报告安排.docx
- 文档编号:25682030
- 上传时间:2023-06-11
- 格式:DOCX
- 页数:19
- 大小:25.67KB
报告安排.docx
《报告安排.docx》由会员分享,可在线阅读,更多相关《报告安排.docx(19页珍藏版)》请在冰豆网上搜索。
报告安排
第十六届全国半导体物理学术会议学术报告安排
本次会议由兰州大学、中国物理学会半导体物理专业委员会、中国科学院半导体研究所联合主办。
会议将就我国半导体物理的最新研究进展和发展趋势进行深入、广泛的学术交流,并邀请著名专家学者作专题报告,欢迎全校师生参加!
第十六届全国半导体物理会议学术报告总安排
时间
事项
地点
9月8日
(星期六)
8:
30-8:
45
开幕式等
逸夫科学馆报告厅
9:
00-12:
00
各分会场报告(见附件)
逸夫科学馆
13:
30-17:
45
各分会场报告(见附件)
逸夫科学馆
21:
00-21:
30
物理学会半导体物理
专业委员会会议
萃英大酒店805会议室
9月9日
(星期日)
8:
30-12:
00
各分会场报告(见附件)
逸夫科学馆
14:
00-16:
30
各分会场报告(见附件)
逸夫科学馆
16:
30-17:
00
闭幕式
逸夫科学馆报告厅
*详见各分会场日程
A会场
会议主题:
半导体自旋电子学
地点:
逸夫科学馆报告厅
日期:
9月8日
时间
报告人
报告内容
9:
00-9:
45
郑厚植(半导体研究所)
高密度自旋极化电子气的物理性质
9:
45-10:
30
褚君浩(上海技术物理所)
10:
30-10:
45
休息
10:
45-11:
30
吴明卫(中国科学技术大学)
SpinDynamicsinSemiconductorNanostructures
11:
30-12:
00
张荣(南京大学)
宽禁带半导体自旋电子材料研究
12:
00-13:
30
午餐
13:
30-14:
00
张凤鸣(南京大学)
Hole-mediatedFerromagnetisminPolycrystallineSi1-xMnx:
BThinFilms
14:
00-14:
30
沈波(北京大学)
GaN基异质结构中二维电子气的输运和自旋性质
14:
30-15:
00
许小红(山西师范大学)
磁控溅射制备具有室温磁性的Co掺杂ZnO稀磁半导体薄膜
15:
00-15:
15
休息
15:
15-15:
45
颜世申(山东大学)
宽禁带氧化物磁性半导体的制备、微结构、磁性和输运研究
15:
45-16:
15
常凯(半导体研究所)
NonlinearRashbamodel:
SpinrelaxationandspinHallcurrent
16:
15-16:
45
姬扬(半导体研究所)
二维电子气系统中电子自旋动力学的实验研究
16:
45-17:
15
赵建华(半导体研究所)
Cr掺杂III-V族稀磁半导体薄膜和自组织量子点的分子束外延生长
17:
15-17:
45
葛世慧(兰州大学)
过渡金属掺杂的氧化物半导体的室温铁磁性
以上为特邀报告
日期:
9月9日
时间
报告人
报告内容
8:
30-8:
55
徐兰君(上海技术物理所)
二维电子气集体激发模的软化和Rashba自旋轨道耦合*
8:
55-9:
20
甘华东(半导体研究所)
极低密度电流驱动的(Ga,Mn)As的四度磁化开关*
9:
20-9:
45
杨学林(北京大学)
MOCVD法生长(Ga,Mn)N材料的磁学和电子结构特性*
9:
45-10:
10
刘朝星(清华大学)
二维空穴气中电流诱导的自旋极化*
10:
10-10:
25
休息
10:
25-10:
50
赖天树(中山大学)
GaAs中电子自旋相干动力学的能量演化研究*
10:
50-11:
05
赖天树(中山大学)
