MB EE 基础试题.docx
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MB EE 基础试题.docx
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MBEE基础试题
1.Impedance
1.1BasedonthePCBstack-up,listthefactorswhichcanaffecttraceimpedance?
基于PCB的叠层,列举影响trace阻抗的因素
a)Outerlayer[microstripline][在外层布线的trace]
●Tracewidth(W)mils
●Tracethickness(T)mils
●Distancetoupperplane(H1)mils
●Distancetolowerplane(H2)mils
●RelativeDielectricconstant(Er)
b)Innerlayer[stripline][在内层布线的trace]
●Tracewidth(W)mils
●Tracethickness(T)mils
●Distancetoupperplane(H1)mils
●Distancetolowerplane(H2)mils
●RelativeDielectricconstant(Er)
1.2Withsingle-endimpedanceinhand,whichPCBtraceparametershouldbeusedtocalculatedifferentialimpedance?
已知单端阻抗,计算差分阻抗还需要哪些PCB参数
[上图为六层板的叠层示意图]
2.Powerconversion
2.1Pleasederivethevalueof“R”ofthefollowingcircuitry.(Vref=1.0V)
2.2如果要在PCB的trace上通過100A的電流,您認為會有哪些問題?
如果您可以控制PCB參數的話,您會如何改善它?
**
2.3TherearetwomajorcategoriesforDCtoDCpowerconversion.Whatarethey?
What’stheirdifferenceinturnsofCurrentandVoltage?
Pleaseshowtheirblockdiagramswithkeycomponents.
2.4在設計產品選擇DC-to-DCsolution時,如何決定要使用2.3所述的兩種轉換方式中的哪一種?
3.Highspeedsignal
3.1當高速信號一定要跨越不同的referenceplane的時候,您會如何處理?
高速信号跨沟及信号回流的基本概念下图1所示为一个信号流向及其回流示意图。
基于基尔霍夫定律,电流是闭环的,也就是说任意一个电路的节点只要有电流流出就一定会有电流流入,返回到节点(通常是驱动器)的电流通常就叫返回电流。
,且高频电流总是沿着最小的环路面积移动,高频返回电流通常是沿着阻抗最小的路径返回。
对于一个同轴电缆,其芯线为电流流动路径,而外壳的地就是返回电流的流动路径,所谓信号跨沟也就是返回电流的路径被断开或者是有部分沟槽;对于一个PCB板上的高速传输线来说,其电流流动路径为PCB板上的传输线,电流返回路径通常为与传输线相邻的地平面或者电源平面层(也称为传输线的参考平面),当与传输线相邻的参考平面层有沟槽等不完整现象时,返回电流的路径就可能被破坏,这时候也称高速信号跨沟。
如图1所示,当返回电流路径被断开或者被沟槽阻隔时通常称为高速信号跨沟。
当高速信号发生跨沟现象时,整个电流的环路面积将增加,通常系统的EMC辐射也将增加。
同时传输线的特征阻抗也将发生变化(如下图2所示为信号线阻抗变化曲线),信号遇到传输线特征阻抗突变点时将发生发射、振铃等信号完整性问题。
3.2為什麼differentialsignal可以對抗commonnoise?
**/**
在实际线路传输中,线路存在干扰,并且同时出现在差分线对上,
在发送侧,仍然是:
IN=IN+-IN-
线路传输干扰同时存在于差分对上,假设干扰为q,则接收则:
(IN++q)-(IN-+q)=IN+-IN-=OUT
所以:
OUT=IN
噪声被抑止掉。
4.線路分析
4.1請按以下輸入畫出nodeA,B,andC的波形。
a)標示出上升與下降緣的快慢差異
b)標示出上升與下降緣的快慢差異
4.2您認為這個線路的用途何在?
R1,R2與C1的用途?
信号延迟,电平转换
5.線路概念
5.1D1,D2的目的?
钳位保护,使信号保持在0V到3.3V
5.2虛線框內的功能?
低通PI型滤波器,抑制高频分量。
6.Crystal線路
6.1C1,C2的值對頻率的影響。
C1/C2calledLoadCapacitors
Thepurposesoftheloadcapsare:
CapC1combinedwiththeampoutputresistanceprovidesasmallphaseshift.Italsoprovidessomeattenuationofovertones.
CapC2combinedwiththecrystalresistanceprovidesadditionalphaseshift.
Crystalmanufacturersspecifyaloadcapacitancenumber.ThisnumberistheloadseenbythecrystalwhichistheseriescombinationofC1andC2,includingallparasitic(PCBandholder).Thisloadisspecifiedforcrystalsmeanttobeusedinaparallelresonantconfiguration.
Theeffectonstartuptime;
ifC1andC2increase,startuptimeincreasestothepointatwhichtheoscillatorwillnotstart.
Hence,forfastandreliablestartup,overmanufactureoflargequantities,theloadcapsshouldbesizedaslowaspossiblewithoutresultinginovertoneoperation.
Theeffectonfrequency:
6.2在IC內部XI/XO之間一般是一個什麼樣的邏輯閘?
6.3一般而言,在XI與XO兩點用示波器量出來的信號是否有差別?
相位相差180度
7.基本線路
請使用Dflip-flop來設計出一個把clock除以四的線路。
8.電池
8.1ResistorR2的目的?
為什麼?
防止电池短路时因电流过大引起爆炸。
8.2DiodeD1的目的?
anisolationSchottkydiodecircuit.
