视听电子技能检定丙级学科.docx
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视听电子技能检定丙级学科
視聽電子技能檢定丙級學科
一、是非題:
1(O)製圖的圖面中虛線代表隱藏線。
2(X)右圖電路中Vc電壓最高為10V。
3(O)
左圖符號代表一運算放大器。
4(O)
左圖電路中V電壓為10V。
5(O)一色碼電阻之顏色為黃、紫、金、紅,則其電阻值為4.7Ω±2%。
6(O)製圖中三視圖是指前視圖,側視圖與俯視圖三者所組成。
7(X)
如左圖電路符號為熱阻器又叫熱敏電阻,是屬於負溫度電阻係數之元件。
8(X)下圖為雙電源電路,A點輸出負電壓,B點輸出等值之正電壓。
9(O)下圖為一串聯諧振電路,諧振時V?
之電壓為0。
10(X)下圖為一倒相放大電路。
11(O)電阻器表面的顏色由上至中央的條紋為棕、灰、橙、金,則其代表數值是18000歐姆,誤差值為±5%。
12(X)下圖為三倍壓整流電路,V?
之電壓接近於CD電壓之3倍峰壓。
13(O)下圖為一並聯諧振電路,諧振時,I=I。
14(O)下圖為一電壓電流轉換器,即輸出電流正比於輸入電壓。
15(O)下圖是一橋式整流電路,在整流輸出電壓中所含有之漣波頻率2倍於AC電源的頻率。
16(X)下圖為低通濾波器。
17(X)下圖為SCR(矽控整流器)符號。
18(X)下圖瓷質電容器容量值右方之J代表其工作電壓為25V。
19(O)電容器符號外加虛線方框是表示該電容器有金屬外殼隔離干擾。
20(O)下圖係π型低通濾波器。
21(X)若欲以直流電流表測量大電流時,應串聯一分流電阻來擴大其測試範圍。
22(O)以示波器測量電壓,其電壓值是峰對峰值(Vp-p)。
23(X)三用電表測量交流電壓時,指示其平均值,測量直流電壓時指示其有效值。
24(O)為求測試精確,伏特表之內阻越大越好。
25(X)以三用電表測電晶體之h值,應置於ACV檔。
26(O)一般示波器之"MAG×5"開關ON,此時內部電路之水平放大增益增加5倍。
27(O)以示波器作放大器特性測試,若放大器之輸入端加一方波,則可從輸出波形得知其高低頻響應是否良好。
28(O)電感電橋必須使用AC電源為信號源。
29(X)三用電表交流電壓測試檔對任何波形之信號均可準確量測。
30(X)三用電表之靈敏度(KΩ/V)之內阻越小愈好。
31(O)以三用電表歐姆檔測二極體時,其LV=0.7V,LI=10mA,此二極體為矽(Si)二極體。
32(X)三用電表的交流檔之靈敏度(KΩ/V)比直流檔之靈敏度(KΩ/V)為高。
33(X)RLC電橋之平衡指示器一般均採用電壓計。
34(O)三用電表測量AC電壓時,為防止因漣波作用而使指針擺振,可用一低值電容與表頭並聯。
35(O)同步示波器中,將垂直"MAG×5"開關開啟時,則內部電路垂直放大增益增加五倍。
36(X)VTVM之高壓測試棒串接一高阻值之電阻,是為了增加輸入阻抗。
37(O)以三用電表AC檔測得交流電之指示數值是一有效值。
38(O)以直流電流表頭測試交流電時,必須先經過整流(不含濾波)方可測量。
39(O)以日本製之三用電表測量二極體之LV與LI時,黑棒應接二極體之陽極(+),紅棒應接二極體之陰極(-)。
40(X)以三用電表測量電感,必須外加DC10V電源。
41(X)氯化亞鐵溶液腐蝕印刷電路板之銅箔時,溶液之溫度愈低愈好。
42(O)0dBm之定義是指負載阻抗為600Ω,於其上消耗1mw之能量定為0dBm。
43(O)電解電容器外殼所標示之"TV"值(例1000TV)係指測試電壓值。