室温下GaMnAs的电子自旋偏振弛豫动力学研究
11:
05-11:
20
邓加军(中科大)
(Ga,Mn)As平面内磁各向异性研究
11:
20-11:
35
刘计红(河北师范大学)
自旋轨道耦合对正常金属/半导体/超导体隧道结中的散粒噪声的影响
11:
35-11:
50
董衍坤(河北师范大学)
自旋轨道耦合对Aharonov-Bohm测量仪中自旋相关输运的影响
12:
00-14:
00
午餐
14:
00-14:
25
安兴涛(河北师范大学)
铁磁/半导体/铁磁异质结中自旋相关输运性质*
14:
25-14:
50
王靖(清华大学)
自旋流的法拉第旋转测量*
14:
50-15:
05
王玮竹(半导体研究所)
Mn掺杂GaAs薄膜的磁性质及微观结构调控
15:
05-15:
20
石瑞英(四川大学)
稀磁半导体GaMnN材料的红外反射光谱研究
15:
20-15:
35
休息
15:
35-16:
00
陶志阔(南京大学)
MOCVD方法在GaN上生长FexN薄膜及其性能研究*
16:
00-16:
15
甘华东(半导体研究所)
(Ga,Cr)As外延薄膜的铁磁性来源
16:
15-16:
30
甘华东(半导体研究所)
(Ga,Mn)As外延薄膜MCD随磁场变化的特异振荡现象
*邀请报告
B会场
会议主题:
宽、窄禁带半导体
地点:
逸夫科学馆201
日期:
9月8日
时间
报告人
报告内容
9:
00-9:
25
陈弟虎(中山大学)
离子束合成表层、埋层-SiC薄膜制备及性质研究*
9:
25-9:
50
刘斌(南京大学)
P型AlxGa1-xN薄膜光电学性质研究*
9:
50-10:
05
李青民(西安理工大学)
HWCVD法在6H-SiC上异质外延3C-SiC
10:
05-10:
20
李连碧(西安理工大学)
SiC衬底上SiCGe外延薄膜的岛状生长机理
10:
20-10:
35
休息
10:
35-10:
50
邓金祥(北京工业大学)
三步法制备立方氮化硼薄膜
10:
50-11:
05
邓金祥(北京工业大学)
氮气含量对沉积BN薄膜的影响
11:
05-11:
20
郭辉(西安电子科技大学)
利用SiC:
Ge形成SiC欧姆接触中间层
11:
20-11:
35
曹全君(西安电子科技大学)
4H-SiCMESFET新型大信号模型在ADS中的自定义实现
11:
35-11:
50
王悦湖(西安电子科技大学)
4H-SiC同质外延膜的研究
12:
00-13:
30
午餐
13:
30-13:
55
桑立雯(北京大学)
GaN/AlGaN超晶格过渡层对生长在GaN模板层上的AlGaN位错密度的影响*
13:
55-14:
20
张志国(十三所)
AlGaN/GaNHFET电流崩塌效应的研究*
14:
20-14:
35
尹甲运(专用集成电路国家重点实验室)
AlN初始形核对Si(111)衬底GaN材料的影响
14:
35-14:
50
方浩(北京大学)
选区生长GaN基LED的研究
14:
50-15:
05
哈斯花(内蒙古大学)
应变闪锌矿(001)取向GaN/AlGaN量子阱中受屏蔽激子的压力效应
15:
05-15:
20
休息
15:
20-15:
35
韩奎(北京大学)
AlxGa1-xN/GaN异质结构中二维电子气输运性质由扩散区域向弹道区域的转变
15:
35-15:
50
黄森(北京大学)
Au/Ni/GaN肖特基二极管的高温电流输运机制研究
15:
50-16:
05
景微娜(河北工业大学)
衬底处理对GaN外延层中应力的影响
16:
05-16:
20
鲁麟(北京大学)
高阻GaN外延薄膜中缺陷形貌的透射电镜研究
16:
20-16:
35
陈国强(南京大学)
不同钝化介质层对AlGaN/GaN异质结构高温性质的影响
16:
35-16:
50
