H2093C审查结果报告.docx
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H2093C审查结果报告
H20-93C審查結果報告
公布時間:
93年10月16日
注意事項:
各申請者之修改資料,均須於93.10.20(三)中午12:
00之前送達CIC。
請在修改資料上註明梯次&ftpno,給陳憲穀先生收(電話:
03-5773693*191;傳真:
03-5774064;email:
hkchen@cic.org.tw。
)
在您上傳資料後,請務必於修改截止日當天下午14:
00-17:
00至http:
//www2.cic.org.tw/%7Eshuttle/chipworks/ 檢查您上傳的檔案是否正確;若資料有誤,請在截止日當天17:
00前通知陳憲穀先生。
CIC將會以該網頁的資料作為下線處理依據。
說明事項:
1.此報告包括一、參加審查會議申請者及二、書面審申請者之審查結果報告。
2.編號包括ftpno與梯次,例如:
01-h93c,01代表ftpno,h93c代表梯次H20-93C。
ftpno後面英文字母表示:
b:
書面審,t:
TestKey,沒有英文字母者表示參加審查會。
3.下線之優先順序按口頭報告/書面審查評分標準:
A-極推薦,B-推薦,C-勉予推薦,遇相同評比時,則以指導教授之papercredit較高者優先下線。
無論評定為何種等級(A,B,C),均須照所有委員之評審意見(含修改/建議)作回覆(修改或說明)。
4.CIC會以http:
//www2.cic.org.tw/%7Eshuttle/chipworks/ 的資料作為下線處理依據,所以請各位學生務必於修改截止日當天17:
00前再至上述網址檢查資料正確性。
5.請各位指導教授及申請下線同學注意,每次審查委員建議或修改的通知中都會有明確的修改期限,因此在此修改期間內不再另行通知及催繳修改內容,未能即時上傳資料者,亦將取消下線資料。
6.此梯次的「審查結果報告」亦公佈於網路(http:
//www.cic.org.tw)之「最新公告」,下線晶片資料隨後公佈,歡迎查閱。
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二、審查結果
編號33t-h93c
專題名稱變壓器之測試鍵
包裝材料DieSaw:
20ea
評比B
建議/修改
1.未說明多種變壓器結構間所預期的差異及所欲比較的特性
2.圍繞面積相對太小的最內數圈對自感及互感值的貢獻很小,但增加寄生電容及電阻
3.沒有做DummyPad如何把Pad的效應經由校正去除?
編號37-h93c
專題名稱應用LO四倍頻器的寬中頻威福氏降頻器
包裝材料DieSaw:
20ea
評比C
建議/修改
1.應提供LOI/QerrorVSimagerejection之結果
2.電流過大不實用
3.報告者無法提供足夠資訊
編號38-h93c
專題名稱應用於頻率合成器之高速多模HBT前置除頻器
包裝材料DieSaw:
20ea
評比D
建議/修改
1.接線效應需考慮
2.架構未考慮Timingasynchromzation
3.Current太大
編號39b-h93c
專題名稱高效能10GHz次諧波降頻器
包裝材料DieSaw:
20ea
評比C
建議/修改
1.所需LOpower相當大應驗證fLO及2fLO在RFport的leakagepower
2.缺少針對製程變化之模擬
3.LO端作為開關不需要很好的匹配,理由為何?
如不做好匹配,LO端是否可能造成效能變差的因素?
4.電感模擬結果與模型略有差異,原因為何?
說明之
5.測試考量是否太簡略,請補強
6.使用25dBm的LOPower太不實際了,Poly-Phasefilter的Loss是否太高了?
編號40-h93c
專題名稱應用於直接混波接收機之偶諧波雙平衡主動混波器
包裝材料DieSaw:
20ea
評比B
建議/修改
1.做LOI/QerrorVSperformance的分析
2.IF線性度太差將無法量到MIXER本身線性度
編號42b-h93c
專題名稱動態除頻電路
包裝材料DieSaw:
20ea
評比B
建議/修改
1.Inputfrequencysensitivity在18GHz為–23dBm而在9GHz則為-8dBm,但在18GHz的outputmatching較9GHz佳,又inputmatching則差不多,是否模擬有誤再確認
2.缺少針對製程變化之模擬
編號43b-h93c
專題名稱注鎖型動態除頻電路
包裝材料DieSaw:
20ea
評比B
建議/修改
1.未考慮如何抑制injectionsignal
2.缺少針對製程變化之模擬
3.圖七圖八的電路是否下過testkey,並考量到寄生效應?
