ICT入门培训流程规范要点.docx
- 文档编号:25192027
- 上传时间:2023-06-06
- 格式:DOCX
- 页数:15
- 大小:231.54KB
ICT入门培训流程规范要点.docx
《ICT入门培训流程规范要点.docx》由会员分享,可在线阅读,更多相关《ICT入门培训流程规范要点.docx(15页珍藏版)》请在冰豆网上搜索。
ICT入门培训流程规范要点
ICT入门培训流程规范
一、目的:
建立ICT程式优化、机器故障排除规范,作为PEB技工使用操作之依据.
二、范围:
本公司测试技工
三、职责:
PE部:
技工负责程式优化、ICT在线维护
四、ICT简介:
ICT隹拔测试机(InCircuitTester),电器测试使用的最基本仪劈。
如同一块功能强大的万用表,但它能对在圾电路板上的元件测试进行*效得陌离(Guarding)而万用表不能。
2.ICT测试内容:
主耍是靠测试探针接傩PCBlayoutm来的测试点来检测PCBA的开路.短路.零件6&坪接状况。
可“为开路测试.短路测试.电阻测试.电蓉测试.二极警测试.三极营测试、场效应管测试.IC®脚测试等等。
3.7€T的脅局能测试元器件的漏装.错装.参数值傭差.坪点述坪.程路板开短路等故障,并能将故障是哪个元件或开短路位于哪个点准确告诉我们•(对元件的坪接测试有校离的识别能力)
4.公司ICT型号:
目前我们用的ICT分别是台湾捷曾科技股份*限公司生严的JET-30ONT.億律科技股份有限公F生产的TR—518FEO(以下介鉛以JET为例)
五、ICT量测原理:
1.电阻量测
+Vx=?
玫Rx
Vs=0・2V
(1)单个R(Mode0,1)利用Vx=IsRx(欧姆定律),则Rx=Vx
信号源Is取恒流(0.1uA—5mA),量回Vx。
即可算出Rx值。
(2)小电阻(50欧姆以内)四线量测:
小电阻两端各下两支探针,1・4号探针的接触阻抗分别R1-R4,Ra,RbzRc,Rd分别为四次测试之量测值。
Ra=Rl+R2
Rb=R3+R4
Rc=Rl+Rx+R4
Rd二R2+RX+R3
信
号源Vs取恒压(0.2V),量回Ix,
Rx=Vs/Ix=0・2V/Ix,算出Rx值.
(4)R//L(mode3,4,5):
IY*ICos0=YRx=1/Rx,并IY,|=lx/Vs,
2o电容及电感量测
Vs
(1)单个C,L(ModeO,1,2,3):
信号源
取恒定交流压源Vs,Vs/Ix=Zc=l/2
2JifVs
Vs/Ix=Z1=2jifLx,求得:
Lx=Vs
(2)C//R或L//R(Mode5,6,7):
用
相位法辅助,|Y1SinO=IYcxl,
即3Cx'Sin0=o)Cx
求得:
Cx=Cx?
Sin0,(Cx■Ix72Ji
IYMsino=IYcxI,
即Sin0/3Cx'=l/3Cx
求得:
Lx=Lx7Siii0,(Lxf=Vs/2Jifix')
電容極性測試的另一方法是三端測試,須在上方加一探針觸及殼髏.在電容的正負極加載直流電壓,至充鲍后測量殼骼電壓。
山于正負極與殼髏間的阻抗差異,故對于插反的電容所測量到的殼鹘電壓會與正確時不同。
據此可判別電容的極性。
(详见附页一)
3.跳线测试:
(UMPER,FUSE,WIRE,CONNECTOR,SWITCH,etc)
阻抗值
机器内识别值
荧幕显示值
(0,5]
0
1
(5,25]
1
1
(25,55]
2
3
(55,g)
3
4
4.量测PN结:
(D,Q,IC,FET)
(1)信号源o—10V/3mAor30mA可程式电压源,量
PN结导通电压;
⑵ZenerD的测试原理是量测其崩溃电压,与二极体
的差异是在测试电压源不同,其电压源为0V-10V及0V-48V可程式电压源.
