CST激励源之波导端口.docx
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CST激励源之波导端口.docx
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CST激励源之波导端口
CST激励源之波导端口波导端口是一种特殊种类的解算域边界条件,它可以刺激能量的吸收,这一切都是是通过2D频域解算器求解二维端口面内可能本征模实现的,且端口处每种可能的电磁场解析解都可以通过无数模式的叠加求得,然而,实际上,少量的模式就可以进行场仿真了,求解计算中需要考虑的模式数可以在WaveguidePort对话框中设定。
这里要注意:
激励波导端口的输入信号是规一化到峰值功率为1sqrt(Watt)
使用波导端口要根据不同需求、不同特点的端口类型的数量定义。
因而,我们首先必须精确的判定激励问题的类型,然后在选择并定义合适的波导端口。
在具有不均匀性、可获得broadbandports(宽带端口)或者具有inhomogeneousportaccuracyenhancement(非均匀端口精度加密)特色的情况下,我们可以选择使用normalwaveguideports(标准波导端口),与此同时,multipinports可以计算凋落的TEM模。
标准波导端口
标准波导端口即我们经常使用的矩形或圆形波导结构,通过PEC边界条件屏蔽,因而端口模式就被限制在端口区域内
均匀波导端口
右图是一个均匀、矩形标准波导端口,通过normal
解算。
下图中是一个具有三个模式waveguideoperator的波导端口,这里按各自的截止频率来分类。
传播模式数的多少取决于选取的频率范围。
在瞬态仿真时,建议考虑所有的传播模式,因为未考虑的模式将在端口处引起反射。
对于凋落模式也采用同样的考虑,如果必要的话,求解器将检查这些情况并给出警告信息。
非均匀波导端口
如果波导由两种或两种以上材料的介质填充如右图所示,那么模式就呈现频率依赖性,如下图所示就是三个不同频点的,那么场就更加集中模,频率越高(从左到右频率逐渐增加)TE在具有高介电常数值的材料中(图中浅褐色部分所示)。
因为标准的波导解算器只计算指定频点处的场模式,对于宽带内计算场模式将会报错。
。
对话框(如下图所示)Special因此我们需要打开瞬态解算器中
激活其中的broadbandportoperator(宽带端口解算器),这里,端口模式将在多个频点处计算并求解出可以接受的宽带结果。
同轴波导端口或连接器
和上面的波导端口相比,同轴端口或连接器拥有一个或更多的内导体。
一右模。
的TEM在端口处如果存在个以上的内导体将产生截止频率为0图中的均匀同轴波导由一个外导体和四个内导体构成,因此存在三个,(具有相同的传播常数)模式,如下图所示。
这些模式是凋落模TEM不同且可以叠加产生新的模式,这是因为他们彼此是正交的。
因此,下图multipin所示的模式解仅仅是一种可能解,因而我们建议你使用功能指定你期望激励的模式。
operator
非均匀同轴波导或连接器端口
假定为轻微不均匀同轴波导或同轴连接器端口,通过使用MultipinPort,依旧会叠加产生许多QTEM模,然而,切记:
不同模式的的传播常数是不同的,这将产生错误信息。
假定不均匀错误已经不能忽略调,那么所有的端口应该定义为Single-ended,在仿真结束后,single-endedS参数将作为后处理中一部分,然后在CSTDESIGNSTUDIO?
中通过类似结构的multipin配置的微分激励重新合并计算。
微带线
不像同轴波或矩形波导,微带线是开放且不均匀结构,这使得在时域仿真中受到一定的限制。
然而,为了获取更精确的结果,我们应该考虑下面的几个方面:
首先,在2D本征模计算中没有开放边界条件,基于此,时域中的开放边界条件则被2D本征模计算中的磁边界条件取代。
因此,为改善精度在远区对重要的模式场尽可能的设置边界条件是很重要的。
由于端口的跳变,高次模就有可能产生,从而降低求解精度。
其次,由于端口区域的不连续性,波导解算器waveguideoperator增加了模式计算次数以及距离从而降低了精度,同时发生的宽带错误也可能不再使用inhomogeneousportaccuracy
enhancement(在瞬态求解对话框中设定)功能,这个特征使用fulldeembedding就需要所有端口模式的激励,因此,慎重的激活该功能是明智的,如果可能的话,可以使用S-parameter
symmetries,下面给出微带线的例子,都是基于标准波导端口解算器(normalwaveguide
operator)。
单根微带线
下图右图是一个有两个标准波导端口的简单微带线,mode于chosen参数,由得给中的左图出了求的S左右,10GHzcalculationFrequency选择模式计算频率,在full其反射是正确的,作为对比,右图中则给出了使用的结果,在整个期望的频率范围内其反射小deembedding。
60dB于-
带有接地平面的两个导体微带线由于端口区域的不连续性,偶模分布,下图给出带有接地平面的两个导体微带线的奇模、.
