多晶硅.docx

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多晶硅

多晶硅生产资料

1）石英砂在电弧炉中冶炼提纯到98%并生成工业硅，

其化学反应SiO2+C→Si+CO2↑

（2）为了满足高纯度的需要，必须进一步提纯。

把工业硅粉碎并用无水氯化氢（HCl）与之反应在一个流化床反应器中，生成拟溶解的三氯氢硅（SiHCl3）。

其化学反应Si+HCl→SiHCl3+H2↑

反应温度为300度，该反应是放热的。

同时形成气态混合物（Н2,НС1,SiНС13,SiC14,Si）。

（3）第二步骤中产生的气态混合物还需要进一步提纯，需要分解:

过滤硅粉，冷凝SiНС13,SiC14，而气态Н2,НС1返回到反应中或排放到大气中。

然后分解冷凝物SiНС13,SiC14，净化三氯氢硅（多级精馏）。

（4）净化后的三氯氢硅采用高温还原工艺，以高纯的SiHCl3在H2气氛中还原沉积而生成多晶硅。

其化学反应SiHCl3+H2→Si+HCl。

多晶硅的反应容器为密封的，用电加热硅池硅棒（直径5-10毫米，长度1.5-2米，数量80根），在1050-1100度在棒上生长多晶硅，直径可达到150-200毫米。

这样大约三分之一的三氯氢硅发生反应，并生成多晶硅。

剩余部分同Н2,НС1,SiНС13,SiC14从反应容器中分离。

这些混合物进行低温分离，或再利用，或返回到整个反应中。

气态混合物的分离是复杂的、耗能量大的，从某种程度上决定了多晶硅的成本和该3工艺的竞争力。

多晶硅的生产工艺主要由高纯石英（经高温焦碳还原）→工业硅（酸洗）→硅粉（加HCL）→SiHCL3（经过粗馏精馏）→高纯SiHCL3（和H2反应CVD工艺）→高纯多晶硅。

需要用水的，很多。

四种主流的多晶硅生产工艺

1，硅烷法——硅烷热分解法

硅烷（SiH4）是以四氯化硅氢化法、硅合金分解法、氢化物还原法、硅的直接氢化法等方法制取。

然后将制得的硅烷气提纯后在热分解炉生产纯度较高的棒状多晶硅。

以前只有日本小松把握此技术，由于发生过严重的爆炸事故后，没有继续扩大生产。

但美国Asimi和SGS公司仍采用硅烷气热分解生产纯度较高的电子级多晶硅产品。

2，流化床法

以四氯化硅、氢气、氯化氢和产业硅为原料在流化床内（沸腾床）高温高压下天生三氯氢硅，将三氯氢硅再进一步歧化加氢反应天生二氯二氢硅，继而天生硅烷气。

制得的硅烷气通进加有小颗粒硅粉的流化床反应炉内进行连续热分解反应，天生粒状多晶硅产品。

由于在流化床反应炉内参与反应的硅表面积大，生产效率高，电耗低与本钱低，适用于大规模生产太阳能级多晶硅。

唯一的缺点是安全性差，危险性大。

其次是产品纯度不高，但基本能满足太阳能电池生产的使用。

此法是美国联合碳化合物公司早年研究的工艺技术。

目前世界上只有美国MEMC公司采用此法生产粒状多晶硅。

此法比较适合生产价廉的太阳能级多晶硅。

3，太阳能级多晶硅新工艺技术

除了上述改良西门子法、硅烷热分解法、流化床反应炉法三种方法生产电子级与太阳能级多晶硅以外，还涌现出几种专门生产太阳能级多晶硅新工艺技术。

1）冶金法生产太阳能级多晶硅

据资料报导[1]日本川崎制铁公司采用冶金法制得的多晶硅已在世界上最大的太阳能电池厂（SHARP公司）应用，现已形成800吨/年的生产能力，全量供给SHARP公司。

