计算机性能指标解释.docx
- 文档编号:27759804
- 上传时间:2023-07-04
- 格式:DOCX
- 页数:12
- 大小:25.71KB
计算机性能指标解释.docx
《计算机性能指标解释.docx》由会员分享,可在线阅读,更多相关《计算机性能指标解释.docx(12页珍藏版)》请在冰豆网上搜索。
计算机性能指标解释
计算机性能指标解释
CPU
主频:
主频也叫时钟频率,单位是MHz(或GHz),用来表示CPU的运算、处理数据的速度。
CPU的主频,外频X倍频系数。
外频:
外频是CPU的基准频率,单位是MHz。
CPU的外频决定着整块主板的运行速度。
前端总线(FSB)频率:
前端总线(FSB)频率(即总线频率)是直接影响CPU与内存直接数据交换速度。
有一条公式可以计算,即数据带宽,(总线频率X数据位宽)/8,数据传输最大带宽取决于所有同时传输的数据的宽度和传输频率。
CPU的位和字长:
位:
在数字电路和电脑技术中采用二进制,代码只有“0”和“1”,其中无论是“0”或是“1”在CPU中都是一“位”o
字长:
电脑技术中对CPU在单位时间内(同一时间)能一次处理的二进制数的位数叫字长。
倍频系数:
倍频系数是指CPU主频与外频之间的相对比例关系。
在相同的外频下,倍频越高CPU的频率也越疡。
缓存:
缓存大小也是CPU的重要指标之一,而且缓存的结构和大小对CPU速度的影响非常大,CPU内缓存的运行频率极高,一般是和处理器同频运作,工作效率远远大于系统内存和硬盘。
LICache(一级缓存)是CPU笫一层高速缓存,分为数据缓存和指令缓存。
内置的L1高速缓存的容量和结构对CPU的性能影响较大,不过高速缓冲存储器均山静态RAM组成,结构较复杂,在CPU管芯面积不能太大的情况下,
L1级高速缓存的容量不可能做得太大。
一般服务器CPU的L1缓存的容量通常在
32—256KBo
L2Cache(二级缓存)是CPU的笫二层高速缓存,分内部和外部两种芯片。
内部的芯片二级缓存运行速度与主频相同,而外部的二级缓存则只有主频的一半。
L2高速缓存容量也会影响CPU的性能,原则是越大越好。
L3Cache(三级缓存),分为两种,早期的是外置,现在的都是内置的。
而它的实际作用即是,L3缓存的应用可以进一步降低内存延迟,同时提升大数据量计算时处理器的性能。
降低内存延迟和提升大数据量计算能力对游戏都很有帮助。
CPU扩展指令集:
CPU依翥指令来计算和控制系统,每款CPU在设计时就规定了一系列与其硬件电路相配合的指令系统。
指令的强弱也是CPU的重要指标,指令集是提高微处理器效率的最有效工具之一。
CPU内核和I/O工作电压:
CPU的工作电压分为内核电压和I/O电压两种,通常CPU的核心电压小于等于I/O电压。
其中内核电压的大小是根据CPU的生产工艺而定,一般制作工艺越小,内核工作电压越低;I/O电压一般都在1.6迄V。
低电压能解决耗电过大和发热过高的问题。
制造工艺:
制造丄艺的微米是指IC内电路与电路之间的距离。
制造工艺的趋势是向密集度愈高的方向发展。
密度愈高的IC电路设计,意味着在同样大小面积的IC中,可以拥有密度更高、功能更复杂的电路设计。
现在主要的180nm、130nm.90nm、65nm、45纳米。
指令集:
(Dcisc指令集
CISC指令集,也称为复杂指令集,英文名是CISC,(ComplexInstructionSetComputer的缩写)。
在CISC微处理器中,程序的各条指令是按顺序串行执行的,每条指令中的各个操作也是按顺序串行执行的。
顺序执行的优点是控制简单,但计算机各部分的利用率不高,执行速度慢。
X86CPUtl前主要
有intel的服务器CPU和AMD的服务器CPU两类。
(2)RISC指令集
RISC是英文"ReducedInstructionSetComputing”的缩写,中文意思是
“精简指令集”。
它是在CISC指令系统基础上发展起来的。
(3)IA-64
EPIC(ExplicitlyParallelInstructionComputers,精确并行指令计算机)是否是RISC和CISC体系的继承者的争论已经有很多,单以EPIC体系来说,它更像Intel的处理器迈向RISC体系的重要步骤。
(4)X86-64(AMD64/EM64T)
AMD公司设计,可以在同一时间内处理64位的整数运算,并兼容于X86-32架构。
