高效率宽频正弦电磁场发生器的研究毕业设计.docx
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高效率宽频正弦电磁场发生器的研究毕业设计
高效率宽频正弦电磁场发生器的研究毕业设计
中文摘要Ⅰ
ABSTRACTⅡ
1绪论1
1.1高效率宽频正弦电磁场发生器用途1
1.2国内发展水平1
1.3研究意义2
2正弦电磁场发生器基本工作原理3
2.1种类3
2.1.1RC正弦波振荡电路3
2.1.2LC正弦波振荡电路4
2.1.3石英晶体正弦波振荡电路7
2.2信号发生器新技术8
3高效率宽频正弦电磁场发生器设计任务、设计方案12
3.1方案选择12
3.2原理方框图14
3.3系统设计14
3.3.1信号源14
3.3.2功率放大器18
3.3.3串联谐振电路21
3.3.4控制开关23
4仿真研究25
4.1仿真软件25
4.2仿真结果25
4.2.1半桥串联谐振电路及仿真25
4.2.2全桥串联谐振电路及仿真31
4.3仿真结论37
5结论38
5.1实验说明38
5.1.1MOSFET38
5.1.24个频点38
5.1.3死区38
5.2总结39
参考文献40
1绪论
1.1高效率宽频正弦电磁场发生器用途
随着现代电子技术的发展,正弦电磁场在军事、医学、通讯、雷达、宇航、电视广播、遥控遥测、电子测量、地质勘察等领域得到了广泛的应用。
雷达侦测、研制新型相控雷达、军事通信、电磁炮等新型武器研制和开发;细胞增殖与分化、促进细胞愈合、抗癌、超声波以及防治骨质疏松;钻孔在线检测、示波器、抗电磁干扰。
正弦信号源在线性系统测试中应用十分广泛,例如,电子放大器增益的测量、相位差的测量、非线性失真的测量、以及系统频域特性的测量等等,都需要正弦信号源。
具有频率稳定度很高的正弦信号源还可以作为标准频率源来与其它各种频率源进行对比。
载波频率可调的已调波(包括调幅的或调频的、脉冲调制的)信号源,对于接受设备的调试、维修则是不可缺少的。
现代大量应用的电力设备和发电机、变压器等都与电磁感应作用有紧密联系。
由于这个作用,时变场中的大块导体内将产生涡流及集肤效应。
电工中感应加热、表面淬火、电磁屏蔽等,都是正弦电磁场的直接应用。
各类信号源虽然都能输出正弦波,但是由于频率不同,其结构原理是不同的。
通常,低频和视频正弦信号源产生正弦信号,而高频和超高频信号源,除了有纯正弦波(载波)输出外,还有调制波形的输出,习惯上成为信号发生器。
1.2国内外发展水平
光触发晶闸管的主体结构与一般电触发晶闸管没有什么区别。
其门极区对光敏感,在光缆传送过来的光信号作用下产生载流子注入,导致晶闸管被触发,从阻断状态转人导通状态。
以上是传统概念的光触发晶闸管。
几年前,Eupec公司研制出有自保护功能的光触发晶闸管,方法是在制作晶闸管的同一硅片上,集成一个转折二极管(BOD),并将该BOD的转折电压设计得低于晶闸管的正向转折电压,从而实现BOD对晶闸管遭遇到过电压时的保护作用。
公司开发的带BOD保护二极管的LTT,几年前已成功应用于西门子公司在北美承建的一个电力系统。
GTO是上个世纪60年代初问世的,在此后的三四十年内得到了很大的发展,至今仍是重要的电力半导体器件。
为了改善关断特性,器件均采用多个子器件并联的方式,即在同一硅片上,制作成千上万个细小的子器件,他们有共同的门极电极,
而阴极则是相互分开独立的采用适当的封装结构,将这些子器件并联在一起,器件外观和大功率普通晶闸管完全一样。
传统GTO器件存在固有的缺陷。
特别是在关断过程中,各子器件关断不均匀,很可能造成关断过程拖尾时间长,电流甚至集中在某些子器件上,这种电流局部集中现象—电流丝化现象,将导致局部热点的产生,严重时会使器件被烧毁。
绝缘栅双极晶体管(IGBT)是电力半导体与微电子精细工艺相结合的产物。
IGBT器件一经问世,即得到飞速发展。
