电子线路基础测试题库厦门大学网络教育.docx
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电子线路基础测试题库厦门大学网络教育
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单选题(共100题)
(1).
关于集成运放的应用说法不正确的是()。
(1分)
回答:
正确答案:
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(2).
对镜像电流源电路的说法不正确的是()。
(1分)
回答:
正确答案:
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0
(3).
以下关于负反馈的说法错误的是()。
(1分)
回答:
正确答案:
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0
(4).
N沟道JFET参与导电的载流子是()。
(1分)
回答:
正确答案:
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(5).
对于结型场效应管,当|Vgs|>|Vgs(off)|时,管子工作在()。
(1分)
回答:
正确答案:
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0
(6).
根据反馈放大器框图,当反馈信号与输入信号的极性相同,从而使净输入信号减小时,称此反馈为()。
(1分)
回答:
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(7).
对于电流放大器,我们希望()。
(1分)
回答:
正确答案:
B.输入电阻小,输出电阻大
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0
(8).
把交流电转化为直流电的过程称为()。
(1分)
回答:
正确答案:
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0
(9).
以下关于负反馈的说法错误的是()。
(1分)
回答:
正确答案:
D.并联负反馈应取xi=vi
得分:
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(10).
关于集成运放的闭环应用以下说法错误的是()。
(1分)
回答:
正确答案:
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(11).
关于发射极接电阻的共射放大器说法不正确的是()。
(1分)
回答:
正确答案:
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0
(12).
可将小信号放大器看成有源四端网络,则以下说法错误的是()。
(1分)
回答:
正确答案:
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0
(13).
若两个单级放大器负载短路时的电流增益分别为A1和A2,两级级联后测得总的电流增益约等于A1A2,则可判断()。
(1分)
回答:
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0
(14).
若系统是个无零三极点系统,A(s)的三个极点角频率满足wp3=10wp2=100wp1,则以下说法不正确的是()。
(1分)
回答:
正确答案:
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0
(15).
一般而言,PN结击穿电压在-6V以下的属于()。
(1分)
回答:
正确答案:
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(16).
关于共基放大器的说法不正确的是()。
(1分)
回答:
正确答案:
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0
(17).
以下不属于三极管放大器基本组成部分的是()。
(1分)
回答:
正确答案:
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0
(18).
如果二极管的正极电位是-7V,负极电位是-5V,该二极管处于()。
(1分)
回答:
正确答案:
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0
(19).
关于反馈放大器自激条件的说法错误的是()。
(1分)
回答:
正确答案:
得分:
0
(20).
关于迟滞比较器说法错误的是()。
(1分)
回答:
正确答案:
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0
(21).
将放大器电路中的电容开路,电感短路,交流源置为零所得的电路为()。
(1分)
回答:
正确答案:
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0
(22).
不属于多级放大器极间常见耦合方式的是()。
(1分)
回答:
正确答案:
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0
(23).
关于共源放大器的说法不正确的是()。
(1分)
回答:
正确答案:
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0
(24).
若硅NPN型三极管基极电位为1V,发射极电位为0.3V,集电极电位为2V,则三极管处于()。
(1分)
回答:
正确答案:
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0
(25).
静态工作点移向饱和区造成输出信号一部分被削平的现象称为()。
(1分)
回答:
正确答案:
得分:
0
(26).
以下不属于场效应管放大器基本组态的是()。
(1分)
回答:
正确答案:
得分:
0
(27).
为从实际反馈放大器中分离出基本放大器,在考虑反馈网络对基本放大器输出端的负载效应时应这样处理实际放大器的输入端()。
(1分)
回答:
正确答案:
D.对并联反馈将输入端短接,对串联反馈将输入端开路
得分:
0
(28).
共模输入电压是差分放大器两输入端对地电压之()。
(1分)
回答:
正确答案:
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0
(29).
对于互导放大器,我们希望()。
(1分)
回答:
正确答案:
D.输入电阻大,输出电阻大
得分:
0
(30).
我们使用小信号模型可以()。
(1分)
回答:
正确答案:
得分:
0
(31).
关于集成运放说法不正确的是()。
(1分)
回答:
正确答案:
得分:
0
(32).
