第1部分-高频传输性能介绍.ppt
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第1部分-高频传输性能介绍.ppt
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电线电缆高频性能定义电线电缆高频性能定义及生产工艺对其的影响及生产工艺对其的影响电线电缆高频性能电线电缆高频性能1.特性阻抗特性阻抗2.衰减衰减3.回波损耗回波损耗4.VSWR5.串音串音6.延时延时7.延时差延时差8.转移阻抗转移阻抗9.屏蔽效应屏蔽效应1.特性阻抗特性阻抗(Impedance)特性阻抗(波阻抗)是指电磁波沿均匀电缆线路传播而没有反射时所遇到的阻抗.在线路终端匹配时,线路内任一点的电压波(U)和电流(I)的比值.是由线路的一次参数和所发送的信号频率决定与线路长度传输的电压电流大小及所连接负载/设备无关。
单位为“”。
电缆的特性阻抗对于系统内的阻抗匹配非常重要。
阻抗可分为1.单端阻抗(SingleEndedImpedance)2.差动阻抗(DifferentialModeImpedance)3.共模阻抗(CommonModeImpedance)FitterImpedance同轴线影响阻抗的因素介电常数绝缘线径导体线径。
1)介电常数是材料本身固有的不同的材料具有不同的介电常数。
可通过发泡度的大小来改变介电常数的大小即发泡度增大介电常数减小阻抗增大发泡度不均匀介电常数不均匀阻抗不均匀。
2)绝缘线径绝缘线径增大阻抗增大绝缘线径不均匀阻抗不均匀。
3)导体线径:
导体线径增大阻抗减小导体线径不均匀阻抗不均匀。
设计改善:
阻抗偏小,加大线径或加大发泡度工艺改善:
水中电容调小,对绞时注意防止芯线变形,同轴编织时注意张力调节等.对绞线影响阻抗的因素介电常数绝缘线径导体线径对绞节距绕包松紧(对屏蔽)成缆节距成缆包带松紧编织的松紧外被的松紧。
1)发泡度:
发泡度增大介电常数减小阻抗增大发泡度不均匀介电常数不均匀阻抗不均匀。
2)绝缘线径绝缘线径增大阻抗增大绝缘线径不均匀阻抗不均匀。
3)导体线径:
导体线径减小阻抗增大。
4)对绞节距a)非屏蔽线对对绞节距减小阻抗减小b)屏蔽线对对绞节距增大阻抗减小5)绕包绕包张力大铝箔紧阻抗小。
6)成缆节距(非对屏蔽)成缆节距减小阻抗减小。
7)成缆包带(非对屏蔽)成缆包带紧阻抗减小。
8)编织的松紧(非对屏蔽)编织紧阻抗减小。
9)外被的松紧(非对屏蔽)外被紧阻抗小。
2.衰减(Attenuation)衰减表示线路的材料等原因而引起的信号损失线缆的衰减主要由两部份组成一为介质内偶极子受交变电场作用做取向运动引起的介质损耗一为导体上热磁涡流及导体发热引起的能量损失。
单位为“dB/m”=10log(Pout/Pin)=20log(Vout/Vin)是指输出端功率(Pout)比入射功率(Pin),讯号损耗剩下多少。
(并且以dB的型式表示)如果ATT数值越趋近于0时,表示讯号损耗的情况越少。
反之,ATT数值越负(越小)时,表示讯号损耗的情况越严重。
同轴线影响衰减的因素影响衰减的因素阻抗绝缘线径导体直径编织锭子数每锭根数。
1)阻抗增大衰减减小2)绝缘线径增大阻抗增大衰减减小3)导体直径增大衰减减小4)发泡度增加介电常数减小衰减减小5)外导体变化的影响a)编织密度增加衰减减小b)编织+铝箔结构衰减减小c)铝箔厚度增加衰减减小对绞线影响衰减的因素导体绝缘介质绝缘线径对绞节距对屏蔽松紧对屏蔽厚度成缆节距总屏蔽总屏蔽厚度对内延时差。
1)导体导体线径大衰减小导体绞合节距增大衰减减小导体绞合质量差(起股松散不圆整等)高频衰减跳动。
2)绝缘介质发泡度增大介电常数减小衰减减小3)绝缘线径绝缘线径增大阻抗增大衰减减小4)对绞节距对绞节距增大衰减减小5)对屏蔽松紧铝箔绕包过紧衰减增大铝箔绕包紧高频衰减无跳动铝箔绕包过紧高频衰减跳动铝箔绕包松高频衰减有跳动。
铝箔绕包不平整高频衰减跳动.6)对屏蔽厚度铝箔厚度增加衰减减小铝箔厚,绕包时不容易绕紧可导致高频衰减跳动。
7)成缆节距:
成缆节距增大衰减减小8)总屏蔽:
屏蔽厚度及密度增加衰减减小9)对内延时差大衰减偏大。
设计改善:
衰减偏大,加大导体线径,加大绝缘线径,加大发泡度,更改绝缘材料.(降低介质损耗角正切)工艺改善:
芯线押出时尽量圆整,发泡度均匀,水中电容调小3.回波回波损损耗耗(Returnloss)由于材料结构尺寸与制造工艺(绝缘押出量不均牵引轮偏心收放线转动不均匀)等缺陷和分散性的影响造成阻抗沿长度的分布是不均匀的。
电磁波在线路上传输遇到不均匀点产生多次反射奇次反射波回到发射端会引起输入阻抗的变化并引起主波信号功率变化产生衰减频率特性波动引起信号失真。
偶次反射波形成伴流滞后并迭加在主波上造成干扰尤其脉冲信号传输时会引起波形畸变造成信号失真。
如果RL数值越趋近于0时,表示讯号反射的情况越严重。
反之,RL数值越负(越小)时,表示讯号反射的情况越少。
