厚度测量。
一、LED外延片生长
LED外延片生长的基本原理是:
在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有蓝宝石和、SiC、Si)上,气态物质InGaAlP有控制的输送到衬底表面,生长出特定单晶薄膜。
LED主要的外延生长技术包括LPE液相外延、VPE气相外延和MOCVD金属气相外延三种。
前两者主要用来生产传统LED,后者用于生产高亮度LED。
目前LED外延片生长技术主要采用有机金属化学气相沉积方法(MOCVD)。
金属有机物化学气相淀积(Metal-OrganicChemicalVaporDeposition,简称MOCVD),1968年由美国洛克威尔公司提出来的一项制备化合物半导体单品薄膜的新技术。
该设备集精密机械、半导体材料、真空电子、流体力学、光学、化学、计算机多学科为一体,是一种自动化程度高、价格昂贵、技术集成度高的尖端光电子专用设备,主要用于GaN(氮化镓)系半导体材料的外延生长和蓝色、绿色或紫外发光二极管芯片的制造,也是光电子行业最有发展前途的专用设备之一。
二、外延片衬底
LED外延片衬底材料是半导体照明产业技术发展的基石。
不同的衬底材料,需要不同的LED外延片生长技术、芯片加工技术和器件封装技术,衬底材料决定了半导体照明技术的发展路线。
用于氮化镓研究的衬底材料比较多,但是能用于生产的衬底目前只有二种,即蓝宝石Al2O3和碳化硅SiC衬底。
其它诸如GaN、Si、ZnO衬底还处于研发阶段,离产业化还有一段距离。
氮化镓衬底:
用于氮化镓生长的最理想的衬底自然是氮化镓单晶材料,这样可以大大提高外延片膜的晶体品质,降低位元错密度,提高器件工作寿命,提高发光效率,提高器件工作电流密度。
可是,制备氮化镓体单晶材料非常困难,到目前为止尚未有行之有效的办法。
有研究人员通过HVPE方法在其他衬底(如Al2O3、SiC、LGO)上生长氮化镓厚膜,然后通过剥离技术实现衬底和氮化镓厚膜的分离,分离后的氮化镓厚膜可作为外延用的衬底。
这样获得的氮化镓厚膜优点非常明显,即以它为衬底外延的氮化镓薄膜的位元错密度,比在Al2O3、SiC上外延的氮化镓薄膜的位元错密度要明显低;但价格昂贵。
因而氮化镓厚膜作为半导体照明的衬底之用受到限制。
蓝宝石Al2O3衬底:
目前用于氮化镓生长的最普遍的衬底是Al2O3,其优点是化学稳定性好、不吸收可见光、价格适中、制造技术相对成熟;不足方面虽然很多,但均一一被克服:
很大的晶格失配被过渡层生长技术所克服,导电性能差通过同侧P、N电极所克服,机械性能差不易切割通过雷射划片所克服,很大的热失配对外延层形成压应力因而不会龟裂。
但是,差的导热性在器件小电流工作下没有暴露出明显不足,却在功率型器件大电流工作下问题十分突出。
SiC衬底:
除了Al2O3衬底外,目前用于氮化镓生长衬底就是SiC,它在市场上的占有率位居第2,目前还未有第三种衬底用于氮化镓LED的商业化生产。
它有许多突出的优点,如化学稳定性好、导电性能好、导热性能好、不吸收可见光等,但不足方面也很突出,如价格太高、晶体品质难以达到Al2O3和Si那麼好、机械加工性能比较差。
另外,SiC衬底吸收380nm以下的紫外光,不适合用来研发380nm以下的紫外LED。
由于SiC衬底优异的的导电性能和导热性能,不需要像Al2O3衬底上功率型氮化镓LED器件采用倒装焊技术解决散热问题,而是采用上下电极结构,可以比较好的解决功率型氮化镓LED器件的散热问题。
实现发光效率的目标要寄希望于GaN衬底的LED,实现低成本,也要通过GaN衬底导致高效、大面积、单灯大功率的实现,以及带动的工艺技术的简化和成品率的大大提高。
半导体照明一旦成为现实,其意义不亚于爱迪生发明白炽灯。
一旦在衬底等关键技术领域取得突破,其产业化进程将会取得长足发展。
第三节LED中游
LED中游的主要产品是晶粒(芯片)。
中游厂商根据LED的性能需求进行器件结构和工艺设计,通过外延片扩散、然后金属镀膜,再进行光刻、热处理、形成金属电极,接着将基板磨薄拋光后进行切割。
依照芯片的大小,可以切割为二万到四万个芯片。
这些芯片长得像沙滩上的沙子一样,通常用特殊胶带固定之后,再送到下游厂商作封装处理。
中游芯片制程顺序为:
磊芯片、金属膜蒸镀、光罩、蚀刻、热处理、切割、崩裂、测量。