44(O)一部頻率範圍為DC~10MHz之示波器,表示其垂直放大器之頻率響應在-3dB處為10MHz。
45(X)示波器上之"VERTPOSITION"控制開關,是用來改變螢光幕上光跡的左右位置。
46(X)三用電表測量交流電流時,所得之值為平均值。
47(X)三用電表測量交流電流值,是利用歐姆檔。
48(X)信號產生器之輸出頻率變化時,輸出振幅亦隨之變化。
49(O)示波器之靈敏度是指垂直放大電路之偏向靈敏度。
50(O)以示波器測量電路中交流或直流之電流時,可應用代換方法求得(電流量變換為一正比例的電壓量)。
51(X)雙跡式示波器(DualTrace)CRT中恆需為2個電子槍。
52(X)一般電橋於測試電阻時均使用交流電源。
53(O)掃描信號產生器能產生調頻等幅波,加入被測電路,再輸出至示波器,呈現響應曲線。
54(O)示波器可測量電路中交流或直流之電壓。
55(X)雙跡式示波器(DualTraceScope)有4組偏向板。
56(O)馬克士威爾電感電橋用於測量低Q值,其標準電容與電阻串聯。
57(X)測試聲頻放大電路失真度時,係以低頻信號輸入於低頻放大器,再將其輸出端經高通濾波器測出其失真度。
58(X)三用表之表頭基本上是一交流表頭。
59(X)三用表若不能歸零則D.C.V檔亦不可用。
60(O)以手摸示波器的探棒,則可測得感應之60Hz之波形。
61(X)低頻信號產生器是採用晶體振盪器。
62(X)電源供應器的輸出阻抗愈大愈好。
63(O)電視圖形產生器可產生點與格子之波形,以作電視機之集中調整。
64(X)一般示波器之聚焦作用大多為電阻聚焦。
65(X)VTVM可以測量電流電壓電阻值等。
66(O)三用表測量dB值時,開關應置於ACV檔範圍。
67(X)一般在使用直流電源供應器時,限流控制旋鈕應轉至最大處。
68(X)單光跡示波器有兩組獨立偏向系統與電子槍。
69(X)下圖為示波器上之李賽氏圖形,若水平輸入頻率為30KHz,則垂直頻率為10KHz。
70(O)低頻信號產生器之振盪電路大都採RC相移振盪電路。
71(X)高功率零件(例水泥電阻)應緊貼印刷電路板,以利散熱。
72(O)更換電視機之映像管,應先將高壓帽接地放電後,再拆除映像管。
73(X)斜口鉗除剪線外,尚可用來拔鐵釘。
74(X)使用於印刷電路板焊接工作的電鉻鐵,溫度愈高愈好。
75(X)一電解電容器47μF/25WV故障,可用47μF/16WV代替。
76(O)以三用電表歐姆檔測試電路中之電阻,應先將電路之電源關閉。
77(O)CMOSIC作業時,應配戴接地手環,以防靜電破壞。
78.(○)正常銲錫作業之步驟為先將被銲物加熱後再加錫。
79.(○)印刷電路板鑽孔時,應由銅箔面往零件面鑽。
80.(○)編號2SC1815之電晶體為NPN型。
81.(○)螺絲起子之刀口厚度要配合螺釘槽寬,以免損傷釘槽。
82.(╳)十字起子不論大小,其十字部份尖端斜度均相同,故同一把十字起子可用
於大螺絲釘,亦可用於小螺絲釘。
83.(╳)鉻鐵頭隨時保持清潔,如發生氧化時應用銼刀銼平。
84.(╳)檢修電視機或音響器材,如欲查知電路中之電阻是否開路,可直接用短路
線在電阻兩端短路即可得到答案。
85.(╳)如圖,銲接時,使用更多的銲錫較好。
86.(╳)如圖之銲接方法是正確的。
87.(○)電鉻鐵為防止本身漏電打穿銲接零件(特別是IC),在電鉻鐵之外殼加一接地
線即可防止。
88.(╳)鎚的正確握法是手盡量往鎚頭方向握,以節省鎚擊力量。
89.(╳)錫銲接時,為使銲錫充分熔化,鉻鐵之溫度愈高愈好。
90.(○)以銼刀銼物時,應加壓力前推,拉回時銼刀應離開物面。
91.(╳)銲錫是錫與鋁的合金。
