反应等离子刻蚀及离子束设备及工艺.docx

反应等离子刻蚀及离子束设备及工艺.docx

《反应等离子刻蚀及离子束设备及工艺.docx》由会员分享，可在线阅读，更多相关《反应等离子刻蚀及离子束设备及工艺.docx（47页珍藏版）》请在冰豆网上搜索。

反应等离子刻蚀及离子束设备及工艺

刻蚀的基本原理

IBE刻蚀原理及设备

RIE刻蚀原理及设备

ICP刻蚀原理及设备

工艺过程、检测及仪器

2

刻蚀的基本原理

刻蚀

用物理的、化学的或同时使用化学和物理的方

法，有选择地把没有被抗蚀剂掩蔽的那一部分

材料去除，从而得到和抗蚀剂完全一致的图形

3

刻蚀的基本原理

干法刻蚀过程示意

离子轰击

掩膜

衬底

4

刻蚀的基本原理

刻蚀种类:

①干法刻蚀

利用等离子体将不要的材料去除（亚微米尺寸下刻蚀器件的最主要方法）

②湿法刻蚀

利用腐蚀性液体将不要的材料去除

干法刻蚀工艺特点：

①好的侧壁剖面控制，即各向异性

②良好的刻蚀选择性;合适的刻蚀速率；好的片内均匀性

③工艺稳定性好，适用于工业生产

5

刻蚀的基本原理

刻蚀参数

刻蚀速率习惯上把单位时间内去除材料的厚度定义为刻蚀速率

刻蚀前

刻蚀后

刻蚀速率=

刻蚀速率由工艺和设备变量决定，如被刻蚀材料类型，刻蚀机的结构配

置，使用的刻蚀气体和工艺参数设置

6

刻蚀的基本原理

刻蚀参数

选择比同一刻蚀条件下，被刻蚀材料的刻蚀速率与另一种材料的刻

蚀速率的比。

均匀性衡量刻蚀工艺在整个晶片上，或整个一批，或批与批之间刻蚀能力

的参数

NU（%）=（Emax-Emin）/2Eave

7

刻蚀的基本原理

刻蚀剖面被刻蚀图形的侧壁形状

各向异性：

刻蚀只在垂直于晶

片表面的方向进行

各向同性：

在所有方

向上以相同的刻蚀速

率进行刻蚀

8

IBE刻蚀原理及设备

离子束刻蚀（IBE）原理

•离子束刻蚀是利用具有一定能量

的离子轰击材料表面，使材料原

子发生溅射，从而达到刻蚀目的

把Ar、Kr或Xe之类惰性气体充

入离子源放电室并使其电离形成

等离子体，然后由栅极将离子呈

束状引出并加速，具有一定能量

的离子束进入工作室，射向固体

表面撞击固体表面原子，使材料

原子发生溅射，达到刻蚀目的，

属纯物理过程。

9

IBE刻蚀原理及设备

离子源构成及工作原理

10

IBE刻蚀原理及设备

IBE刻蚀特点

9方向性好，各向异性，无钻蚀，陡直度高

9分辨率高，可小于0.01μm

9不受刻蚀材料限制（金属or化合物，无机物or有机物，绝缘体or半导体均可）

9刻蚀过程中可改变离子束入射角θ来控制图形轮廓

离子束刻蚀速率影响因素

A.被刻蚀材料种类

B.离子能量

C.离子束流密度

D.离子束入射角度

11

IBE刻蚀原理及设备

IBE-A150设备

离子源

电控柜

真空室

分子泵

冷却水

12

IBE刻蚀原理及设备

IBE相关刻蚀数据

离子能量：

350eV

材料刻蚀速率

材料

刻蚀速率材料刻蚀速率

nm/min

nm/min

7-8

nm/min

34-36

55

Ni

17-18

Ti

GaN

Au

SiO217-18

Al

15-16

5-6

Ge

Si

33-34

17-18

TiN

GaAs

ITO

AZ胶

32-34

18

35-40

离子能量：

300eV

材料刻蚀速率

材料

刻蚀速率材料刻蚀速率

nm/min

nm/min

10

nm/min

35-37

PMMA21

AZ胶

Au

Si

14-15

Ni-Cr合金10-12

13

IBE刻蚀原理及设备

Glass

Si

Ni

14

IBE刻蚀原理及设备

IBE操作注意事项

•启动离子源之前，必须确保离子源室和工件台通入冷却水

•如果刻蚀工艺采用离子束入射角度≥30度时，在刻蚀时间

到达预定值10s前，必须将工件台转回水平位置

•为更好的传递热量，放片时需在片子背面涂硅脂