它除了具有MOS器件输入阻抗高、控制功率小的优点以外,更重要的是它同时具备双极器件通态压降低的特点,从而受到电力电子工程师的青睐。
1988年第一代IGBT进入市场,5年后第三代IGBT问世。
上世界90年代后期,1200A,2000V以下的IGBT已实现工业规模生产,并开发出4500—5000V的高压IGBT,与此同时,外形与普通高压大电流晶闸管类似的1000A,2500V平板型IGBT也研制成功。
反向开关4层2端晶闸管(RSD),它是前苏联科学家在上世界80年代中期研制成功的。
RSD由同意硅片上成千上万个晶闸管和晶体管交替排列组合而成,每一单元的特征尺寸小于N型长基区的宽度。
RSD基本工作原理是,晶闸管和晶体管共用的集电结阻断外电压,当此电压极性反转时。
晶体管及相邻的晶闸管的n基区内形成等离子体。
由于交替分布的晶体管、晶闸管的尺寸比n基区的宽度还小,上述等离子体相互交叉重叠,从而在n基区内形成非常均匀的等离子区。
当控制电流脉冲结束且外电压极性复员以后,外电场将把基区内的载流子归荡出去。
接下来便引发两边发射极的少子注入,导致器件在整个面积上均匀地通过,能产生数量级达
A的脉冲开关电流。
国内已研制出
达4000—4800V和2000—3000V的RSD。
对于ф40mm的RSD,峰值电流可达
A,而di/dt可高达
A/μs。
1.3研究意义
由于正弦电磁场在各个领域的重要作用,目前,对正弦电磁场的研究日益引起国内外学术界和产业部门的极大重视。
我国也在正弦电磁场领域的研究取得了一定的成就。
由于我国的电力电子科学研究开始得比较晚,很多技术和国外还有一定的差距,主要是在各种电子器件及芯片上的制造工艺较落后。
各种仪器在性能上不如国外。
随着人们对电磁波的应用越来越深入,对电磁波的要求也越来越高,如频率越来越高,功率越来越大,波形还要尽量不变形。
本课题研究的意义在于利用DDS合成技术(AD9852芯片),设计一种高效率宽频正弦电磁场发生器,使得产生的正弦电磁场在质量上得到保证并且效率高,功耗小。
2正弦电磁场发生器基本工作原理
2.1种类
正弦波产生电路的目的就是使电路产生一定频率和幅度的正弦波,我们一般是在放大电路中引入正反馈,并创造条件,使其产生稳定可靠的振荡。
正弦波产生电路的基本结构是:
引入正反馈的反馈网络和放大电路。
其中:
接入正反馈是产生振荡的首要条件,它又被称为相位条件;产生振荡必须满足幅度条件;要保证输出波形为单一频率的正弦波,必须具有选频特性;同时它还应具有稳幅特性。
因此,正弦波产生电路一般包括:
放大电路;反馈网络;选频网络;稳幅电路四个部分我们在分析正弦振荡电路时,先要判断电路是否振荡。
方法是:
是否满足相位条件,即电路是否是正反馈,只有满足相位条件才可能产生振荡;
放大电路的结构是否合理,有无放大能力,静态工作是否合适;
是否满足幅度条件,检验
,若:
则不可能振荡;
振荡,但输出波形明显失真;
产生振荡。
振荡稳定后
。
此种情况起振容易,振荡稳定,输出波形的失真小。
按选频网络的元件类型,把正弦振荡电路分为:
RC正弦波振荡电路;LC正弦波振荡电路;石英晶体正弦波振荡电路。
2.1.1RC正弦波振荡电路
常见的RC正弦波振荡电路是RC串并联式正弦波振串并联网络在此作为选频和反馈网络。
它的电路图如图2-1所示:
它的起振条件为:
。
它的振荡频率为:
它主要用于低频振荡。
要想产生更高频率的正弦信号,一般采用LC正弦波振荡电路。
它的振荡频率为:
石英振荡器的特点是其振荡频率特别稳定,它常用于振荡频率高度稳定的的场合。
2.1.2LC正弦波振荡电路
LC正弦波振荡电路与RC桥式正弦波振荡电路的组成原则在本质上是相同的,只是选频网络采用LC电路。
在LC振荡电路中,当f=f0时,放大电路的放大倍数数值最大,而其余频率的信号均被衰减到零;引入正反馈后,使反馈电压作为放大电路的输入电压,以维持输出电压,从而形成正弦波振荡。
