半导体ICP题库.docx
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半导体ICP题库
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一,选择题。
ICP刻蚀机的分子泵正常运行时的转速大约在(
A20000
C40000
北微ICP本底真空和漏率指标为(A
A0—0.1mT<1mT/min
C0.3--0.5mT<1.0mT/min
1、
2、
3、
NMC刻蚀机当前SRF时间为(
A50H
)RPM
32000
18000
时,设备能够正常工作
B>2.5mT
D>0.5mT
C)时,要求对设备进行开腔清洁
B100H
4、
5、
6、
7、
C200H
SLRICP托盘、螺丝等清洗标准作业流程(ABC)
A:
用DI水喷淋托盘(底盘和盖子)、耐高温橡皮条(
B:
用N2吹干
C:
螺丝使用一次后清洗;托盘和橡皮条使用三次后清洗;ELEDEICP铝盘、石英盖、密封圈清洗标准作业流程
A.用DI水浸泡石英托盘20min
B.用DI水冲洗一遍
C.用N2吹干
D.用IPA擦拭密封圈
ELEDEICP卸晶片标准操作流程(ABC)
A.用专用螺丝刀把托盘的螺丝拧松,用手拧开,放回固定位置
B.用手轻轻地取出石英盖
C.用专用镊子将晶片夹放到相应的盒子里
CORIALICP卸晶片工艺步骤(ABC)
A.
B.
C.
D2000H
当天全部声波清洗
(ABCD)
<2mT/min
<2.5mT/min
用小起子将铝盖轻轻翘开
移开铝板
用真空吸笔将蚀刻片吸到相应的盒子里
二,填空题。
1.蚀刻好的晶片测得的高度是1.75um底径是2.74um那么需要进行补刻大约
2.蚀刻时一般设置氦气的压力是4Torr当实际压力超过5.2Torr会报警氦漏
3.NMC机台正常工作时分子泵的转速是32000RPM
4.在NMC工作中氮气的作用是吹扫腔体氦气的作用时冷却晶片(托盘)氧气的作用
是清洁腔室三氯化硼的作用是蚀刻晶片
5.1Torr=133Pa
6.清洗晶片时丙酮的作用是清洗
300S
7.曝光使光刻胶有选择性,正胶光照地方,应掉
8.ICP的清洁没有做好会造成晶片死区盲区
9.造成马赛克的因素有晶片的平整度,_
有机物异丙醇的作用是清洗
负胶未被光照地方,光刻胶被显影液反
丙酮
—等缺陷匀胶的均匀性
曝光台的清洁度
10.NMC机台连续工作_5小时需要做Dryclean
11.每周五检查冷冻机冷冻液剩余情况,低于第一个金属环时应添加异丙醇
12.当机台闲置2小时以上再生产时,应对机台进行一次预热动作
13.作业过程中,杜绝晶片放错片盒,以工艺记录本的刻号为准
14.
15.
16.
17.
18.
19.
四,问答题:
1.在检测发现有很多的废片如满天星;边不对称;刮花等,试分析一下造成这些废片的原因。
答:
造成满天星的因素可能是1晶片曝光过程中光刻板污染、显影过程中脱胶等,但是刻蚀前没有镜检,2装完片没有进行吹扫有颗粒落在晶片上,3机台长久没有做PM有颗粒掉在晶
片上。
边不对称:
1装片时没有调整好,2盖石英盖时造成晶片移位。
刮花:
1装片调整时镊子刮到晶片,2目检时遗漏了刮花缺陷,3拧螺丝时手指衣袖等
碰到晶片。
2.
在"设置托盘存在状态下”设置腔室的选项为托盘不存123,4,5的位置都设置为托盘不存在然后点击“与系统此时机械手臂上会显示有托盘,其他地方都没有托盘,
NMC机台在进行手动操作时,机台里只有一个托盘,托盘真正的位置在机械手臂上,但是系统显示托盘位置为未知状态,此时该如何操作?