主要工艺是：

选择纯度较好的产业硅（即冶金硅）进行水平区熔单向凝固成硅锭，往除硅锭中金属杂质聚集的部分和外表部分后，进行粗粉碎与清洗，在等离子体融解炉中往除硼杂质，再进行第二次水平区熔单向凝固成硅锭，往除第二次区熔硅锭中金属杂质聚集的部分和外表部分，经粗粉碎与清洗后，在电子束融解炉中往除磷和碳杂质，直接天生太阳能级多晶硅。

2）气液沉积法生产粒状太阳能级多晶硅

据资料报导[1]以日本Tokuyama公司为代表，目前10吨试验线在运行，200吨半贸易化规模生产线在2005-2006年间投进试运行。

主要工艺是：

将反应器中的石墨管的温度升高到1500℃，流体三氯氢硅和氢气从石墨管的上部注进，在石墨管内壁1500℃高温处反应天生液体状硅，然后滴进底部，温度回升变成固体粒状的太阳能级多晶硅。

3）重掺硅废物提纯法生产太阳能级多晶硅

据美国CrystalSystems资料报导[1]，美国通过对重掺单晶硅生产过程中产生的硅废物提纯后，可以用作太阳能电池生产用的多晶硅，终极本钱价可看控制在20美元/Kg以下。

这里对几家国内多晶硅厂和国外多晶硅厂的设备技术做些比较.

4，改良西门子法——闭环式三氯氢硅氢还原法

改良西门子法是用氯和氢合成氯化氢（或外购氯化氢），氯化氢和产业硅粉在一定的温度下合成三氯氢硅，然后对三氯氢硅进行分离精馏提纯，提纯后的三氯氢硅在氢还原炉内进行CVD反应生产高纯多晶硅。