毛明华(厦门大学)
GaN基发光二极管的电极优化
16:
50-17:
05
廖辉(北京大学)
三元系和四元系GaN基量子阱结构的显微结构研究
17:
05-17:
20
周劲(北京大学)
AlGaN/GaN弱耦合多量子阱共振隧穿
17:
20-17:
35
李香萍(吉林大学)
MOCVD法制备ZnO薄膜的正交试验设计
*邀请报告
日期:
9月9日
时间
报告人
报告内容
8:
30-8:
55
唐宁(北京大学)
光照对AlxGa1-xN/GaN异质结构中二维电子气输运性质的影响*
8:
55-9:
20
王超(西安电子科大)
钒掺杂半绝缘6H-SiC单晶生长及特性研究*
9:
20-9:
45
周绪荣(北京大学)
蓝宝石衬底上GaN/AlxGa1-xN超晶格插入层对AlxGa1-xN外延薄膜应变及缺陷密度的影响*
9:
45-10:
00
刘启佳(南京大学)
生长温度对AlGaInN的MOCVD生长的影响
10:
00-10:
15
休息
10:
15-10:
30
张志国(砷化镓国防科技重点实验室)
8GHz输出功率功率密度为11.7W/mm的凹栅AlGaN/GaNHFET的研究
10:
30-10:
45
张志国(砷化镓国防科技重点实验室)
8GHZ输出功率为34W凹栅AlGaN/GaNHEMT的研究
10:
45-11:
00
梁栋(专用集成电路实验室)
高铝组份AlGaN材料晶体质量和表面形貌研究
11:
00-11:
15
李佳(西安理工大学)
HWCVD法在6H-SiC上异质外延p-SiCGe
11:
15-11:
30
王成伟(西北师范大学)
阳极氧化法制备高度有序的多孔TiO2薄膜的工艺研究
11:
30-11:
45
尚景智(厦门大学)
与GaN晶格匹配的AlInN薄膜的外延生长
12:
00-14:
00
午餐
14:
00-14:
25
谢自力(南京大学)
MOCVD技术生长的InN薄膜结构和光学性质*
14:
25-14:
50
贺小伟(北京大学)
单轴应变对AlxGa1-xN/GaN异质结构中二维电子气圆偏振自旋光电效应的影响*
14:
50-15:
05
李弋(南京大学)
高分辨率X射线衍射研究InGaN/GaN多量子阱结构In组分及厚度
15:
05-15:
20
杨霏(电子科技集团第十三研究所)
碳化硅器件制备中干法刻蚀工艺的研究
15:
20-15:
35
张晓敏(北京大学)
Mg掺杂浓度对MOCVD生长的p型GaN电学性能的影响
15:
35-15:
45
休息
15:
45-16:
00
王茂俊(北京大学)
SiNx钝化对AlxGa1-xN/GaN异质结构中二维电子气高温输运性质的影响
16:
00-16:
15
崔旭高(南京大学)
利用MOCVD设备生长Mn掺杂GaN稀释磁性半导体材料
16:
15-16:
30
陈志涛(北京大学)
MOCVDMn-delta生长GaN:
Mn的结构和磁学性质
*邀请报告
C会场
会议主题:
低维量子结构,量子阱和超晶格的物理性质;半导体自旋电子学
地点:
逸夫科学馆报告厅202
日期:
9月8日
时间
报告人
报告内容
9:
00-9:
25
陈坤基(南京大学)
自组装Si纳米环结构的制备和气相自限制生长模型*
9:
25-9:
50
卢海舟(清华大学)
声子辅助非弹性电子隧穿中的并谐原理*
9:
50-10:
15
陆昉(复旦大学)
锗硅双层量子点耦合效应的研究*
10:
15-10:
25
休息
10:
25-10:
50
张继华(电子科技大学)
碳纳米管的改性及其场发射性能研究*
10:
50-11:
15
王宝瑞(半导体研究所)
InGaAs/GaAs量子点链状结构光学性质的研究*
11:
15-11:
30
蔡其佳(复旦大学)
Ge/Si量子点退火特性研究
11:
30-11:
45
