年产10万片铝碳化硅产业化项目可行性研究报告.docx
- 文档编号:25893800
- 上传时间:2023-06-16
- 格式:DOCX
- 页数:55
- 大小:289.51KB
年产10万片铝碳化硅产业化项目可行性研究报告.docx
《年产10万片铝碳化硅产业化项目可行性研究报告.docx》由会员分享,可在线阅读,更多相关《年产10万片铝碳化硅产业化项目可行性研究报告.docx(55页珍藏版)》请在冰豆网上搜索。
年产10万片铝碳化硅产业化项目可行性研究报告
年产10万片铝碳化硅产业化项目
可行性研究报告
***公司
***年***月
第一章总论
1.1项目名称
铝碳化硅产业化项目
1.2承建单位
***有限公司
法定代表人:
***
注册资金:
***万元
公司地址:
***
1.3可行性研究的依据
(1)《碳化硅产品技术条件国家标准》、《普通磨料球磨韧性测定方法》;
(2)《投资项目可行性研究指南》(试用版),投资项目可行性研究指导编写组,中国电力出版社,(2002年3月);
(3)国家发改委、建设部发布《经济评价方法及参数》(三版);
(4)国家发改委、建设部《建设项目经济评价细则》;
(5)国家财政部关于《企业会计准则》(92)财工字574号文《工业企业财务制度》和(92)财会字67号文《工业企业财务制度》;
(6)GB50500-2008《建设工程工程量清单计价规范》;2014年《***省建筑工程计价定额》和相关计费规定;
(7)2016《中华人民共和国增值税暂行条例》;2015中华人民共和国营业税暂行条例实施细则
(8)《中华人民共和国企业所得税法实施条例》
(9)委托方提供的规划详本;
(10)委托方项目现场勘察及市场调查收集的有关资料;
(11)委托方提供的其他有关资料。
1.4项目拟建地址及建设条件
项目拟建地址:
***经济技术开发区
该区域交通条件便利,是***市重点建设的城市新区,电力、供暖、给排水管网、道路、绿化亮化、通讯、网络等市政设施已经建成,可满足本项目的建设安装和生产需要。
1.5建设内容
本项目的主要建设内容包括生产区和非生产区两部分。
生产区主要包括渗透生产线总车间、拆模生产线总车间、仓库等;非生产区的建设主要包括办公用房及职工餐厅、宿舍等生活用房。
主要建设内容见下表。
主要建设内容汇总表
序号
建设内容
建筑类型
单位
建筑面积
长宽高
1
铸造车间
钢结构
m2
5200
-
2
加工车间
钢结构
m2
1200
-
3
仓库
钢结构
m2
1000
-
4
办公大楼
砖混
m2
1500
——
5
职工宿舍
砖混
m2
900
——
6
职工食堂
砖混
m2
300
——
7
传达室及大门
砖混
m2
30
——
8
配电室
砖混
m2
35
——
9
道路及停车场
-----
m2
600
——
10
绿化工程
------
m2
800
——
建设用地指标:
建设项目占地约20亩,其中代征。
容积率:
78%
建筑密度:
82%
企业内部行政办公及生活服务设施用地率:
6.7%
绿地率:
6.0%
1.6建设目标与期限
根据***公司的企业发展规划和目标,在考虑市场发展前景的基础上,确定本项目拟建设一个铝碳化硅年生产能力达到10万片的新能源科技公司。
按照《***省建筑安装工程工期定额》的规定和类似项目经验,结合本项目实际情况,拟定项目的总工期为10个月。
1.7土地资源利用
根据项目开发建设的实际情况,按***省(2007年版)《***省人民政府关于促进土地节约集约利用保证全省建设项目用地的意见》单位用地指标规定:
本项目属于废弃资源和废旧材料回收加工业容积率≥0.6,建筑密度率≥35%,企业内部行政办公及生活服务设施用地比例≤7%,绿地率≤13%。
投资强度每公顷≥1500万元。
本项目建筑密度82%、容积率78%、投资强度为3500万元/公顷;行政办公及生活服务设施用地面积占工业项目总用地面积的6.7%,绿地率:
6.0%,符合国家和地方合理利用土地的规定。
1.8项目生产规模及内容