由于LC正弦波振荡电路的振荡频率较高,所以放大电路多采用分立元件电路。
LC正弦波振荡电路中的选频网络采用LC并联网络,如图所示。
图2-2为理想电路,无损耗,谐振频率为
在信号频率较低时,电容的容抗(
)很大,网络呈感性;在信号频率较高时,电感的感抗(
)很大,网络呈容性;只有当f=f0时,网络才呈纯阻性,且阻抗最大。
这时电路产生电流谐振,电容的电场能转换成磁场能,而电感的磁场能又转换成电场能,两种能量相互转换。
实际的LC并联网络总是有损耗的,各种损耗等效成电阻R,如图2-3所示。
电路的导纳为:
回路的品质因数上式表明,选频网络的损耗愈小,谐振频率相同时,电容容量愈小,电感数值愈大,品质
因数愈大,将使得选频特性愈好。
当f=f0时,电抗当网络的输入电流为I0时,电容和电感的电流约为QIo。
根据式
可得适用于频率从零到无穷大时LC并联网络电抗的表达式Z=1/Y,其频率特性如图2-4所示。
Q值愈大,曲线愈陡,选频特性愈好。
若以LC并联网络作为共射放大电路的集电极负载,如图2-5所示,则电路的电压放大倍数
根据LC并联网络的频率特性,当f=f0时,电压放大倍数的数值最大,且无附加相移(原因)。
对于其余频率的信号,电压放大倍数不但
数值减小,而且有附加相移。
电路具有选频特性,故称之为选频放大电路。
若在电路中引入正反馈,并能用反馈电压取代输入电压,则电路就成为正弦波振荡电路。
根据引入反馈的方式不同,LC正弦波振荡电路分为变压器反馈式、电感反馈式和电容反馈式三种电路。
变压器反馈式振荡电路(图2-6)
引入正反馈最简单的方法是采用变压器反馈方式,用反馈电压取代输入电压,得到变压器反馈式振荡电路。
变压器反馈式振荡电路中放大电路的输入电阻是放大电路负载的一部分,一般情况下,只要合理选择变压器原、副边线圈的匝数比以及其它电路参数,电路很容易满足幅值条件。
变压器反馈式振荡电路易于产生振荡,输出电压的波形失真不大,应用范围广泛。
但是由于输出电压与反馈电压靠磁路耦合,因而耦合不紧密,损耗较大。
并且振荡频率的稳定性不高。
电感反馈式振荡电路(图2-7)
为了克服变压器反馈式振荡电路中变压器原边线圈和副边线圈耦合不紧密的缺点,可将变压器反馈式振荡电路的N1和N2合并为一个线圈,为了加强谐振效果,将电容C跨接在整个线圈两端,便得到电感反馈式振荡电路。
电感反馈式振荡电路中N2与N1之间耦合紧密,振幅大,易起振;当C采用可变电容时,可以获得调节范围较宽的振荡频率,最高振荡频率可达几十MHz。
由于反馈电压取自电感,对高频信号具有较大的电抗,反馈信号中含有较多的高次谐波分量,输出电压波形不好
电容反馈式震荡器(图2-8)
为了获得较好的输出电压波形,若将电感反馈式振荡电路中的电容换成电感,电感换成电容,并在转换后将两个电容的公共端接地,且增加集电极电阻Rc,就可得到电容反馈式振荡电路,示。
因为两个电容的三个端分别接在晶体管的三个极,故也称为电容三点式电路。
电容反馈式振荡电路的输出电压波形好,但若用改变电容的方法来调节振荡频率,则会影响电路的反馈系数和起振条件;而若用改变电感的方法来调节振荡频率,则比较困难;常用在固定振荡频率的场合。
2.1.3石英晶体正弦波振荡电路
图2-9是经过简化的电路图并表明了石英晶体振荡器的基本组成元件。
石英晶体振荡器中的放大器由至少一个驱动设备,偏压电阻并且可能包含其他用来限制带宽,阻抗匹配和增益控制的元件组成。
反馈网络由石英晶体谐振器,和其他元件比如用来协调的可变电容等组成。
晶体振荡器特点:
在振荡频率上,闭合回路的相移为2nπ。
当开始加电时,电路中唯一的信号是噪声;满足振荡相位条件的频率噪声分量以增大的幅度在回路中传输,增大的速率由附加分量,即小信号,回路益增和晶体网络的带宽决定;幅度继续增大,直到放大器增益因有源器件(自限幅)的非线性而减小或者由于某一自动电平控制而被减小;在稳定状态下,闭合回路的增益为1。