其中支持64位逻辑定址,同时提供转换为32位定址选项;但数据操作指令默认为32位和8位,提供转换成64位和16位的选项;支持常规用途寄存器,如果是32位运算操作,就要将结果扩展成完整的64位。
这样,指令中有“直接执行”和“转换执行”的区别,其指令字段是8位或32位,可以避免字段过长。
超流水线与超标量:
在解释超流水线与超标量前,先了解流水线(pipeline)o超标量是通过内置多条流水线来同时执行多个处理器,其实质是以空间换取时间。
而超流水线是通过细化流水、提高主频,封装形式:
CPU封装是采用特定的材料将CPU芯片或CPU模块固化在其中以防损坏的保护措施,一般必须在封装后CPU才能交付用户使用。
CPU的封装方式取决于CPU安装形式和器件集成设计,U前CPU封装技术的发展方向以节约成本为主。
多线程:
同时多线程Simultaneousmultithreading,简称SMT。
SMT可通过复制处理器上的结构状态,让同一个处理器上的多个线程同步执行并共享处理器的执行资源,可最大限度地实现宽发射、乱序的超标量处理,提高处理器运算部件的利用率,缓和由于数据相关或Cache未命中带来的访问内存延时。
Intel从3.06GHzPentium4开始,所有处理器都将支持SMT技术。
多核心:
多核心,也指单芯片多处理器(Chipmultiprocessors,简称CMP)。
CMP是由美国斯坦福大学提出的,其思想是将大规模并行处理器中的SMP(对称多处理器)集成到同一芯片内,各个处理器并行执行不同的进程。
SMP:
SMP(SymmetricMulti-Processing),对称多处理结构的简称,是指在一个讣算机上汇集了一组处理器(多CPU),各CPU之间共享内存子系统以及总线结构。
在这种技术的支持下,一个服务器系统可以同时运行多个处理器,并共享内存和其他的主机资源。
NUMA技术:
NUMA即非一致访问分布共享存储技术,它是山若干通过高速专用网络连接起来的独立节点构成的系统,各个节点可以是单个的CPU或是SMP系统。
显卡
显卡:
显卡全称显示接口卡(英文:
Videocard,Graphicscard),乂称为显示适配器(Videoadapter),显示器配置卡简称为显卡,是个人电脑最基本组成部分之一。
GPU(类似于主板的CPU)
全称是GraphicProcessingUnit,中文翻译为"图形处理器”。
NVIDIA公司在发布GeForce256图形处理芯片时首先提出的概念。
GPU使显卡减少了对CPU的依赖,并进行部分原本CPU的工作,尤其是在3D图形处理时。
GPU的生产主要山NVidia与ATI两家厂商生产。
显存(类似于主板的内存)
显示内存的简称。
其主要功能就是暂时将储存显示芯片要处理的数据和处理完毕的数据。
图形核心的
性能愈强,需要的显存也就越多。
显卡bios(类似于主板的bios)
显卡BIOS主要用于存放显示芯片与驱动程序之间的控制程序,另外还存有显示卡的型号、规格、生产厂家及出厂时间等信息。
打开计算机时,通过显示BIOS内的一段控制程序,将这些信息反馈到屏幕上。
早期显示BIOS是固化在ROM中的,不可以修改,而多数显示卡则采用了大容量的EPROM,即所谓的FlashBIOS,可以通过专用的程序进行改写或升级。
显卡PCB板(类似于主板的PCB板)
就是显卡的电路板,它把显卡上的其它部件连接起来。
功能类似主板。
内存
时钟周期(tCK):
代表内存可以运行的最大工作频率,数字越小说明内存所能运行的频率就越高。
时钟周期与内存的工作频率是成反比的,即tCK二l,f。
存取时间(tAC):
仅代表访问数据所需要的时间。
存取时间越短,则该内存条的性能越好。
CAS延迟时间:
内存性能的一个重要指标,是内存纵向地址脉冲的反应时间。
奇偶校验(ECC):
内存丄作时,极有可能在频繁的传输数据的过程中出现错误。
ECC就是一种数据检验机制。
ECC不仅能够判断数据的正确性,还能纠正大多数错误。
DDR:
DDR是一种更高速的同步内存,DDRSDRAM为168PIN的DIMM模块,它比SDRAM的传输速率更快,DDR的设讣是应用在服务器、丄作站及数据传输等较高速需求之系统。
DRDRAM(DirectRambusDRAM):
是下一代的主流内存标准之一,由Rambus公司所设计发展出来,是将所有的接脚都连结到一个共同的Bus,这样不但可以减少控制器的体积,已可以增加资料传送的效率。
