硕士研究生入学考试复试考试大纲.docx
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硕士研究生入学考试复试考试大纲
2012年硕士研究生入学考试复试考试大纲
001通信与信息工程学院
002电子工程学院
考试科目
复试模拟电路
考试形式
笔试(闭卷)
考试时间
120分钟
考试总分
200分(推免生复试100分)
一、总体要求
《模拟电路》要求掌握半导体器件:
晶体二极管、双极型晶体三极管(BJT)和场效应晶体三极管(FET)的工作原理;掌握二极管单向导电性的基本应用和反向击穿特性及其应用;掌握BJT和FET基本放大器的小信号等效电路分析方法,并应用于实用电路的工程估算;理解放大器的频率特性概念及其描述,根据单管放大器频率响应求解低、高频截止频率;掌握模拟IC中重要单元电路,如差动放大器、互补推挽输出电路等的分析计算方法;掌握负反馈放大电路的工作原理和分析方法;能用理想运放分析法分析集成运放构成的信号运算电路;掌握直流电源基本概念及其应用。
二、内容及比例
A半导体材料及二极管
1、了解半导体的基本知识
本征半导体与杂质半导体(P型与N型);本征激发与复合;杂质电离;空穴导电原理;多子与少子;漂移电流与扩散电流的概念;PN结的形成(耗尽层、空间电荷区和势垒区的含义);PN结的单向导电特性;不对称PN结。
2、掌握二极管的基本知识
二极管单向导电特性及二极管伏安特性方程;二极管伏安特性曲线及其温度特性;二极管导通电压与反向饱和电流;二极管的直流电阻与交流电阻(估算式);硅管与锗管的区别。
3、二极管应用
掌握单向导电特性应用:
整流与限幅。
能分析简单二极管电路。
正向导通特性应用:
恒压源模型及小信号模型。
反向击穿特性及应用:
了解反向击穿现象;掌握稳压管工作原理及电路。
了解电容效应及应用:
势垒电容与扩散电容;变容二极管原理。
B双极型晶体三极管(BJT)
1、理解BJT工作原理
NPN与PNP管;放大偏置特点;放大偏置时内部载流子传输;放大偏置时外电流关系(掌握直流传输方程,
,
,ICBO,ICEO的概念);放大偏置时的vBE、vCE的作用(正向电压的指数控制作用和反向电压的基区宽调效应);BJT的截止与饱和状态及特点。
2、BJT静态伏安特性曲线
理解共射输入特性曲线和输出特性曲线(三个区)及特点。
3、BJT参数
理解
、
、、、ICBO、ICEO、ICM、PCM、BVCEO和fT的含义
4、混合模型
理解完整模型和了解模型参数的物理含义。
熟练掌握两种简化模型(gm参数和参数模型)及其模型参数的计算方法。
CBJT放大电路
1、理解放大器的一些基本概念
信号源(内阻,源电压,源电流);负载电阻;输入输出电压(电流);耦合电容与旁路电容;直流通路与交流通路;交流地;工作点;小信号放大的波形演示。
2、熟练掌握BJT偏置电路的分析和设计方法
工作点的估算;直流负载线;稳基流电路;基极分压射极偏置电路的稳Q原理和稳定条件。
3、BJT三种基本组态放大器(中频段)
熟练掌握小信号放大器指标及其意义:
端增益、源增益、输入与输出电阻。
掌握CE、CC、CB放大电路、指标及特点;熟练掌握等效电路分析法。
掌握CE放大器的交流负载线的画法和动态范围的分析方法;理解截止失真与饱和失真。
4、多级放大器
理解级间耦合方式;了解直流放大器的特殊问题;掌握放大器通用模型;掌握多级放大器指标计算。
DMOSFET及其放大电路
1、FET原理
了解FET的分类、电路符号;了解N沟道JFET及N沟道增强MOSFET的工作原理;放大区的沟道状态及vGS和vDS对iD的影响。
2、FET特性曲线
以N沟道FET(包括JFET和MOSFET)为重点,理解FET的结构特性曲线和输出特性曲线,掌握放大区的平方律公式。