8.3您認為R1是否需要?
為什麼?
不需要。
3VSB来自其它电源,在短路时,上一级电源会自动保护。
与电池不一样。
8.4+3VSB電壓與電池電壓相較之下,它的高或低是否有甚麼影響?
TheSchottkydiodecircuitallowstheICH5RTC-welltobepoweredbythebatterywhenthesystempowerisnotavailable,butbythesystempowerwhenitisavailable.Todothis,thediodesaresettobereversebiasedwhenthesystempowerisnotavailable.
9.電阻的使用
請問,在這個應用下,使用0805,0603,0402的電阻有何差異?
Vol=0V时,PR=U×U/R=0.125W
不同size电阻的承受的功率不同
0805:
1/8W=0.125W
0603:
1/10W=0.1W
0402;1/16W=0.0625W
10.線路分析
Q
Q#
10.1這個線路的功能是甚麼?
10.2如果說我們要求每按一次button只會讓線路動作一次,請問需要做哪些修改?
11.觀念
11.15VTTLoutput推動5VCMOSinput有沒有甚麼問題?
一般而論可以推得動10個output嗎?
為什麼?
11.25VTTLoutput推動3.3VCMOSinput有沒有甚麼問題?
一般而論可以推得動10個output嗎?
為什麼?
11.33.3VTTLoutput推動5VCMOSinput有沒有甚麼問題?
一般而論可以推得動10個output嗎?
為什麼?
11.43.3VTTLoutput推動3.3VCMOSinput有沒有甚麼問題?
一般而論可以推得動10個output嗎?
為什麼?
11.55VCMOSoutput推動5VTTLinput有沒有甚麼問題?
一般而論可以推得動10個output嗎?
為什麼?
假設Iol=2mA,Iil=0.6mA.
11.65VCMOSoutput推動3.3VTTLinput有沒有甚麼問題?
一般而論可以推得動10個output嗎?
為什麼?
假設Iol=2mA,Iil=0.6mA.
11.73.3VCMOSoutput推動5VTTLinput有沒有甚麼問題?
一般而論可以推得動10個output嗎?
為什麼?
假設Iol=2mA,Iil=0.6mA.
11.83.3VCMOSoutput推動3.3VTTLinput有沒有甚麼問題?
一般而論可以推得動10個output嗎?
為什麼?
假設Iol=2mA,Iil=0.6mA.
12.觀念
線路端(A):
所有States有電
線路端(B):
有些States有電,有些States沒電。
12.1若是我們不允許有漏電的問題發生,線路端(A)與線路端(B)各該接在MOSFET的Source還是Drain?
為什麼?
A接Drain,B接Source
参考主板的5VDual线路
12.2若是線路端(A)與(B)都是3.3V的信號,那施加在MOSFETGate的電壓至少應該是幾伏?
它跟MOSFET的哪一個特性關係最密切?
為什麼?
13.比較器
Ohm
Ohm
13.1R2是一個甚麼零件’?
β=3435與β=2500在那一部分的特性會不同?
13.2方格內是一個
請問線路會如何運作?
有甚麼潛在問題?
13.3方格內是一個
請問線路會如何運作?
與13.2相較有哪些差別?
14.1高速信號造成reflection的主要原因是甚麼?
基本的改善方式有哪些?
阻抗不匹配,
端接方式:
14.2高速信號造成Crosstalk的主要原因是甚麼?
基本的改善方式有哪些?
15.3904BJT與2N7002MOSFET的不同點在那裡?
在設計上有那些需要注意的事項?
工作
电流模式,只需满足Ib*B>ic即可导通
电压模式,只需满足Vgs>
信号一般不直接传到3904,7002可以.
3904基极可以工作在电压较低的逻辑上
7002gate极更多工作在3.3V以上的电压
16.LED觀念
16.1要讓一個LED可以正常的亮起來需要滿足LED那兩個條件?
工作在正向电压供电状态
工作电流满足发光的最小额定电流
16.2上圖中的Buffer,採用下述Buffer可以讓線路運作無誤嗎?
為什麼?
若是有問題,會是甚麼問題?
(A)5VTTLVol=0.4V@Iol=2mA
驱动能力不够
(B)5VTTLVol=0V@Iol=10mA
(C)5VCMOSVol=0V@Iol=2mA
驱动能力不够
(D)5VCMOSVol=0V@Iol=10mA
(E)3.3VCMOSVol=0V@Iol=2mA
(F)3.3VCMOSVol=0V@Iol=10mA
电路均不能正常工作
接3.3VCMOSinputbuffer
17線路分析
Input+/-12V
3.3VCMOS
D1,Vf=0.4V
17.1這個線路有幾個地方有問題,請修改。
[参考线路]
17.2D1之前的3.3VCMOSbuffer有哪一項輸出特性會與線路的邏輯運作正常與否有關?
為什麼?
17.3若是輸出接的是3.3VTTLinputbuffer結構的IC的話線路又有哪裡可以省去?
参考com口的唤醒线路
1)最前面的diode的作用是防止反灌,当输入为-12V.会有电流从buffer的输入流到输入源端
2)经过DIODE后,应该接分压线路将电压降到3.3V的位准,保证CMOSBUFFer工作在正常的输入电压范围
3)3.3VCMOSbuffer输出为low时的电压加上0.4V后,因该小于3.3VCMOSbuffer输入的low电位的最大值.
4)不用的buffer不因该悬空,为了保证线路能正常工作,应接到3.3V
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