本项目根据企业发展总体规划,结合市场前景,拟投资5000万元,。
本项目配套设备有:
投产期第一年预计收入可达到2400万元;第二年预计收入可达到6000万元;该规模在国内属中型规模,在实际生产中,还可根据市场需求调整产品方案,增加产品种类,扩大生产规模,以求得更好的经济效益。
1.9项目总投资与资金筹措
总投资:
项目总投资为5000万元人民币。
建设投资4700万元人民币,流动资金300万元人民币。
资金筹措:
自筹。
1.10项目收入估算
项目收入估算:
铝碳化硅产业化项目,以年计算,年均收入
计5673万元,年均税金及附加800万元。
1.11主要技术经济指标
序号
项目
单位
数额
1
总投资
万元
5000
1.1
建设投资
万元
4700
1.2
流动资金投资
万元
300
2
年均销售收入
万元
5673
3
年均销售税金及附加
万元
23.4
4
年均总成本费用
万元
2541
5
年均利润总额
万元
3108.6
6
年均所得税
万元
777.15
7
年均税后利润
万元
2331.45
8
总投资收益率
%
62
9
年平均利润率
%
3
10
投资回收期(含建设期)
1.6
10.1
投资回收期(动态)
年
2.1
10.2
投资回收期(静态)
年
1.6
1.11可行性研究的主要结论
(1)本项目的建设符合***经济技术开发区的产业发展目标和总体规划。
(2)项目总体规划方案设计合理,职责分工明确,组织有序。
(3)本项目总投资为5000万元,其中,形成固定资产4700万元,铺底流动资金300万元。
从项目的经济效益分析表明,全部投资达到设计生产能力后,年均销售收入为5673万元,投资利润率58.6%,项目经济效益评价良好。
项目投资回收期符合财务评价的要求,同时该项目受益期长,投资风险较小,具有较好的社会效益、经济效益和生态效益,是保证社会经济全面协调和可持续发展的好项目。
(4)项目存在的风险影响因素较少,影响程度较低。
1.12合理化建议
(1)在改扩建和设备安装过程中加强项目管理,严格控制工期、质量和成本,以保证项目的按期完工,尽早发挥效益。
(2)做好市场分析和研究,保证原料供应和产品销售;控制原料购入成本和生产过程中三大期间费用,严格控制总成本。
(3)建立完善的职工专业技能教育和安全培训,对员工进行定期培训,提高从业人员的业务素质。
第二章项目分析
2.1项目提出的概述
近几年,随着微电子产业的迅速发展,我国形成了微电子产业IC设计业、IC制造业、IC封装业和封装材料业四业并举、蓬勃发展的良好局面。
其中在制造和封装方面的发展最为迅猛,电子封装测试所占的比重越来越大,其中电子封装材料作为产业链的基础性地位越来越明显。
为适应我国IC封装和芯片制造快速发展的市场需求,摆脱主要配套材料、高档配套材料主要依赖进口的局面,我国以优先推动微电子封装的快速发展为目标,瞄准前沿,突出重点,通过国家863计划、高新技术产业化工程等项目支持了一批具有自主知识产权和国际竞争力的微电子配套材料的研制和制造工艺技术,初步建立起我国微电子配套材料行业的研发和生产体系,形成了自己的技术优势领域,为提高我国微电子产业的自主创新能力,振兴微电子工业奠定了良好的基础。
随着混合集成电路技术的飞速发展,大功率器件的广泛应用以及器件更高性能的要求,对封装材料提出了更新、更高的要求,许多目前使用的单一封装材料已经很难满足更高性能的封装要求。
目前,没有一种单一材料能同时具备低CTE(热膨胀系数)、高导热性、价格低廉、加工工艺简单的优点,难以满足当今航空航天、舰船和雷达等对大功率、小体积、轻量的便携式电子模块的需求。
因此,电子封装材料将向复合化方向发展,研究发展电子器件封装用的高导热、低热膨胀金属基复合材料是国际上金属基复合材料研究发展的最新动态之一。
金属基复合材料兼具金属与非金属的综合性能,材料的强韧性、耐磨性、耐热性、导电导热性及耐候性能适应广泛的工程要求,且比强度、比模量及耐热性超过基体金属,对航空航天等尖端领域的发展有重要作用。