国内外现有的多晶硅厂尽大部分采用此法生产电子级与太阳能级多晶硅。

多晶硅生产工艺、太阳能冶炼多晶硅制作及用途

1、轻掺杂漏极结构的低温多晶硅薄膜晶体管及其制作方法

2、用三氯氢硅和四氯化硅混合源生产多晶硅的方法

3、在半导体制作过程中通过氘以形成多晶硅层的方法

4、蚀刻多晶硅层以形成多晶硅闸极的方法

5、多晶硅氢还原炉的可变截面积进气口装置

6、利用侧墙和多晶硅固相扩散制作纳米CMOS器件的方法

7、一种功率型多晶硅发射极晶体管

8、薄膜晶体管的多晶硅层及其显示器

9、多晶硅融化掺氮生长微氮硅单晶的方法

10、多晶硅太阳能电池转换效率的测试方法

11、改善蚀刻多晶硅的均匀性和减少其蚀刻速率变化的方法

12、N型掺杂多晶硅的制造方法

13、多晶硅结晶方法、薄膜晶体管及其液晶显示器的制造方法

14、降低多晶硅层洞缺陷的方法

15、多晶硅界定阶跃恢复器件

16、用于薄膜晶体管的多晶硅薄膜及使用该多晶硅薄膜的显示器件

17、多晶硅棒及其加工方法

18、去除多晶硅残留的方法

19、去除多晶硅残留的方法

20、多晶硅间介电层的制造方法

21、低温多晶硅有机电激发光装置的制法

22、一种单层多晶硅可电擦除可编程只读存储器

23、形成多晶硅连接的深沟动态随机存取存储器单元的方法

24、低电压操作的单一多晶硅快闪存储单元结构及其阵列

25、多晶硅栅极蚀刻后的无机抗反射涂层的干式各向同性移除

26、多晶硅薄膜晶体管及其制造方法

27、制作多晶硅薄膜的方法

28、避免于内存组件形成多晶硅纵梁的方法

29、多晶硅膜的制造方法

30、多晶硅表面金属杂质的清除

　多晶硅;polycrystallinesilicon

性质

　　灰色金属光泽。

密度2.32~2.34。

熔点1410℃。

沸点2355℃。

溶于氢氟酸和硝酸的混酸中，不溶于水、硝酸和盐酸。

硬度介于锗和石英之间，室温下质脆，切割时易碎裂。

加热至800℃以上即有延性，1300℃时显出明显变形。

常温下不活泼，高温下与氧、氮、硫等反应。

高温熔融状态下，具有较大的化学活泼性，能与几乎任何材料作用。

具有半导体性质，是极为重要的优良半导体材料，但微量的杂质即可大大影响其导电性。

电子工业中广泛用于制造半导体收音机、录音机、电冰箱、彩电、录像机、电子计算机等的基础材料。

由干燥硅粉与干燥氯化氢气体在一定条件下氯化，再经冷凝、精馏、还原而得。

　　多晶硅可作拉制单晶硅的原料，多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面。

例如，在力学性质、光学性质和热学性质的各向异性方面，远不如单晶硅明显；在电学性质方面，多晶硅晶体的导电性也远不如单晶硅显著，甚至于几乎没有导电性。

在化学活性方面，两者的差异极小。

多晶硅和单晶硅可从外观上加以区别，但真正的鉴别须通过分析测定晶体的晶面方向、导电类型和电阻率等。

　　多晶硅是生产单晶硅的直接原料，是当代人工智能、自动控制、信息处理、光电转换等半导体器件的电子信息基础材料。

被称为“微电子大厦的基石”。

工业生产方法

　　多晶硅的生产技术主要为改良西门子法和硅烷法。

西门子法通过气相沉积的方式生产柱状多晶硅，为了提高原料利用率和环境友好，在前者的基础上采用了闭环式生产工艺即改良西门子法。

该工艺将工业硅加工成SiHCI，再让SiHCl3在H2气氛的还原炉中还原沉积得到多晶硅。

还原炉排出的尾气H2、SiHCl3和HCl经过分离后再循环利用。

硅烷法是将硅烷通入以多晶硅晶种作为流化颗粒的流化床中，使硅烷裂解并在晶种上沉积，从而得到颗粒状多晶硅。

改良西门子法和硅烷法主要生产电子级晶体硅，也可以生产太阳能级多晶硅。

西门子法

　　西门子法是由德国Siemens公司发明并于1954

年申请了专利1965年左右实现了工业化。

经过几十年的应用和展，西门子法不断完善，先后出现了第一代、第二代和第三代，第三代多晶硅生产工艺即改良西门子法，它在第二代的基础上增加了还原尾气干法回收系统、SiCl4回收氢化工艺，实现了完全闭环生产，是西门子法生产高纯多晶硅技术的最新技术，其具体工艺流程如图1所示。

硅在西门子法多晶硅生产流程内部的循环利用。

硅烷法

　　硅烷法是将硅烷通入以多晶硅晶种作为流化颗粒的流化床中，

是硅烷裂解并在晶种上沉积，从而得到颗粒状多晶硅。

因硅烷制备方法不同，有日本Komatsu发明的硅化镁法，其具体流程如图2所示、美国UnionCarbide发明的歧化法、美国MEMC采用的NaAlH4与SiF4反应方法。

　　硅化镁法是用Mg2Si与NHC1在液氨中反应生成硅烷。

该法由于原料消耗量大，成本高，危险性大，而没有推广，目前只有日本Komatsu使用此法。

现代硅烷的制备采用歧化法，即以冶金级硅与SiC14为原料合成硅烷，首先用SiCl4、Si和H2反应生成SiHCl3，然后SiHCl3歧化反应生成SiH2Cl2，最后由SiH2Cl2进行催化歧化反应生成SiH4，即：

