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电光调制实验
实验二电光调制实验
激光是一种光频电磁波,具有良好的相干性,与无线电波相似,可作为传递信息的载波。
激光具有很高的频率(约10^10I5Hz),可供利用的频带很宽,故传递信息的容量很大。
再有,光具有极短的波长和极快的传递速度,加上光波的独立传播特性,可以借助光学系统把一个而上的二维信息以很高的分辨率瞬间传递到另一个面上,为二位并行光信息处理提供条件。
所以激光是传递信息的一种很理想的光源。
电光效应在工程技术和科学研究中有许多重要应用,它有很短的响应时间(可以跟上10")Hz的电场变化),可以在髙速摄影中作快门或在光速测量中作光朿斩波器等。
在激光出现以后,电光效应的研究和应用得到迅速的发展,电光器件被广泛应用在激光通讯,激光测距,激光显示和光学数据处理等方而。
要用激光作为信息的载体,就必须解决如何将信息加到激光上去的问题。
例如激光电话,就需要将语言信息加在与激光,由激光“携带”信息通过一左的传输通道送到接收器,再由光接收器鉴别并还原成原来的信息。
这种将信息加在与激光的过程称之为调制,到达目的地后,经光电转换从中分离出原信号的过程称之为解调。
英中激光称为载波,起控制作用的信号称之为调制信号。
与无线电波相似的特性,激光调制按性质分,可以采用连续的调幅、调频、调相以及脉冲调制等形式。
但常采用强度调制。
强度调制是根据光载波电场振幅的平方比例于调制信号,使输出的激光辐射强度按照调制信号的规律变化。
激光之所以常采用强度调制形式,主要是因为光接收器(探测器)一般都是直接地响应其所接收的光强度变化的缘故。
【实验目的】
1.掌握晶体电光调制的原理和实验方法。
2.学会利用实验装置测疑晶体的半波电压,计算晶体的电光系数。
3.观察晶体电光效应引起的晶体会聚偏振光的干涉现象。
【实验仪器】
規酸锂晶体,电光调制电源,半导体激光器,偏振器,四分之一波片,接收放大器,双踪示波器。
【实验原理】
1.电光调制的基本原理
某些晶体(固体或液体)在外加电场中,随着电场强度E的改变,晶体的折射率会发生改变,这种现象称为电光效应。
通常将电场引起的折射率的变化用下式表示:
n=+aE()+bE:
+⑴
式⑴中“和b为常数,『为Ed时的折射率。
由一次项“民引起折射率变化的效应,称为一次电光效应,也称线性电光效应或普克尔电光效应(pokells):
由二次项引起折射率变化的效应,称为二次电光效应,也称平方电光效应或克尔效应(kcrr)。
由
(1)式可知,一次电光效应只存在于不具有对称中心的晶体中,二次电光效应则可能存在于任何物质中,一次效应要比二次效应显著。
光在各向异性晶体中传播时,因光的传播方向不同或者是电矢量的振动方向不同,光的折射率也不同。
通常用折射率椭球来描述折射率与光的传播方向、振动方向的关系,在主轴坐标中,折射
任意方向作一直线丽,令其代表光波的传播方向斤。
然后,通过0垂直丽作椭圆球的中心截而,该截而是一个椭圆,
图2-1晶体折射率椭球
其长短半轴的长度丙和西分别等于波法线沿丽,电位移矢量振动方向分别与0X和西平行的两个线偏振光的折射率川和/<>显然斤、OA.面三者互相垂直,如果光波的传播方向斤平行于入•轴,则两个线偏光波的折射率等于心和①。
同样当斤平行于y轴和z轴时,相应的光波折射率亦可知。
当晶体上加上电场后,折射率椭球的形状、大小、方位都发生变化,椭球的方程变为
X2/Z2222,“、
n\\n22f133n23n\3,Z12
只考虑一次电光效应,式(3)与式
(2)相应项的系数之差和电场强度的一次方成正比。
由于晶体的各向异性,电场在八y、z各个方向上的分量对椭球方程的各个系数的影响是不同的,用下列形式表示:
=卩血+/nE+yl3E.£
-4-4-=/21£x+/22£v+/23^