3、FET偏置电路(自给偏压和混合偏置)
掌握工作点的估算方法,了解P沟道FET与N沟道FET偏置极性的差别。
4、FET的小信号模型
理解gm的含义及计算式,理解rds含义、完整小信号模型;掌握低频小信号模型。
5、FET的CS和CD组态放大器
熟练掌握放大器电路的指标计算及特点。
E模拟集成单元电路
1、恒流源
熟练掌握恒流源电路的原理、模型及主要指标;理解基本镜像恒流源、比例恒流源和微电流恒流源电路和特点;熟练掌握有源负载放大器工作原理。
2、熟练掌握差动放大器的工作原理和分析方法
差放的信号分解(vic、vid与任模信号关系);各种差放电路;差放工作点估算;差放的指标(Avd,Avc,KCMR,Rid,Ric,Ro)及用单边等效电路法求指标,差放抑制零漂的原因;了解差放的小信号范围、大信号限幅特性及频率特性。
3、功率输出电路
了解功放的分类,乙类功放优于甲类功放的特点;理解乙类功放的交越失真及克服方法。
掌握互补功放的电路原理及满激励指标(效率、管耗、电源功率)的计算;理解功率管极限参数(ICM,PCM,BVCEO);理解复合管的连接方式。
F放大器的频率响应
1、放大器频率响应的概念及描述
掌握产生频率响应的原因;理解放大器频率特性函数,掌握fL、fH、BW的定义;理解幅频特性和相频特性函数;了解频率失真(幅频失真、相频失真)及其与非线性失真的区别;了解对数频率特性曲线波特图的概念。
理解放大器的增益函数与零、极点分布的关系。
2、根据单管放大器频率响应求解低、高频截止频率
用放大器增益响应函数求解fL、fH。
H负反馈放大器
1、单环理想模型
理解基本概念:
原输入xs、净输入xi和反馈信号xf;A放大器、B网络;开环增益A与闭环增益Af;反馈系数B;反馈深度F;环路传输系数T;基本反馈方程;正反馈与负反馈;深度负反馈。
四种反馈类型及其双口网络模型。
2、掌握反馈放大器类型及极性的判断
3、理解负反馈的效果
理解负反馈稳定闭环增益、展宽通频带、减小非线性失真、改变输入输出电阻和稳定工作点的作用。
4、熟练掌握深负反馈条件下Af和Avsf的计算。
5、负反馈放大器的稳定性
理解产生自激振荡的原因和自激条件;了解用已知的T(j)和A(j)的波特图判断稳定性的方法;了解稳定裕量的计算方法;了解自激振荡的消除方法。
I集成运算放大器及其应用电路与设计
1、了解集成运放电路组成及特点,理解放大电路的四种模型。
2、了解集成运放的主要参数:
Avd,KCMR,Rid,Ro,BWG,SR,VIO,dVIO/dT,Iio,dIIO/dT
3、熟练掌握理想运放分析法
虚短路与虚开路法则;理想运放分析法成立的原因;两个基本的运放负反馈电路、公式及特点。
4、掌握运放的线性应用电路的分析和设计方法
代数和运算电路;差动放大器;积分器与微分器;了解线性应用电路(有源滤波器、振荡器、比较器、波形发生器等)。
J直流电源
掌握直流电源基本电路及其应用。
三、题型及分值
选择题:
15%
填空题:
30%
简答题:
15%
计算题:
40%
考试科目
复试微波技术基础
考试形式
笔试(闭卷)
考试时间
120分钟
考试总分
200分(推免生复试100分)
一、总体要求
要求考生掌握导波的一般特性;掌握矩形波导、圆波导、同轴线和常用微波集成传输线的导模及其传输特性;掌握传输线问题的计算方法与圆图的应用,熟悉各种微波网络矩阵的特性与应用,特别是S矩阵和传输矩阵;熟悉常用微波元件的结构、工作原理与应用;熟悉各种微波谐振器的基本结构及其参数计算方法,能够运用所学知识进行具体分析,并解决问题。
二、内容及比例
1、微波波长(或频率)范围;导波的一般特性;导波和导波系统简介;导波的场分析;导波的分类及各类导波的特性;分离变量法求解亥姆霍兹方程;导波的传输功率、能量及衰减;模式正交性;导波系统中截止状态下的场。