答:
点击手动模式再点击托盘同步,在,机械手臂为托盘存在托盘记录同步”点击“与设备信号同步”这样就可以进行接下来的操作了。
3.
2.5um,要刻出高度约为1.55um的产品,
什么叫做选择比?
如果晶片上光刻胶的厚度是那么理想的选择比应该是多少?
要刻出高度为1.55um
答:
选择比就是蚀刻蓝宝石衬底的速度与蚀刻光刻胶的速度的比值。
的晶片理想的选择比应该是0.62以上
选择比=1.55/2.5=0.62
4.下图是一张简化的NMC机台的工艺配方,描述一下各个参数的含义。
参数
Stable
1
Etch1
Stable
2
Etch2
Stabl
e3
Etch
3
flow
Pressure(mTorr)
3
3
3
3
1.5
1.5
0
SRFPower(W)
0
1900
0
1400
0
1900
0
BRFPower
0
200
0
200
0
700
0
HeliumPressure(Torr)
4
4
4
4
4
4
4
GasBCL3(300sccm)
80
80
80
80
40
40
0
Time(sec)
20
600
10
600
10
450
60
PenvIvPositionDelayTime
0
0
0
0
0
0
1000
SRFReflectPower(W)
50
50
50
50
50
50
50
BRFReflectPower(W)
50
50
50
50
50
50
50
C5SetPoint
40
40
40
40
40
40
40
答:
Pressure(mTonj工艺腔室压力,SRFPower(W)上电极加载功率,BRFPower
下电极加载功率,HeliumPressure(Torr)氦气压力,GasBCL3(300sccm)三氯化硼流量,
Time(sec)蚀刻时间,PenvlvPositionDelayTimePV摆阀位置,SRFReflectPower(W)上电极
反射功率,BRFReflectPower(W)下电极反射功率,C5SetPoint等离子体密度。
5.
简述CORIALICP作业流程图
到晶片表面。
7.简述CORIALICP清洗托盘作业流程图
DIW浸泡石英托盘
9.简述
A.用
B.用
C.用
D.用
CORIALICP托盘清洗标准作业流程
DI水浸泡石英托盘20min;
DI水冲洗一遍;
N2吹干;
IPA擦拭;
E.用真空硅脂涂抹真空密封圈。
10.简述CORIALICP清洗反应室方法及步骤
A.进入 B.点击 C.等待 D.拆下石英细管,先用无尘布蘸上DIW擦洗反应室内壁和石英窗口,再用无尘布蘸上 IPA擦洗。 注意检查下电极上的弹簧圈是否有损坏,如有损坏,请及时更换,最后清洁完后,按照图示安装石英细管; E.用真空硅脂涂抹真空密封橡皮条,再放置好; F.在 G.结束后,盖上反应室,拧上螺丝,注意先不用拧紧,点击 mode,,等机台进入vacuumready状态,拧紧反应室上的螺丝.。 简述ELEDEICP作业流程图 ”>; 4颗锁紧螺丝,打开 11. 检查N2、BC3、02、He压力, PCW压力,Chiller温度等 I 系统开机,启动上下位机控制程序 t 打开传输腔室 ―r~ 放置石英托盘 ―r~ 抽真空 ~T 蚀刻作业 ~r 蚀刻结束,卸下晶片 12. A. B. C. D. 简述ELEDEICP装晶片标准操作流程 用无尘布蘸IPA擦拭铝托盘表面(包括O-ring);用专用镊子将晶片按照一定顺序夹放到托盘的各个位置上(如上图)密封圈为准(除平边),如左下图(不含石英盖)所示;放置石英盖时不能移动晶片,对准定位销将石英盖轻放至托盘上,以边缘均匀盖住密封圈为准(除平边),如右下图(含石英盖)所示; 拧上螺丝(注意不拧紧,避免衣袖、手套碰到晶片表面); ,以边缘均匀盖住 E. F. G. H. 13. I. 2, 3, 4, 5, 14. 