黄凯(兰州大学)
氧化钨纳米针尖阵列的制备与场发射性能研究
11:
45-12:
00
李汐(复旦大学)
飞秒激光刻蚀GaAs表面所形成纳米结构的研究
12:
00-13:
30
午餐
13:
30-13:
55
施毅(南京大学)
半导体异质结构纳米线及其光电子器件*
13:
55-14:
20
张树霖(北京大学)
低维半导体的振动模并没有出现量子限制效应*
14:
20-14:
45
朱元慧(半导体研究所)
DMS量子球磁场下电子空穴态*
14:
45-15:
00
休息
15:
00-15:
15
陈坤基(南京大学)
硅基光量子点的气相共形生长制备及光学模式的量子特征
15:
15-15:
30
陶镇生(复旦大学)
生长在GeSi应变合金层上的Ge量子点的PL及DLTS研究
15:
30-15:
45
李春(兰州大学)
铜掺杂非晶金刚石纳米点阵列的场发射性能研究
15:
45-16:
00
李大鹏(中科大)
ZnO超晶格纳米带Raman光谱
16:
00-16:
15
潘清涛(兰州大学)
水溶液制备纺锤状钴掺杂氧化锌
16:
15-16:
30
林健晖(复旦大学)
Si覆盖层对自组织生长Ge/Si量子点组分、应变的影响
16:
30-16:
45
刘力哲(河北师范大学)
磁场对耦合双量子盘中类氢杂质性质的影响
16:
45-17:
00
王秀华(兰州大学)
硫掺杂ZnO纳米线的电化学制备及发光特性
17:
00-17:
15
周志玉(厦门大学)
Ge/Si(100)量子点生长与形态分布的研究
17:
15-17:
30
徐天宁(浙江大学)
IV-VI半导体量子点光学性质及理论模拟
17:
30-17:
45
刘卯鑫(北京大学)
近均一尺寸ZnO纳米材料多声子Raman谱与尺寸限制效应
*邀请报告
日期:
9月9日
时间
报告人
报告内容
8:
30-8:
55
蒋建华(中科大)
ReexaminationofSpinDecoherenceinSemiconductorQuantumDotsfromEquation-of-MotionApproach*
8:
55-9:
20
程晋罗(中科大)
AnisotropicspintransportinGaAsquantumwellsinthepresenceofcompetingDresselhausandRashbaspin-orbitcoupling*
9:
20-9:
45
庞智勇(山东大学)
LSMO/Alq3/Co有机自旋阀中的正巨磁电阻效应*
9:
45-10:
00
翁明其(中科大)
TimeEvolutionofTransientSpinGating
10:
00-10:
15
休息
10:
15-10:
30
蒋建华(中科大)
SpinRelaxationinanInAsQuantumDotinthepresenceofTerahertzDrivingFields
10:
30-10:
45
吕翔(上海技术物理所)
量子阱热导率尺寸效应的理论研究
10:
45-11:
00
马丽丽(上海技术物理所)
不同密度InAs/GaAs自组织量子点的光致发光比较研究
11:
00-11:
15
张鹏(中科大)
Non-MarkovianSpinDephasinginp-TypeGaAsQuantumWells
11:
15-11:
30
张国煜(南京大学)
高温高压条件合成Co掺杂的ZnO基DMS及其磁性特征
11:
30-11:
45
周俊(中科大)
SpinrelaxationduetotheBAPmechanisminGaAsquantumwellsfromafullymicroscopicapproach
12:
00-14:
00
午餐
14:
00-14:
15
鲁军(半导体研究所)
Fe/GaAs异质结构的分子束外延生长及磁性研究
