模拟电子技术章节检测题.docx
- 文档编号:25024800
- 上传时间:2023-06-03
- 格式:DOCX
- 页数:22
- 大小:199.93KB
模拟电子技术章节检测题.docx
《模拟电子技术章节检测题.docx》由会员分享,可在线阅读,更多相关《模拟电子技术章节检测题.docx(22页珍藏版)》请在冰豆网上搜索。
模拟电子技术章节检测题
《模拟电子技术基础与技能》
第一章半导体二极管及整流滤波电路
第一节半导体二极管
一.填空题
1.把P型半导体N型半导体结合在一起,就形成。
2.半导体二极管具有单向导电性,外加正偏电压,外加反偏电压。
3.利用二极管的 ,可将交流电变成 。
4.根据二极管的 性,可使用万用表的 挡测出其正负极,一般其正反向的电阻阻值相差越 越好。
5.锗二极管工作在导通区时正向压降大约是 ,死区电压是 。
6.硅二极管的工作电压为 ,锗二极管的工作电压为 。
7.整流二极管的正向电阻越 ,反向电阻越 ,表明二极管的单向导电性能越好。
8.杂质半导体分型半导体和型半导体两大类。
9.半导体二极管的主要参数有.等参数,选用二极管的时候也应注意。
10.当加到二极管上的反向电压增大到一定数值时,反向电流会突然增大,此现象称为现象。
11.发光二极管是把能转变为能,它工作于状态;光电二极管是把能转变为能,它工作于状态。
二.选择题
1.具有热敏特性的半导体材料受热后,半导体的导电性能将。
A.变好B.变差C.不变D.无法确定
2.P型半导体是指在本征半导体中掺入微量的。
A.硅元素B.硼元素C.磷元素D.锂元素
3.N型半导体是指在本征半导体中掺入微量的。
A.硅元素B.硼元素C.磷元素D.锂元素
4.PN结加正向电压时,空间电荷区将。
A.变窄B.基本不变C.变宽D.无法确定
5.二极管正向电阻比反向电阻。
A.大B.小C.一样大D.无法确定
6.二极管的导通条件。
A.uD>0B.uD>死区电压 C. uD>击穿电压D.以上都不对
7.晶体二极管内阻是。
A.常数B.不是常数C.不一定D.没有电阻
8.把一个二极管直接同一个电动势为1.5V,内阻为零的电池正向连接,该二极管。
A.击穿B.电流为零C.电流正常D.电流过大使管子烧坏
9.下面列出的几条曲线中,哪条表示的理想二极管的伏安特性曲线。
ABCD
10.如图所示,设二极管为理想状态,则电压VAB为。
A.3VB.6VC.-3VD.-6V
11.问以下哪种情况中,二极管会导通。
A.
B.
C.
D.
12.用万用表测量小功率二极管极性时,应选用。
A.直流电压挡量程5VB.直流电流挡量程100mA
C.交流电压挡量程10VD.电阻挡量程R×100
13.当万用表不同欧姆挡去测量二极管正反向电阻时,获得的结果差异较大,这是因为。
A.该管已坏B.万用表各挡有差异
C.二极管的电阻可变D.二极管的伏安特性是非线性
14.二极管在反向截止区的反向电流。
A.随反向电压升高而升高B.随反向电压升高而急剧升高
C.基本保持不变D.随反向电压升高而减少
15.某晶体二极管的正.反向电阻都很小或为零时,则该二极管。
A.正常B.已被击穿
C.内部短路D.内部开路
三.判断题
1.二极管的内部结构实质就是一个PN结。
()
2.在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。
()
3.因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。
()
4.PN结在无光照.无外加电压时,结电流为零。
()
5.硅二极管的热稳定性比锗二极管好。
()
6.普通二极管正向使用也有稳压作用。
()
7.P型半导体带正电,N型半导体带负电。
()
8.二极管反向漏电流越小,表明二极管单向导电性越好。
()
9.二极管仅能通过直流,不能通过交流。
()
10.对于晶体二极管,当加上正向电压时它立即导通,当加上反向电压时,它立即截止。
()
四.简答题
1.如何用万用表的欧姆档来辨别一只二极管的阴.阳两极?