关于相位裕量的说法正确的是()。
(1分)
回答:
正确答案:
D.若要系统稳定,一般要求其值大于45°
得分:
0
(33).
我们将MOS管的输出特性曲线分为若干区域,其中不包括()。
(1分)
回答:
正确答案:
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0
(34).
在深度负反馈条件下,以下说法错误的是()。
(1分)
回答:
正确答案:
D.输入电阻趋于无穷,输出电阻趋于零
得分:
0
(35).
利用稳压管进行稳压,以下说法正确的是()。
(1分)
回答:
正确答案:
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0
(36).
若用场效应管构成有源电阻,则()。
(1分)
回答:
正确答案:
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0
(37).
若放大器增益A(s)=10000*(s+100)/(s+10),则下列说法正确的是()。
(1分)
回答:
正确答案:
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0
(38).
以下应用不属于三极管常见应用的是()。
(1分)
回答:
正确答案:
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0
(39).
用半电路法分析MOS管差放的差模特性时,源极电阻Rss应()。
(1分)
回答:
正确答案:
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0
(40).
对多个共基放大器级联而成的多级共基放大器说法正确的是()。
(1分)
回答:
正确答案:
D.不能放大电流,也不能很好地放大电压
得分:
0
(41).
以下不属于场效应管常见应用的是()。
(1分)
回答:
正确答案:
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0
(42).
若利用两个二极管整流,则()。
(1分)
回答:
正确答案:
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0
(43).
关于单限比较器说法正确的是()。
(1分)
回答:
正确答案:
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0
(44).
关于差分放大器的说法不正确的是()。
(1分)
回答:
正确答案:
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0
(45).
半导体中的载流子是()。
(1分)
回答:
正确答案:
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0
(46).
以下接法中不属于三极管的三种连接方式的是()(1分)
回答:
正确答案:
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0
(47).
对于互阻放大器,我们希望()。
(1分)
回答:
正确答案:
A.输入电阻小,输出电阻小
得分:
0
(48).
关于集成运放构成同相放大器的说法错误的是()。
(1分)
回答:
正确答案:
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0
(49).
关于放大器的失真的说法错误的是()。
(1分)
回答:
正确答案:
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0
(50).
我们使用图解法可以()。
(1分)
回答:
正确答案:
得分:
0
(51).
三极管工作在放大模式时以下说法正确的是()。
(1分)
回答:
正确答案:
B.发射结正偏,集电结反偏
得分:
0
(52).
PN结最重要的特性是()。
(1分)
回答:
正确答案:
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0
(53).
关于基本组态放大器频率特性的说法不正确的是()。
(1分)
回答:
正确答案:
得分:
0
(54).
若想使两级反馈放大器具有稳定的输出电压和低的输入电阻,则应引入()负反馈。
(1分)
回答:
正确答案:
得分:
0
(55).
差模输入电压是差分放大器两输入端对地电压之()。
(1分)
回答:
正确答案:
得分:
0
(56).
为提高交流放大电路的输入电阻,应选用()电路。
(1分)
回答:
正确答案:
得分:
0
(57).
已知某N沟道增强型MOS管G极和D极相连且连接﹢5V电源,S极和衬底接地,管子的开启电压为+2V,则该管处于的工作区是()。
(1分)
回答:
正确答案:
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0
(58).
以下关于反馈的说法错误的是()。
(1分)
回答:
正确答案:
得分:
0
(59).
关于集成运放构成加法器的说法正确的是()。
(1分)
回答:
正确答案:
得分:
0
(60).
用半电路法分析双极型管差放的共模特性时,发射极电阻REE应()。
(1分)
回答:
正确答案:
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0
(61).
理想运放的共模抑制比等于()。
(1分)
回答:
正确答案:
D.∞
得分:
0
(62).
工作在放大区的某三极管,如果当基极电流从12μA增大到22μA时,集电极电流从1mA增大到2mA,则它的β约为()。
(1分)
回答:
正确答案:
得分:
0
(63).
若想使两级反馈放大器具有高的输出电阻和输入电阻,则应引入()负反馈。
(1分)
回答:
正确答案:
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0
(64).
对双极型管基本镜像电流源电路的说法不正确的是()。
(1分)
回答:
正确答案:
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0
(65).