DDR2
DDR2/DDRII(DoubleDataRate2)SDRAM是山JEDEC(电子设备工程联合委员会)进行开发的新生代内存技术标准,它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是,虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式,但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力(即:
4bit数据读预取)。
换句话说,DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据,并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。
此外,由于DDR2标准规定所有DDR2内存均采用FBGA封装形式,而不同于LI前广泛应用的TSOP/TSOP-II封装形式,FBGA封装可以提供了更为良好的电气性能与散热性,为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了坚实的基础。
回想起DDR的发展历程,从第一代应用到个人电脑的DDR200经过DDR266、DDR333到今天的双通道DDR400技术,第一代DDR的发展也走到了技术的极限,已经很难通过常规办法提高内存的工作速度;随着Intel最新处理器技术的发展,前端总线对内存带宽的要求是越来越高,拥有更高更稳定运行频率的DDR2内存将是大势所趋。
DDR3
DDR3是针对Intel新型芯片的一代内存技术(但目前主要用于显卡内存),频率在800M以上,和DDR2相比优势如下:
(1)功耗和发热量较小:
吸取了DDR2的教训,在控制成本的基础上减小了能耗和发热量,使得DDR3更易于被用户和厂家接受。
(2)工作频率更高:
山于能耗降低,DDR3可实现更高的工作频率,在一定程度弥补了延迟时间较长的缺点,同时还可作为显卡的卖点之一,这在搭配DDR3显存的显卡上已有所表现。
(3)降低显卡整体成本:
DDR2显存颗粒规格多为16MX32bit,搭配中高端显卡常用的128MB显
存便需8颗。
而DDR3显存颗粒规格多为32MX32bit,单颗颗粒容量较大,4颗即可构成128MB显存。
如此一来,显卡PCB面积可减小,成本得以有效控制,此外,颗粒数减少后,显存功耗也能进一步降低。
(4)通用性好:
相对于DDR变更到DDR2,DDR3对DDR2的兼容性更好。
山于针脚、封装等关键特性不变,搭配DDR2的显示核心和公版设讣的显卡稍加修改便能采用DDR3显存,这对厂商降低成本大有好处。
U询,DDR3显存在新出的大多数中高端显卡上得到了广泛的应用。
显示器
使用分辨率:
显示器各种尺寸因素中,分辨率才是和实际应用直接相关的一个。
在它的基础上,综合屏幕尺寸、点距与带宽等因素,我们提出〃使用分辨率〃的概念,它是指一台显示器能够满足正常使用要求的分辨率大小。
通过一些简单而直观的条件我们就可以判断出一台显示器的实际”使用分辨率〃,从而绕开那些复杂的数字游戏而直接切中问题的要害。
对于LCD来说,标准分辨率既是其唯一的〃使用分辨率〃。
显示器带宽:
带宽是显示器显示能力的综合指标,以MHz为单位,是每秒钟每条扫描线上显
示的频点数总和,表明了显示器的显示能力,带宽越大,所支持的分辨率和刷新频率也越大。
1带宽越高的显像管成本也越高。
60MHz的屏幕刷新率对人眼来说是一个临界点,当刷新率高于这个指标的时候则感觉不到闪烁,不过鉴于当前的技术,我们还是推荐使用不低于75MHz的刷新率。
行频和场频:
行频是指显像管中的电子枪美妙在屏幕上从左到右扫描的次数,单位是Hz;场频是指每秒钟重复绘制显示画面的次数,单位是Hz。
行频和场频是一台显示器的基本的电气性能。
行频和场频之间有一定关系的:
我们用Hr表示水平分辨率。
Vr表示垂直分辨率,Re表示自动刷新,Hf表示行频。
他们之间的关系是:
Hf=Vr*Re*l.05
文本及图形图像效果:
显示器屏幕上显示的内容无非是文本和图形图像两大类。
动态的内容诸如视频和游戏等比较特殊,但大体上也可以归入图形图像的范畴,只是在刷新率和LCD的响应速度上有进一步的要求。