說明之
4.說明InputMatchingNetwork的方式
編號44-h93c
專題名稱利用多重相位濾波器之單正交四相位降頻器
包裝材料DieSaw:
20ea
評比B
建議/修改
1.需有溫度及至成變異分析
2.RF與LO垂直佈局,請說明如何Calibration
3.Layout中電容甚多及其連線,在9.7GHz之相雜訊
4.因為頻段波長較2.4GHz~5.8GHz長,在layoutfilterconnectionsimulation需加強,以避免電路誤差
5.Whychoiceat9.7GHz?
6.LimitedbyavailabilityofRFpassive(L,C)?
7.SuggestuseTMLtoext.freq>10GHz.e.g.12~13GHzsimulation,wire,PAD,calibration.
編號45-h93c
專題名稱鏡像消除雙正交四相位降頻器
包裝材料DieSaw:
20ea
評比C
建議/修改
1.IIP3模擬請再確認其不合理之處
2.過去有做相似電路,無量測結果講解並表示出來,請補資料,以評估其整理性
3.LackofcornermodelsimulationandEMsimulation(需補齊)
4.What'sthemechanismdortheabnormalIIP3's3rdordercurve
5.checkmeasurementresultsfromhardwareavailabilitypreviously(LNA)
編號47-h93c
專題名稱回授型動態除頻電路
包裝材料DieSaw:
20ea
評比C
建議/修改
1.Wideband8~24GHz,RF會經由Rm1漏出
2.電路無電感Block易損耗信號?
3.無Corner及溫度分析
4.量測Plan需補強資料
5.sub-circuitsimulationresult缺乏需加強
6.Lackofnewidea6.Lackofsimulationtosupporttherefercedtopology.
編號48b-h93c
專題名稱高速雙模除四除五電路
包裝材料DieSaw:
20ea
評比B
建議/修改
1.輸出緩衝級類似emitterfollow,為何可正確傳出電壓準位及訊號放大?
2.輸出緩衝級並未製作雙端轉單端之功能?
文中敘述有誤
3.文中所提應用範圍採用CMOS製成即可達成,因此未見採用本製成之應用價值
4.預計規格表中supplypower如何獲得,為何不等於VccXIcc=160mW
5.本電路應與過去文獻比較,以突顯本設計之貢獻
6.未有詳盡說明前置除頻器的功率損耗,這應與頻率相關(160mWor75mW,or160+75mW?
)
7.建議補上敏感度及動態範圍的模擬
編號49-h93c
專題名稱2.4GHz無線區域網路存取點之1.5W功率放大器設計
包裝材料DieSaw:
20ea
評比C
建議/修改
1.溫度上升,PAE增加不合理,請再check
2.PA之偏壓點及DC值請標示
3.linearity需改善,使ACPR能滿足需求
4.Layout在Ground上需修改
5.lackoftemperatureeffectintheoriginalmaterial
6.Lackofstandardspec.forOFDM,PA,EVM,linearity,ACPR
7.Trade-offbetweenPout&Linearity
編號50-h93c
專題名稱具雙重偏壓網路設計之三頻帶功率放大器
包裝材料DieSaw:
20ea
評比C
建議/修改
1.仍請確認Spectrum是否fit三種規格?
2.與前一顆佈局電路雷同,能先做一顆成功再進行此顆
3.無S參數及Stability?
4.ACPR規格未釐清,缺乏直流偏壓防止電路震盪
編號51b-h93c
專題名稱10Gb/s差動轉阻放大器之研究與設計
包裝材料DieSaw:
20ea
評比B
建議/修改
1.電路非常標準,缺前瞻性
2.DCPAD並無靠近,可再排的靠近一些
3.需模擬groupdelay
4.S11及S22建議考慮matching再修正些
編號52b-h93c
專題名稱10Gb/s可調增益差動限制放大器之研究與設計
包裝材料DieSaw:
20ea
評比B
建議/修改
1.LimitingAmp有高增益,offsetvoltage會影響很大,未考慮offsetcancellation問題,需討論是否對此電路有影響
2.DCPAD並無靠近,可再排的靠近一些
3.於高增益電路的設計,共模回授及穩地度需加以考慮
4.Groupdelay亦需考慮
5.S11及S22建議考慮matching再修正些
編號53-h93c
專題名稱具線性化偏壓架構之5.25GHz功率放大器設計
包裝材料DieSaw:
20ea
評比C
建議/修改
1.Powerdissipation941mW太大請改善
2.請補溫度變化之特性(S參數,Power等分析)
3.Powerground打太少
4.ACPRsimulation不完整
5.打線量測須注意校正
6.CheckACPRPout=-30dBm?
?