第四节LED下游
下游包括LED芯片的封装测试和应用。
LED封装是指将外引线连接到LED芯片的电极上,形成LED器件,封装起着保护LED芯片和提高光取出效率的作用。
下游厂商封装处理顺序为:
芯片、固晶、粘着、打线、树脂封装、长烤、镀锡、剪脚、测试。
一、LED芯片封装形式
LED芯片的封装形式很多,针对不同使用要求和不同的光电特性要求,有各种不同的封装形式,归纳起来有如下几种常见的形式:
1、软封装——芯片直接粘结在特定的PCB印制板上,通过焊接线连接成特定的字符或陈列形式,并将LED芯片和焊线用透明树脂保护,组装在特定的外壳中。
这种钦封装常用于数码显示、字符显示或点陈显示的产品中。
2、引脚式封装——常见的有将LED芯片固定在2000系列引线框架上,焊好电极引线后,用环氧树脂包封成一定的透明形状,成为单个LED器件。
这种引脚或封装按外型尺寸的不同可以分成φ3、φ5直径的封装。
这类封装的特点是控制芯片到出光面的距离,可获得各种不同的出光角度:
15°、30°、45°、60°、90°、120°等,也可以获得侧发光的要求,比较易于自动化生产。
3、微型封装即贴片封装——将LED芯片粘结在微小型的引线框架上,焊好电极引线后,经注塑成型,出光面一般用环氧树脂包封。
4、双列直插式封装——用类似IC封装的铜质引线框架固定芯片,并焊接电极引线后用透明环氧包封,常见的有各种不同底腔的“食人鱼”式封装和超级食人鱼式封装,这种封装芯片热散失较好,热阻低,LED的输入功率可达0.1W~0.5W大于引脚式器件,但成本较高。
5、功率型封装——功率LED的封装形式也很多,它的特点是粘结芯片的底腔较大,且具有镜面反射能力,导热系数要高,并且有足够低的热阻,以使芯片中的热量被快速地引到器件外,使芯片与环境温度保持较低的温差。
二、LED芯片封装结构
LED产品封装结构通常分为点光源、面光源和发光显示器三类,单个管芯一般构成点光源,多个管芯组装一般可构成面光源和线光源,作信息、状态指示及显示用,发光显示器也是用多个管芯串联和并联组合而成的。
类型
特征
结构
电光源
子弹形、圆形、矩形、多边形、椭圆形等
环氧包封、金属陶瓷底座环氧封装、表面贴装
面光源
发光面积大,可见距离远,视角宽,圆形、梯形、三角形、正方形,长方形等
双列直插、单列直插、表面贴装
发光显示器
数码管、符号管、米字管、矩形管,光柱显示器
表面贴装、混合封装
第四章白光LED
第一节白光LED简介
自从出现发光二极管LED以来,人们一直在努力追求实现固体光源,随着发光二极管LED制造工艺的不断进步和新型材料(氮化物晶体和荧光粉)的开发及应用,使发白色光的LED半导体固体光源性能不断完善并进入实用阶段。
白光LED的出现,使高亮度LED应用领域跨足至高效率照明光源市场。
所谓白光是多种颜色混合而成的光,以人类眼睛所能见的白光形式至少须两种光混合,如二波长光(蓝色光+黄色光)或三波长光(蓝色光+绿色光+红色光),目前已商品化的产品仅有二波长蓝光单晶片加上YAG黄色荧光粉,在未来较被看好的是三波长光,以无机紫外光晶片加R.G.B三基色荧光粉,此外有机单层三波长型白光LED也有成本低、制作容易的优点。
预计三波长白光LED今年有商品化的机机会,未来应用在取代荧光灯、紧凑型节能荧光灯泡及LCD背光源等市场,对白光LED的市场成长有很大的帮助。
第二节LED白光技术
现时生产的白光LED大部分是通过在蓝光LED上覆盖一层淡黄色荧光粉涂层制成的,这种黄色磷光体通常是通过把掺了铈的晶体磨成粉末后混和在一种稠密的黏合剂中而制成的。
当LED芯片发出蓝光,部分蓝光便会被这种晶体很高效地转换成一个光谱较宽的主要为黄色的光。
由于黄光会刺激肉眼中的红光和绿光受体,再混合LED本身的蓝光,使它看起来就像白色光,而其的色泽常被称作“月光的白色”。
这种制作白光LED的方法是由NichiaCorporation所开发并从1996年开始用在生产白光LED上。
若要调校淡黄色光的颜色,可用其它稀土金属铽或钆取代铈,甚至可以以取代YAG中的部份或全部铝的方式做到。
第二种制造白光LED的方法没再用上磷光体。
新的做法是在硒化锌(ZnSe)基板上生长硒化锌的磊晶层。
通电时其活跃地带会发出蓝光而基板会发黄光,混合起来便是白色光。