14:
15-14:
30
罗海辉(半导体研究所)
电子自旋横向驰豫时间随磁场的非平凡变化
14:
30-14:
45
周蓉(半导体研究所)
时间分辨克尔旋光测量稀磁半导体(Ga,Mn)As的有效g因子
14:
45-15:
00
阮学忠(半导体研究所)
电子间相互作用对电子自旋驰豫过程的影响
15:
00-15:
15
沈卡(中科大)
riplet-SingletRelaxationinSemiconductorQuantumDots
15:
15-15:
30
休息
15:
30-15:
45
程晋罗(中科大)
KineticInvestigationofExtrinsicSpinHallEffectinducedbySkewScattering
15:
45-16:
00
王元元(中科大)
ControlofSpinCoherenceinSemiconductorDoubleQuantum
16:
00-16:
15
徐大庆(西安电子科大)
自旋极化电子从铁磁金属通过肖特基势垒注入半导体时自旋极化的研究
*邀请报告
D会场
会议主题:
新概念、新器件;宽、窄禁带半导体
地点:
逸夫科学馆203
日期:
9月8日
时间
报告人
报告内容
9:
00-9:
25
郑婉华(半导体研究所)
单偶极模光子晶体激光器的研究*
9:
25-9:
50
张永(厦门大学)
不同发射极指数的SiGeHBT直流特性分析*
9:
50-10:
15
曹玉莲(半导体研究所)
P型掺杂1.3μm量子点激光器的制作及特性研究*
10:
15-10:
30
休息
10:
30-10:
55
徐骏(南京大学)
纳米氧化铟和稀土共掺杂二氧化硅薄膜的结构和光学性质研究*
10:
55-11:
10
蔡雪原(兰州大学)
非平衡格林函数法在纳米MOS器件分析中的应用
11:
10-11:
25
陈锐(厦门大学)
THzSi/SiGe量子级联激光器波导模拟
11:
25-11:
40
杜晓宇(半导体研究所)
慢光在光子晶体弯曲波导中的高透射传播
11:
40-11:
55
季海铭(半导体研究所)
P型掺杂量子点激光器增益及频率响应的理论计算
12:
00-13:
30
午餐
13:
30-13:
55
陈裕斌(南京大学)
基于锗硅异质纳米晶粒的非易失性浮栅存储器*
13:
55-14:
20
胡古今(上海技术物理所)
锆钛酸铅多层膜的铁电和介电特性研究*
14:
20-14:
45
武乐可(上海交通大学)
SemiconductorPixellessFar-infraredUpconversionImagingDevices*
14:
45-15:
00
江若琏(南京大学)
GaN基共振腔增强型紫外探测器的研究
15:
00-15:
15
休息
15:
15-15:
30
李炳生(近代物理研究所)
利用He离子和O离子联合注入制备SOI薄膜的研究
15:
30-15:
45
李霞(兰州大学)
影响CdZnTe探测器特性的因素
15:
45-16:
00
陆然(北京工业大学)
磁控溅射法制备的La0.7Sr0.3MnO3/Nb-1wt%-SrTiO3异质p-n结的整流特性研究
16:
00-16:
15
任刚(半导体研究所)
光子晶体60度弯折波导的模式分析及其在低损耗弯折波导设计中的应用
16:
15-16:
30
石瑞英(四川大学)
SiGeHBT抗γ辐照机理研究
16:
30-16:
45
孙永健(北京大学)
薄膜组合结构在InGaAsP/InP双异质结外延片内引起的光波导的研究
16:
45-17:
00
王冠中(中科大)
氧化物半导体超晶格纳米带自组装生长和结构表征
17:
00-17:
15
王科(半导体研究所)
光子晶体垂直腔面发射激光器的模式分析
*邀请报告
日期:
9月9日
时间