7.BondwirewillintroduceparasiticRLC-->matchinginvalid,calibrationneeded
編號54-h93c
專題名稱利用Cherry-Hooper技術之寬頻混頻器
包裝材料DieSaw:
20ea
評比B
建議/修改
1.Bypasscapacitor應盡量靠近Viahole(ground)
編號55b-h93c
專題名稱5.2GHz低雜訊MMIC放大器
包裝材料DieSaw:
20ea
評比C
建議/修改
1.LNA的NF和Gain都很重要,用fieldsolver取最佳電感為正確辦法
2.Singlestageamplifier為何作inter-stagestability分析?
3.Vcc未加bypasscapacitor,量測有問題
4.NoiseFigure降低0.6dB但Gain降2dB根據Frii’sequation,Gain降低對Totalsystem的Noise亦有不利之因素
編號56b-h93c
專題名稱9.7GHz之180度及90度耦合電路
包裝材料DieSaw:
20ea
評比C
建議/修改
1.規格表中應考量製程變異性及所造成之gain&phasemismatch
2.並未說明為何利用此製程來實現電路的原因
3.並未說明為何要將電路定在9.7GHz來實現,並未清楚的說明其規格
4.注意線距太近會照成耦合效應
5.90度的hybrid十分窄頻,對元件的變動十分敏感,請補上其製程對其影響程度的考量(Forcenterfrequency,amplitudeandphasebalances,etc.,)
編號57b-h93c
專題名稱5.2Ghz增益控制式功率放大器
包裝材料DieSaw:
20ea
評比C
建議/修改
1.此HBTPA無創新性可言
2.請補上穩定性分析的結果,以確定電路不會振盪
3.請加上bondingwire的效應的考量
4.DCCurrent=330mA,layout時是否有考慮到MetalCurrentDensity?
5.相關研究應參考更新的文獻。
且工作Frequency應為同一頻段
6.預計元件驅勢中,TSMC的電晶體模型?
?
7.請確認一條bondwire所能流過的電流,四條wires是否足夠330mA?
8.Fig.6(c),(d)的voltageswing為-7~+8V,是否合理?
9.Fig.9的晶片內bondwire,距離太近,請確認是否可行。
編號59-h93c
專題名稱30GHZ微小化180度分合波器
包裝材料DieSaw:
20ea
評比D
建議/修改
1.相位誤差相當大
2.模擬設定有問題
3.確認是否有backsidemetal若無則需考量量測時的架設
4.電路特性需在調整
5.pleaseapplyfortestkey
編號60-h93c
專題名稱鏡頻抑制的次諧波混頻器
包裝材料DieSaw:
20ea
評比C
建議/修改
1.要和其他reference的規格作比較。
2.比較跟文獻上的差異。
3.缺乏noise與IIP3之分析。
4.整合filter與mixer具創意。
5.無NF與IP3分析資料。
6.conversionloss是否符合電路未來應用的需求。
編號61b-h93c
專題名稱使用變壓器耦合之混頻器
包裝材料DieSaw:
20ea
評比C
建議/修改
1.圖一不清楚且文中對於電路描述過於簡陋
2.圖一與其他圖表示不一致,且未做說明
3.預計規格表缺乏RF、LO之操作頻率與雜訊之分析
4.缺乏本身電路之測試考量
5.請說明如何得到變壓器的S參數,並解釋之
編號62-h93c
專題名稱高速高調變電流雷射/調變驅動器
包裝材料DieSaw:
20ea
評比B
建議/修改
1.請補溫度分析
2.可加入量測Plan書及整合LED之概述
3.whytempeffectcompensationCKTnoteffective?
(powerdissipation1.3W)
4.LackofnewideaintheCKTtopology
5.Trade-offbetweenpowerandBW
編號63-h93c
專題名稱主動式寬頻混合式(數位/類比)吉伯特混波電路
包裝材料DieSaw:
20ea
評比B
建議/修改
1.寄生效應仍請考慮?
2.Stability分析請補齊
3.Interconnectioncross-padinducedcapacitance需考慮
4.lackofRCanalysisforthelongdistamceTML
5.ImprovementofBWfrom1/5Ftto1/3Ftinter-stagematchingnotgood
編號64b-h93c
專題名稱可調式增益轉阻放大器
包裝材料DieSaw:
20ea
評比B
建議/修改
1.TIA所需之transimpedancegain的load為50Ω,而非Z21(load為opencircuit),電路並未交待peaking電感的位置,HBT非好的variable電阻forGaincontrol
2.電感的peaking看起來很大,請確定其stabilitycircles或phasemargin
編號65b-h93c
專題名稱1.9GHz高效率E類功率放大器
包裝材料DieSaw:
20ea
評比C
建議/修改
1.HBT非天生Switchingmode,因此於classE操作時增益低,影響PAE,不能只報drainefficiency
2.PAE的表現為何
3.需補上輸出頻譜的的其他harmonic
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