92.(╳)為防止靜電破壞CMOSIC,工作者應手取IC之接腳,以利用身體作為與地
之間的導體。
93.(╳)一般所用之焊錫為錫鉛合金,錫含量愈高(大於63%)其熔融點愈低。
94.(╳)基板在腐蝕過程中,腐蝕液溫度愈低,速度愈快。
95.(╳)電烙鐵之導線有三線(一線接地線)其用途防止電波平擾。
96.(╳)腐蝕作業是將氯化亞鐵液置放於金屬容器中,然後將基板放於容器內使之
腐蝕。
97.(○)2W以上之電阻器,安裝於PC板時必須有一空隙,較容易散熱。
98.(╳)印刷電路板上安排可調元件時,應考慮盡量靠近板子的中間以利調整。
99.(○)裝卸印刷電路板或電子元件時,應先關閉電源。
100.(╳)檢修電路時,拔IC可用尖嘴鉗拔取較為方便。
101.(○)使用絕緣式電烙鐵之優點為防止漏電損壞元件。
102.(○)銲錫銲接兩接合金屬面,如兩面有0.1mm左右之間隙,其強度較牢。
103.(╳)在錫一鉛合金狀態圖中,熔點最低時,鉛的含量比例為50%。
104.(╳)以電鑽作印刷電路板鑽孔時,速度應減慢以免速度過快撕裂銅箔。
105.(○)銲錫之成分由錫(Sn)與鉛(Pb)組成,錫之成分約佔63%,其性質為溶點、
低、作業容易、銲點表面光亮。
106.(╳)電解電容器之兩端腳,較長一端為(-)極,另一端為(+)極。
107.(╳)我國一般家庭所使用之電源電壓為直流110V。
108.(╳)電壓串聯負回授可使放大器之輸出阻抗提高。
109.(╳)變壓器初級與次級圈兩端之阻抗與其圈數成正比。
110.(╳)電晶體的Ico,隨溫度每增加1℃,而增加一倍。
111.(╳)差動放大電路中CMRR值愈小愈好,表示其對共模信號之摒除能力愈強。
112.(○)一般JFET正常工作時,加於閘、源極之偏壓(Vgs)通常為逆向偏壓。
113.(╳)共射極電路中輸出與輸入信號同相。
114.(╳)共射極放大器,又稱為射極隨耦器。
115.(╳)共射極放大器的電壓增益,受溫度影響很小,射極與接地間不必外加電阻。
116.(╳)變容二極體(Varactor),應接逆向偏壓,逆向偏壓愈大,電容量愈大。
117.(○)橋式整流器由四個二極體組成。
118.(○)如負載電流不大時,橋式整流與半波整流經濾波電路後的輸出直流電壓,
約略相同。
119.(╳)把訊號的正半週部份剪除,只留下負半週出現在負載上的截波器稱為負壓截波器(negativeclipper)。
120.(╳)兩個放大器如其他特性都相同時,輸入阻抗低的要比輸入阻抗高的放大器來得理想。
121.(╳)參數hfe與β意義相同。
122.(○)電晶體放大器如前後級匹配良好時,訊號可以很有效率的放大。
123.(○)通常在音頻通訊方面,係以在600Ω的電阻性負載上消耗1mw的功率為參考位準,表0dBm。
124.(╳)微分電路是屬於低通濾波器。
125.(○)VHF之頻率範圍為30MHz∼300MHz。
126.(○)鉗位器(clamper)是在不改變訊號波形與大小的情況下加入直流成份,
使訊號的位準上昇或下降。
127.(╳)NPN電晶體的射極是接收由基極發射過來的電子。
128.(╳)電晶體射基極間應接逆向偏壓,集基極間應接順向偏壓。
129.(○)電晶體集極電流與射極電流的比值稱為α。
130.(○)電晶體集極電流與基極電流的比值稱為β。
131.(○)I代表基極處於斷路狀態時,集極與射極間的逆向洩漏電流。
132.(╳)電晶體特性曲線中有截止區、飽和區與動作區,如用在數位電路時,
均使用動作區。
133.(╳)電晶體之熱阻愈大,則接合面所能承受之功率亦愈大。
134.(╳)電晶體的基極偏壓法,因β非常安定,故比分壓偏壓法適用於一般