用力矩螺丝刀拧内中外圈螺丝,每隔2个拧一次,分2次拧紧,1次检查; 检查一遍晶片是否放好,并用专用吹扫工具吹扫一遍; 用无尘布蘸IPA擦拭铝托盘底部,注意不可将IPA沾到晶片上; 将装载托盘轻放至片盒上。 简述ELEDEICP蚀刻作业操作 打开传输腔室门,将片盒轻放在卡板上,刚好卡住定位销,切忌左右移动片盒; 点击<配方>,打开<工艺配方>,检查所选配方的工艺参数; 点击<片盒配方>,打开所选的片盒配方;若没有要选择的配方,则新建一个;点击<主界面>,查看片盒配方详细信息,确认无误,点击<开始工艺>;待工艺结束后,打开传输腔室门,取出片盒及托盘,卸下晶片; 简述ELEDEICP清洗石英盖、铝盘、螺丝作业流程图 15.简述ELEDEICP清洗反应室作业流程图 16.简述ELEDEICP螺丝清洗标准作业流程 A.把螺丝装在小烧杯里,倒入IPA覆盖为宜,超声波振动10min; B.用N2把螺丝吹干 17.简述ELEDEICP清洗反应室方法及步骤 A. B. C. D. E. F. G H. I. J. K. L. 关闭反应室 进入[维护/工艺模块],在[腔室操作]中点击[吹扫],至少吹扫100次;吹扫完毕后,点击[吹大气],进行腔室破真空动作;按照正确的流程打开反应室; 移走反应室零部件(石英盖、密封圈、内衬、压环等); 先用浸有DI水的无尘布擦拭反应室内壁,再用IPA擦拭,直到擦拭的无尘布上看不 到残余物的颜色为止; 按照步骤E擦拭反应室其余每个地方,特别是真空测量孔;手动把升降针升起,用浸有IPA的无尘布擦拭三针; 用浸有IPA的无尘布擦拭卡盘、聚焦环表面; 按照步骤E擦拭其他的部件(内衬、压环等); 安装反应室零部件(石英盖、密封圈、内衬、压环等); 关闭反应室; 恢复反应室状态 18.简述SLRICP作业流程图 抽设备真空 破解预抽室真空” 放置托盘心 裝载托盘* 刻蚀作业存 刻蚀结束,卸下晶片初 19.简述SLRICP装晶片标准操作流程 A: 用打圈圈的方式使橡皮条均匀分布在底盘的各个小槽上; B: 判断托盘的方向,以中间的区域为标准,若定位横边往下的,则托盘两边的两个小孔分别为左右两孔; C: 用专用镊子将晶片夹放到托盘的各个位置上,并对准位置; D: 把螺丝放在盖子的小孔里; E: 以盖子边缘的一个小孔为左边,对应托盘的左边位置,小心地放在底盘上; F: 用内六角起子对角地拧螺丝,分两次拧。 第一次拧的程度为7成紧,第二次力度相对 均匀地稍微拧紧; G: 用专用吹扫工具吹扫已装好片的托盘一遍。 20. 21. 简述SLRICP清洗托盘、螺丝作业流程图 DI水喷淋屮 超声波清洗4 4 N2吹干 N1吹干』 简述SLRICP清洗反应室作业流程图 22. 简述SLRICP反应室清洗步骤 A: 打开反应室(同时按住2个上升开关——向右推开腔体) B: 用DI水清洗反应室(包括底座、腔壁、夹具) C: 用吸尘器吸走遗留的尘埃和水分子 D: 用异丙醇清洗反应室 E: 用真空硅脂涂抹真空密封橡皮条,再用无尘布擦均匀 F: 放置真空密封橡皮条(对角放置——压平整) G: 关闭反应室(向左推腔体回原位——►同时按住2个下降开关) 23.简述本工站的详细工作流程、操作规范及注意事项。
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