第三种制作的白光LED的方法则有点像日光灯,发出近紫外光的LED会被涂上两种磷光体的混合物,一种是发红光和蓝光的铕,另一种是发绿光的,掺杂了硫化锌(ZnS)的铜和铝。
但由于紫外线会使黏合剂中的环氧树脂裂化变质,所以生产难度较高,而寿命亦较短。
与第一种方法比较,它效率较低而产生较多热(因为StokesShift前者较大),但好处是光谱的特性较佳,产生的光比较好看。
而由于紫外光的LED功率较高,所以其效率虽比较第一种方法低,出来的亮度却相若。
第三节LED白光
高亮度白光LED的产品应用最为多元发展且成长性强,其需求量每年均呈现大幅度成长,未来以手机背光源、LCD背光源、一般照明及车用光源最被看好。
第五章大功率LED
第一节大功率LED简介
随着半导体材料和封装工艺的提高,不同应用领域对LED光源提出更高要求,除了对LED出光效率、光色有不同的要求,而且对出光角度、光强分布有不同的要求。
这不但需要上游芯片厂开发新半导体材料,提高芯片制作工艺,设计出满足要求的芯片,而且对下游封装厂提出更高要求,设计出满足一定光强分布的封装结构,提高LED外部的光利用率。
大功率LED驱动是为灯具而设计的直接使用交流电(普通LED只能使用直流电),不需要附加其它变压设备,分可调光驱动板及固定驱动板,调光驱动板。
采用高效调压调频方式达到改变LED亮度目的!
具有效率高,不频闪,不烧灯,可以通过微调改变电流,调光顺畅,简单好用,适用于各种大小功率LED的调光灯具;固定驱动板可以直接装到灯头或灯架上,体积小,直接由80-250V驱动LED发光,恒流驱动。
第二节LED驱动
由于单颗LED无法满足照明要求,实际应用中的LED光源都是多个LED组合而成的,因此,LED光源的设计离不开其驱动电路。
驱动电路主要的作用是:
转换供电电压到LED的正常工作电压,为LED提供一个恒定的驱动电流。
LED驱动发展很快,特别是功率较大的器件,可以这样说:
有一颗LED应用就会有一颗LED驱动芯片配套,和LED一样每天都会有新的品种面世。
一、LED采用全部串联的方式
要求LED驱动器输出较高的电压。
当LED的一致性差别较大时,分配在不同的LED两端电压不同,通过每颗LED的电流相同,LED的亮度一致。
当某一颗LED品质不良短路时,如果采用稳压式驱动(如常用的阻容降压方式),由于驱动器输出电压不变,那么分配在剩余的LED两端电压将升高,驱动器输出电流将增大,导致容易损坏余下所有LED。
如采用恒流式LED驱动,当某一颗LED品质不良短路时,由于驱动器输出电流保持不变,不影响余下所有LED正常工作。
当某一颗LED品质不良断开后,串联在一起的LED将全部不亮。
解决的办法是在每个LED两端并联一个齐纳管,当然齐纳管的导通电压需要比LED的导通电压高,否则LED就不亮了。
二、LED采用全部并联的方式
要求LED驱动器输出较大的电流,负载电压较低。
分配在所有LED两端电压相同,当LED的一致性差别较大时,而通过每颗LED的电流不一致,LED的亮度也不同。
可挑选一致性较好的LED,适合用于电源电压较低的产品(如太阳能或电池供电)。
当某一个颗LED品质不良断开时,如果采用稳压式LED驱动(例如稳压式开关电源),驱动器输出电流将减小,而不影响余下所有LED正常工作。
如果是采用恒流式LED驱动,由于驱动器输出电流保持不变,分配在余下LED电流将增大,导致容易损坏所有LED。
解决办法是尽量多并联LED,当断开某一颗LED时,分配在余下LED电流不大,不至于影响余下LED正常工作。
所以功率型LED做并联负载时,不宜选用恒流式驱动器。
当某一颗LED品质不良短路时,那么所有的LED将不亮,但如果并联LED数量较多,通过短路的LED电流较大,足以将短路的LED烧成断路。
三、LED采用混联的方式
在需要使用比较多LED的产品中,如果将所有LED串联,将需要LED驱动器输出较高的电压。
如果将所有LED并联,则需要LED驱动器输出较大的电流。
将所有LED串联或并联,不但限制着LED的使用量,而且并联LED负载电流较大,驱动器的成本也会大增。
解决办法是采用混联方式。
第六章LED的应用
第一节LED应用概述
LED最初用于仪表仪器的指示性照明,随后扩展到交通信号灯,再到景观照明、车用照明和手机键盘及背光源。
由于LED芯片的细微可控性,LED在小尺寸照明上和CCFL有明显的成本和技术优势,但在大尺寸上成本仍然较高。
