应变片测量组桥方式.docx
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应变片测量组桥方式
下图为1/4桥(类型I)轴向应变配置中的应变计电阻:
下图为1/4桥(类型I)弯曲应变配置中的应变计电阻:
1/4桥(类型I)的应变计配置具有下列特性:
∙ 单个有效应变计元素位于轴向或弯曲应变的主方向。
∙ 具有补偿电阻(1/4桥完整电桥结构电阻)和半桥完整桥结构电阻。
∙ 温度变化可降低测量精度。
∙ 1000µε时的灵敏度为~0.5mVout/VEX输入。
上级主题:
应变计电桥配置
相关概念
电桥传感器换算
1/4桥(类型I)的电路图
电路图使用下列符号:
∙ R1是半桥的完整电桥结构电阻。
∙ R2是半桥的完整电桥结构电阻。
∙ R3是1/4桥的完整电桥结构电阻,称为补偿电阻。
∙ R4是用于测量伸展应变(+ε)的有效应变计元素。
∙ VEX是激励电压。
∙ RL是导线电阻。
∙ VCH是测量电压。
通过下列方程将1/4桥配置的电压比率转换为应变单位。
Vr是虚拟通道用于电压—应变转换方程的电压比率,GF是应变计因子,RL是导线电阻,Rg是额定应变计电阻。
下图为1/4桥(类型II)轴向应变配置中的应变计电阻:
下图为1/4桥(类型II)弯曲应变配置中的应变计电阻:
1/4桥(类型II)的应变计配置具有下列特性:
∙ 有效应变计元素和无效应变计元素(1/4桥的温度传感元素,称为补偿电阻)。
有效元素位于轴向或弯曲应变的方向。
补偿应变计位于连接至应变样本的温度电阻附近,但并未连接至应变样本,通常平行或垂直于主要的轴向应变方向。
该配置常被误认为是半桥(类型I)配置,在半桥(类型I)配置中,R3为有效元素且连接至应变样本,用于测量泊松比的效应。
∙ 完整桥结构电阻可使半桥保持完整。
∙ 可补偿温度对测量产生的影响。
∙ 1000µε时的灵敏度为~0.5mVout/VEX输入。
上级主题:
应变计电桥配置
相关概念
电桥传感器换算
1/4桥(类型II)的电路图
电路图使用下列符号:
∙ R1是半桥的完整电桥结构电阻。
∙ R2是半桥的完整电桥结构电阻。
∙ R3是1/4桥的温度传感元素,称为补偿电阻。
∙ R4是用于测量伸展应变(+ε)的有效应变计元素。
∙ VEX是激励电压。
∙ RL是导线电阻。
∙ VCH是测量电压。
通过下列方程将1/4桥配置的电压比率转换为应变单位。
Vr是虚拟通道用于电压—应变转换方程的电压比率,GF是应变计因子,RL是导线电阻,Rg是额定应变计电阻。
下图为半桥(类型I)轴向应变配置中的应变计电阻:
下图为半桥(类型I)弯曲应变配置中的应变计电阻:
半桥(类型I)的应变计配置具有下列特性:
∙ 两个有效应变计元素,一个位于轴向应变方向,另一个平行或垂直于主要的轴向应变方向,作为泊松应变计。
∙ 完整桥结构电阻可使半桥保持完整。
∙ 轴向和弯曲应变的灵敏度较高。
∙ 可补偿温度对测量产生的影响。
∙ 对主应变测量总效应的补偿由材料的泊松比确定。
∙ 1000µε时的灵敏度为~0.65mVout/VEX输入。
上级主题:
应变计电桥配置
相关概念
电桥传感器换算
半桥(类型I)的电路图
电路图使用下列符号:
∙ R1是半桥的完整电桥结构电阻。
∙ R2是半桥的完整电桥结构电阻。
∙ R3是有效应变计元素,用于测量泊松效应(-ε)导致的收缩。
∙ R4是用于测量伸展应变(+ε)的有效应变计元素。
∙ VEX是激励电压。
∙ RL是导线电阻。
∙ VCH是测量电压。
通过下列方程将半桥(类型I)配置的电压比率转换为应变单位。
Vr是虚拟通道用于电压—应变转换方程的电压比率,GF是应变计因子,v是泊松比,RL是导线电阻,Rg是额定应变计电阻。
半桥(类型II)配置仅适用于测量弯曲应变。
下图为半桥(类型II)弯曲应变配置中的应变计电阻:
半桥(类型II)的应变计配置具有下列特性:
∙ 两个有效应变计元素分别位于应变样本顶部的轴向应变方向,以及应变样本底部的轴向应变方向。
∙ 完整桥结构电阻可使半桥保持完整。
∙ 弯曲应变的灵敏度较高。
∙ 不能测量轴向应变。
∙ 可补偿温度对测量产生的影响。
∙ 1000µε时的灵敏度为~1mVout/VEX输入。
上级主题:
应变计电桥配置
相关概念
电桥传感器换算
半桥(类型II)的电路图
电路图使用下列符号:
∙ R1是半桥的完整电桥结构电阻。
∙ R2是半桥的完整电桥结构电阻。
∙ R3是用于测量收缩应变(+ε)的有效应变计元素。
∙ R4是用于测量伸展应变(+ε)的有效应变计电阻。
∙ VEX是激励电压。
∙ RL是导线电阻。
∙ VCH是测量电压。
通过下列方程将半桥(类型II)配置的电压比率转换为应变单位。
Vr是虚拟通道用于电压—应变转换方程的电压比率,GF是应变计因子,RL是导线电阻,Rg是额定应变计电阻。
全桥(类型I)配置仅适用于测量弯曲应变。
下图为全桥(类型I)弯曲应变配置中的应变计电阻:
全桥(类型I)的应变计配置具有下列特性:
∙ 四个有效应变计元素;两个位于应变样本顶部的弯曲应变方向,两个位于应变样本底部的弯曲应变方向。
∙ 弯曲应变的灵敏度较高。
∙ 不能测量轴向应变。
∙ 可补偿温度对测量产生的影响。
∙ 可补偿导线电阻对测量产生的影响。
∙ 1000µε时的灵敏度为~2.0mVout/VEX输入。
上级主题:
应变计电桥配置
相关概念
电桥传感器换算
全桥(类型I)的电路图
电路图使用下列符号:
∙ R1是用于测量收缩应变(+ε)的有效应变计元素。
∙ R2是用于测量伸展应变(+ε)的有效应变计元素。
∙ R3是用于测量收缩应变(+ε)的有效应变计元素。
∙ R4是用于测量伸展应变(+ε)的有效应变计元素。
∙ VEX是激励电压。
∙ RL是导线电阻。
∙ VCH是测量电压。
通过下列方程将全桥(类型I)配置的电压比率转换为应变单位。
Vr是虚拟通道用于电压—应变转换方程的电压比率,GF是应变计因子。
全桥(类型II)配置仅适用于测量弯曲应变。
下图为全桥(类型II)弯曲应变配置中的应变计元素:
全桥(类型II)的应变计配置具有下列特性:
∙ 四个有效应变计元素。
两个位于弯曲应变方向,一个位于应变样本的顶部,一个位于应变计样本的底部。
两个作为泊松应变计,一个位于应变样本的顶部,一个位于应变计样本的底部,分别平行或垂直于主要的轴向应变方向。
∙ 不能测量轴向应变。
∙ 可补偿温度对测量产生的影响。
∙ 对主应变测量总效应的补偿由材料的泊松比确定。
∙ 可补偿导线电阻对测量产生的影响。
∙ 1000µε时的灵敏度为~1.3mVout/VEX输入。
上级主题:
应变计电桥配置
相关概念
电桥传感器换算
全桥(类型II)的电路图
电路图使用下列符号:
∙ R1是用于测量收缩泊松效应(-ε)的有效应变计元素。
∙ R2是用于测量伸展泊松效应(+ε)的有效应变计元素。
∙ R3是用于测量收缩应变(+ε)的有效应变计元素。
∙ R4是用于测量伸展应变(+ε)的有效应变计元素。
∙ VEX是激励电压。
∙ RL是导线电阻。
∙ VCH是测量电压。
通过下列方程将全桥(类型II)配置的电压比率转换为应变单位。
Vr是虚拟通道用于电压—应变转换方程的电压比率,GF是应变计因子,v是泊松比。
下图为全桥(类型III)轴向应变配置中的应变计电阻:
全桥(类型III)配置仅适用于测量轴向应变。
全桥(类型III)的应变计配置具有下列特性:
∙ 四个有效应变计元素。
两个位于轴向应变方向,一个位于应变样本的顶部,一个位于应变计样本的底部。
两个作为泊松应变计,一个位于应变样本的顶部,一个位于应变计样本的底部,分别平行或垂直于主要的轴向应变方向。
∙ 可补偿温度对测量产生的影响。
∙ 不能测量弯曲应变。
∙ 对主应变测量总效应的补偿由材料的泊松比确定。
∙ 可补偿导线电阻对测量产生的影响。
∙ 1000µε时的灵敏度为~1.3mVout/VEX输入。
上级主题:
应变计电桥配置
相关概念
电桥传感器换算
全桥(类型III)的电路图
电路图使用下列符号:
∙ R1是用于测量收缩泊松效应(-ε)的有效应变计元素。
∙ R2是用于测量伸展应变(+ε)的有效应变计元素。
∙ R3是用于测量收缩泊松效应(-ε)的有效应变计元素。
∙ R4是用于测量伸展应变(+ε)的有效应变计元素。
∙ VEX是激励电压。
∙ RL是导线电阻。
∙ VCH是测量电压。
通过下列方程将全桥(类型III)配置的电压比率转换为应变单位。
Vr是虚拟通道用于电压—应变转换方程的电压比率,GF是应变计因子,v是泊松比。
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- 关 键 词:
- 应变 测量 方式