该材料具有比强度和比模量高、耐磨性、阻尼性及导热性好、热膨胀系数小等优异性能,可广泛用于电子信息、航空、航天、汽车、电子信息和高速机械等军工和民用领域,其中以电子器件用金属基复合材料应用性能要求高,用量大,将成为金属基复合材料最主要的发展方向之一。
而在金属基复合材料中以铝碳化硅(AlSiC)金属基体复合物封装材料综合性能最为突出,性价比最为优越。
铝碳化硅(AlSiC)电子封装材料是将金属的高导热性与陶瓷的低热膨胀性相结合,能满足多功能特性及设计的要求,是具有高导热、低膨胀、高刚度、低密度、低成本等综合优异性能的电子封装材料。
在国际上,铝碳化硅属于微电子封装材料的第三代产品,是当今西方国家芯片封装的最新型材料。
由于该材料具有重要的军工价值和巨大的民用市场,目前铝碳化硅(AlSiC)的制造工艺始终作为机密被国外厂商封锁,市场被国外几个主要厂商所垄断。
针对这一现状和需求,在国家自然科学基金资助的科研成果的理论基础上,由***新材料有限公司和高校联合开发,属技术转移项目。
2013年开始,由***公司进行了大量的市场调研和材料搜集,并与高校联合制定了可行的研发方案和市场开发方案后,组成专门的研发队伍着手研制。
经过多年的研究和试验,自行研发了我国独创的铝碳化硅(AlSiC)先进制造工艺技术,产品在性能和指标方面达到了国际先进水平,有些指标甚至优于国外同类产品,填补了我国在该领域的空白。
2.2投资环境分析
随着电子系统的小型化和高性能化,封装已变得和芯片一样重要。
封装成本在半导体销售中占的比例也越来越大,微电子封装材料在全球每年有上千亿美元的市场容量。
因此电子封装受到空前的重视,在美国、日本等国家,电子封装都是作为一个单独的行业来发展,而对于新加坡、台湾等亚洲国家和地区,更是把电子封装及组装技术作为他们的工业支柱,处于绝对优先的发展地位,属于该材料应用领域的的功率电子、光电子和微波器件的市场将随之扩大。
为了说明铝碳化硅(AlSiC)微电子封装材料的市场需求情况,需要从微电子封装的材料做进一步的说明。
目前的封装材料经历了三代,第一代是以塑料、金属、陶瓷等为主的简单封装,主要的用途是将器件封装在一起,起到包封、支撑、固定、绝缘等作用,这代封装材料目前主要用于电子产品的封装。
随着封装对象的改变,芯片性能的提高,产生了第二代封装材料,以可伐(Kovar)合金、钨铜合金产品为代表。
可伐是铁镍钴合金,其热导率为17W/mK,热膨胀系数为5.9*10-6/K,在当前芯片大量集成的时期,由于其热导率太低,热量散发不出去,很容易使芯片过热产生热失效,俗称“闷死”。
可伐合金在目前我国的封装市场上仍占有最大的市场。
据不完全统计,每年封装使用的可伐产品不低于三至五亿元人民币。
钨铜合金的热导率为180W/mK,热膨胀系数为6.5*10-6/K,对于封装来讲是一种理想的材料,但其缺点是原材料成本高,只能做成平板状的产品,且比重大,对于航天、航空、军工国防及以便携、袖珍为主要趋势的当代封装业来讲,有先天的劣势。
钨铜合金产品在国内的应用从九十年代中期开始,目前每年有一至三亿元人民币的市场,并且大量出口到国外。
第三代封装材料即是以铝碳化硅为代表的产品。
铝碳化硅在美、英、德、意等国九十年代末期研发成功,目前已大量应用到微电子封装领域,我国从九十年代中期与国外同步开始,最近几年开始启动市场,已初见成效。
从CPS(美国陶瓷系统公司)作为当今世界ALSiC应用领域的主要生产商的数据来看,近几年保持了持续盈利和增长的势头。
2007年收入1250万美元,2008年收入达到2100万美元,收入主要来自于AlSiC业务,从1993年至今致力于在金属复合材料方面的研究并开展业务。
该公司第一位客户是摩托罗拉,1996年摩托罗拉应用于蜂窝基站功率放大器基板。
到2007年该公司已为70位客户提供产品。
其中前5名客户:
艾克尔(全球第二大封测厂)、IBM、英飞凌、Motorola和德州仪器公司贡献了68%的收入。
其余65名客户贡献了32%的收入。
CPS目前的制造能力是每周装运大约60,000片(units),拥有ISO9001:
2000认证,具备公认的顾客保证。
因此,从该公司的盈利状况来看,ALSiC在国际市场上具有巨大的市场需求和市场空间。
***公司在将铝碳化硅(AlSiC)微电子封装材料推向市场以来,得到了国际国内大量的应用者的热烈响应。
国内客户包括了中国电子科技集团第13研究所、第55研究所、第14研究所、第43研究所、航天时代集团第771研究所、北京卫星厂、国防工业749厂、798厂、海外客户有美国alpha公司、日本福冈信友株式会社、台湾健策电子公司、菲律宾某电子公司等。
从市场的销售情况看,以中国电子科技集团第13研究所的一种产品为例,即H型23*10*1.5(单位为mm)的封装基板,订货量为每年十万片,每片售价为18元,一个单种产品的销售量为180万元。
而单一种H型的封装基板,第13研究所和第14研究所的需要量加起来为十多种,每种从几万到几十万要量不等,这还只是微波封装一个领域。
在航天工业上,铝碳化硅封装材料由于各项性能突出,受到普遍青睐,单就其一种产品来讲,例如封装外壳上的过渡片(用来承接跳线),过去是以钼片来做的,比重较大,铝碳化硅是首选材料,其3*5*0.5单片需求量为每年六万左右,每片售价为5元,年销售量为30万元,同类型的产品共有十多种,年销售量为500-1200万元,这还只是最小的一种需求。
如果以封装外壳来计算,每年只航天时代集团第771研究所的外壳需求量为4500万元左右,且不说其它卫星、导弹、神舟工程等单位的综合需求。
目前,我国在金属基复合材料的应用已经开始起步。
由于***公司复合材料制备工艺过关(已申请和获得多项相关发明专利),技术指标已经达到国际先进水平,近几年先后设计和开发了高尺寸稳定性复合材料产品和高导热易加工电子封装复合材料制品,在金属基复合材料和高导热易加工电子封装复合材料制品,在金属基复合材料实际应用方面取得了突破性的进展。
其中高尺寸稳定性复合材料的主要工程指标在惯性仪表中可以替代价格昂贵且有毒的铍材,已经得到了航天工业总公司13所、16所、812所的加工试制,这种复合材料的应用成功必将完成高精度仪表材料的一次换代。
从军用电子封装产品来看:
以大型相控阵雷达为例,实现相控阵的关键在于其有源电扫阵列天线,而T/R模块是相控阵天线最关键的部分。
一部相控阵雷达中约有5000-10000个左右T/R模块,每个T/R模块中有4个热沉,每部相控阵雷达上需要的热沉约为2000-40000只,目前,所有的热沉材料为W-Cu合金,由于军用产品的质量要求高,特别是在军用装备小型化的要求之下,急需要减轻重量,因此急需替代产品。
国内不能满足性能要求,因此这种材料主要依赖进口,由于铝碳化硅(ALSiC)在各方面的性能均已满足上述的要求,且密度仅为W-Cu合金的1/5,一部小型相控阵雷达(5000个T/R模块)中由于替代W-Cu基片可减重1/8(约1.2吨),因增强环境适应性和装备的可靠性,为提高战斗力带来不可估量的军事意义。
目前,***公司与国内军工企业的合作还在启动阶段,由于军品供货须经过测试和工艺测试,批号审批等,产品从试用到进入稳定供货的周期很长。
目前已经接触并经过测试的有:
771所,43所,14所,29所,804所,其中14所需要微波基座就有30000多件。
由于目前很少有已经成规模的同类企业与***公司竞争,能够抓准机遇,迅速占领市场,将会使公司在几年时间内成为同行业的龙头企业。
军用物资有"技术冻结"的特点,一旦确定供应,用户始终不变。
这一机遇必须抓住。
因此需要尽快进行先期投入,快启动、快落实、快拿出样品。
民用封装的应用前景相对军工来说更为广泛,以大功率LED为例,铝碳化硅(ALSiC)用于大功率LED封装材料,主要是用在芯片封装的基板材料,每个LED芯片都需要一个封装基板,一个大功率LED光源是由若干个LED芯片组成的,因此从数量上来说需求量很大。
以每个LED芯片封装基板目前的市场价格在20元左右计算,欧司朗(Osram)公司一次的需求量就是150万个,其产值达到3000万,国外的市场需求主要有美国流明、美国CREE、德国欧司朗、韩国汉半等。