随着LED技术的不断进步,发光效率不断提高,大尺寸LED价格逐步下降,未来发展空间非常广阔。
目前笔记本液晶面板背光已经开始启动,渗透率有望在近几年内获得极大提高。
之后是更大尺寸的液晶显示器和液晶电视,最后是普通照明。
不同的LED技术应用于不同的产品。
从大类上来看,按照发光波长可以分为不可见光(850~1550mm)和可见光(450~780mm)两类,可见光中又分为一般亮度LED和高亮度LED,目前发展的重点是高亮度LED。
其中红橙黄光芯片使用四元的AlGaInP做为材料,蓝绿光芯片则用三元的InGaN。
在蓝光技术成熟后,更具通用性的白光LED也可以通过不同技术生成,为LED进入各类照明领域铺平了道路。
LED分类
材料
应用
可见光
LED(450~780mm)
一般亮度LED
GaP、GaAs、A1GaAs
3C家电
消费电子
高亮度LED
A1GaInP(红、橙、黄)
户外全彩看板
交通信号灯
背光源
车用照明
InGaN(蓝、绿)
白光LED
背光源
车用照明
不可见光
LED(850~1550mm)
短波长红外光
(850~950mm)
GaAs、A1GaAs
IRDA模组
遥控器
长波长红外光
(1300~1550mm)
A1GaAs
光通讯光源
第二节交通信号灯
随着超高亮度红光、黄光、绿光LED光源的出现,它自身具有的高亮度、光响应速度快、寿命长、不易破损,维护少、省电等特点,而且高亮度LED道路交通信号灯在阳光照射下可仍清楚辨识,使它开始逐步取代了城市交通中的红绿灯以及公路、铁路、航运等领域的信号指示灯。
依据资料显示,目前全球约有2000万座交通信号,而每一套由红、黄、绿灯组成的交通信号灯约需600颗高亮度LED,以每年新设和更新200万套计,未来每年全球交通信号约有10亿美元的市场。
由于LED光源信号灯优点十分明显,与以前的白炽信号灯相比,可以不用滤光片直接安装使用,避免了能源的损耗,在亮度相同的情况下,可以省电90%左右,使整个灯的功率大幅度下降,所以已经被广泛地使用。
在我们国家经过多年的替换工作,全国主要城市将由传统交通灯替换为LED交通信号灯的工作已经接近尾声,现在的道路交通指示信号灯基本上都是采用LED信号灯。
LED交通灯市场在经历了多年的高速成长期后,2005年市场规模达到15.2亿元。
但是随着替换工作的完成,LED交通灯市场可能不再维持高速增长,2006年我国LED交通灯市场只能实现5.8%的增长,达到16.1亿元。
综合而言,在交通灯、信号灯等领域LED灯具的应用呈现出增速趋缓的发展态势,这与产品产量快速扩张,局部领域过剩有一定关系。
第三节汽车工业
由于LED是固体灯,牢固性好,很适合使用于振动较大的汽车上。
同时汽车上感应器众多,要求制作小巧精密,也是LED的长处。
可见光领域,大功率LED已被大量用于汽车照明,特别是汽车尾灯中,到2010年LED将占据绝大部分汽车尾灯照明(包括倒车灯和牌照灯)。
LED可用作汽车的主刹车灯、尾灯、方向灯、指示灯,也用于仪表和车内照明,通常一个灯具使用20~30只LED。
使用项目
使用范围
可见光
车内光源
仪表板、空调、音响、车门灯
阅读灯、显示器
车外光源
第三刹车灯、雾灯、侧灯
头灯、方向灯
不可见光
车用感应器
倒车感测器、排挡感测器
光源感测器、盲点感测器
红外线夜视系统
在车用数量方面,每台车分别需要100颗(内部)、200颗(外部)。
内部应用如仪表板、阅读灯,外部应用则为尾灯、煞车灯、方向灯、头灯等。
目前全车内部采用LED的车厂家几乎全为欧洲的公司;而在外部照明使用LED方面,欧系及日系汽车将第三刹车灯改成LED的比率已超过80%。
车用领域最大的课题是将LED应用在汽车的头灯。
从基本来看,在汽车头灯使用LED的优点很多。
首先是使用寿命,汽车的头灯不是平常的照明,所以与一般照明用途不同;接下来是设计的灵活度,头灯内的纵深将变薄,正面可以用来全面照明,使得设计的弹性度增加,而且因为LED是比较指向性强的光源,所以作为照明可以进行设计简单化和轻型化;除此之外,透过与可视光通讯技术的结合,非常有可能成为安全行驶用的资讯通讯元件。
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