—一一=r31£x+/32£v+/33£z
—=/41^+/42£v+/4.A
n23
-V=/5]^+/52^v+/53^z町3
fl12
式(4)是晶体一次电光效应的普遍表达式,式中打叫做电光系数(匸1,2,…,6;,/=h2,3),共有
18个,倂、忌是电场E在八八z方向上的分量。
式(4)可写成矩阵形式:
I珥2丿
电光效应根据施加的电场方向与通光方向相对关系,可分为纵向电光效应和横向电光效应。
利用纵向电光效应的调制,叫做纵向电光调制;利用横向电光效应的调制,叫做横向电光涮制。
晶体的一次电光效应分为纵向电光效应和横向电光效应两种。
把加在晶体上的电场方向与光在晶体中的传播方向平行时产生的电光效应,称为纵向电光效应,通常以KD^P(KD2PO4,磷酸二笊钾)类型
晶体为代表。
加在晶体上的电场方向与光在晶体里传播方向垂直时产生的电光效应,称为横向电光效应,以LiNbO3晶体为代表。
本实验只做LiNbOj晶体的横向电光强度训制实验。
LiNbOs晶体属于三角晶系,3m晶类,主
轴2方向有一个三次旋转轴,光轴与z轴重合.是单轴晶体,折射率椭球是旋转椭球,其表达式为
进行主轴变换后得到:
考虑到尤比£«1,经化简得到
当a轴方向加电场时,新折射率椭球绕z轴转动45°o
图2-2为典型的利用LiNbO.晶体横向电光效应原理的激光强度调制器。
图2-2晶体横向电光效应原理图
其中起偏器的偏振方向平行于电光晶体的x轴,检偏器的偏振方向平行于y轴。
因此入射光经起偏器后变为振动方向平行于x轴的线偏振光,它在晶体的感应轴疋和;/轴上的投影的振幅和位相均相等,设分别为
(11)
ex.=人)coscot
eY.=人coscot
或用复振幅的表示方法,将位于晶体表而G=o)的光波表示为
当光通过长为/的电光晶体后.疋和:
/两分量之间就产生位相差6,即
(14)
Ex\l)=A耳(/)=人严
通过检偏器出射的光,是这两分量在y轴上的投影之和
(15)
其对应的输出光强可写成
2[闯。
但);]耳[(严-1)(八1)]曲sin冷(16)
由式(13)、(16),光强透过率丁为
(1刀
由此可见,6和卩有关,当电压增加到某一值时,y方向的偏振光经过晶体后产生久/2的光
程差,位相差J=7=100%,这一电压叫半波电压,通常用匕或卩心表示。
匕是描述晶体电
光效应的重要参数.在实验中,这个电压越小越好,如果匕小,需要的调制信号电压也小,根据半波电圧值,可以估讣出电光效应控制透过强度所需电压。
由式(18)得
(19)
其中〃和/分别为晶体的厚度和长度。
由式(18).(19)
(20)
因此,将式(17)改写成
其中%是直流偏压,v/irsincot是交流调制信号,人是其振幅,e是调制频率,从式(21)可以看岀,
改变%或匕r输岀特性,透过率71各相应的发生变化。
对于单色光,巴也为常数,因而彌仅随晶体上所加电压变化,如图2-3所示,F与V的关系A
是非线性的,若工作点选择不适合,会使输出信号发生畸变。
但在冬附近有一近似直线部分,这一
2
直线部分称作线性工作区,由式(21)可以看岀:
当V=-\\时,6=-,T=50%o
2八2
图2-3T与V的关系曲线图
2.改变直流偏压选择工作点对输岀特性的影响
V
(1)当%=鼻,匕《匕时,将工作点选左在线性工作区的中心处,此时,可获得较髙频率的
2
线性调制,把%=冬代入式(16),得
2
7=sin2
兰+]
-^―K,sincot
_i
1-cos
/\
—+—Vntsincot
2
2V
l厶“丿
(22)
一1+sin—sincot
2
当吆《匕时
-■
T1+1—Isin^uf
3J(23)
即T^Vsin^o这时,调制器输出的波形和调制信号波形的频率相码即线性调制。
V
(2)当,匕>匕时,调制器的工作点虽然选泄在线性工作区的中心,但不满足小信号2