放大電路。
135.(╳)電子學裡通常以大寫字母代表交流,以小寫字母代表直流,例如I
代表交流Ve代表直流射極電壓。
136.(╳)電晶體參數代表該電晶體的電壓增益。
137.(╳)交連電容器的功用是將交流信號接地。
138.(○)中和電容器的功用是防止電路中產生寄生振盪。
139.(○)放大器訊號源的阻抗,一般來說以愈小愈佳。
140.(○)射極隨耦器(emitterfollower)又稱為共集極放大器。
141.(╳)交流電路中電容器兩端電壓Vc較流過電容器之電流Ic相位領前90°
142.(╳)功率增益大的放大器稱為功率放大器,一般用在微弱信號的前置級。
143.(○)射極隨耦器(emitterollower)具有高輸入阻抗,低輸出阻抗的特性。
144.(○)射極隨耦器(emitterfollower)的功率增益大於1。
145.(╳)如圖所示的達靈頓電路,其總電流增益為β=β+β。
146.(○)在低頻的訊號下,零件與零件間,或零件與接地間,其分佈電容量
可以忽略。
147.(○)在絕對零度(-273℃)以下,矽晶內不會有移動的電子。
148.(╳)在常溫中鍺晶體的自由電子比矽晶體多,所以半導體材料都以鍺晶體
居多。
149.(╳)電洞的移動速度比電子為快。
150.(○)同時有電洞與電子在流通的半導體稱為雙極性(bipolar)元件。
151.(○)將二極體、電晶體、電阻等零件設計在一起,成為完整的電子電路,
稱為積體電路(IC)
152.(╳)二極體的符號,其箭頭所指的方向,表示電子流的流動方向。
153.(○)電晶體特性曲線,習慣上以電壓為橫軸,以電流為縱軸。
154.(○)矽二極體的順向偏壓,一般須超過0.5∼0.7V以上電流才會急劇上升。
155.(○)二極體電路中,常有電阻串聯以保護二極體,該電阻稱為限流電阻。
156.(○)射極隨耦器(emitterfollower)的電壓增益略小於1。
157.(╳)所示
之電晶體放大器稱為直流放大器。
158.(╳)所示為一高通濾波器。
159.(╳)PN二極體接面附近所形成接觸電勢(CONTACTPOTENTIAL)的極性是靠
P端為正靠N端為負
160.(╳)電晶體在工作區工作時基射極間施以反向偏壓,基集極間施以正向偏
壓。
161.(○)所謂RC交連即前級負載為電阻,而用電容把前級信號耦合至下一級
者,此交連電容使電晶體間對直流電壓形成開路,而交流電壓形成短
路。
162.(○)在電感器加入一交流電壓,其感應電壓和所加入電壓之頻率及大小有
關。
163.(╳)在電晶體射極加旁路電容的原因是為了降低電壓增益。
164.(╳)放大器之輸出阻抗將因負回授而必然增加。
165.(○)當電子自傳導帶落到共價帶時,其能量以輻射的方式出現,此種P-N
二極體稱為發光二極體。
166.(○)所謂純中性導體係由等量之正電荷與負電荷構成。
167.(○)電阻電容耦合放大器中會降低低頻增益的是交連電容。
168.(○)射極隨耦器常被用作阻抗匹配,共射極放大器常被用作電壓放大。
169.(○)一般而言,具有較高功率效率的是C類放大器。
170.(○)差動放大器是所有電壓放大電路中功能最多的一種。
171.(○)此為R-S正反器的狀態表。
172.(╳)左右兩圖之電路功能不同(正邏輯)。
173.(○)負回授電路的轉換增益(如電壓增益)比未經回授作用時減小。
174.(○)於小信號分析中考慮交流信號時,電容器被視為短路,電感器被視為
開路,直流電源被視為短路。
175.(○)變壓器交連阻抗匹配容易,且具有較高功率為其優點。
176.(○)電晶體的極際電容,不會影響放大器低頻響應。