(3)电晶体测试需要三步骤测试,其中
(1)B-E和
(2)B-C脚是使用二极体的测试方法,(3)E-C使用Vcc的饱和电压值及截止值的不同,来测试电晶体是否插反。
电晶体反插测试方法:
在B-E及E-C脚两端各提供一个可程式电压源,量测出电晶体E—C正向的饱和电压为Vce=0・2V左右,若该电晶体反插时,则Vce电压将会变成截止电压,并大于0・2V,即可测出电晶体反插
的错误。
即以阻抗判定,先对待测板上所有Pin点进行学习,R<25
Q即归为ShortGroup,然后Test时进行比较,R〈5Q判定为Short,R>55Q判为Openo
•T関炳路學習d
竜阻.M25□的針號歸入一個SHORT.CROUP,.反之亦皱彳
—
..OPEN
…SHORTS
25G。
闊&萄(在y
■••••••・•
55.-
....OPEN.PASSp
【(在)Q
6.Guarding(隔离)的实现:
Hi-Pin
Low-Pin
以电流源当信号源输入时,則在相接元件一的另一
與被測元件相接的旁路元件,確保量測的精準性。
此時隔離點
1=l=i
的選擇必須以和被測元件高電位能腳(Hi・Pin)相接之旁路
元件為參考範圍.
以电压源当信号源输入时,則在相接元件二的另一
加上一等底電位能(GuardingPoint),以防止與被測元
件相接之元件所產生的電流流入,而增加量測的電流,影響
量測的精準性。
此時隔離點的選擇必須以和被測元件低電位
7、三端電容極性測試:
7。
1测试点
G-F1■:
》
WWVK*
Cap
HiP?
PLoP;・3q
7.2试程式
PartName--ActV--StdV・・Hlim%…LlimH--Mo4e--Type--Hip…Lop--Dly…G-Pl卜•…CE1……0.2■•0.12V-••-120*•••8■•-PX・・•1••3・••0・•••5“
•••CEll-••0.2*■■0.001V…・120'•••18*■•PX…•11…13'•O'■■■15^
\AAA*AAAAAAAAA-
上限Doncareo
◊Act_V:
Sourcevoltage,建議值為0.2V
◊Std_V:
SenseVo1tage(Threshold),依實際Debug後決定
◊Hlim個定為一1(Don,tcare)
◊Llim:
建議值為20,可依實際Debug後決定
固定為8或18(適用於防爆電容) ◊Type: 固定為PX ◊Hip: 電容負端(sourcepin) ◊Lop: 電容正端 ◊Dly: 依實際Debug後決定 ◊G-P1: SensePin 7o3除错规则 將IIip/Lop相同的電容放在一起,例如CE1,CE2,CE3的 HiP及LoP都是1及3,所以測試程式如下: PartbTame- ActV--StdV--Hlim%--Llim%--Mode-・Type--Hip…Lop--Dly…G-P2 •CE1-- •0.2… 0.12V-120-8PX ••1• •3… •0…5卍 •CE2--- •0.2… 0.12V-120-8PX ••1• •3… •0•…九 ・CE3… ・0・2… 0.12V-••-120…8…PX* ・・1・ •3•- ・0…・・8 ・CE4…・ ・0・2… 0.15V--・……20・・•・8…P% ・20・ ・21・ ・0…・・22~ CE11- ・0.2… ・0.001V… -1- ・・20… …18 •P%… •11--13…0- ・・15卩 CE12- -0.2-- -0.001V-• -1- ••20• -•18- PX- •11…13…0- ••17^ ◊Debug時可交換HiP及Lop比較量測值,以決定較佳之Thresho1d(Std_V) ◊若交換HiP及Lop量測值差異不大可稠整De1aytime或Sourcevoltage(Act_v) ◊若交換HiP及Lop量測肩居很低,可能是第三端接觸問題,可先檢查第三端是否接觸正常或待測電容有歪斜,可用換針或扶正待測電容方式解決 ◊治具製作時第三端選用測試針,需考慮相同位置待用料的高度差異,以免造成接觸不良或刺穿待測物的問題 ◊三端電容量測是用來檢測缺件及反向,無法檢測錯件 ◊可利用量測分析工具(HotKeyF12)決定較佳标准值,Delay time。 