调制的要求,式(22)不能写成式(23)的形式,此时的透射率函数应展开成贝赛尔函数,即由式(22),得
由式(24)可以看出,输出的光束除包含交流的基波外,还含有奇次谐波。
此时,调制信号的幅度较大,奇次谐波不能忽略匚因此,这时虽然工作点选定在线性区,输出波形仍然失真。
⑶当匕《匕时,把%=0代入式(16),得
(25)
即Toccosleafo
从式(25)可以看出,输出光是调制信号频率的二倍,即产生“倍频”失真。
若把%=匕代入式
(21),经类似的推导,可得
(26)
即Tqccos20#“倍频”失真。
这时看到的仍是“倍频”失真的波形。
(4)直流偏压%在零伏附近或在匕附近变化时,由于工作点不在线性工作区,输出波形将分别岀
现上下失真。
综上所述,电光调制是利用晶体的双折射现象,将入射的线偏振光分解成o光和e光,利用晶体的电光效应有电信号改变晶体的折射率,从而控制两个振动分疑形成的像差5,在利用光的相干原理两束光叠加,从而实现光强度的调制。
晶体的电光效应灵明度极髙,调制信号频率最高可达l(T~10")Hz,因此在激光通信、激光显示等领域内,电光调制得到非常广泛的应用。
【实验内容及步骤】
一.调整光路系统
1.调肖三角导轨底角螺丝,使英稳泄于调肖台上。
在导轨上放宜好半导体光源部分滑块,将小孔光栏宜于导轨上,在整个导轨上拉动滑块,近场远场都保证整个光路基本处于一条直线,即使光束通过小孔。
放上起偏振器,使其表而与激光朿垂直,且使光束在元件中心穿过。
再放上检偏器,使英表面也与激光朿垂直,转动检偏器,使其与起偏器正交,即使检偏器的主截而与起偏器的主截而垂直,这时光点消失,即所谓的消光状态。
2.将規酸锂晶体置于导轨上,调巧晶体使其x轴在铅直方向,使其通光表而垂宜于激光束(这时晶体的光轴与入射方向平行,呈正入射),这时观察晶体前后表而査看光朿是否在晶体中心,若没有,则精细调节晶体的二维调整架,保证使光束都通过晶体,且从晶体出来的反射像与半导体的出射光束重合。
3.拿掉1/4波片,在晶体盒前端插入毛玻璃片,检偏器后放上像屏。
光强调到最大,此时晶体偏压为零。
这时可观察到晶体的单轴锥光干涉图,即一个淸楚的暗十字线,它将整个光场分成均匀的四瓣,如果不均匀可调节晶体上的调整架。
如图2-4所示。
4.
旋转起偏器和检偏器,使其两个相互平行,此时所岀现的单轴锥光干涉图与偏振片垂直时是互补的。
如图2-5所示。
图2-4图2-5
5.晶体加上偏压时呈现双轴锥光干涉图,说明单轴晶体在电场作用下变成双轴晶体,即电致双折射。
如图2-6所示。
6.改变晶体所加偏压极性,锥光图旋转90°o如图2-7所示。
图2-6图2-7
7.只改变偏压大小时,干涉图形不旋转,只是双曲线分开的距离发生变化。
这一现象说明,外加电场只改变感应主轴方向的主折射率的大小、与折射率椭球旋转的角度和电场大小无关。
二.依据LiNbO;晶体的透过率曲线(即QV曲线),选择工作点。
测岀半波电压,算出电光系数,并和理论值比较。
1.半波电压测疑的两种方法:
(1)极值法
晶体上只加直流电压,不加交流信号,并把直流偏压从小到大逐渐改变时,示波器上可看到输出光强出现极小值和极大值。
具体做法:
取出毛玻璃,撤走白屏,接收器对准出光点,加在晶体上的电压从零开始,逐渐增大这时可看到示波器上光强极大和极小有一明显起落,直流偏压值由电源而板上的三位半数字表上读岀。
先测对应于%>0时,当光强最大时,测一组最大值,然后改变极性,最大时再测一组数据,两个极大之间对应的电压之和就是半波电压的两倍,多次测量取平均值,可以减少误差。
(2)调制法
晶体上宜流电压和交流正弦信号同时加上,当直流电压调到输岀光强出现极小值或极大值对应时,输出的交流信号出现倍频失真,通过示波器可看岀。
出现相邻倍频失真对应的直流电压之差就是半波电压。
具体做法是:
把电源前而板上的调制信号“输岀”接到双踪示波器的兀上,经放大后的调制器的输出信号接到示波器的y上,把x、y上的信号做比较,将检偏器旋转90°,当晶体上加的直流电压缓慢增加到半波电压时,输出出现倍频失真;改变晶体上电压的极性后,电压加到半波电压时,又出现倍频失真,相继两次出现倍频失真时对应的直流电压值之差就是半波电压。
这种方法比极值法更精确,因为用极值法测半波电压时,视觉很难准确的泄位极大和极小值,因而误差较大。
2.改变直流偏压,选择不同的工作点,观察正弦波电压的调制特性。
电源面板上的信号选择琴键开关可以提供三种不同的调制信号,按下“正弦”键,机内单一频率的正弦波振荡器工作,此信号经放大后,加到晶体上。
同时,通过而板上的“输岀”孑L,输出此信号,把它接到双踪示波器的X上,作为参考信号。
改变直流偏压,使调制器工作在不同的状态,把被调制信号经光电转换,放大后接到双踪示波器y上,和x上的参考信号比较。
工作点选妃在曲线的直线部分,即Vn=Vr/2附近时线性调制;工作点选在曲线的极小值(或极大值)附近时,输岀信号
“倍频”失真;工作点选左在极小值(或极大值)附近时输出信号失頁•,观察时调制信号幅度不能太大,否则调制信号本身失貞•,输岀信号的失真无法判断有什么原因引起,把观察到的波形描下来,并和前面的理论分析做比较。
做这步实验时把电源上的调制幅度、调制器上的输入光强、放大器的输岀、示波器的增益(或衰减)这四部分调好,才能观察到很好的输出波形。
3.用1/4波片来改变工作点,观察输岀特性。
在上述实验中,去掉晶体上加的直流偏压,把1/4波片苣入晶体和偏振片之间,绕光轴缓慢旋转时,可以看到输出波形随着发生变化。
当波片的快慢轴平行于晶体的感应轴方向时,输出光线性调制;当波片的快慢轴分别平行于晶体的x、y轴时,输岀光失真,出现“倍频”失真。
因此,把波片旋转一周时,岀现四次线性调制和四次“倍频”失真。
实验证明,通过晶体上加直流偏压可以改变调制器的工作点,也可以用1/4波片选择工作点,其效果是一样的,但两种方法的机理是不同的。
4.光通讯的演示
按下电源而板上信号选择开关中的“音频”键,此时,正弦信号被切断,输岀装在电源里的“音频”片信号。
输出信号通过放大器的扬声器播放,改变工作点,此时,所听到的音质不同,通过通光和遮光,演示激光通讯。
音频讯号接到示波器上,可以看到我们听到的音乐信号的波形,它是由
振幅不同的不同频率的正弦波叠加而成的。
也可以用光缆把输出信号和接收器连接起来,实现模拟激光光纤通讯。
调制信号也可以用录音机输岀的电信号,把它接到电源而板上的“输入”端,这时要按下信号选择开关中的“外调”键,其他信号源被切断,输出录音机放出的音频信号。
附实验参考波形(图2-8):
1.音频波形
八/•X4jh-a...厶■Aa
A*-
图2-8-1
2.上失真波形
3.下失真波形
99•••••••・•・•
•••••・••・•_•
••••・••••••••
•••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••♦•・・・
OB:
:
图2-8-3
4.倍频波形
5.不失真波形
【实验数据记录与处理】
电光系数理论值/22=3.4xl0-,2nW
红光波长A=650nm晶体厚度d二1.7mm晶体长度/=50mmo光折射率心=2.286
半波电压匕二
【注意事项】
1.调制晶体易碎要轻拿轻放,若两端而上落灰尘不可用力擦除。
若长期不用,晶体要放在干燥器皿内保存。
2.接收放大器是半导体器件应避免强光照射以免烧坏。
做实验时光强应由弱到强缓慢改变,当岀现饱和时可降低光强。
3.仪器应放到干燥处保存,不宜在潮湿环境中使用。
工作环境温度高于28°C时连续工作不能超过2ha
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