3SiCl4+Si+2H2=4SiHCl3，2SiHC13=SiH2Cl2+SiC14，3SiH2C12=SiH4+2SiHC13。

由于上述每一步的转换效率都比较低，所以物料需要多次循环，整个过程要反复加热和冷却，使得能耗比较高。

制得的硅烷经精馏提纯后，通人类似西门子法固定床反应器，在800℃下进行热分解，反应如下：

SiH4=Si+2H2。

　　硅烷气体为有毒易燃性气体，沸点低，反应设备要密闭，并应有防火、防冻、防爆等安全措施。

硅烷又以它特有的自燃、爆炸性而著称。

硅烷有非常宽的自发着火范围和极强的燃烧能量，决定了它是一种高危险性的气体。

硅烷应用和推广在很大程度上因其高危特性而受到限制在涉及硅烷的工程或实验中，不当的设计、操作或管理均会造成严重的事故甚至灾害。

然而，实践表明，过分的畏惧和不当的防范并不能提供应用硅烷的安全保障。

因此，如何安全而有效地利用硅烷，一直是生产线和实验室应该高度关注的问题。

　　硅烷热分解法与西门子法相比，其优点主要在于：

硅烷较易提纯，含硅量较高（87.5%，分解速度快，分解率高达99%），分解温度较低，生成的多晶硅的能耗仅为40kW·h/kg，且产品纯度高。

但是缺点也突出：

硅烷不但制造成本较高，而且易燃、易爆、安全l生差，国外曾发生过硅烷工厂强烈爆炸的事故。

因此，工业生产中，硅烷热分解法的应用不及西门子法。

改良西门子法目前虽拥有最大的市场份额，但因其技术的固有缺点—产率低，能耗高，成本高，资金投入大，资金回收慢等，经营风险也最大。

只有通过引人等离子体增强、流化床等先进技术，加强技术创新，才有可能提高市场竞争能力。

硅烷法的优势有利于为芯片产业服务，目前其生产安全性已逐步得到改进，其生产规模可能会迅速扩大，甚至取代改良西门子法。

虽然改良西门子法应用广泛，但是硅烷法很有发展前途。

　　与西门子方法相似，为了降低生产成本，流化床技术也被引入硅烷的热分解过程，流化床分解炉可大大提高SiH4的分解速率和Si的沉积速率。

但是所得产品的纯度不及固定床分解炉技术，但完全可以满足太阳能级硅质量要求，另外硅烷的安全性问题依然存在。

　　美国MEMC公司采用流化床技术实现了批量生产，其以NaA1H4与SiF4为原料制备硅烷，反应式如下：

SiF4+NaAlH4=Sil4+4NaAlF4。

硅烷经纯化后在流化床式分解炉中进行分解，反应温度为730℃左右，制得尺寸为1000微米的粒状多晶硅。

该法能耗低，粒状多晶硅生产分解电耗为12kW·h/kg左右，约为改良西门子法的1/10，且一次转化率高达98%，但是产物中存在大量微米尺度内的粉尘，且粒状多晶硅表面积大，易被污染，产品含氢量高，须进行脱氢处理。

冶金法

　　冶金法制备太阳能级多晶硅（SolarGradeSilicon简称SOG—Si），是指以冶金级硅（MetallurgicalGradeSilicon简称MG-Si）为原料（98.5%~99.5%）。

经过冶金提纯制得纯度在99.9999%以上用于生产太阳能电池的多晶硅原料的方法。

冶金法在为太阳能光伏发电产业服务上，存在成本低、能耗低、产出率高、投资门槛低等优势，通过发展新一代载能束高真空冶金技术，可使纯度达到6N以上，并在若干年内逐步发展成为太阳能级多晶硅的主流制备技术。

　　不同的冶金级硅含有的杂质元素不同，但主要杂质基本相同

，主要包括Al、Fe、Ti、C、P、B等杂质元素。

而且针对不同的杂质也研究了一些有效的去除方法。

自从1975年Wacker公司用浇注法制备多晶硅材料以来，冶金法制备太阳能级多晶硅被认为是一种有效降低生产成本、专门定位于太阳多级多晶硅的生产方法，可以满足光伏产业的迅速发展需求。