关于多级放大器说法不正确的是()。
(1分)
回答:
正确答案:
得分:
0
(66).
关于三极管的等效电路分析法,以下说法不正确的是()。
(1分)
回答:
正确答案:
得分:
0
(67).
关于集成运放构成反相放大器的说法错误的是()。
(1分)
回答:
正确答案:
得分:
0
(68).
关于共发放大器的说法不正确的是()。
(1分)
回答:
正确答案:
得分:
0
(69).
关于共集放大器的说法正确的是()。
(1分)
回答:
正确答案:
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0
(70).
为从实际反馈放大器中分离出基本放大器,在考虑反馈网络对基本放大器输入端的负载效应时应这样处理实际放大器的输出端:
()。
(1分)
回答:
正确答案:
C.对电压反馈将输出端短接,对电流反馈将输出端开路
得分:
0
(71).
低频工作时二极管的小信号模型是()。
(1分)
回答:
正确答案:
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0
(72).
若NJFET的D极通过5kΩ电阻接10V电源,G极接-2V电源,S极接地,IDSS=4mA,Vgs(off)=-5V,则其工作在()。
(1分)
回答:
正确答案:
得分:
0
(73).
三极管的输出特性曲线中,若基极电流IB减小,它对应的输出特性曲线()。
(1分)
回答:
正确答案:
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0
(74).
对多个共集放大器级联而成的多级共集放大器说法正确的是()。
(1分)
回答:
正确答案:
D.不能放大电压,也不能很好地放大电流
得分:
0
(75).
关于三极管的EM模型,以下说法正确的是()。
(1分)
回答:
正确答案:
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0
(76).
若放大器增益A(s)=10000*(s+10)/(s+100),则下列说法错误的是()。
(1分)
回答:
正确答案:
得分:
0
(77).
N型半导体中自由电子浓度()。
(1分)
回答:
正确答案:
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0
(78).
如果二极管的正极电位为1.5V,负极电位为0.8V,二极管将会()。
(1分)
回答:
正确答案:
得分:
0
(79).
三极管呈现正向受控作用时工作在()。
(1分)
回答:
正确答案:
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0
(80).
已知某N沟道耗尽型MOS管G极和S极、衬底均接地,D极接+3V电源,管子的开启电压为-3.5V,则该管处于的工作区是()。
(1分)
回答:
正确答案:
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0
(81).
若室温下处于放大模式的三极管的IBQ=10μA,β=100,则()。
(1分)
回答:
正确答案:
得分:
0
(82).
若某场效应管工作于饱和区,其Vds=10V,Vgs=-2V,则管子类型可能为()。
(1分)
回答:
正确答案:
得分:
0
(83).
关于基本组态放大器频率特性的说法正确的是()。
(1分)
回答:
正确答案:
C.要扩展共射放大器的上限频率,应使其输入节点为低阻节点
得分:
0
(84).
以下电极中不是MOS管的电极的是()。
(1分)
回答:
正确答案:
得分:
0
(85).
理想运放的开环差模增益等于()。
(1分)
回答:
正确答案:
D.∞
得分:
0
(86).
关于三极管电路的图解法,以下说法正确的是()。
(1分)
回答:
正确答案:
得分:
0
(87).
若想使两级反馈放大器具有低的输入电阻和稳定的输出电流,则应引入()负反馈。
(1分)
回答:
正确答案:
得分:
0
(88).
为减小交流放大电流的输入电阻,应选用()电路。
(1分)
回答:
正确答案:
得分:
0
(89).
关于集成运放的开环应用说法错误的是()。
(1分)
回答:
正确答案:
得分:
0
(90).
以下关于共栅和共漏放大器说法正确的是()。
(1分)
回答:
正确答案:
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0
(91).
三极管的输出特性曲线是簇曲线,每条曲线都与()对应。
(1分)
回答:
正确答案:
得分:
0
(92).
若差分放大器两个输入端电压分别是10mV和6mV,则差模输入电压和共模输入电压分别是()。
(1分)
回答:
正确答案:
得分:
0
(93).
半导体的导电方式为()。
(1分)
回答:
正确答案:
得分:
0
(94).