其奇偶模都是非退化的QTEM(准TEM波),描绘了这种结构的两种静态模式。
共面微带线
典型的共面微带线由四个独立导体构模TEM成,因而呈现了三种不同的非退化准,如图中所示,端口被磁臂分开以)(QTEM沿线避免接地面和两条边带线之间的短路。
oddand传播的三个模式为ground,even
,在求解对话框中,(地、奇、偶模)mode你可以方便的选择对你的仿真激励感兴趣的模式。
含接地面的多导体微带线一般情况下,具有不连续
其单个导性的多导体波导端口,过通影响一般间体的耦合算计ports分析single-ended
有损微带线。
对于指定的求解器都如果微带线含有损耗,无论是介质基板损耗,还是金属导体损耗,会有一定的约束、限制。
对瞬态求解器而言,在端口模式解算中,损耗是不计在内的,因此端口区域会有一般,甚至可能覆盖整个频带产生主要取决于这些损耗的大小,损耗越大反射增加,些许的反射。
inhomogeneousportaccuracy这些都是由于不连续的微带线的特点造成的,因而,宽带错误,的功能的影响也将被忽略,所以一定要确保端口处的损耗不要太大。
而对于频enhancement域求解器,除了谐振计算外,是考虑了端口的有损材料的,并计算复传播常数。
周期波导端口这些边界特可以考虑非0相移的周期端口边界。
对于使用六面体网格的频域求解器FDS,下面看看一个具有周期边界的简单波对话框中的全局设置相对应,Boundary性和Condition导结构的例子。
方向使用周期边界条件的波导结构,该周期定义为一恒定的和期下图是一个计算域的x度角。
30轴)成z望的端口模式的传播方向(.
前两个模式如下图电场矢量和磁场矢量所示,你可以看到第一个模式是平面波,而第二个模式则是Floquet模式。
阻抗定义
对所有类型的波导端口,其波阻抗的值都等于对所有端口面上的网格点[j]的截线电场与截线磁场比值的平均值:
然而,为了避免因为小数值造成的错误,在某个门限(相对最大场值)以下的数值就不不含在计算之内,在solverlogfile中的z-Wave-Sigma中可以看到这种平均值的不一致性。
此外,对任意多导体端口(同轴波导端口、微带线、连接器端口等),都存在静态模式场(TEM或QTEM模),lineimpedance的值都将计算,它是通过对每个独立模式以考虑注入结构中的导体电流来计算,按下列表达式计算:
其中,power为Poynting矢量沿段进口区域积分而来,current是磁场沿导体表面积分计算而来。
注:
必须意识到这和通常的定义Z=U/I是不一样的,因而会求得不同的结果。
模式校准.
为了获得计算的模式的一致性方向,电模式场需根据特定的准则校准;然后通过激励端口的功率流确定磁场。
这意味着模式的Poynting矢量总是指向端口辐射方向,因为这,使得在CSTDESIGNSTUDIO?
中不同结构的端口可以在不产生不期望的相移的情况下连接。
下图给出了考虑电场方向的端口模式的校准线,在中空波导中,电场是朝向端口的局部U/V坐标系。
如果有内导体(端口有两个或三个导体)存在,那么导体pin的散度计算则是正的,比如,电场指向地,如下图中右侧的两个途中所示(微带和同轴波导)。
所有其他端口模式都是指向其相应的端口的坐标系的,这类似于中空波导端口的情况。
因此,无论什么情况下,在CSTDESIGNSTUDIO?