国内从事大功率LED生产的厂家需求量巨大,市场需求量难以估计,其市场需求量随着国内外大公司在大功率LED产品上的广泛应用而逐渐增加。
目前,民用领域在IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor绝缘栅双极型晶体管)模块方面市场需求巨大,IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件,其输入极为MOSFET,输出极为PNP晶体管,它融和了这两种器件的优点,既具有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的优点,又具有双极型器件饱和压降低而容量大的优点,其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间,可正常工作于几十kHz频率范围内,在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用,在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位。
在IGBT应用方面,与***公司接触和合作的有ABB,西门子,Microsemi,俄罗斯Elvpr公司,国内的嘉兴斯达、南京银茂、比亚迪、中国中车等,IGBT的竞争造使该材料的使用大幅度增加,性能会大幅度提高,供不应求。
与IGBT相关的行业,如电动汽车/混合动力车生产厂商必须采用铝碳化硅材料,才能满足IGBT对封装的性能要求。
目前最大的客户是ABB和西门子,目标是建设10条生产线主导IGBT的需求及价格。
IGBT的需求05年是100万件,这几年的需求会在300-500万件之间。
另外,俄罗斯每年也有上千万的市场需求。
国内的其他应用还有如华为公司目前将该材料用于无线通信基站的基板,原来采用钨铜材料,现在以及未来将采用铝碳化硅作为基板材料,后期市场需求量十分巨大。
2.3行业的发展现状及存在的问题
铝碳化硅目前有四种制备工艺,分别是:
挤压浸渗工艺方式、压力浸渗工艺方式(包括高压和低压两种方式)、无压浸渗工艺方式。
1983年,日本丰田公司发明了挤压浸渗工艺,用于制备短纤维增强铝基复合材料及其汽车发动机活塞。
国内哈尔滨工业大学也采用采用该技术制备碳化硅颗粒增强铝基复合材料等。
该方式的缺点是铝碳化硅坯料易开裂,产品只能做简单形状,生产设备和模具价格昂贵,该技术生产出来的产品不适合做微电子封装材料,目前国内外尚未采用该技术做规模化生产。
1986年,美国麻省理工学院(MIT)发明了气压浸渗工艺,用于制备碳化硅增强铝基复合材料。
CPS(美国陶瓷系统公司)作为当今世界ALSiC应用领域的主要生产商,侧重于目前采用该制备方式制造金属基复合材料。
该公司组建于1984年,CPS是从M.I.T.分拆出来的。
由于该工艺是在高压下进行的,对产品模具强度要求相当高,制造设备和模具很昂贵,因此生产成本较高。
1989年,美国Lanxide公司发明了无压浸渗工艺,用于制备金属陶瓷类复合材料。
目前美国TTC公司也在采用该方式制备铝碳化硅。
TTC公司的PRIMEX™无压金属渗透工艺,是将多孔SiC预制件放入熔融的铝液中,在毛细管力作用下,铝液会沿颗粒间隙流动自动填充多孔预制件。
该工艺的缺点是只能使用一种高镁含量合金,由于采用无压方式,产品的致密度低、均匀性差,因此产品综合性能不高,气密性差,产品随时间使用的稳定性不够。
***公司发明了原创性的负气压浸渗技术,用于制备碳化硅增强铝基复合材料,所用压力只有MIT的十分之一。
由于解决了界面润湿问题,铝碳化硅材料中铝基连续,致密度高。
对模具要求不高,生产成本低,产品性价比好,适合于大规模生产。
对于以上四种浸渗技术,国内高等院校及研究所也相继进行了基础研究和应用研究,目前大都处于实验室研制阶段,尚未进入产业化阶段。
2.4项目的SWOT分析
2.4.1优势分析