由于显示器的文本和和图形图像效果所取决的因素不尽相同,乂分别针对不同的应用,因此我们将两种效果并列作为选购显示器的两大性能指标。
LCD液晶屏不存在聚焦的问题,做到整个屏幕清晰锐利的文本显示效果对于
LCD来说乃是分内之事;但是LCD的亮度对比度存在先天的不足,反而成为影响LCD文本显示效果的主要因素。
衡量LCD的文本显示效果,其实也就是看该款LCD是否具有足够高的亮度对比度。
接口技术:
彩色显示器的信号是通过RGB、行、场5个独立信号输入的,在高分辨率的显示模式下,对于普通15芯信号线(D,sub模拟接口),线上信号就有可能相互之间产生干扰。
另一种B\C接口有5个独立的分量输出,并对5根信号线单独加上屏蔽,减小了通道相互干扰,增大了信号线的带宽通过能力。
环保认证:
TC0'99于1999年发布,涉及到环境、人体生态学、废物的回收利用、电磁辐射、节能以及安全等多个领域,提出了更严格和全面的标准,对键盘和便携机的设讣也提出了具体意见。
选购带有TCO认证的显示器,将会有助于用户的健康和对环境的保护。
(TC092一降低电磁辐射、节省电力、防火和防电;TC095一覆盖范围涉及显示器、键盘和系统单元。
除TC092的各项规定外,还提出了对环境保护的要求,并要求设备符合人体工学;TC099一在TC095的基础上增加了材料的可回收性要求,其LI的是让用户在感到最大程度的舒适的同时尽可能地保护环境。
)
附属功能与调节方式:
主流显示器的尺寸越来越大,显像管的制造商生产了更短的电子枪,使得短管显示器成为新的流行趋势。
短管17英寸的长度约为传统的14英寸显像管的长度。
许多厂商为了推广短管显示器做了许多的宣传,但它的价格肯定要比普通的显像管贵一些。
DVI接口与VGA接口:
DVI接口有三种,它们分别是DVI-Digital(DVI-D)>DVI-Analog(DVI-A)和
DVI-Integrated(DVI-I)<>DVI-Digital(DVI-D)只支持数字显示的设备。
DVI-Analog(DVI-A)只支持模拟显示的设备。
DVI-Integrated(DVI-I)支持数字显示和模拟显示。
DVI数字端子比标准VGA端子信号要好,数字接口保证了全部内容釆用数字格式传输,保证了主机到监视器的传输过程中资料的完整性(无干扰信号引入),可以得到更清晰的影像。
在不是使用在1600x1200这样的高分辨率下,DVI和VGA的差别并不大,在19英寸的1280x1024或宽屏的1440x900这样的分辨率下,二者基本看不出多大分别,至于显示器的相位和儿何画面失真的问题,随着显示器自动调节技术的发展,一键AUT0过都能解决。
硬盘
容量:
作为讣算机系统的数据存储器,容量是硬盘最主要的参数。
硬盘的容量以兆字节(MB)或千兆字节(GB)为单位,1GB二1024MB。
但硬盘厂商在标称硬盘容量时通常取1G二1000MB,因此我们在BIOS中或在格式化硬盘时看到的容量会比厂家的标称值要小。
转速:
转速(RotationlSpeed或Spindlespeed),是硬盘内电机主轴的旋转速度,
也就是硬盘盘片在一分钟内所能完成的最大转数。
转速的快慢是标示硬盘档次的重要参数之一,它是决定硬盘内部传输率的关键因素之一,在很大程度上直接影响到硬盘的速度。
硬盘的转速越快,硬盘寻找文件的速度也就越快,相对的硬盘的传输速度也就得到了提高。
硬盘转速以每分钟多少转来表示,单位表示为RPM,RPM是RevolutionsPerminute的缩写,是转/每分钟。
RPM值越大,内部传输率就越快,访问时间就越短,硬盘的整体性能也就越好。
平均访问时间:
平均访问时间(AverageAccessTime)是指磁头从起始位置到达U标磁道位
置,并且从LI标磁道上找到要读写的数据扇区所需的时间。
平均访问时间体现了硬盘的读写速度,它包括了硬盘的寻道时间和等待时间,即:
平均访问时间二平均寻道时间+平均等待时间。
硬盘的平均寻道时间(AverageSeekTime)是指硬盘的磁头移动到盘面指定磁道所需的时间。
这个时间当然越小越好,LI前硬盘的平均寻道时间通常在8ms到12ms之间,而SCSI硬盘则应小于或等于8ms。
传输速率:
传输速率(DataTransferRate)硬盘的数据传输率是指硕盘读写数据的速度,单位为兆字节每秒(MB/s)。
硬盘数据传输率乂包括了内部数据传输率和外部数据传输率。