2、典型导波系统的场分析:
同轴传输线的场结构、表面电流分布、特性阻抗等;矩形波导各种模式的场结构及管壁电流分布,模式分布与简并,主模的场分量、场结构、等效特性阻抗、相速度、群速度、波导波长、能量、衰减等。
圆波导的模式分布与简并等;同轴线、矩形波导、圆波导的截面尺寸选择,各类导波系统的主模及单模传输的条件;微带线的场分布及主要特性参量;微波集成电路其它导波系统,如带状线、共面传输线、槽线、鳍线、介质带线基本结构及各种特性。
3、微波电路理论基础:
集总参数和分布参数电路的概念,传输线的几个特性参量和工作参量,掌握无耗传输线的三类工作状态;阻抗圆图和导纳圆图,阻抗圆图上的特殊点、圆、线、面及其物理意义、基本思想和基本功能;圆图的应用,阻抗匹配的概念和条件,并联、串联单支节匹配器和双支节匹配器的图解法,λg/4阻抗变换器;S矩阵和传输矩阵的物理意义,互易网络、无耗网络及对称网络各矩阵参量的特性。
4、无源微波元件:
微波电阻性、电抗元件;阻抗匹配及匹配元件;转换元件;分支元件;定向耦合器;微波铁氧体元件等的工作原理、结构形式及性质。
5、微波谐振器:
谐振电路及特性参量;同轴线、微带线、矩形波导谐振器;空腔谐振器的微扰;空腔谐振器的等效电路。
三、题型及分值比例
选择题:
0%
填空题:
45%
简答题:
30%
计算题:
25%
003微电子与固体电子学院
004物理电子学院
005光电信息学院
考试科目
复试电路分析
考试形式
笔试(闭卷)
考试时间
120分钟
考试总分
200分(推免生复试100分)
一、总体要求
二、内容及比例
第一章电路的基本概念和定律(5%)
基尔霍夫定律;独立电压源和独立电流源;两类约束和电路方程
第二章线性电阻电路分析(5%)
电阻的分压电路和分流电路,电阻的单口网络
第三章网孔分析法和结点分析法(10%)
网孔分析法和回路分析法;结点分析法和割集分析法;含受控源的电路分析
第四章网络定律(15%)
叠加定理;戴维宁定理;最大功率传输定理;替代定理
第五章多端元件和双口网络(5%)
理想变压器的基本性质
第六章简单非线性电阻电路分析(0%)
二端口网络的特性
第七章动态电路中电压电流的约束关系(5%)
电容元件和电感元件的性质;动态电路方程
第八章一阶电路分析(10%)
零输入响应,零状态响应,完全响应,三要素法
第九章二阶电路分析(0%)
RLC串联电路的零输入响应
第十章正弦稳态分析(15%)
正弦稳态响应;基尔霍夫定律的相量形式;RLC元件电压电流关系的相量形式;正弦稳态的相量分析
第十一章正弦稳态的功率三相电路(10%)
瞬时功率和平均功率;最大功率传输定理
第十二章网络函数和频率特征(10%)
RC电路的频率特性,包括一阶RC低通滤波电路,一阶RC高通滤波电路,二阶RC滤波电路;谐振电路;谐振电路的频率特性
第十三章一阶电路分析(10%)
耦合电感的电压电流关系;耦合电感的串联和并联;耦合电感的去耦等效电路;耦合电感与理想变压器的关系
参考教材
参考书:
《电路分析》,胡翔骏,高等教育出版社
三、题型及分值比例
考试科目
复试固体物理
考试形式
笔试(闭卷)
考试时间
120分钟
考试总分
200分(推免生复试100分)
一、总体要求
二、内容及比例
1.晶体结构(30%)
1)晶体结构的周期性(布拉菲格子、复式格子、晶胞和原胞),
2)密堆积,常见的晶体结构(NaCl结构、CsCl结构、金刚石结构、闪锌矿结构),
3)晶体的对称性,
4)晶列与晶面(晶向指数和晶面指数),
5)倒格子与布里渊区。
2.晶格振动(25%)
1)一维单原子晶格振动(物理模型、运动方程、周期性边界条件、格波、色散关系),
2)一维双原子晶格振动(模型与运动方程、色散关系、光学波与声学波、原子振动特点),