8、IC空焊测试: 隹统的IC保护二扱管测试方式1般来说能测试IC除VCC与GND之夕啲7卜80%的引脚的开路问题,而T馳戚术的应用则使这一比例达到98爲以上并足够稳定口 六、ICT调试(Debug)流程: 1、固定治具: 将ICT治具架在压床上,将治具天板固定在压床蜂窝板上,锁紧治具固定螺丝,使其不会松动,将压床点动调整治具上探针行程,使之达到其行程的1/2・2/3左右,然后用排线依顺序将治具与开关板连接起来; 2、程序登录计算机: 将治具的测试程序COPY入计算机,并调出;将测试程序检査一遍,未经过排序的,要先排序•要按JP—电阻一电容一电感一二极管一IC的顺序(即按实际值排序);然后存盘。 3、Open/Short学习: 学习之前,将状态参数里面的测试时基改为50,OPSDELAY更改为120-200;置良品板于治具上,将压床压下即可开始学习;学习完毕后要存盘。 七、ICTDebug技巧与方法: 1、先将待测板测试一遍,然后可进入“EDIT”DEBUG; 2、对于JP的DEBUG则比较简单,只要判定其有无点号,有无零件,点号正确无误即可OK。 一般“JP”我们把ACT-VAL定为 “2JP”上限为“+10%”,下限为“・60%”; 3、电阻的DEBUG,则会比较复难,可按以下几步调试: 1)于小电阻,如零欧姆电阻,ACT・VAL可用2欧姆,然后上限为“+10%”下限为“99%”即可,对于几欧姆或零点欧姆小电阻,若客户要求用四线测试,则需做四线测试,未做要求的就可将线阻及机器内阻加零件值作为标准值,上限可放宽; 2)于小电阻: (0Q-1KQ)要用定电流的测试方法(D1、D2);。 3)电阻DEBUG—般有几种方法: 变换测量模式文件位元的变化,更改延迟时间,高低PIN对调,加隔离点等几种方法,可结合实际情况,具体分析处理; 4)GUARDING点对于电阻的DEBUG尤为重要,一般有这样一个原则: 电阻的两个点,其中一点所连组件较少,则该点所连组件另外一点作GUARDING点;隔离点所连的组件阻抗须为20欧姆以上,电阻的隔离,加GND点很有效果; 。 5)电阻隔离的目的是将量测到的较少的值隔离成大的,使之更接近于实际值,若该电阻量测的结果很大,超出实际值,则要提出疑问,看看是否针点的问题,还是零件值的错误,或者是由于针点的不准引起的,等待。 6)对于并联的电阻,若两电阻阻抗相差不是很大,则用并联值作标准值,若相差很大,则大电阻不可测;电阻没有针点的? 电阻没有针点 C//C: Std—V取并联容值 C//R: Mode5>6、7,由Zc=l/2JifC,故C一定时,f越高,Zc越小,则R的影响越小. C//L: Mode5.6、7,并且f越高效果越好。 3.电感 F8测试,选择Mode。 、1、2中测试值最接近Std—Vo L//R: Mode5、6、7o 4・PN结 F7自动调整,一般PN正向0。 7V(Si),反向(2V以上)。 D//C: Model及加IDe1ay。 D//D(正向): 除正向导通测试,还须测反向截止(2V以上)以免D反插时误判。 Zener: Nat—V选不低于Zenei•崩溃电压,若仍无法测出崩溃电压,可选Model(30mA),另1―8Vzener管,可以HV模式测试. 5。 电晶体 be、be之PN结电压两步测试可判断Q之类型(PNPorNPN),Hi・P—样(NPN),Lo-P—样(PNP),并可Debugce饱和电压(0.2V以下),注意Nat-V为be偏置电压,越大Q越易进入饱和,但须做ce反向判断(须为截止0。 2V以上),否则应调小Nat—V. 八、常见ICT误判及维护: ICT盲点: 1特殊IC(个别IC对GND、VCC无保护二极体)②单点测试(如排插、插座、个别单个测试点的元件)③并联10个以上的电容并联(示电容的精密度作调整)④并联15倍以上小电阻的大电阻⑤D/L或D/25Q以下,D不可测⑥跳线并联⑦IC内部功能测试2・压床行程不足,探针压入量程为2/33・PCB板定位柱松动,造成探针偏离焊盘4・PCB上测试点或过穿孔绿油未打开、吃锡不良5.PCB制程不良: 如未洗板导致PCB±松香过多探针接触不良6.