宽禁带半导体行业Cree分析报告.docx
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宽禁带半导体行业Cree分析报告
2019年宽禁带半导体行业Cree分析报告
一、Cree:
LED起家的宽禁带半导体巨头2
1、独特的SiC衬底LED2
2、Wolfspeed:
SiC器件的引领者4
二、收购英飞凌RF部门:
完美的互补6
三、5G与电动汽车:
Cree成长的两大驱动力8
本文以典型企业Cree为研究对象,梳理其在SiC和GaN产业的布局。
Cree以SiC为特色,拥有SiC功率器件及GaNRF射频器件生产能力,在宽禁带半导体产业占据非常重要的地位,控制了全球约65%的SiC晶圆供应,实力强大。
通过收购英飞凌RF部门与SiC产能持续扩张,Cree为5G时代的到来和电动汽车普及带来的庞大需求做好了准备。
把眼光放回国内,三安光电的布局基本对标Cree,从LED芯片到LED应用,从SiC晶圆到GaN代工,三安光电的布局前瞻且科学,有望在宽禁带领域延续其在LED产业的竞争力。
一、Cree:
LED起家的宽禁带半导体巨头
1、独特的SiC衬底LED
Cree于1987年7月在北卡罗来纳州达勒姆成立,得益于创始人在大学的研究经验,公司自创立之处便确定了朝SiC材料发展的道路。
1989年,Cree公司推出了世界上第一款蓝色LED,可以用来开发大型全彩色屏幕和广告牌,当然,这款LED是在SiC上生产的。
凭借独特的SiC衬底路线,公司LED以优异的大功率表现享誉业内。
Cree的XLamp系列产品经久不衰,持续推出引领行业的产品。
目前Cree与LED相关的产品包括LED芯片、器件与LED照明产品。
2017年CreeLED产品(芯片与器件)实现营收5.5亿美元,毛利率为27%,公司的目标是到2022年,LED产品营收达到7.93亿美元,毛利率提升到31%。
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