MOSFET参数理解及测试项目方法解读.ppt
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MOSFET参数理解及测试项目方法解读.ppt
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MOSFET参数理解及测试项目方法,MOSFET产品部,MOSFET简要介绍,MOSFET(MetalOxide-SemiconductorFieldEffectTransistor)-金属-氧化物-半导体场效应晶体管。
MOSFET根据导电沟道形成机理可分为:
1、增强型2、耗尽型MOSFET根据导电载流子的带电极性可分为:
1、PMOS2、NMOS,MOSFET简要介绍,MOS管结构及符号图(a)内部结构断面示意图(b)N沟道符号,P沟道符号,G:
栅极D:
漏极S:
源极,MOSFET参数理解及测试方法,MOSFET参数很多,一般Datasheet包含以下参数:
极限参数:
VDS:
额定漏-源电压,此电压的大小由芯片设计决定。
VGS:
额定栅-源电压,此电压的大小由芯片设计决定。
ID:
额定最大漏源电流。
是指场效应管正常工作时,漏源间所允许通过的最大电流。
场效应管的工作电流不应超过ID。
特定温度下,此电流的大小由RDS(ON)和封装形式决定,其计算公式如下:
TJmax:
MOS最大结点工作温度150RJC:
封装热阻(节点-外壳)TC:
Case表面温度为25,极限参数,IDM:
最大脉冲漏源电流。
我们通常取IDM=4IDPD:
最大耗散功率。
是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率。
Tjmax:
MOS最大结点工作温度150RJC:
封装热阻TC:
Case表面温度为25Tj:
最大工作结温。
通常为150TSTG:
存储温度范围。
通常为-55150,静态参数,1.V(BR)DSS:
漏源(D-S)击穿电压,它具有正温度特性。
TestCondition:
VGS=0,ID=250uA,静态参数,2.IDSS漏-源(D-S)漏电流。
一般在微安级TestCondition:
VGS=0,VDS=RatedVDS,3.IGSS栅源驱动电流或反向电流。
一般在纳安级TestCondition:
VDS=0,VGS=RatedVGS,静态参数,4.VGS(th):
开启电压(阀值电压),它具有负温度特性。
TestCondition:
VGS=VDS,ID=250uA,静态参数,5.RDS(ON):
在特定的VGS(一般为2.5Vor4.5Vor10V)及漏极电流(我们一般取1/2RatedID)的条件下,MOSFET导通时漏源间的阻抗,具有正温度特性。
雪崩特性参数,功率MOSFET在电感型负载回路中,MOSFET由开启状态到瞬间关断时,漏源之间的反偏体二极管用于释放电感负载中储存能量的同时,也常常因此承担雪崩击穿带来的对器件的影响。
EAS:
单脉冲雪崩能量IAS:
电感峰值电流IAR:
单脉冲雪崩电流,雪崩特性参数,雪崩特性波形图
(一)IAS=12.6ABVDSS=744Vtp=2ms,雪崩特性参数,雪崩特性波形图
(二)IAS=15ABVDSS=768Vtp=2.5ms,动态参数,Ciss:
输入电容。
Ciss=CGD+CGSCoss:
输出电容。
Coss=CDS+CGDCrss:
反向传输电容。
Crss=CGD,TestCondition:
VGS=0,VDS=10Vor15Vor25f=1.0MHZ,动态参数,MOSFET是电压型驱动器件,驱动的过程就是栅极电压的建立过程,这是通过对栅源及栅漏之间的电容充电来实现的。
Qg:
栅极总充电电量。
Qgs:
栅源充电电量。
Qgd:
栅漏充电电量。
TestCondition:
VDD=80%RatedVDS,ID=RatedID,VGS=4.5V(VGS12V)or10V,RG=10,动态参数,开关时间(SwitchingTime)Td(on):
导通延迟时间Tr:
上升时间Td(off):
关断延迟时间Tf:
下降时间,TestCondition:
VDD=1/2RatedVDS,ID=1/2RatedID,VGS=4.5V(VGS12V)or10V,RG=4.7,动态参数,gm:
跨导(单位:
S)gm的大小反映了栅源电压对漏极电流的控制作用。
在转移特性曲线上,gm为的曲线的斜率;在输出特性曲线上也可求出gm。
寄生二极管特性参数,VSD:
寄生二极管正向导通电压测试电路:
Trr:
二极管反向恢复时间二极管可视为一种电容。
积累的电荷Qrr完全放掉需要时间为Trr,SafeOperatingArea,SafeOperatingArea,SafeOperatingArea,SafeOperatingArea,Thankyou,
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