2.2信号发生器新技术
一个正弦信号源的频率准确度是由主振级振荡器的频率稳定度来保证的,所以频率稳定度是一个信号源的重要工作特性。
一般,振荡器的频率稳定度(实际上是频率不稳定度)应比所要求的准确度高1-2个数量级。
一个频率连续可调的正弦信号源,其输出频率准确度还将受到频率读出装置所产生的刻度误差的限制,其中齿轮传动装置的位差是引起刻度误差的主要原因。
经过了一个很长的发展阶段,频率连续可调的正弦信号源的频率准确度,从三十年代只能达到
量级开始,直到现在已可达到优于
-
量级,甚至粳稻的水平。
但是,采用普通谐振法(例如LC振荡器)若要获得这样高的准确度,无论是在电路上或是在工艺上都是困难的。
所以,一般由频率可变的LC或RC振荡器作为主振级的信号源,由于其频率稳定度只能做到
量级左右,故输出频率准确度的提高将受到限制。
利用频率合成技术,即由一个基准频率(一般用高稳定的石英振荡器产生)通过基本代数运算(加、减、乘、除)产生一系列所需的频率,其稳定度可达到基准频率相同的量级。
这样,可把信号源的频率稳定度提高2-3个量级。
目前,在信号源中广泛采用锁相环技术来完成频率合成。
为了保证精确地读出输出频率,必须装备有高质量的精密机械齿轮驱动装置和胶带频率刻度盘。
而且,为了获得所需的准确度,每台信号发生器的胶带频率刻度盘必须个别地进行定标,这就导致仪器的机构复杂和价格昂贵。
近来,由于大规模集成技术的发展,制造出了体积小、重量轻、耗电小(仅几十毫瓦)的集成电路计数器,这就有可能用频率计数器替代机械驱动的频率刻度,使连续可调信号源的输出频率准确度达到一个新的水平。
频率稳定度和频率准确度有关系但并不相同。
如果以信号源具有良好的频率稳定度,但准确度不高,这就是说其频率可保持恒定,但有频率误差。
这种信号源的频率准确度可用更为准确的仪表如技术区对它进行监视,通过适当调整来补偿。
另一方面,频率稳定度不佳的信号源,不论用多少时间调整都不能达到良好的频率准确度。
这种信号源只有瞬间停留在正确的频率,很快就会漂移。
在现代通信、雷达和电子测量技术的应用中,频率合成技术的研究日趋成熟。
传统的直接模拟合成方法被逐渐淘汰,单靠锁相环(PLL)来实现又常常达不到现代通信设备的要求,而直接数字合成法则是较常见的方法,应用也最广。
频率合成技术起源于二十世纪30年代,至今已有七十多年的历史。
频率合成方法大致可分为直接合成法和间接合成法。
早期的频率合成方法是直接频率合成(directfrequencysynthesis)。
直接频率合成是利用混频、倍频、分频的方法由参考源频率经加、减、乘、除运算直接组合出所需要的频率的频率合成方法。
它的优点是频率捷变速度快,相位噪声低,但直接式频率合成器杂散多,体积大,结构复杂,成本及功耗也大,故该方案已基本被淘汰。
在直接频率合成之后出现了间接频率合成(IndirectFrequencySynthesis),间接频率合成包括模拟间接频率合成(注入锁相、模拟环路锁相、取样锁相),锁相环频率合成,数字锁相频率合成。
这种方法主要是将相位反馈理论和锁相技术运用于频率合成领域,它的主要代表是锁相环PLL(Phase-LockedLoop)频率合成被称为第二代频率合成技术。
现在最常用的结构是数模混合的锁相环,即数字鉴相器、分频器、模拟环路滤波和压控振荡器的组成方式。
当环路锁定后,可变分频器的输出频率,fn=fr(fr是参考分频器频率),而fn=f0/N(f0是输出频率),所以f0=Nfr,由此可看出,通过频率选择开关改变分频比N,VCO的输出频率将控制在不同的频道上,因此要想得到多的频率且频率间隔小,只有减小fr,增大N。
它的优点是因为fr小,即鉴相频率低,锁定时的频率变化小,所以具有良好的窄带跟踪滤波特性和抑制干扰能力,大量节省了滤波器。