针对不同的杂质性质，制备太阳能级多晶硅的技术路线，如图3所示。

生产危害

　　多晶硅生产过程中主要危险、有害物质中氯气、氢气、三氯氢硅、氯化氢等主要危险特性有：

　　1）氢气：

与空气混合能形成爆炸性混合物，遇热或明火即会发生爆炸。

气体比空气轻，在室内使用和储存时，漏气上升滞留屋顶不易排出，遇火星会引起爆炸。

氢气与氟、氯、溴等卤素会剧烈反应。

　　2）氧气：

助燃物、可燃物燃烧爆炸的基本要素之一，能氧化大多数活性物质。

与易燃物（如乙炔、甲烷等）形成有爆炸性的混合物。

　　3）氯：

有刺激性气味，能与许多化学品发生爆炸或生成爆炸性物质。

几乎对金属和非金属都起腐蚀作用。

属高毒类。

是一种强烈的刺激性气体。

　　4）氯化氢：

无水氯化氢无腐蚀性，但遇水时有强腐蚀性。

能与一些活性金属粉末发生反应，放出氢气。

遇氰化物能产生剧毒的氰化氢气体。

　　5）三氯氢硅：

遇明火强烈燃烧。

受高热分解产生有毒的氯化物气体。

与氧化剂发生反应，有燃烧危险。

极易挥发，在空气中发烟，遇水或水蒸气能产生热和有毒的腐蚀性烟雾。

燃烧（分解）产物:

氯化氢、氧化硅。

　　6）四氯化硅：

受热或遇水分解放热，放出有毒的腐蚀性烟气。

　　7）氢氟酸：

腐蚀性极强。

遇H发泡剂立即燃烧。

能与普通金属发生反应,放出氢气而与空气形成爆炸性混合物。

　　8）硝酸：

具有强氧化性。

与易燃物（如苯）和有机物（如糖、纤维素等）接触会发生剧烈反应，甚至引起燃烧。

与碱金属能发生剧烈反应。

具有强腐蚀性。

　　9）氮气：

若遇高热，容器内压增大。

有开裂和爆炸的危险。

　　10）氟化氢：

腐蚀性极强。

若遇高热，容器内压增大，有开裂和爆炸的危险。

　　11）氢氧化钠：

本品不燃,具强腐蚀性、强刺激性，可致人体灼伤。

利用价值

　　在太阳能利用上，单晶硅和多晶硅也发挥着巨大的作用。

虽然从目前来讲，要使太阳能发电具有较大的市场，被广大的消费者接受，就必须提高太阳电池的光电转换效率，降低生产成本。

从目前国际太阳电池的发展过程可以看出其发展趋势为单晶硅、多晶硅、带状硅、薄膜材料（包括微晶硅基薄膜、化合物基薄膜及染料薄膜）。

工业发展

　　从工业化发展来看，重心已由单晶向多晶方向发展，主要原因为；[1]可供应太阳电池的头尾料愈来愈少；[2]对太阳电池来讲，方形基片更合算，通过浇铸法和直接凝固法所获得的多晶硅可直接获得方形材料；[3]多晶硅的生产工艺不断取得进展，全自动浇铸炉每生产周期（50小时）可生产200公斤以上的硅锭，晶粒的尺寸达到厘米级；[4]由于近十年单晶硅工艺的研究与发展很快，其中工艺也被应用于多晶硅电池的生产，例如选择腐蚀发射结、背表面场、腐蚀绒面、表面和体钝化、细金属栅电极，采用丝网印刷技术可使栅电极的宽度降低到50微米，高度达到15微米以上，快速热退火技术用于多晶硅的生产可大大缩短工艺时间，单片热工序时间可在一分钟之内完成，采用该工艺在100平方厘米的多晶硅片上作出的电池转换效率超过14%。

据报道，目前在50～60微米多晶硅衬底上制作的电池效率超过16%。

利用机械刻槽、丝网印刷技术在100平方厘米多晶上效率超过17%，无机械刻槽在同样面积上效率达到16%，采用埋栅结构，机械刻槽在130平方厘米的多晶上电池效率达到15.8%。

