电子技术-课件.ppt
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下一页下一页总目录总目录章目录章目录返回返回上一页上一页第第15章章半导体二极管和三极管半导体二极管和三极管15.315.3半导体二极管半导体二极管半导体二极管半导体二极管15.415.4稳压二极管稳压二极管稳压二极管稳压二极管15.515.5半导体三极管半导体三极管半导体三极管半导体三极管15.2PN15.2PN结结结结15.115.1半导体的导电特性半导体的导电特性半导体的导电特性半导体的导电特性下一页下一页总目录总目录章目录章目录返回返回上一页上一页第第15章章半导体二极管和三极管半导体二极管和三极管本章要求:
本章要求:
本章要求:
本章要求:
一、理解一、理解一、理解一、理解PNPN结的单向导电性,三极管的电流分配和结的单向导电性,三极管的电流分配和结的单向导电性,三极管的电流分配和结的单向导电性,三极管的电流分配和电流放大作用;电流放大作用;电流放大作用;电流放大作用;二、了解二极管、稳压管和三极管的基本构造、工二、了解二极管、稳压管和三极管的基本构造、工二、了解二极管、稳压管和三极管的基本构造、工二、了解二极管、稳压管和三极管的基本构造、工作原理和特性曲线,理解主要参数的意义;作原理和特性曲线,理解主要参数的意义;作原理和特性曲线,理解主要参数的意义;作原理和特性曲线,理解主要参数的意义;三、会分析含有二极管的电路。
三、会分析含有二极管的电路。
三、会分析含有二极管的电路。
三、会分析含有二极管的电路。
下一页下一页总目录总目录章目录章目录返回返回上一页上一页学会用工程观点分析问题,就是根据实际情况,学会用工程观点分析问题,就是根据实际情况,学会用工程观点分析问题,就是根据实际情况,学会用工程观点分析问题,就是根据实际情况,对器件的数学模型和电路的工作条件进行合理的近对器件的数学模型和电路的工作条件进行合理的近对器件的数学模型和电路的工作条件进行合理的近对器件的数学模型和电路的工作条件进行合理的近似,以便用简便的分析方法获得具有实际意义的结似,以便用简便的分析方法获得具有实际意义的结似,以便用简便的分析方法获得具有实际意义的结似,以便用简便的分析方法获得具有实际意义的结果。
果。
果。
果。
对电路进行分析计算时,只要能满足技术指标,对电路进行分析计算时,只要能满足技术指标,对电路进行分析计算时,只要能满足技术指标,对电路进行分析计算时,只要能满足技术指标,就不要过分追究精确的数值。
就不要过分追究精确的数值。
就不要过分追究精确的数值。
就不要过分追究精确的数值。
器件是非线性的、特性有分散性、器件是非线性的、特性有分散性、器件是非线性的、特性有分散性、器件是非线性的、特性有分散性、RCRC的值有误差、的值有误差、的值有误差、的值有误差、工程上允许一定的误差、采用合理估算的方法。
工程上允许一定的误差、采用合理估算的方法。
工程上允许一定的误差、采用合理估算的方法。
工程上允许一定的误差、采用合理估算的方法。
对于元器件,重点放在特性、参数、技术指标和对于元器件,重点放在特性、参数、技术指标和对于元器件,重点放在特性、参数、技术指标和对于元器件,重点放在特性、参数、技术指标和正确使用方法,不要过分追究其内部机理。
讨论器正确使用方法,不要过分追究其内部机理。
讨论器正确使用方法,不要过分追究其内部机理。
讨论器正确使用方法,不要过分追究其内部机理。
讨论器件的目的在于应用。
件的目的在于应用。
件的目的在于应用。
件的目的在于应用。
下一页下一页总目录总目录章目录章目录返回返回上一页上一页15.1半导体的导电特性半导体的导电特性半导体的导电特性:
半导体的导电特性:
半导体的导电特性:
半导体的导电特性:
(可做成温度敏感元件,如热敏电阻可做成温度敏感元件,如热敏电阻可做成温度敏感元件,如热敏电阻可做成温度敏感元件,如热敏电阻)。
掺杂性掺杂性掺杂性掺杂性:
往纯净的半导体中掺入某些杂质,导电往纯净的半导体中掺入某些杂质,导电往纯净的半导体中掺入某些杂质,导电往纯净的半导体中掺入某些杂质,导电能力明显改变能力明显改变能力明显改变能力明显改变(可做成各种不同用途的半导可做成各种不同用途的半导可做成各种不同用途的半导可做成各种不同用途的半导体器件,如二极管、三极管和晶闸管等)。
体器件,如二极管、三极管和晶闸管等)。
体器件,如二极管、三极管和晶闸管等)。
体器件,如二极管、三极管和晶闸管等)。
光敏性:
光敏性:
光敏性:
光敏性:
当受到光照时,导电能力明显变化当受到光照时,导电能力明显变化当受到光照时,导电能力明显变化当受到光照时,导电能力明显变化(可做可做可做可做成各种光敏元件,如光敏电阻、光敏二极成各种光敏元件,如光敏电阻、光敏二极成各种光敏元件,如光敏电阻、光敏二极成各种光敏元件,如光敏电阻、光敏二极管、光敏三极管等管、光敏三极管等管、光敏三极管等管、光敏三极管等)。
热敏性:
热敏性:
热敏性:
热敏性:
当环境温度升高时,导电能力显著增强当环境温度升高时,导电能力显著增强当环境温度升高时,导电能力显著增强当环境温度升高时,导电能力显著增强下一页下一页总目录总目录章目录章目录返回返回上一页上一页15.1.1本征半导体本征半导体完全纯净的、具有晶体结构的半导体,称为本征完全纯净的、具有晶体结构的半导体,称为本征完全纯净的、具有晶体结构的半导体,称为本征完全纯净的、具有晶体结构的半导体,称为本征半导体。
半导体。
半导体。
半导体。
晶体中原子的排列方式晶体中原子的排列方式晶体中原子的排列方式晶体中原子的排列方式硅单晶中的共价健结构硅单晶中的共价健结构硅单晶中的共价健结构硅单晶中的共价健结构共价健共价健共价键中的两个电子,称为共价键中的两个电子,称为共价键中的两个电子,称为共价键中的两个电子,称为价电子价电子价电子价电子。
SiSiSiSi价电子价电子下一页下一页总目录总目录章目录章目录返回返回上一页上一页SiSiSiSi价电子价电子价电子在获得一定能量价电子在获得一定能量价电子在获得一定能量价电子在获得一定能量(温度升高或受光照)后,(温度升高或受光照)后,(温度升高或受光照)后,(温度升高或受光照)后,即可挣脱原子核的束缚,即可挣脱原子核的束缚,即可挣脱原子核的束缚,即可挣脱原子核的束缚,成为成为成为成为自由电子自由电子自由电子自由电子(带负电),(带负电),(带负电),(带负电),同时共价键中留下一个空同时共价键中留下一个空同时共价键中留下一个空同时共价键中留下一个空位,称为位,称为位,称为位,称为空穴空穴空穴空穴(带正电)(带正电)(带正电)(带正电)。
本征半导体的导电机理本征半导体的导电机理本征半导体的导电机理本征半导体的导电机理这一现象称为本征激发。
这一现象称为本征激发。
空穴空穴温度愈高,晶体中产温度愈高,晶体中产温度愈高,晶体中产温度愈高,晶体中产生的自由电子便愈多。
生的自由电子便愈多。
生的自由电子便愈多。
生的自由电子便愈多。
自由电子自由电子在外电场的作用下,空穴吸引相邻原子的价电子在外电场的作用下,空穴吸引相邻原子的价电子在外电场的作用下,空穴吸引相邻原子的价电子在外电场的作用下,空穴吸引相邻原子的价电子来填补,而在该原子中出现一个空穴,其结果相当来填补,而在该原子中出现一个空穴,其结果相当来填补,而在该原子中出现一个空穴,其结果相当来填补,而在该原子中出现一个空穴,其结果相当于空穴的运动(相当于正电荷的移动)。
于空穴的运动(相当于正电荷的移动)。
于空穴的运动(相当于正电荷的移动)。
于空穴的运动(相当于正电荷的移动)。
下一页下一页总目录总目录章目录章目录返回返回上一页上一页本征半导体的导电机理本征半导体的导电机理本征半导体的导电机理本征半导体的导电机理当半导体两端加上外电压时,在半导体中将出现当半导体两端加上外电压时,在半导体中将出现当半导体两端加上外电压时,在半导体中将出现当半导体两端加上外电压时,在半导体中将出现两部分电流两部分电流两部分电流两部分电流
(1)
(1)自由电子作定向运动自由电子作定向运动自由电子作定向运动自由电子作定向运动电子电流电子电流电子电流电子电流