4.VSWR(VoltageStandingWaveRatio)oltageStandingWaveRatio)读值表示同轴传输线反射质量的另一种方式,入射讯号与反射讯号合成后的最大电压和最小电压比值就是驻波比。
如果负载等于参考电压的话(Z0=ZL)驻波比是”1”。
如果负载是断路或短路的话,驻波比会趋近于”。
数值越小越好,无反射时VSWR=1.0.影响回波损耗的因素影响回波损耗的因素导体均匀性绝缘均匀性发泡度均匀性结构尺寸均匀性。
1)导体直径不均匀导体有弯导体不圆2)绝缘芯线偏心椭圆线径不均匀3)发泡度不均匀4)编织与外被的松紧也可引起回波的产生工艺改善:
芯线制做均匀,导体圆整度,绝缘偏心度,收放线张力稳定.UinUOutUOut5.串音串音(Crosstalk)串音串音指两线路之间互相干扰的电磁噪声,随着频率之升高而增加。
Xtalk=10log(Pout/Pin)=20log(Vout/Vin)如果Xtalk数值越趋近于0时,表示噪声干扰的情况越严重。
反之,Xtalk数值越负(越小)时,表示噪声干扰的情况越少。
串音的种类可分为:
近端串音近端串音(NEXT1=-10log(Pi2/Pi1)远程串音远程串音(FEXT1)=-10log(Po2/Pi1)等准远程串音等准远程串音(ELFEXT1=-10log(FEXT2/ATT1)XXX串音串音功率和功率和(XXXPowerSum)影响串音的因素影响串音的因素绝缘芯线对绞芯线的对称性对绞节距的大小对绞节距的配合。
1)绝缘芯线绝缘芯线的偏心椭圆线径不均匀2)对绞芯线的对称性2根芯线的放线张力不均节距不均匀3)对绞节距的大小节距减小串音增大节距增大串音减小。
4)对绞节距的配合节距的配合应遵循一定的规律通过公式计算得出才可使串音性能提高。
串音节距选择:
h1,h2:
相互配合线对节距v,w:
大于0的任意整数工艺改善:
对绞时张力要稳定,节距要均匀,发泡要均匀.6.延時延時(Timedelay)延时延时:
是指固定频率下讯号波,经过固定长度的待测物所需之时间,单位“ns/m”。
与绝缘材料介质有直接关系.7.VOP(velocityofpropagation)传播速率传播速率此为绝缘介电物质阻碍高频讯号波的传递的现象,传播速度与光速的百分比(%)。
因此传播速度主要是由中心导体和覆被之间的绝缘物质的介电系数(e)来决定。
以下是PE料发泡度,介电常数,延时,VOP的一个常用转换表格:
P(发泡度)E(介电常数)T:
延时VOP02.35.0566%10%2.144.8868.3%20%1.994.770.8%30%1.854.5373.5%40%1.714.3676.4%45%1.644.2778%50%1.584.1979.5%55%1.524.1081.1%60%1.464.0282.9%65%1.393.9384.7%影响延时的因素影响延时的因素发泡度对绞节距成缆节距。
1)发泡度增加介电常数减小延时减小。
2)对绞节距增加延时减小。
3)成缆节距增加延时减小。
设计改善:
调节发泡度,变更材料,节距更改工艺改善:
对绞放线张力均匀,芯线制做均匀.7.延延时时差差(Timedelayskew)延时差延时差:
对于线对内或线对间的芯线电磁波传播延时的差值。
分为对内(intra-pair)和对间(inter-pair);差分对内延迟差(Intra-pairSkew),是指同一对线之Single-endDelay相减。
差分对间延迟差(Inter-pairSkew),是指不同对线之DifferentialDelay相减。
影响对内延时差的因素影响对内延时差的因素绝缘芯线的均匀性发泡度的均匀性对绞节距对绞放线张力的一致性。
1)2根对绞芯线不均匀(导体绝缘)对内延时差偏大2)2根对绞芯线发泡度不均匀对内延时差偏大3)对绞节距不同对内延时差不同4)对绞放线张力不一致对内延时差偏大影响对间延时差的因素对绞节距成缆放线张力。
1)对绞节距不同对间延时差不同2)成缆放线张力不一致对间延时差不同工艺改善:
对绞放线张力均匀,芯线制做均匀.8.转转移阻抗移阻抗(TITransferImpedance)转移阻抗:
电缆屏蔽上测得的电流来表达的干扰场与它在屏蔽与内导体体之间所产生的电压之比.目的在量测讯号线的导体与遮蔽层间所感应的阻抗;当仪器提供固定的讯号,电流流经导体与遮蔽层间,计算两者间的电压降,便可计算出其阻抗。
ZT的值越小越好(因为感应的情况较小,ZT的值也就越小)9.屏蔽效应屏蔽效应(SEShieldingEffect)通过屏蔽传输的电磁场与在注入于屏蔽上的电磁场中所占的比例.目的在量测讯号线的遮蔽层与外部所感应的电磁效应;当仪器提供固定的讯号,若待测物较匹配,且遮蔽效应较好时,接收到感应的电磁场就较小。
所以se的值越小越好。
设计改善:
编织密度加大工艺改善:
编织均匀
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