3)周期边界条件与格波数,
4)晶格振动的量子化与声子,
5)晶格比热。
3.晶体中的电子状态(45%)
1)金属自由电子论模型,金属的比热,
2)布洛赫定理,(布洛赫电子的运动和能量特点),
3)周期边界条件与波矢K的取值,
4)近自由电子模型,近自由电子能量与波函数,能带结构,三种E-K关系图,
5)紧束傅近似模型,紧束傅近似下晶体中电子能量E(K),
6)电子的准经典运动,有效质量,空穴,
7)常见半导体材料能带结构特点及性质。
参考教材
参考书:
《光电物理基础》,杨亚培,电子科技大学出版社
三、题型及分值比例
考试科目
复试模拟电路基础
考试形式
笔试(闭卷)
考试时间
120分钟
考试总分
200分(推免生复试100分)
一、总体要求
二、内容及比例
第一章半导体材料及二极管(5%)
一、了解半导体的基本知识
本征半导体与杂质半导体(P型与N型);本征激发与复合;杂质电离;空穴导电原理;多子与少子;漂移电流与扩散电流的概念;PN结的形成(耗尽层、空间电荷区和势垒区的含义);PN结的单向导电特性;不对称PN结。
二、掌握二极管的基本知识
二极管单向导电特性及二极管伏安特性方程;二极管伏安特性曲线及其温度特性;二极管导通电压与反向饱和电流;二极管的直流电阻与交流电阻(估算式);硅管与锗管的区别。
三、二极管应用
掌握单向导电特性应用:
整流与限幅。
能分析简单二极管电路。
正向导通特性应用:
恒压源模型及小信号模型。
反向击穿特性及应用:
了解反向击穿现象;掌握稳压管工作原理及电路。
了解电容效应及应用:
势垒电容与扩散电容;变容二极管原理。
第二章双极型晶体三极管(BJT)(5%)
一、理解BJT工作原理
NPN与PNP管;放大偏置特点;放大偏置时内部载流子传输;放大偏置时外电流关系(掌握直流传输方程,
,
,ICBO,ICEO的概念);放大偏置时的vBE、vCE的作用(正向电压的指数控制作用和反向电压的基区宽调效应);BJT的截止与饱和状态及特点。
二、BJT静态伏安特性曲线
理解共射输入特性曲线和输出特性曲线(三个区)及特点。
三、BJT参数
理解
、
、、、ICBO、ICEO、ICM、PCM、BVCEO和fT的含义
四、混合模型
理解完整模型和了解模型参数的物理含义。
熟练掌握两种简化模型(gm参数和参数模型)及其模型参数的计算方法。
第三章BJT放大电路(20%)
一、理解放大器的基本概念
信号源(内阻,源电压,源电流);负载电阻;输入输出电压(电流);耦合电容与旁路电容;直流通路与交流通路;交流地;工作点;小信号放大的波形演示。
二、熟练掌握BJT偏置电路的分析和设计方法
工作点的估算;直流负载线;稳基流电路;基极分压射极偏置电路的稳Q原理和稳定条件。
三、BJT三种基本组态放大器(中频段)
熟练掌握小信号放大器指标及其意义:
端增益、源增益、输入与输出电阻。
掌握CE、CC、CB放大电路、指标及特点;熟练掌握等效电路分析法。
掌握CE放大器的交流负载线的画法和动态范围的分析方法;理解截止失真与饱和失真。
四、多级放大器
理解级间耦合方式;了解直流放大器的特殊问题;掌握放大器通用模型;掌握多级放大器指标计算。
第四章MOSFET及其放大电路(15%)
一、FET原理
了解FET的分类、电路符号;了解N沟道增强MOSFET的工作原理及N沟道JFET;放大区的沟道状态及vGS和vDS对iD的影响。
二、FET特性曲线
以N沟道增强型MOSFET为重点,理解FET的结构特性曲线和输出特性曲线,掌握放大区的平方律公式。
三、FET偏置电路(自给偏压和混合偏置)
掌握工作点的估算方法,了解P沟道FET与N沟道FET偏置极性的差别。
四、FET的小信号模型
理解gm的含义及计算式,理解rds含义、完整小信号模型;掌握低频小信号模型。
五、FET的CS和CD组态放大器