177.(○)溫度變化時,穩定度最佳的偏壓方法是基極分壓,射極自偏壓。
178.(╳)共射極電晶體放大器之頻率響應與射極旁路電容無關。
179.(╳)半導體中之導電率係隨溫度之升高而減少。
180.(○)稽納二極體(Zener)在正常工作狀況下是反向偏壓。
181.(○)若回授信號取出點是與輸出並聯(與負載並聯)則為電壓取樣,非為電流
取樣。
182.(╳)鍺二極體作為檢波器較矽二極體好,係因頻率反應佳。
183.(○)左圖中之電阻R�為射極穩定電阻。
184.(○)功率放大器一般不採用A類放大器因其效率較低。
185.(○)用作高頻率放大器的主動元件通常要求極與極間的分佈電容越小越好。
251.(╳)在A.B.C三大類放大電路中,以A類之效率最高。
252.(○)共射極放大電路中,放大倍數與負載電阻成正比。
253.(○)在C.B、C.E及C.C三種放大電路中,以C.B放大電路的雜音最小。
254.(○)採用達靈頓放大電路,可提高輸入阻抗,降低輸出阻抗。
255.(╳)根據數學上的分析,一個方波的低頻成份存在於上昇與下降的兩個邊
緣,而高頻成份則
186.(○)在高頻率電路中用傳送信號應注意阻抗匹配的問題以提高傳輸信號的
效率。
187.(╳)用於高頻率信號的交連電容器導線要儘量與地線平行。
188.(╳)電晶體使用於FM接收機之射頻放大電路,為了改善S/N比通常使用集
極接地方式放大。
189.(○)流經電感器上電流不會突然改變。
190.(○)在一串聯諧振電路中,電感器上之電壓與電容器上之電壓大小相等,
方向相反。
191.(╳)在一電流負回授電路中,其輸出阻抗與輸入阻抗都比未加負回授之電
路為小。
192.(○)採用負回授電路,可降低雜音減少失真度並增強穩定度。
193.(○)要使電路振盪的必要條件為採用正回授,並使回授量與增益的乘積大
於1,而總相位移為360°。
194.(╳)最穩定之高頻振盪電路為RC移相振盪電路。
195.(○)在高頻振盪電路中採用電感回授的,稱之為哈特萊振盪電路。
196.(╳)電晶體射基極間之偏壓會隨著溫度的升高而增加。
197.(○)電晶體接面所能承受的最大功率消耗會隨著溫度的升高而減小。
198.(○)電晶體的直流工作點一般均會受電晶體的電流放大率β的影響。
199.(○)雜音是一種振幅調變波,它可能影響電波振幅。
200.(╳)立體身歷聲的效果是屬於二度空間聲音。
201.(╳)NFB(負回授)音質控制回路作用時,回授量大的頻率增益較高。
202.(╳)OCL電路採用差動放大器來補償零點漂移是因:
利用兩個參數特性不同
之電晶體,當溫度變化時兩電晶體集極電流變化不同而互相補償。
203.(○)一放大器的輸入電壓是20mV,輸出電壓是2V,則該放大器的放大倍
數是+40db。
204.(╳)放大器之輸入阻抗與負載相等,若電流增益為100倍,則功率增益為
100db。
205.(╳)不考慮互感值M,兩只電感器並聯其總電感量將增加。
206.(╳)差動放大器之電路組態亦可應用為功率放大。
207.(╳)陷波器通常採用並聯諧振電路。
208.(╳)物質中之電子帶正電,中子不帶電。
209.(○)光敏電阻受光後其阻值相對減少。
210.(╳)P型半導體與一導體結合即可形成半導體作用稱為二極體。
211.(╳)PN二極體具交流整流特性,使用於直流電路時其等效電路為一開路狀
態。
212.(╳)C1,C2兩只電容器串聯後其總電容量將增加為C1+C2。
213.(╳)多諧振盪器振盪產生之波形為正弦波。
214.(○)可變電容二極體當逆向電壓越高時其極間電容越小。
215.(╳)稽納二極體(ZenerDiode)具有負電阻性之特性。