中都要确保端口耦合的一致性。
在Multipinport模式的使用potentialpin定义来确定电场方向的。
波导端口的网格查看
在开始仿真之前,任何结构都必须空间离散化,对波导端口而言也不例外。
基于一致性(连续性)的原因,端口使用和结构相同的网格,因而,定义端口的尺寸不必和用于仿真的端口尺寸相同。
这些尺寸必须映射到网格上,因而会有轻微的变化,然而,端口尺寸总是被放大的。
为了控制仿真中观察到的尺寸,你可以输入网格模式,如下图红色框架所示反映了映射到端口的情况。
波导端口
波导端口是根据入射波功率和反射波功率来进行求解计算的,对每个波导端口而言,在计算求解过程中,都将记录其S参数(时域信号用于时域仿真)。
实际上,端口可以被连接到结构中的纵向均匀波导代替。
在仿真求解前,你至少需要一个激励源(或波导端口、或离散端口或平面波)对结构进行馈电。
注:
激励的波导端口的输入信号是规一化到1sqrt(watt)的。
在输入对话框弹出前,如果你选择了一个沿某个轴的面,然后就会提示你输入新端口区域的尺寸。
基本框架Generalframe
Name:
从下拉菜单中选择有效的名字,该数值将显示在结构图中的端口面上,并用来命名S参数结果,请注意:
端口编号是和离散端口discreteport的定义共享的(一致的)。
之间选择。
z、y、x:
选择端口面的法向。
端口必须平行于计算域的边界以便你可以在Normal
Orientation:
定义端口的方向,如辐射方向。
Lower端口辐射方向为正方向,upper端口辐射方向为负方向,和选择的端口的法向坐标轴有
边界的计算域的定lower要和通常,upper或关。
你也可以在计算域内定义内部然后,义相一致。
端口。
或选择一个以前的端口在定义一个新端口,注:
(由全局坐标系的方向决端口的局部坐标系时,如果端口被激励,另外,定)将显示在主窗口中,你可以使用鼠则端口处的箭头则表明辐射方向。
标滚轮调整端口大小的显示Positionframe
位置框架
:
在这里,你可以选择通过输入沿法Coordinates选择◎Free:
向的截面端口的尺寸改变端口大小。
你可以在这里输入端口截面的最小和最大free,了中,你可以看到其取决于端口的Editfields值,在法向方向。
Editfields
NormalYmin,Ymax,Zmin,ZmaxX
Xmin,Xmax,Zmin,ZmaxY
Xmin,Xmax,Ymin,Ymax
Z
边界的波导端口截面的参lowerz右图给出了位于
数情况。
,那么:
如果你选择了Fullplane◎Fullplane通过位置和法向定义的整个边界将作为波导右图给出了扩展到整个边界平面的波导端口。
端口情况。
:
我们也可以通过选择平行于坐标Usepicks◎轴或一个平面中至少两个棱的作为端口。
因而,在模型窗口中,如果你已经选择面或棱,选项定义端口,如Usepicks那么就需要选择你可以果选择的面和期望的端口尺寸不一致,在下面的域中输入相应的值来改变端口尺寸。
Editfields
Normal
Ymin,Ymax,Zmin,ZmaxX
Xmin,Xmax,Zmin,ZmaxY
Xmin,Xmax,Ymin,YmaxZ
激活该按钮定义内部端口,Freenormalposition:
或Free如端口位于计算域内。
该选框只有在选择Fullplane模式时才可用。
域/该法线位置的值可以是插入到相应的X/YZpos中,如果该值超过了计算域的尺寸,则端口就为计算域的边界处。
端口边界处,和和注:
为使用该按钮时,其端口总是位于计算域的upperlowerlowerupper或方向相一致。
.
参考平面框架Referenceplaneframe
Distancetoref.plane:
指定参考平面的距离以获取基于S参数的准确相位信息。
正值则向外移动参考平面,负值则向内移动。
Deembeding在计算运行后也可以执行,下图给出了波导端口的负距离参考平面,如参考面向内移动。
模式设置框架Modesettingsframe
Multipinport:
如果想定义multipinport,选择它。
Definpins…:
如果选择了Multipinport,则该按钮将激活。
按下该按钮之后,CurrentSet
Definitions对话框将弹出,你可以通过添加新的current设置定义multipinport。
Numberofmodes:
指定模式数用来计算仿真。
Single-ended:
该按钮提供后处理中自动重计算散射参数,这些是基于先前定义的single-endedmultipinports。
因而,在multipin定义设置期间,每个内导体的各自独立的模式设置必须生成,如一个导体(通常是最外面的)依旧没有定义接地导体,然后,该按钮将被激活用来进行single-ended计算。
注:
在这种方法中,所有的端口都必须定义为single-ended类型,否则,就无法启动仿真。
阻抗值本身然而,计算求解自动激活规一化固定阻抗值,端口模式,single-ended通过使用.