熟练掌握放大器电路的指标计算及特点。
第五章放大器的频率响应(5%)
一、放大器频率响应的概念及描述
掌握产生频率响应的原因;理解放大器频率特性函数,掌握fL、fH、BW的定义;理解幅频特性和相频特性函数;了解频率失真(幅频失真、相频失真)及其与非线性失真的区别;了解对数频率特性曲线波特图的概念。
理解放大器的增益函数、零、极点。
二、了解电容对放大器的低、高频截止频率的影响
了解耦合电容、旁路电容、负载电容等对截止频率的影响。
第六章模拟集成单元电路(20%)
一、恒流源
了解恒流源电路的原理、模型及主要指标;理解基本镜像恒流源、比例恒流源和微电流恒流源电路和特点;理解有源负载放大器工作原理。
二、熟练掌握差动放大器的工作原理和分析方法
差放的信号分解(vic、vid与任模信号关系);各种差放电路;差放工作点估算;差放的指标(Avd,Avc,KCMR,Rid,Ric,Ro)及用单边等效电路法求指标,差放抑制零漂的原因;了解差放的小信号范围、大信号限幅特性及频率特性。
三、功率输出电路
了解功放的分类,乙类功放优于甲类功放的特点;理解乙类功放的交越失真及克服方法。
掌握互补功放的电路原理及满激励指标(效率、管耗、电源功率)的计算;理解功率管极限参数(ICM,PCM,BVCEO);理解复合管的连接方式。
第七章负反馈技术(15%)
一、单环理想模型
理解基本概念:
原输入xs、净输入xi和反馈信号xf;A放大器、B网络;开环增益A与闭环增益Af;反馈系数B;反馈深度F;环路传输系数T;基本反馈方程;正反馈与负反馈;深度负反馈。
四种反馈类型及其双口网络模型。
二、掌握反馈放大器类型及极性的判断
三、理解负反馈的效果
理解负反馈稳定闭环增益、展宽通频带、减小非线性失真、改变输入输出电阻和稳定工作点的作用。
四、熟练掌握深负反馈条件下Af和Avsf的计算。
五、负反馈放大器的稳定性
理解产生自激振荡的原因和自激条件;了解用已知的T(j)和A(j)的波特图判断稳定性的方法;了解稳定裕量的计算方法;了解自激振荡的消除方法。
第八、九章集成运算放大器及其应用电路与设计(15%)
一、了解集成运放电路组成及特点,理解放大电路的四种模型。
二、了解集成运放的主要参数:
Avd,KCMR,Rid,Ro,BWG,SR,VIO,dVIO/dT,Iio,dIIO/dT
三、熟练掌握理想运放分析法
虚短路与虚开路法则;理想运放分析法成立的原因;两个基本的运放负反馈电路、公式及特点。
四、掌握运放的线性应用电路的分析和设计方法
代数和运算电路;差动放大器;积分器与微分器;了解线性应用电路(有源滤波器、振荡器、比较器、波形发生器等)。
参考教材
1.《模拟电路分析与设计基础》,吴援明,唐军,科学出版社,2006.8
2.《模拟电子技术基础》(第四版),华成英,童诗白,高等教育出版社.,2006
三、题型及分值比例
考试科目
复试数字电路
考试形式
笔试(闭卷)
考试时间
120分钟
考试总分
200分(推免生复试100分)
一、总体要求
二、内容及比例
第二章数制和编码5%
按位计数制进制转换;符号数表示方法;符号数加减计算;BCD码、格莱码等编码特点。
第三章数字电路5%
CMOS以及TTL电平特点;门电路的静态特性和动态特性;门电路内部关系分析。
第四章组合逻辑设计原理20%
布尔代数基础;原理化简及卡诺图化简;组合逻辑分析;组合逻辑设计;静态冒险分析。
第六章组合逻辑设计实践20%
译码器、编码器、多路复用器、比较器、加法器及ALU原理及应用;基于功能模块的逻辑分析和设计。
第七章时序逻辑设计原理20%
S-R锁存器、D锁存器、D触发器、J-K触发器以及T触发器工作原理;同步状态机分析;同步状态机设计。
第八章时序逻辑设计实践20%
计数器、移位寄存器工作原理;基于时序功能模块的同步状态机分析和设计。