但是缺点是正因为fr小,输出频率范围小,要扩大输出频率范围,必须增大fr和N,频率间隔就会变大,频率转换速度慢,频率分辨率低。
现在锁相环频率合成器仍以其相位噪声低、杂散抑制好、输出频率高、价格便宜等优点在频率合成领域占有重要地位。
目前已有许多性能优良的单片PLL频率合成器面世,典型的有Motorola公司的MC145191,Qualcomm公司的Q3236,
NationalSemiconductor的LMX2325,LMX2326,LMX2330。
这极大地推动了PLL频率合成方式的应用。
基于DDS信号发生器有如下优点:
频率分辨率高,输出频点多,可达N个频点(N为相位累加器位数);
频率切换速度快,可达μs量级;
频率切换时相位连续;
可以输出宽带正交信号;
输出相位噪声低,对参考频率源的相位噪声有改善作用;
可以产生任意波形;
全数字化便于集成,体积小,重量轻。
DDS的核心部件是相位累加器,它由N位加法器与N位相位寄存器构成,类似一个简单的计数器。
每来一个时钟脉冲,相位寄存器的输出就增加一个步长的相位增量值,加法器将频率控制数据与累加寄存器输出的累加相位数据相加,把相加结果送至累加寄存器的数据输入端。
相位累加器进入线性相位累加,累加至满量程时产生一次计数溢出,这个溢出频率即为DDS的输出频率。
正弦查询表是一种可编程只读存储器(PROM),存储的是以相位为地址的一个周期正弦信号的采样编码值和包含一个周期正弦波的数字幅度信息,每个地址对应于正弦波中0~360°范围中的一个相位点。
将相位寄存器的输出与相位控制字相加,得到的数据,作为一个地址对正弦查询表进行寻址,查询表把输入的地址相位信息映射成正弦波幅度信号,驱动DAC,输出模拟信号。
低通滤波器滤除不需要的取样分量,以便输出频谱纯净的正弦波信号。
随着电子工程领域的实际需要以及数字集成电路和微电子技术的发展,DDS技术日益显露出它的优越性。
对于计数容量为2
的相位累加器和具有M个相位取样点的正弦波波形存储器,若频率控制字为K,输出信号频率
为参考时钟频率为
,则DDS系统输出信号的频率为
=
由奈奎斯特采样定理可知,DDS输出的最大频率为
=
则可得频率控制字K=
。
当外部参考时钟频率为50MHz,输出频率需要为1MHz时,系统时钟经过6倍频,使得变为300MHz,这样就可利用以上公式计算出DDS的需要设定的频率控制字K=1*2
/300。
直接数字合成法的研究通常表现在提高频率分辨率、缩短频率转换时间和提高输出频率的相对带宽以及改善频率合成的效率等一些重要参数中,利用现代EDA技术,这些技术已不是问题,而且可以将这些优点集成在一块芯片上,不断改进外围电路,性能就更加稳定可靠了。
直接数字频率合成(DDS)可以把信号发生器的频率稳定度、准确度提高到与基准频率相同的水平,并且可以在很宽的频率范围内进行精细的频率调节。
采用这种方法设计的信号源可工作于调制状态:
不但能输出各种波形,而且可对输出电平进行调节。
克服了与DDS和PLL技术有关的所有问题,能够设定精确的输出频率,提高了频率分辨率(可达到1µHZ),具有更高的频率稳定度;相位噪声低,变频相位连续;可实现理想的正交输出,系统参数和输出频率不随时间改变;同时可以方便地实现与计算机的控制接口,通过软件和硬件对系统进行各种补偿。
因此,它是当前应用最广泛的性能较好的信号源。
与传统的频率合成器相比,正是由于DDS具有分辨率高,转换速度快、相位噪声小的优点,在频率改变与调频时,DDS器件能够保持相位的连续,很容易实现频率,相位和幅度调制。
并且可以利用DDS技术实现通信的载波信号源,在一些需要高频分辨率、设置转换度的应用场合,尤其是雷达及通信系统中的跳频信号源中,其具有其它频率合成方法无法比拟的优势,是一种很有发展前途的技术。
小结:
本节介绍了正弦电磁场发生器的基本原理,以及对RC、LC、石英晶体正弦波振荡器和信号源发生器新技术的简单介绍。