报告人
报告内容
8:
30-8:
55
张万成(半导体研究所)
基于MOS管的单电子旋转门:
单电子传输,物理模型以及电路应用*
8:
55-9:
20
谭平恒(半导体研究所)
Excitonenergytransferincarbonnanotubebundles*
9:
20-9:
35
邢名欣(半导体研究所)
光子晶体环形腔的模式分析
9:
35-9:
50
张轶群(南京大学)
纳米线阵列材料的温差电特性研究
9:
50-10:
00
休息
10:
00-10:
15
张新(华东光电集成器件研究所)
基于氮化铝态的SOICMOS集成电路高温性能研究
10:
15-10:
30
王荣华(南京大学)
GaN/Al2O3(0001)上Ge薄膜的CVD外延生长
10:
30-10:
45
王爽(集成光电子学国家重点联合实验室)
比较法测量立方氮化硼二阶非线性极化率
10:
45-11:
00
陈宠芳(河北工业大学)
HVPE生长GaN的计算机模拟
11:
00-11:
15
徐峰(南京大学)
C面宝石基MOCVD生长的InN薄膜的In分凝现象的研究
11:
15-11:
30
左则文(南京大学)
氢化纳米硅(nc-Si:
H)薄膜的淀积与发光特性
11:
30-11:
45
章斌(复旦大学)
线图案衬底上Ge/Si量子岛的性质研究
12:
00-14:
00
午餐
14:
00-14:
25
曹俊诚(上海微系统与信息技术所)
太赫兹半导体量子级联激光器研究*
14:
25-14:
50
董兵(上海交通大学)
单分子量子点器件中的非平衡声子效应及非微分电导*
14:
50-15:
15
聂家财(北京师范大学)
CeO2纳米薄膜的光学性质及其量子受限效应研究*
15:
15-15:
30
休息
15:
30-15:
45
朱汇(半导体研究所)
三势垒双阱隧穿结构中调控发射阱中的电子积累对电子共振隧穿特性的影响
15:
45-16:
00
朱汇(半导体研究所)
三势垒隧穿结构中的高峰谷比光生空穴共振隧穿
16:
00-16:
15
阎结昀(清华大学)
强THz场下半导体超晶格中的激子吸收理论
16:
15-16:
30
翟利学(河北师范大学)
磁场作用下抛物形量子阱线中的带电施主离子的性质
*邀请报告
E会场
会议主题:
半导体体材料的物理性质;杂质与缺陷;表面、界面物理;有机半导体
地点:
逸夫科学馆206
日期:
9月8日
时间
报告人
报告内容
9:
00-9:
25
赵伟明(南京大学)
室温下高密度II-VI族纳米晶粒在Si衬底上的化学自组装*
9:
25-9:
50
周志文(厦门大学)
低温Ge作缓冲层的高组份SiGe弛豫衬底生长研究*
9:
50-10:
15
竹有章(西安交通大学)
基于LAPW方法ZnO、MgO、CdO晶体结构研究*
10:
15-10:
25
休息
10:
25-10:
50
邱成军(黑龙江大学)
有机半导体酞菁配合物的气敏导电特性研究*
10:
50-11:
15
邵军(上海技术物理所)
窄禁带掺杂碲镉汞外延薄膜的调制光谱分析*
11:
15-11:
30
张治国(泉州师范学院)
锡氧化物电热膜的过电压耐量问题
11:
30-11:
45
祁菁(兰州大学)
AlCl3诱导晶化法制备多晶硅薄膜
12:
00-13:
30
午餐
13:
30-13:
55
孙萍(南京大学)
基于胶体球刻蚀法制备的有序半导体纳米阵列及其光学性质的研究*
13:
55-14:
20
张玉红(吉林大学)
利用电致双折射测量硅单
- 配套讲稿:
如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制:
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词:
- 报告 安排