若测试两个单级放大器,在负载开路下的电压增益分别为A1和A2,现将二级级联,测得总电压增益明显低于A1A2,则可判断()。
(1分)
回答:
正确答案:
得分:
0
(95).
关于集成运放说法正确的是()。
(1分)
回答:
正确答案:
得分:
0
(96).
若三极管工作在放大模式,β足够大,则以下说法不正确的是()。
(1分)
回答:
正确答案:
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0
(97).
完整的二极管大信号模型是()。
(1分)
回答:
正确答案:
C.理想二极管、导通电压源、导通电阻串联
得分:
0
(98).
以下不属于三极管放大器基本组态的是()。
(1分)
回答:
正确答案:
得分:
0
(99).
对于电压放大器,我们希望()。
(1分)
回答:
正确答案:
C.输入电阻大,输出电阻小
得分:
0
(100).
以下关于MOS场效应管的说法不正确的是()。
(1分)
回答:
正确答案:
得分:
0
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一.判断题(答案填在表格中,对的打√,错的打×)(2’×10)
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
(1)在半导体内部,只有电子是载流子。
(2)在N型半导体中,多数载流子是空穴,少数载流子是自由电子。
(3)一般来说,硅晶体二极管的死区电压(门槛电压)小子锗晶体二极管的死区电压。
(4)在外电场作用下,半导体中同时出现电子电流和空穴电流。
(5)晶体三极管出现饱和失真是由于静态电流ICQ选得偏低。
(6)用万用表测某晶体二极管的正向电阻时,插在万用表标有“十”号插孔中的测试棒(通常是红色棒)所连接的二极管的管脚是二极管的正极,另一电极是负极。
(7)三极管放大电路工作时,电路中同时存在直流分量和交流分量;直流分量表示静态工作点,交流分量表示信号的变化情况。
(8)在单管放大电路中,若VG不变,只要改变集电极电阻Rc的值就可改变集电极电流Ic的值。
(9)两个放大器单独使用时,电压放大倍数分别为Av1、Av2,这两个放大器连成两级放大器后,总的放大倍数为Av,Av=Av1+Av2。
(10)晶体二极管在反向电压小于反向击穿电压时,反向电流极小;当反向电压大于反向击穿电压后,反向电流会迅速增大。
二.选择题(2’×10)
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
(1)当晶体二极管的PN结导通后,则参加导电的是()。
A.少数载流子B.多数载流子C.既有少数载流子又有多数载流子
(2)在共发射极单管低频电压放大电路中,输出电压应视为()。
A.vo=icRcB.vo=-RcicC.vo=-IcRc
(3)用万用表欧姆挡测量小功率晶体二极管性能好坏时,应把欧姆挡拔到()。
A.R×100Ω或R×1000Ω挡B.R×1ΩC.R×10KΩ挡
(4)当晶体二极管工作在伏安特性曲线的正向特性区,而且所受正向电压大于其门槛电压时,则晶体二极管相当于()。
A.大电阻B.断开的开关C.接通的开关
(5)晶体三极管工作在饱和状态时,它的IC将()。
A.随IB增加而增加B.随IB增加而减小C.与IB无关,只决定于RC和VG
(6)共发射极放大器的输出电压和输入电压在相位上的关系是()。
A.同相位B.相位差90°C.相位差180°
(7)NPN型三极管放大电路中,当集电极电流增大时,则晶体三极管()。
A.基极电流不变;B.集电极对发射极电压VCE下降;C.集电极对发射极电压VCE上升
(8)当晶体三极管发射结反偏时,则晶体三极管的集电极电流将()。
A.增大B.反向C.中断
(9)在基本放大电路中,基极电阻RB的作用是()。
A.放大电流B.调节偏置电流IBQ
C.把放大了的电流转换成电压;D.防止输入信导被短路。
(10)三极管的两个PN结都反偏时,则三极管所处的状态是()。
三.填充题(2’×10)
(1)晶体三极管IE、IB、IC之间的关系式是__________________,△IC/△IB的比值叫____________________。
(2)PN结具有____________________性能,即:
加____________________电压时PN结导通;加_______________电压时PN结截止。
(3)当晶体二极管导通后,则硅二极管的正向压降为____
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