放片、取片过程中应尽量避免油脂玷污片子图形表面

•取片后用异丙醇擦去工件台上硅脂

•抽真空次序不能错，开主阀前要确认真空度达到-1级

15

RIE刻蚀原理及设备

反应离子刻蚀（RIE）刻蚀原理

一种采用化学反应和物理

离子轰击去除晶片表面材

料的技术

•刻蚀速率高、可控

•各向异性，形貌可控

•选择比高

16

RIE刻蚀原理及设备

排放

分离

解吸

扩散

等离子体工艺

反应

表面扩散

17

RIE刻蚀原理及设备

18

RIE刻蚀原理及设备

TEGALPLASMAETCHER,MODEL903e

适用于150mm单片晶片上的SiO2和Si3N4的刻蚀；

刻蚀温度能控制在20－35度之间

主机

显示器

射频源

19

RIE刻蚀原理及设备

1

2

SiO2刻蚀

光刻胶掩膜Profirle85-90°

刻蚀均匀性<+/-5%

Si3N4刻蚀

光刻胶掩膜

刻蚀均匀性<+/-5%

Profile85-90°

典型刻蚀速率：

PSG6000Å/min

热氧化SiO24000Å/min

典型刻蚀速率：

Si3N44000Å/min

PSG6000Å/min

选择比：

SiO2:

PR>5:

1

SiO2:

silicon/polysilicon>=10:

1

选择比：

Si3N4:

PR>3:

1

Si3N4:

aluminum>100:

1

20

RIE刻蚀原理及设备

RIE操作注意事项

•初始设置为6寸片刻蚀，必须放在两侧片架里，左侧进

片，右侧出片

•每次程序运行前要将两边片架重新手动定位

•射频源功率不宜设置过高，小于500W

21

ICP刻蚀原理及设备

电感耦合等离子体（ICP）刻蚀原理

包括两套通过自动匹配网络控

制的13.56MHz射频电源

一套连接缠绕在腔室外的螺线

圈，使线圈产生感应耦合的电

场，在电场作用下，刻蚀气体

辉光放电产生高密度等离子体。

功率的大小直接影响等离子体

的电离率，从而影响等离子体

的密度。

第二套射频电源连接在腔室内

下方的电极上，此电极为直径

205mm的圆形平台，机械手

送来的石英盘和样品放在此台

上进行刻蚀。

22

ICP刻蚀原理及设备

RIE与ICP比较

RIE

ICP

离子密度低（~10

9

~10

/cm

103

）

离子密度高（>10/cm）（刻蚀速率

113

高）

离子密度与离子能量不能分别控制（离子密度由ICP功率控制，离子能

量由RF功率控制

离子密度大，离子能量也大）

离子能量低，刻蚀速率低

在低离子能量下可控离子流量达到

高刻蚀速率（形貌控制）

低压下刻蚀速率低

低压下由于高离子流量从而维持高

刻蚀速率

DCBias高损伤大

低DCbias损伤小

23

ICP刻蚀原理及设备

OxfordPlasmalabSystem100ICP180

温控

能量产生

真空

气路

Wafers经由loadlock后再进出反应腔,确保反

应腔维持在真空下不受粉尘及湿度的影响.

将有毒气体及危险气体与超净室隔离开

24

ICP刻蚀原理及设备

•ICP功率:

0-3000W

•RF功率：

0-1000W

•压力范围:

1-100mT

•加工范围：

6寸

•工艺气体：

Cl2,BCl3,HBr,CH4,He,O2,

H2,N2

25

ICP刻蚀原理及设备

氦气冷却原理

藉由氦气良好的热传导特性,能将芯片上温度均匀化

26

ICP刻蚀原理及设备

27

ICP刻蚀原理及设备

ICP相关刻蚀数据

Material

UniformityRepeatability

2”

EtchrateProcess

（µm/min）Gas

MaskSelectivity

Profile

<±2%（1x<±2%

80°±2°

2”）

<±4%（4x

2”）

GaN

0.5~1

>0.3

BCl3/Cl2SiO25~10:

1

<±3%（1x<±3%

2”）

90°±2°

BCl3/Cl2PR

>5:

1

GaAs

<±3%（1x<±3%

2”）

75°-

90°±3

°

Controllabl

e

GaAs

Via

>2

>2

BCl3/Cl2

HBr

PR

>20:

1

>10:

1

<±3%（1x<±3%

2”）

90°±2°

InP

SiO2

28

ICP刻蚀原理及设备

GaAs刻蚀

29

ICP刻蚀原理及设备

GaAs穿孔刻蚀

30

ICP刻蚀原理及设备

GaN刻蚀

31

ICP刻蚀原理及设备

InP刻蚀

32

ICP刻蚀原理及设备

ICP操作注意事项

•小片刻蚀时需要在片子背面涂真空油脂，放片、取片过程中应尽

量避免油脂玷污片子图形表面，可用异丙醇擦除

•ICPService模式权限很大，为避免误操作，仅限关闭真空装置时

操作

•在手动模式下进行托盘定位时，一定要注意门阀的开启状态及卡

盘的升起与否，以免造成机械手、阀门、卡盘损坏

•射频源功率不宜设置过高,ICP小于2000W,RF小于500W

33

ICP刻蚀原理及设备

加工过程中参数调节

刻蚀速率，化学反应

温度

功率

离子密度，离子能量

离子密度，离子方向性，化学刻蚀

气体流量，反应物材料，反应物洁净度，掩膜材料

压力

其他

34

工艺过程、检测及仪器

¾刻蚀前的准备要点

操作者必须仔细认真阅读操作说明，并明确每个部件在刻蚀系统中

的作用

检查水、电、气是否接好，并打开电源，冷却循环水，N2及压缩空

气

¾检查所刻蚀的样品情况，掩膜厚度

光学显微镜-表面洁净度，粗糙度

SEM-掩膜形貌，表面粗糙度

膜厚仪/台阶仪/光学轮廓仪-掩膜/薄膜厚度

¾若工作腔室处于真空，须先放气然后再放入刻蚀样品。

进入真空室系统的样品或零件，绝对要求外部干净，尤其防止将水

和易挥发性的固体或液体带入系统，放好样品后，即可开始抽真空

刻蚀过程中密切关注监控系统，程序运行中不稳定情况，记录所有

参数（功率，气体流量等）

35

工艺过程、检测及仪器

¾刻蚀后的检查

（1）正面颜色是否异常及刮伤

（2）有无缺角及Particle

•测量台阶高度——台阶仪，

•测量膜厚——膜厚仪，

•剖面形貌——SEM/光学轮廓仪

36

•刻蚀上机操作培训400元（暂定）

•上机操作培训后有实习期

实习期间需在平台刻蚀组人员在场的情

况下进行操作

查强

王瑗

Email：

Email：

TEL：

，

37

谢谢

38

附件

•IBE操作流程

装片

1关闭真空计“POWER”开关。

2关闭工作台上的“主阀”按钮。

3打开“放气阀”按钮。

4等待1分钟左右，待N2充满整个真空室后，打开真空室门板，关闭“放

气阀”按钮。

5粘片：

将样品台中间区域均匀的涂上为样片大小薄薄一层“7501”硅脂，

用镊子夹住样片，将样片一边贴在硅脂上，慢慢地放下另一边，用镊

子按住样片一端，在硅脂上稍稍移动样片，以便赶走样片与硅脂之间

的气泡，使得样片与硅脂紧密粘在一起。

（注意：

如果用力过大，片

子可能会碎裂）

6完成粘片操作后，关闭真空室门板。

7关闭“下道阀”按钮，打开“上道阀”按钮，此时机械泵对真空室抽取真

空。

等两分钟后，打开真空计“POWER”开关。

8待真空计上显示“9E-1”时,打开“下道阀”按钮关闭第一组合单元上的“上

道阀”按钮。

9开启“主阀”，等待第三单元右边的真空计到达“5E-4”以下时，便可进行

下面的刻蚀操作了

39

刻蚀

1开启“气体流量显示及控制”这一栏下方的截止阀，并将截止阀上方的开关拨向“阀控”，旋

其右方的旋钮根据需要设定Ar气的气体流量。