(2)
(2)价电子递补空穴价电子递补空穴价电子递补空穴价电子递补空穴空穴电流空穴电流空穴电流空穴电流注意:
注意:
注意:
注意:
(1)
(1)本征半导体中载流子数目极少本征半导体中载流子数目极少本征半导体中载流子数目极少本征半导体中载流子数目极少,其导电性能很差;其导电性能很差;其导电性能很差;其导电性能很差;
(2)
(2)温度愈高,温度愈高,温度愈高,温度愈高,载流子的数目愈多载流子的数目愈多载流子的数目愈多载流子的数目愈多,半导体的导电性半导体的导电性半导体的导电性半导体的导电性能也就愈好。
能也就愈好。
能也就愈好。
能也就愈好。
所以,温度对半导体器件性能影响很大。
所以,温度对半导体器件性能影响很大。
所以,温度对半导体器件性能影响很大。
所以,温度对半导体器件性能影响很大。
自由电子和自由电子和自由电子和自由电子和空穴都称为载流子。
空穴都称为载流子。
空穴都称为载流子。
空穴都称为载流子。
自由电子和自由电子和自由电子和自由电子和空穴成对地产生的同时,又不断复合。
空穴成对地产生的同时,又不断复合。
空穴成对地产生的同时,又不断复合。
空穴成对地产生的同时,又不断复合。
在一定温度下,载流子的产生和复合达到动态平衡,在一定温度下,载流子的产生和复合达到动态平衡,在一定温度下,载流子的产生和复合达到动态平衡,在一定温度下,载流子的产生和复合达到动态平衡,半导体中载流子便维持一定的数目。
半导体中载流子便维持一定的数目。
半导体中载流子便维持一定的数目。
半导体中载流子便维持一定的数目。
下一页下一页总目录总目录章目录章目录返回返回上一页上一页15.1.2N型半导体和型半导体和P型半导体型半导体掺杂后自由电子数目掺杂后自由电子数目掺杂后自由电子数目掺杂后自由电子数目大量增加,自由电子导电大量增加,自由电子导电大量增加,自由电子导电大量增加,自由电子导电成为这种半导体的主要导成为这种半导体的主要导成为这种半导体的主要导成为这种半导体的主要导电方式,称为电子半导体电方式,称为电子半导体电方式,称为电子半导体电方式,称为电子半导体或或或或NN型半导体。
型半导体。
型半导体。
型半导体。
掺入五价元素掺入五价元素掺入五价元素掺入五价元素SiSiSiSip+多余多余电子电子磷原子磷原子在常温下即可在常温下即可变为自由电子变为自由电子失去一个失去一个电子变为电子变为正离子正离子在本征半导体中掺入微量的杂质(某种元素)在本征半导体中掺入微量的杂质(某种元素)在本征半导体中掺入微量的杂质(某种元素)在本征半导体中掺入微量的杂质(某种元素),形成杂质半导体。
形成杂质半导体。
形成杂质半导体。
形成杂质半导体。
在在在在NN型半导体中型半导体中型半导体中型半导体中自由电子是自由电子是自由电子是自由电子是多数载流子,空穴是少数载流多数载流子,空穴是少数载流多数载流子,空穴是少数载流多数载流子,空穴是少数载流子。
子。
子。
子。
动画动画下一页下一页总目录总目录章目录章目录返回返回上一页上一页15.1.2N型半导体和型半导体和P型半导体型半导体掺杂后空穴数目大量掺杂后空穴数目大量掺杂后空穴数目大量掺杂后空穴数目大量增加,空穴导电成为这增加,空穴导电成为这增加,空穴导电成为这增加,空穴导电成为这种半导体的主要导电方种半导体的主要导电方种半导体的主要导电方种半导体的主要导电方式,称为空穴半导体或式,称为空穴半导体或式,称为空穴半导体或式,称为空穴半导体或PP型半导体。
型半导体。
型半导体。
型半导体。
掺入三价元素掺入三价元素掺入三价元素掺入三价元素SiSiSiSi在在在在PP型半导体中型半导体中型半导体中型半导体中空穴是多空穴是多空穴是多空穴是多数载流子,自由电子是少数载数载流子,自由电子是少数载数载流子,自由电子是少数载数载流子,自由电子是少数载流子。
流子。
流子。
流子。
B硼原子硼原子接受一个接受一个接受一个接受一个电子变为电子变为电子变为电子变
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