在开始仿真前,在求解对话框中可以修改。
Impedanceandcalibration:
选择该项,如果你想定义阻抗,校准和极化线
Definelines...:
如果选择了ImpedanceandCalibration,那么该按钮就会被激活,按下该按钮将打开模式阻抗和校准对话框,你可以进行相应的定义。
注:
阻抗和校准线的定义只在四面体网格中使用
Polarizationangle:
仅对退化模的首次设置。
只有在为选中ImpedanceandCalibration时,才能激活该选框。
当出现退化模,两个模式(共用一个传播常数)可以线性叠加。
通过输入极化角度(0~360度),你可以确定这些模式中的第一个模式的电场的主方向。
波导端口阻抗、校准和极化定义
波阻抗
对所有类型的波导端口,其波阻抗的值都等于对所有端口面上的网格点[j]的截线电场与截线磁场比值的平均值:
然而,为了避免因为小数值造成的错误,在某个门限(相对最大场值)以下的数值就不不含在计算之内,在solverlogfile中的z-Wave-Sigma中可以看到这种平均值的不一致性。
传输线阻抗lineimpedance
此外,对任意多导体端口(同轴波导端口、微带线、连接器端口等),都存在静态模式场(TEM或QTEM模),lineimpedance的值都将计算,它是通过对每个独立模式以考虑注入结构中的导体电流来计算,按下列表达式计算:
其中,power为Poynting矢量沿段进口区域积分而来,current是磁场沿导体表面积分计算而来。
注:
必须意识到这和通常的定义Z=U/I是不一样的,因而会求得不同的结果。
Impedancelines阻抗线
基于四面体网格的模型,在计算功率电压阻抗ZPV时,可以使用定义阻抗线,该阻抗为两个导体之间的TEM模式的线性阻抗。
通过对沿阻抗线上的电压的平房积分计算,如下式所示:
Power为Poynting矢量在整个端口区域的积分
校准线:
通常,模式校准线的定义在整个端口区域是自动完成的,然而,对于基于四面体网格的模型,校准线使用模式校准线代替整个端口区域,这对在非校准线位置引入大量电场的端口区域非均匀材料构成的端口区域的计算是很有用的。
Polarization极化
有两种定根据使用的网格,有相同传播常数的两个模式将线性叠加,当出现简并模时,
义简并模的极化方式。
对于六面体网格,在波导端口对话框中定义0~360度的极化角,该角度和第一个简并模的主方向有关,下图给出了第一个模式的45度和90度极化情况。
下图第一个图中,相对于U/V局部坐标系的端口平面上的45度极化情况
上图右面两个图中给出45度和90度极化角圆柱波导的TE11模(端口沿z方向)
对于使用四面体网格的模型,使用ModeImpedanceandCalibration模式阻抗和校准对话框定义简并模的极化,因而,两条极化线需要沿着彼此垂直的的两个简并模的电场的主方向。
下图第一个图给出了以相互垂直的矢量表述极化线的情况
TE11模的分布情况上图右面两个图中给出端口处极化沿线的两个凋落的
CST激励源之Multipinport端口
含有两个以上导体的波导端口,将会激励起TEM模,你可以在PotentialSetDefinitions和DefinePotentialSetItemDialog中确定和编辑指定的模式。
为了定义Multipinport,必须在波导端口对话框中激活multipin选框,按下Definepins…按钮,将弹出PotentialSet
Definitions对话框,在这里你可以定义或编辑Potential设置。
注:
在简并模中,很容易出现不同模式的叠加情况,因此,Multipinportoperator(多引脚端口解算器)主要应用在均匀的多个同轴或连接器端口中,当然,在不同模式之间的传播常数只有细微差别的时候,Multipinport也可以用在非均匀端口中。
请注意两个或更多非简并模的叠加是会产生不准确的瞬态求解。
在易于受非正交模式影响的非均匀多导体端口或引脚定义时multipinport应该定义为single-endedport(单端端口)
Potentialdefinitions
为了定义描述电场的特殊散度分布的模式,必须在相应的引脚pin定义正负电势potential,该引脚中,设置电位将作为继端口数和模式数之后的第二个值,(如'2(1,+)'则表示端口2,模式1,正电势)。
属于另一个电势设置的引脚处的电势将被设置为0,没有。
0定义电势的导体将作为接地导体,因而具有相等电势的多引脚之间的电压将被设置为