3高效率宽频正弦电磁场发生器设计任务、设计方案
3.1方案选择
设计一种高效率宽频正弦电磁场发生器,正弦波发生器是设计的核心部分:
方案一:
采用集成函数发生器产生的波形。
利用函数发生器如图3-1,产生频率可变的正弦波、方波、三角波。
此方案实现电路复杂,难于调试,实现波形难度大,且要保证技术指标困难,故采用此方案不理想。
方案二:
采用传统的直接频率法直接合成。
利用混频器、倍频器、分频器和带通滤波器完成对频率的算术运算。
但采用了大量的倍频、分频、混频和滤波环节,导致直接频率合成器的结构复杂,体积庞大,成本高,而且容易产生过多的杂散分量难于达到较高的频谱纯度。
方案三:
采用间接合成法(PLL)。
间接合成法亦称锁相合成法,它是通过锁相环来完成频率的加、减、乘、除运算的。
在锁相式频率合成器中,利用锁相环把压控振荡器(VCO)的输出频率锁定在基准频率上,同样可以利用一个基准频率通过不同的锁相环合成所需的频率。
锁相环是指由鉴相器(PD)、环路滤波器(LPF)和压控振荡器(VCO)组成的闭合环路。
鉴相器用来比较两个输入信号的相位,其输出电压正比利于两个输入信号的相位差,叫“误差电压”。
压控振荡器的振荡频率可用电压控制,一般都利用变容二极管作为回路电容。
这样,改变容变管的反向偏压,其结电容将改变,从而使振荡频率随反向偏压而变故名“压控”振荡器。
环路滤波器实际上是一个低通滤波器,用来滤掉鉴相器输出的高频成分和噪声,以达到稳定环路工作和改善环路性能的目的。
在锁相合成法中,锁相环的输入频率fi=fr。
锁相环开路工作时,VCO的固有输出信号频率fo(即开环时的VCO自由振荡频率)总是不等于基准信号频率fr,即存在固有频率差△f=fo-fr,则两个信号ui和uo之间的相位差将随时间而变化。
鉴相器将这个相位差变化鉴出,即输出与之相应的电压,后者通过环路滤波器加到VCO上。
VCO受误差电压控制,其输出频率朝着减小fo与fr之间固有频差的方向变化,即fo向fr靠拢,这叫“频率牵引”现象。
在一定条件下,环路通过频率牵引,fo越来越接近fr,直到fo=fr,环路进入“锁定”状态。
环路从失锁状态进入锁定状态的过程,被称为锁相环的捕捉过程。
锁相环处于锁定状态的一个基本特征是输入信号ui和VCO输出信号uo之间只存在一个稳定相位差,而不存在频率差。
锁相合成法正是利用锁相环这一特征,把VCO的输出频率稳定在基准频率上。
由此可见,所需的输出频率fo虽然间接取自VCO,但是,只要环路处于锁定状态,就有fo=fr,这样VCO的输出频率稳定度就可提高奥基准频率同一量级,这就是锁相合成法的基本原理。
早期的锁相式频率合成采用模拟锁相环,进而在环路中加入了数字可控分频器,但其本质还是属于模拟环,它与后来出现的全数字锁相环有本质差别。
目前,带有模拟锁相环的频率合成技术无论在理论上或是在制作上都已达到成熟阶段,而且实现了集成化,在设计上也已广泛地使用计算机辅助设计。
由于锁相式频率合成具有极宽的频率范围和十分良好的寄生信号抑制特性,从而输出频谱纯度很高(寄生输出可优于-140dB),而且输出频率易于用微机控制。
锁相技术在频率合成器中的应用至今仍占主导地位。
70年代初开始出现的直接数字频率合成(DDFS),标志着频率合成技术进入到又一阶段,DDFS主要特点是采用计算技术和微计算机参与频率合成,DDFS的优点是极易实现频率和相位控制,且切换时间快,尤其适用于合成任意波形。
锁相环的几种基本形式:
脉冲控制环
数字环
混频环
采用锁相环间接合成(PLL)虽然具有工作批频率高、宽带、频谱质量好的优点,但由于锁相环本身是一个惰性环节,锁定时间长。
另外由模拟方法合成的正弦波的参数(如幅度频率和相位等)都很难控制,而且要实现1KHz~10KHz
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