（一般稳定在4.7Sccm）

2开启“刻蚀时间显示及控制”在这一栏下方“旋转”与“冷却”按钮，并设定所需要的刻蚀时间。

3开启离子源开关，设定参数如下：

3.1调节“阴极”旋钮，使其上方的阴极电流量程表指示为5.5A-6A。

3.2调节“阳极”旋钮，直至起弧为止。

（即阳极电流量程表有指数）

3.3调节“加速”旋钮，使其上方的加速电压量程表指数为180V。

3.4调节“屏栅”旋钮，使“离子能量”显示为所需要的数值。

（此时加速电压可能会有

波动，再次适当调节“加速”旋钮和“屏栅”旋钮，使其加速电压和离子能量达到所需要

的数值）。

3.5调节“阴极”和“阳极”旋钮，使得“离子束流”显示为所需要的数值，同时要保证阳

极电压量程表指示数为45V左右。

（因为各电源之间有关联，调节过程需要配合进

行）

3.6调节“中和”旋钮，使得“中和电流”显示为所需要的数值。

（中和电流一般为离子

束流的1.3---1.5倍之间）

4参数设定完毕后，开启“时控”按钮，此时，载片台上方的挡板移开，刻蚀开始，

如果需要一定的入射角进行刻蚀，可以旋转门板上的手柄，使其载片台旋转至所需

要的角度。

5按所规定的时间刻蚀完毕后，关闭“时控”按钮，此时，载片台上方的挡板又重新

回到片子的上方了。

（注意：

如果刻蚀过程中，载片台有一定的角度，则在挡板重

新回到片子上方前一定要将载片台扳到原来的0度，以免挡板与载片台相撞）

40

6关闭离子源各旋钮。

6.1关闭“中和”旋钮

6.2调节“屏栅”旋钮，使其离子能量降为200ev左右

6.3关闭“加速”旋钮

6.4关闭“屏栅”旋钮

6.5同时关闭“阴极”“阳极”旋钮

6.6关闭离子源开关

7关闭“旋转”按钮，等两分钟后，关闭“冷却”按钮（如果刻蚀时间长，需要多等一段时间再

关“冷却”）

8将“气体质量流量显示及控制”这一栏下方的开关拨向“关闭”，关闭其下方的截止阀。

取片

1关闭真空计“POWER”开关

2关闭“主阀”按钮

3打开“放气阀”按钮

4等待1分钟左右，待N2充满整个真空室后，打开真空室门板。

5用镊子将样片夹起，放到滤纸上。

6用酒精棉球将样品台上的硅脂擦拭干净，待样品台上的酒精挥发干净后，关闭

真空室门板。

7关闭“放气阀”按钮，关闭“下道阀”按钮，开启“上道阀”按钮。

等几分钟后，开启

真空计“POWER”开关。

8待真空计上显示“9E-1”时，开启“下道阀”按钮，关闭“上道阀”按钮。

9打开“主阀”，此时系统开始抽取高真空。

41

ICP操作流程

装片

1.在Pump界面点击左边Pump图标下Stop，切换至Vent，120s后打开Loadlock

2.涂抹真空油脂：

根据片子尺寸大小，在托盘上涂抹均匀一层油脂

3.放片：

放片的时候要用镊子轻轻夹住样片，将样片一边贴在油脂上，慢慢地放

下另一边，用镊子按住样片一端，在油脂上稍稍移动样片，以便赶走样片与油脂

之间的气泡，使得样片与油脂紧密粘在一起。

（注意：

如果用力过大，片子可能

会碎裂）

抽真空

1.在Pump界面点击左边Pump图标开启小机械泵，预抽Loadlock,至真空度到-2时

可以进行刻蚀操作

2.选择所需加热模式：

根据样品选择所需加热模式HeaterorChiller，设定加热或冷却温度。

当温度与真空度达到要求后进入Chamber界面

42

刻蚀

1.根据要求设定程序，确定工艺参数（气体流量、ICP功率、RF功率、压力、温

度、时间等）

2.程序运行时，看起辉是否正常，适当修正匹配功率

取片

刻蚀完毕后，在Pump界面点击左边Pump图标下Stop，切换至Vent，打开

Loadlock

去真空油脂

参照光刻工艺操作规范相应的去胶工艺步骤操作。

结束后，检测并完成实验记

录，移交样品。

43