(提示:
模拟万用表的黑表笔接表内直流电源的正极,红表笔接负极)
2.选用二极管时候主要考虑哪些参数?
这些参数的含义是什么?
五.分析计算题
1.写出图所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压UD=0.7V。
2.电路如图所示,已知vi=12sinωt(V),E=6V,二极管正向压降忽略不计,试画出电路的vO的波形,并标出幅值。
3.已知图所示电路中稳压管的稳定电压UZ=6V,最小稳定电流IZmin=5mA,最大稳定电流IZmax=25mA。
(1)分别计算UI为10V.15V.35V三种情况下输出电压UO的值;
(2)若VI=35V时负载开路,则会出现什么现象?
为什么?
4.电路如图(a).(b)所示,稳压管的稳定电压VZ=3V,R的取值合适,vI的波形如图(c)所示。
试分别画出vO1和vO2的波形。
第二节二极管整流及滤波电路
一.填空题
1.整流是把转变为。
滤波是将转变为。
电容滤波器适用于的场合,电感滤波器适用于的场合。
2.设整流电路输入交流电压有效值为U2,则单相半波整流滤波电路的输出直流电压UL=,单相桥式整流电容滤波器的输出直流电压UL=,单相桥式整流电感滤波器的输出直流电压UL)=。
3.在桥式整流电路中,输出电压UO=9v,负载电流IO为1A,则二极管承受的反向电压为 v。
4.常用的整流电路有和,常用的滤波电路有和。
5.为消除整流后直流电中的脉动成分,常将其通过滤波电路,常见的滤波电路有,,复合滤波电路。
桥式整流电容滤波电路和半波整流电容滤波电路相比,由于电容充放电过程(a.延长,b.缩短),因此输出电压更为(a.平滑,b.多毛刺),输出的直流电压幅度也更(a.高,b.低)。
二.选择题
1.在整流电路中,设整流电流平均值为
,则流过每只二极管的电流平均值
的电路是。
A.单相桥式整流电路B.单相半波整流电路
C.单相全波整流电路D.以上都不行
2.单相半波整流.电容滤波电路中,设变压器副边电压有效值为
,则整流二极管承受的最高反向电压为。
A.
B.
C.
D.2
3.设整流变压器副边电压
,欲使负载上得到图示整流电压的波形,则需要采用的整流电路是。
A.单相桥式整流电路B.单相全波整流电路
C.单相半波整流电路D.以上都不行
4.整流滤波电路如图所示,负载电阻
不变,电容C愈大,则输出电压平均值
应。
A.不变B.愈大C.愈小D.无法确定
5.已知输入正弦波Ui,欲获取图示输出波形Uo,应选取的合适电路是。
A.
B.
C.
D
6.在单相桥式整流电路中,所用整流二极管的数量是。
A.四只B.三只C.二只D.一只
7.桥式整流电路中,已知U2=10v,若某一只二极管因虚焊造成开路时,输出电压Uo是。
A.12VB.9VC.4.5VD.以上都不对
8.单相半波整流.电容滤波电路中,设变压器副边电压有效值为
,则整流二极管承受的最高反向电压为。
A.
B.
C.