第九章存储器、CPLD和FPGA5%
ROM、SRAM、SDRAM等基本原理及应用。
第十章A/D及D/A(补充内容)5%
A/D和D/A的基本参数以及工作原理。
参考教材
参考书:
《数字设计原理与实践(第四版)》,JohnF.Wakerly,机械工业出版社
三、题型及分值比例
考试科目
复试微波技术基础
考试形式
笔试(闭卷)
考试时间
120分钟
考试总分
200分(推免生复试100分)
一、总体要求
二、内容及比例
第一章引论(10%)
微波概念及其特点;导行波的概念、种类、特点及导波场的分析
第二章传输线理论(30%)
电报方程推导及其解的物理意义;无损传输线的工作状态及其特征参数;任意参考面上的特性阻抗及其变换;Smith园图;阻抗匹配概念及并联单支节调配器
第三章规则金属波导(30%)
矩形波导导模及其场结构;圆波导常见导模及其场结构;同轴线主要工作模式及其场结构;波导的激励和耦合
第四章微波集成传输线(10%)
带状线基本知识;微带线基本知识;耦合微带线概念
第五章毫米波介质波导与光波导(无)
表面波概念;光波导概念;光纤概念
第六章微波网络基础(10%)
微波网络概念;微波网络散射矩阵参数物理意义;二端口网络的特性
第七章微波谐振器(5%)
微波谐振器基本概念及特性参数;金属波导谐振腔特性参数;介质谐振器概念;谐振器的激励
第八章常用微波元件(5%)
微波一、二、三、四端口元件特性及其参数
参考教材
参考书:
《微波技术基础》,廖承恩,国防工业出版社
三、题型及分值比例
考试科目
复试应用光学
考试形式
笔试(闭卷)
考试时间
120分钟
考试总分
200分(推免生复试100分)
一、总体要求
二、内容及比例
第一章几何光学的基本定律与成像概念(10%)
几何光学的基本定律、全反射现象及条件、成像的基本概念及完善成像的条件,费马原理、马吕斯定律。
共轴球面系统中的符号规定、光路计算公式,单界面的折射、反射成像。
第二章理想光学系统(30%)
理想系统的基点、基面和物像关系;光学系统各光学参量和物象关系;厚透镜、薄透镜;理想光学系统的组合。
第三章平面与平面系统(10%)
平面镜、棱镜的成像性质和成像方向,平行平板的成像性质,棱镜和共轴球面系统的外形尺寸计算。
折射棱镜及光楔的最小偏向角和色散。
第四章光学系统中的光束限制(10%)
孔径光阑、视场光阑、渐晕光阑及其作用;场镜的特性、远心光路、光学系统的景深。
第五章光度学和色度学基础(12%)
各光度学量的基本概念、朗伯光源及朗伯定律、物、像的光照度与光亮度的关系、成像光学系统像面的光照度。
颜色混合定律;颜色匹配、色度学中的有关概念、颜色相加原理及色刺激值;CIE标准及色品图。
第六章光线的光路计算及像差理论(8%)
各种像差的基本概念,各种像差的形成原因、现象及校正方法。
第七章典型光学系统(20%)
眼睛及其光学系统;典型光学系统的视角放大率及工作原理,望远镜系统、显微镜系统的结构及其特征参数,光学系统的外形尺寸计算,投影系统、摄影系统。
参考教材
参考书:
《工程光学》,郁道银,机械工业出版社
三、题型及分值比例
006计算机科学与工程学院
考试科目
复试程序设计(C语言)
考试形式
笔试(闭卷)
考试时间
120分钟
考试总分
200分(推免生复试100分)
一、总体要求
主要考核学生掌握算法设计的基本知识,基本理论和基本技能的情况;使用C程序设计语
- 配套讲稿:
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- 特殊限制:
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- 关 键 词:
- 硕士研究生 入学考试 复试 考试 大纲