串口硬盘是一种完全不同于并行ATA的新型硬盘接口类型,山于采用串行方式传输数据而知名。
SerialATA2.0的数据传输率达到300MB/s,最终SATA将实现600MB/S的最拓数据传输率。
缓存:
缓存(Cachememory)是硬盘控制器上的一块内存芯片,具有极快的存取速度,它是硬盘内部存储和外界接口之间的缓冲器。
山于硬盘的内部数据传输速度和外界介面传输速度不同,缓存在其中起到一个缓冲的作用。
缓存的大小与速度是直接关系到硬盘的传输速度的重要因素,能够大幅度地提高硬盘整体性能。
DDR3比DDR2比较
DDR3比DDR2频率高,速度快,容量大,性能高。
DDR3内存相对于DDR2内存,其实只是规格上的提高,并没有真正的全面换代的新架构。
DDR3接触针脚数目同DDR2皆为240pin。
但是防呆的缺口位置不同。
DDR3在大容量内存的支持较好,而大容量内存的分水岭是4GB这个容量,4GB是32位操作系统的执行上限(不考虑PAE等等的内存映像模式,因这些32位元元延伸模式只是过渡方式,会降低效能,不会在零售市场成为技术主流)当市场需求超过4GB的时候,64位CPU与操作系统就是唯一的解决方案,此时也就是DDR3内存的普及时期。
DDR3UBDIMM2007进入市场,成为主流时间点多数厂商预计会是到2010年。
一、DDR2与DDR3内存的特性区别:
1、逻辑Bank数量
DDR2SDRAM中有4Bank和8Bank的设汁,U的就是为了应对未来大容量芯片的需求。
而DDR3很可能将从2Gb容量起步,因此起始的逻辑Bank就是8个,另外还为未来的16个逻辑Bank做好了准备。
2、封装(Packages)
由于DDR3新增了一些功能,在引脚方面会有所增加,8bit芯片采用78球
FBGA封装,16bit芯片采用96球FBGA封装,而DDR2则有60/68/84球FBGA封装三种规格。
并且DDR3必须是绿色封装,不能含有任何有害物质。
3、突发长度(BL,BurstLength)
由于DDR3的预取为8bit,所以突发传输周期(BL,BurstLength)也固定为
8,而对于DDR2和早期的DDR架构的系统,BL二4也是常用的,DDR3为此增加了一个4-bitBurstChop(突发突变)模式,即由一个BL二4的读取操作加上一个BL二4的写入操作来合成一个BL二8的数据突发传输,届时可通过A12地址线来控制这一突发模式。
4、寻址时序(Timing)
就像DDR2从DDR转变而来后延迟周期数增加一样,DDR3的CL周期也将比
DDR2有所提高。
DDR2的CL范圉一般在2至5之间,而DDR3则在5至11之间,且附加延迟(AL)的设计也有所变化。
DDR2时AL的范用是0至4,而DDR3时AL有三种选项,分别是0、CL-1和CL-2o另外,DDR3还新增加了一个时序参数一一写入延迟(CWD),这一参数将根据具体的工作频率而定。
二、与DDR2相比DDR3具有的优点(桌上型unbufferedDIMM):
1.速度更快:
prefetchbuffer宽度从4bit提升到8bit,核心同频率下数据传
输量将会是DDR2的两倍。
2.更省电:
DDR3Module电压从DDR2的1.8V降低到1.5V,同频率下比DDR2更省电,搭配SRT(Self-RefreshTemperature)功能,内部增加温度senser,可依温度动态控制更新率(RASR,PartialArraySelf-Refresh功能),达到省电口的。
3.容量更大:
更多的Bank数量,依照JEDEC标准,DDR2应可出到单位元元4Gb的容量(亦即单条模块可到8GB),但口前许多DRAM厂商的规划,DDR2生产可能会跳过这个4Gb单位元元容量,也就是说届时单条DDR2的DRAM模块,容量最大可能只会到4GB。
而DDR3模块容量将从1GB起跳,目前规划单条模块到16GB也没问题(注意:
这里指的是零售组装市场专用的unbufferedDIMM而言,server用的FB与Registered不在此限)。
相关测试结果解释
- 配套讲稿:
如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制:
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词:
- 计算机 性能指标 解释