本项目的关键技术采用真空浸渗和定向凝固技术制备铝碳化硅(ALSiC),该工艺具有工艺先进、操作简便、成本较低、适合于规模化生产的特点,其基本原理是:
是对多孔SiC抽真空及预热后,用一定压力将将铝合金液渗入多孔SiC,凝固后形成AlSiC复合材料。
本项目在研制过程中的关键技术点在于:
(1)解决了高体积分数、多尺寸SiC颗粒坯料的工业化生产方法;
其工艺解决了大颗粒SiC凝胶成型的技术难题,在模具、化学配比
上成为国际上独树一帜的技术,并申请了国家发明专利;
(2)独特的真空浸渗技术使复合材料的致密度更高,保证了高的
热导率,良好的气密性以及比刚度;
(3)产品形成系列化,使铝碳化硅材料的热膨胀系数可调,与客
户的要求相匹配;
(4)开发了70%体积分数的系列产品,使膨胀系数更接近于微电
子级的要求,比美国CPS公司更具先进性;
(5)在保证以上材料特性的基础上,设计最优的制备工艺和规模
化生产的生产工艺流程,生产成本低。
图4-1AlSiC的显微组织
铝碳化硅(见图4-1)属于金属基复合材料(MMC),其具有很好的热膨胀系数的匹配,热导率更高,材料的密度更小,气密性好以及比刚度更大这些优势,这主要是充分结合了陶瓷材料和金属材料的各自的优点。
碳化硅颗粒和金属铝的热膨胀系数分别为4.5×10-6/K和23×10-6/K,因此随着铝基体中碳化硅颗粒含量的增加,AlSiC的热膨胀系数将不断下降。
图4-2为AlSiC的热膨胀系数与碳化硅颗粒体积分数之间的关系,实验值介于Kerner模型和Turner模型的预测值之间。
其中Kerner模型由式
(1)计算,Turner模型用式
(2)计算。
图4-2AlSiC的热膨胀系数与碳化硅颗粒体积分数之间的关系
(1)
式
(1)中表示热膨胀系数;V为体积分数;K和G分别为体模量和剪切模量;下标p和m分别表示碳化硅颗粒和铝基体.
(2)
由图4-2可知:
要获得热膨胀系数低至6.5×10-6/K的AlSiC材料,碳化硅颗粒的体积分数必须高达75%,这是单一尺寸颗粒难以达到的,必须采用双尺寸颗粒。
大批量生产选用廉价的碳化硅颗粒,其导热率低于金属铝的导热率。
对于给定的碳化硅颗粒体积分数(相应的热膨胀系数也基本确定),提高AlSiC导热率的关键是降低界面热阻。
图4-3为AlSiC的导热率与碳化硅颗粒体积分数之间的关系,AlSiC的导热率大体可以用HasselmanandJohnson模型预测,该模型由式(3)计算。
图4-3AlSiC的导热率与碳化硅颗粒体积分数之间的关系
(3)
式(3)中是导热率;V为颗粒的体积分数;下标p和m分别表示颗粒和基体;r为颗粒的半径;hi是界面热导。
图中hi值为1.46×108W/m2K。
针对两个关键性能:
热膨胀系数和导热率,依据上述模型和实验结果设计出AlSiC材料的显微组织后,进一步确定其余性能,包括电阻率、抗弯强度、弹性模量和密度。
导电性好的金属铝与导电性差的碳化硅颗粒复合后,获得的AlSiC材料的电阻率与可伐合金相当,其抗弯强度则介于金属与陶瓷之间。
由于弹性模量和密度是非组织敏感量,因此可以用混合法则预测。
2.4.2劣势分析
加工产能有限,亟待扩大生产规模。
2.4.3机会分析
传统的封装解决方案存在明显缺点:
(1)铝、铜与半导体材料硅、砷化镓和陶瓷基片等材料的热膨胀系数相差过大,容易产生热应力,导致疲劳失效。
据报道,当两种接触材料的热膨胀,系数差异达到12ppm/K时,仅100次热循环就会出现热疲劳失效;
(2)可伐的热膨胀系数与硅、砷化镓、陶瓷的接近,但其导热性能太差,容易引起元器件的温升,芯片工作温度的升高会以幂级数的速度减低芯片的寿命;
(3)钨、钼及钨/铜、钨
- 配套讲稿:
如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制:
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词:
- 年产 10 万片铝 碳化硅 产业化 项目 可行性研究 报告