国际多晶硅产业概况

　　当前，晶体硅材料（包括多晶硅和单晶硅）是最主要的光伏材料，其市场占有率在90%以上,而且在今后相当长的一段时期也依然是太阳能电池的主流材料。

多晶硅材料的生产技术长期以来掌握在美、日、德等3个国家7个公司的10家工厂手中，形成技术封锁、市场垄断的状况。

　　多晶硅的需求主要来自于半导体和太阳能电池。

按纯度要求不同，分为电子级和太阳能级。

其中，用于电子级多晶硅占55%左右，太阳能级多晶硅占45%，随着光伏产业的迅猛发展，太阳能电池对多晶硅需求量的增长速度高于半导体多晶硅的发展，预计到2008年太阳能多晶硅的需求量将超过电子级多晶硅。

　　1994年全世界太阳能电池的总产量只有69MW，而2004年就接近1200MW，在短短的10年里就增长了17倍。

专家预测太阳能光伏产业在二十一世纪前半期将超过核电成为最重要的基础能源之一。

　　据悉，美国能源部计划到2010年累计安装容量4600MW，日本计划2010年达到5000MW，欧盟计划达到6900MW，预计2010年世界累计安装量至少18000MW。

从上述的推测分析，至2010年太阳能电池用多晶硅至少在30000吨以上，表2给出了世界太阳能多晶硅工序的预测。

据国外资料分析报道，世界多晶硅的产量2005年为28750吨，其中半导体级为20250吨，太阳能级为8500吨，半导体级需求量约为19000吨，略有过剩；太阳能级的需求量为15000吨，供不应求，从2006年开始太阳能级和半导体级多晶硅需求的均有缺口，其中太阳能级产能缺口更大。

　　据日本稀有金属杂志2005年11月24日报道，世界半导体与太阳能多晶硅需求紧张，主要是由于以欧洲为中心的太阳能市场迅速扩大，预计2006年，2007年多晶硅供应不平衡的局面将为愈演愈烈，多晶硅价格方面半导体级与太阳能级原有的差别将逐步减小甚至消除，2005年世界太阳能电池产量约1GW，如果以1MW用多晶硅12吨计算，共需多晶硅是1.2万吨，2005－2010年世界太阳能电池平均年增长率在25%，到2010年全世界半导体用于太阳能电池用多晶硅的年总的需求量将超过6.3万吨。

　　世界多晶硅主要生产企业有日本的Tokuyama、三菱、住友公司、美国的Hemlock、Asimi、SGS、MEMC公司，德国的Wacker公司等，其年产能绝大部分在1000吨以上，其中Tokuyama、Hemlock、Wacker三个公司生产规模最大，年生产能力均在3000－5000吨。

国际多晶硅主要技术特征

（1）多种生产工艺路线并存，产业化技术封锁、垄断局面不会改变。

由于各多晶硅生产工厂所用主辅原料不尽相同，因此生产工艺技术不同；进而对应的多晶硅产品技术经济指标、产品质量指标、用途、产品检测方法、过程安全等方面也存在差异，各有技术特点和技术秘密，总的来说，目前国际上多晶硅生产主要的传统工艺有：