因为可以选择指定引脚数次并定义不同模式(见下面的第二个例子),所以,你应该检查一下你定义的电势是否彼此正交,如果没有检查,求解器将自动使模式彼此正交以获取稳定的仿真。
LineImpedancedefinition
多引脚端口的线性阻抗等于多个导体端口定义(见上面波导端口的相关介绍),考虑一个多引脚模式,注入结构的所有电流按下面的计算准则考虑
注:
该表达式不同于一般的定义Z=U/I,因而会得出不同结果。
详细内容见下面的介绍
Symmetries
在多引脚端口中使用对称是很容易的,如果对称面两侧电势相同,根据电场分布,必须定义一个磁对称面,反之,则必须定义一个电对称面。
Examples:
下面的两个例子中使用一般的同轴端口来分析多引脚端口解算器(multipinport
operator)应用范围、定义、使用。
本征模求解
右图中是一个由四个内导体和一个屏蔽导体构成的多引脚波模式给出,如下图图中导,本征模求解器求解通过四个不同的2D电场矢量所示。
然而,因为这些模式是凋落模,只要模式是正交的,求解器的求解就是任意的,因而,任何经线性叠加产生的模多引脚解算器就是用来operator式都会在波导中传播,multipin
定义这些模式的。
多引脚定义Multipindefinition指定模式的定义是通过确定相应导体上的电势分布来实现
的,右图中就是两个电势设置,第一个是设置一个正电势并在第二个也1(1,-)][1(1,+)和,pin其对角的引脚处定义为负电势即,两种有两个电势设置,但是这次两个都设置为正电势[1(2,+)]。
0情况下,其他模式都被定义为在这下面的两个图中,你可以看到多引脚模式分布情况,
电场的散度分布和导体引脚上的电势定义是一致的。
ModesetNo.1
Z=2*U/I
,其线性阻抗为0的引脚电势置为modesetNo.2第一个引脚模式的电场分布,
第二个引脚模式的电场分布,两个定义的电流引脚的电压设置为0,线性阻抗为Z=U/I/2
Multiplepinselection
我们给出了对两个导体引脚使用多重第二个例子中,在右图中给出了导体选择的双同轴波导端口的微分激励,设置为彼此相反第一个多引脚multipin引脚的多重定义。
设置为两个正,而第二个modeset[1(1,+)和1(1,-)]的电势,请注意导体引脚的多重选择不能用于定义电势[1(2,+)]端口。
single-ended下图是多引脚模式设置并给出了相应的电场分布,因
为使用了多引脚定义,两个模式是彼此正交的。
单端波导端口Single-endedwaveguideports这意味着会因现有模式的线性叠加QTEM模将部在凋落,如上所述,对于非均匀多导体端口,例如多导体微带线之间的窜扰问题。
然而,我们对导体之间的耦合更感兴趣,产生新的模式,参数可以获取这方面的信息,每个单个导体都考虑了导体与接s通过单端(single-ended)基于此,在波导端口以及由端口模式引起的导体电流。
地之间的电压(沿最短的电压路径)单端端口。
在仿真开始时,求解器对话框中,所有多导体端口都必须定义为single-ended
single-ended
参数(s参数,然后在后处理阶段在重新计算单端s使用基模计算相应的?
中,CSTDESIGNSTUDIO该单端结果描述了引脚之间的耦合情况,此外,在,)s-parameter
通过相应的电路连接,他们也可以用来获取任意的或微分S参数。
以上图中的双导体微带线为例,最上面的两个图给出了存在于线上的QTEM模分布:
奇模和偶模。
这两个模式是在仿真过程中激励起来的,因此求解器会计算出其相应的奇偶模的S参数。
现在启动后处理根据给定的电压/电流重组这些S参数,因而产生新的S参数体现这两个隔离导体间的行为,如可以分析其间的窜扰。
在最后两个图中可以看到CSTDESIGNSTUDIO?
中的通用或微分准则使得重组这些S参数成为可能。
在这个例子中,新的S参数等效于奇偶模仿真求得的S参数。
然而,CST
DESIGNSTUDIO?
中,在复杂和非对称甚至含有更多导体引脚的结构中,该程序提供了不需重新仿真结构就可以计算不同的连接模式。
单端端口定义对感兴趣的非正交模式也是非常有用的,但不太可能直接激励起这些模式,却可以通过基模仿真结果重组获取他们的S参数,请注意:
使用single-ended端口模式计算求解会自动激活规一化固定阻抗,但该阻抗值,在仿
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