探针不良(如针头钝化、老化、阻抗过高……7、元件厂商变更(如小电容、IC之TESTJET)可加大垛>更改TESTJET值8、未Debug良好]0、硬体问题: lOo1开关板: 诊断(D)一一—切换电路板(B)—・・一系统自我诊断(S)———切换电路板诊断(S) 若有C*表示SWB有Fail,请记录并通知TRI。 有可能为治具针点有Short造成. 10.2系统自我检测: 诊断(D)——一硬体诊断(S)•—系统自我检测(S) 有R、D项Fail可能为DC板故障. 有C、L项Fai1可能AC板Fail。 有Power项Fai1可能PowerFai1,也请记录并通知供应商。 •日常维护 1一般GUARD点不超过3个,最好1、2个即可 2无用之GUARD点需去除 3可GUARDING的元件为电阻、电容,一般大电容GUARDING无效 4电阻GUARDING—般对地70%有效 5电容GUARDING—般对VCC70%有效 ©GUARDING一般找串联小电阻(大于20Q)、串联大电容 7若GUARDING元件时,串联跳线或电感可视为同点 8大电容并联测试偏大解决方式: ACTUALX70%>STANDAR DX下限值 九、注意事项: 1、小电容的测试通常用“A4”或“A5”模式,若量测结果过大,贝! |需加GUARDING点使OFFSET值不要太大,否则量测没有意义另外电容隔离VCC效果明显. 倘若小电容与大电空并联,则小电容可SKIP掉,不需测试,即便 “+L去试,或加长延迟时间; 3、电容的上下限一般为30%,小电容的上限可适当放宽,下限要小一些; 4、电容极性测试可用两种方法: 其一,二端测试法即用漏电流的方法,实际值送0-9・9V电压,标准值送电流,则模式会变为CM,适当加长DELAY,并调整实际值电压,使正反电流偏差较大;其二,三端测试法,即在电解电容顶部加多一根针,高PIN为顶部针点,低PIN为负极针点,隔离点为正极针点•实际值送0。 2V电压,标准值为0o05V左右,并适当加长DELAY,使反向时接近于0.2V; 5、电感的测试最好用两种方法: 其一,当作跳线测试,其二测其感量,这样既可测出电感的缺件错件,也可测到短路,上下限可放宽; 6、二极管除了用“DT”(2・2V,20MA)模式外,还可用“LV”(0—10V)模式。 当二极管并联大电容时可将RANGE“+1”, 加延迟时间,还可将实际值电容提高,直到可测出反插及漏件;二极管并联的情况,可加做电流的测试,即用“CM”模式,实际值可送0・7V-IV左右电压,并适当加长延迟时间,上下限可为20%; 7、三极管除了测两个PN结外,要加做饱和电压测试,即三端测试法,要注意是NPN型的还是PNP型,分别用N模式和P模式;尤其是基点要找正确,否则饱和电压测不出,一般NPN型实际值电压送0.7V-1V左右,PNP型送3.5V—4.5V,若饱和电 压测不岀,可往下调整电压; 8、IC的测试首先要找准该IC的VCC及GND,并在IC编辑 里分别注明(可按F4键),若IC做HPTESTJET测试 做完后,可进入零件编辑,根据需要进行IC的学习。 1)ICSCAN学习后,可能会有些IC脚的量测结果很低, 可将低PIN针点取消,只留高PIN即IC脚对应针号,然后将量测值做为标准值: 上下限为±40%; 。 2)、HPTESTJET的学习可只做SHORT学习,然后将上限定为 ±150%,下限定为一50%,这样可测IC的OPEN/ SHORT; 9、DEBUG完成后,要连续测试多少遍,然后利用EDIT里面的F6 功能,査看组件的稳定与否,对于那些不稳定的组件则需再做调试,使之稳定. 通过以上几大项即可将治具调试好,若要使程序做得更为完 美,则需更为细心,对照BOM检查,査看程序里面组件是否都 有测试。 最后希望各位技术员、工程师严格按以上条 例DEBUG工作,并在工作中探索经验,使所做程序既快捷又稳定。 05-6—30 THANKS 沟通无极限,一切构造源自创造
- 配套讲稿:
如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制:
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词:
- ICT 入门 培训 流程 规范 要点