216.(╳)負回授電路除可增加電路穩定度外尚可提高放大倍數。
217.(╳)B類推挽放大器做功率放大器時其最高效率為50%。
218.(╳)電晶體電路B極,C極間所加之電容器可提高電路之高頻響應。
219.(○)電晶體電路飽和時其Vce值約為0.2V。
220.(○)下圖電路中的二極體D是用來做溫度補償的。
221.(╳)電流放大器採用電流串聯負回授時,輸入與輸出阻抗皆降低。
222.(╳)RC交連的交連電容對於頻率而言,會影響中頻頻率的增益。
223.(╳)佛來銘右手定則中,中指所指的方向表示電子流方向。
224.(○)具電流放大,而不具電壓放大的電晶體基本組態為共集極。
225.(╳)因為空乏型MOSFET,其構造於源極及洩極間擴散了一條通道,故需
加順向偏壓。
226.(╳)共射極放大器中,若無溫度補償電路,則集極電流將隨溫度之增高而
減小。
227.(╳)當溫度升高時,一般金屬導體電阻增加,故半導體(如矽等)在溫度上
升時,其電阻也上升。
228.(╳)CE組態之電晶體放大器,加入射極電阻而不加旁路電容器則降低輸出
阻抗。
229.(○)半功率點是指電壓增益衰減為中頻段增益的
倍。
230.(╳)若是-CE放大電路,其射極接地電阻上沒接旁路電容時,該放大器是
具有正回授的作用。
231.(○)OTL互補對稱推挽式B類偏壓功率放大器的效率最高約為80%。
232.(╳)一般說來,抹音磁頭的間隙要比錄音磁頭的間隙小得多。
233.(╳)一放大器之頻率響應曲線,在截止頻率處之電壓增益為其最大電壓增
益的百分之五十。
234.(○)負回授可分為並聯注入及串聯注入兩大類,又依其輸出回授方式,可
細分為電壓回授與電流回授。
235.(╳)射極隨耦器的主要作用是提高輸出阻抗,以便與次級的輸入阻抗匹配。
236.(╳)調幅(AM)的意思是載波的波幅隨調制信號的頻率而變化。
237.(╳)"db"為計算一放大電路之增益或衰減之比較值,其計算公式為10logE
238.(○)因電晶體之特性,AGC分順向與逆向二種,當設法使A.G.C.之電流增加
而降低增益時此種方法稱為順向AGC。
239.(○)哈特萊(Hartley)振盪器為L分割型回授,考畢子(Colpitts)振盪器為C分割
型回授。
240.(○)在功率放大級之偏壓部份常加有熱敏電阻,是為了防止因Ico增加所引
起之熱跑脫(ThermaRunaway)現象。
241.(○)加大電源濾波電容之容量,可減低交流聲(Hum)。
242.(○)設計一個積分器,如選用-10μS方波輸入信號,則RC時間常數要大
於50μS。
243.(╳)變壓器交連,其高頻段受分佈電容,輸入電容及雜散電容之影響使增
益上升,於低頻時,受線圈阻抗影響,增益隨著頻率而增加。
244.(╳)在電晶體各組態中,電壓增益與電流增益乘積最高的是共基極。
245.(╳)電晶體B類推挽放大器,輸入信號大時,無顯著失真,輸入信號小
時,失真增加,其原因為無信號時之靜態集極電壓太低。
246.(╳)一電路中之基極與射極受逆向偏壓,基極與集極受順向偏壓,則可成
為放大之裝置。
247.(○)熱偶型儀表是利用電流之電磁效應與熱效應製成,其指針之偏轉與熱
電勢平方成正比。
248.(╳)電晶體共基極方式中,可使輸入信號和輸出信號反相180°。
249.(╳)矽電晶體的洩漏電流較鍺電晶體為大。
250.(╳)採用B類推挽式放大,可消除奇次諧波而使失真度降低。
256.(╳)截止頻率係指功率衰減至0.707倍時的頻率。
257.(○)
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