改良西门子法、硅烷法和流化床法。

其中改良西门子工艺生产的多晶硅的产能约占世界总产能的80%，短期内产业化技术垄断封锁的局面不会改变。

（2）新一代低成本多晶硅工艺技术研究空前活跃。

除了传统工艺（电子级和太阳能级兼容）及技术升级外，还涌现出了几种专门生产太阳能级多晶硅的新工艺技术，主要有：

改良西门子法的低价格工艺；冶金法从金属硅中提取高纯度硅；高纯度SiO2直接制取；熔融析出法（VLD：

Vapertoliquiddeposition）；还原或热分解工艺；无氯工艺技术，Al－Si溶体低温制备太阳能级硅；熔盐电解法等。

国内多晶硅产业概况

　　近年来，在中央政府大力推广新能源政策的支持下，各地方省份也是积极跟进，培养优势产业。

江西省抓住机遇，凭借粉石英（硅材料主要原料）储量全国第一的资源优势，出台多方面措施保障光伏产业发展。

短短3、4年间，使得一大批光伏产业上下游项目迅速在江西集聚，成为我国重要的光伏产业基地。

以新余为主产地、以赛维LDK和盛丰能源为核心企业的产业带具有较强的生产能力，初步建立了从硅料、硅片到太阳能电池组件及配套产品的完整产业链，拥有了对外合作的有效途径和一批关键人才，在国内已具有较明显的规模优势和市场竞争力。

　　2008年江西省光伏产业发展迅速，实现销售收入128.9亿元。

另外该省生产的多晶硅片已占全球总产量的四分之一，龙头企业赛维2008年的产能超过1400MW。

　　2009年初，经省政府同意，由江西省发改委牵头编制的《江西省光伏产业发展规划》正式下发，为江西光伏产业发展确定了大的方向。

规划中提到，力争到2012年将江西打造成为全球重要的光伏产业生产基地。

按照规划，未来数年，新余、丰城、南昌产业带将建成全省光伏产业主要集聚区。

　　江西丰城工业园集中了国内几家主要的多晶硅生产企业，目前综合产能达10000吨以上，其中江西盛丰新能源科技有限公司产能最大，2009年达到1500吨，2010年可达3000吨，预计2012年项目计划工程完成后，产能将稳定在4000吨以上。

　　江西盛丰新能源科技有限公司于2008年9月28日注册成立。

公司位于赣江之滨的丰城市丰源工业园，距省会南昌市仅60公里，距昌北机场1小时路程，周边紧靠105国道、昌樟高速公路，交通便利。

　　盛丰能源是一家专业从事太阳能级多晶硅研发和生产的企业，拥有一批长期从事电力及硅材料提纯生产的协作团队，其具有自主知识产权的新物理法太阳能级高纯硅生产技术，将为国内太阳能电池制造提供高效高纯硅料并大幅降低太阳能电池制造成本，成为有别于西门子法高纯硅生产技术依靠者，以大力提升光伏发电的竞争力。

　　江西赛维LDK太阳能高科技有限公司是世界规模最大的太阳能多晶硅片生产企业。

工厂坐落于江西省新余市经济开发区，专注于太阳能多晶硅铸锭及多晶硅片研发、生产、销售为一体的高新技术光伏企业，拥有国际最先进的生产技术和设备。

公司注册资金11095万美元，总投资近3亿美元。

2006年4月份投产，7月份产能达到100兆瓦，8月份入选“REDHERRING亚洲百强企业”，10月份产能达到200兆瓦，被国际专业人士称为“LDK速度奇迹”。

荣获“2006年中国新材料产业最具成长性企业”称号。

目前公司正致力于发展成为一个“世界级光伏企业”。

　　2007年6月1日，赛维LDK成功在美国纽约证交所上市，成为中国企业历史上在美国单一发行最大的一次IPO；赛维LDK是江西省企业有史以来第一次在美国上市的企业，是中国新能源领域最大的一次IPO。

　　该公司1.5万吨硅料项目近日已在江西省新余市正式启动，该项目总固定资产投资120亿元以上，预计将成为目前全球太阳能领域单个投资额最多、产能设计规模最大的项目之一。

　　据悉，该项目计划首期在2008年底前建成投产，形成6000吨太阳能级硅料的年生产能力；2009年项目全部建成投产后，将形成1.5万吨产能，从而使该公司成为世界主要的太阳能多晶硅原料生产企业。

多晶硅产业发展预测

　　高纯多晶硅是电子工业和太阳能光伏产业的基础原料，在未来的50年里，还不可能有其他材料能够替代硅材料而成为电子和光伏产业主要原