D.2
9.半波整流电路加滤波电容后,正确的说法是()
A.输出电压不变B.二极管的导通时间变短
C.二极管承受的最大反向电压不变D.无法确定
10.整流滤波电路中,变压器的副边电压有效值V2=10V,参数满足RLC>>(3~5)T/2。
则输出电压平均值为()
A.10VB.14VC.16VD.12V
11.在桥式整流电路中接入电容C滤波后,输出直流电压较未加C时()
A.升高B.降低C.不变D.无法确定
12.在桥式整流电路中接入电容C滤波后,二极管的导通角()
A.变大B.变小C.不变D.无法确定
13.在桥式整流电路中接入电容C滤波后,若U2=10V,则UC=()
A.4.5VB.9VC.2VD.4V
14.在桥式整流电路中,若某一个二极管接反,则()
A.变压器有半周被短路,会引起元器件损坏B.变为半波整流
C.电容C将过压击穿D.稳压管将过流损坏
15.在桥式整流电路中,若某一个二极管脱焊,则()
A.变压器有半周被短路,会引起元器件损坏B.变为半波整流
C.电容C将过压击穿D.稳压管将过流损坏
三.判断题
1.电容滤波适用于大电流场合,而电感滤波适用于高电压场合。
()
2.全波整流电路中,流过每个整流管的平均电流只有负载电流的一半。
()
3.单相桥式整流电容滤波电路中与单相半波整流电容滤波电路中,每个二极管承受的反向电压相同。
()
4.半波整流电路中,流过二极管的平均电流只有负载电流的一半。
()
5.硅稳压管并联型稳压电路的负载任意变化,稳压管都能起稳压作用。
()
6.电解电容的电极有正.负之分,使用时正极接高电位,负极接低电位。
()
7.任何电子电路都需要直流电源供电,因此需要直流稳压电源。
()
8.在整流电路后仅用电阻就构成滤波电路。
()
9.整流电路能将交流电压转换成单向脉动电压,是利用了二极管的单向导电性。
()
10.全波整流电路中,其中一个整流管短路时对整流电路不影响,输出仍为全波整流。
()
四.分析计算题
1.电容滤波桥式整流电路及输出电压极性如图所示,(V),试求:
(1)画出图中4只二极管和滤波电容(标出极性);
(2)正常工作时,Uo=?
(3)若电容脱焊,Uo=?
(4)若RL开路,Uo=?
(5)若其中一个二极管开路,Uo=?
(6)选择合适的整流二极管和滤波电容。
2.图所示电路中,硅稳压管DZ1的稳定电压为8V,DZ2的稳定电压为6V,正向压降均为0.7V,求各电路的输出电压U0。
第二章三极管及放大电路基础
第一节三极管基础知识
一.填空题
1.晶体管工作在饱和区时发射结偏;集电结偏。
2.三极管按结构分为_和两种类型。
3.三极管是控制器件,场效应管是控制器件。
4.三极管具有个PN结,即和。
5.三极管的三个极限参数为..和。
6.已知一只三极管在Uce=10v时,测得当IB从0.04mA变为0.08mA时,Ic从2mA变为4mA,这个三极管的交流电流放大系数β=。
7.三极管有放大作用的外部条件是发射结,集电结。
8.有一个在放大电路上正常工作的三极管,以测得三个电极对地的直流电位分别为:
Ux=3.9v,Uy=9.8v,Uz=3.2v,从上述数据中可以判断三个电极,x为极,y为极,z为极,三极管为类型管子,所用的材料是半导体材料。
二.选择题
1.有万用表测得PNP晶体管三个电极的电位分别是VC=6V,VB=0.7V,VE=1V则晶体管工作在()状态。
A.放大B.截止C.饱和D.损坏
2.三级管开作在放大区,要求( )
A.发射结正偏,集电结正偏 B.发射结正偏,集电结反偏
C.发射结反偏,集电结正偏 D.发射结反偏,集电结反偏
3.一NPN型三极管三极电位分别有VC=3.3V,VE=3V,VB=3.7V,则该管工作在()
A.饱和区B.截止区
C.放大区D.击穿区
4.三极管参数为PCM=800mW,ICM=100mA,UBR(CEO)=30V,在下列几种情况中,()属于正常工作。
A.UCE=15V,IC=150mAB.UCE=20V,IC=80mA
C.UCE=35V,IC=100mAD.UCE=10V,IC=50mA
5.下列三极管各个极的电位,处于放大状态的三极管是()
AVC=0.3V,VE=0V,VB=0.7VBVC=-4V,VE=-7.4V,VB=-6.7V
CVC=6V,VE=0V,VB=-3VDVC=2V,VE=2V,VB=2.7V
6.如果三极管工作在截止区,两个PN结状态()
A.均为正偏B.均为反偏C.发射结正偏,集电结反偏D.发射结反偏,集电结正偏
7.有万用表测得PNP晶体管三个电极的电位分别是VC=6V,VB=0.7V,VE=1V则晶体管工作在()状态。
A.放大B.截止C.饱和D.损坏
8.工作在放大区的某三极管,如果当IB从12μA增大到22μA时,IC从1mA变为2mA,那么它的β约为()。
A.83B.91C.100
9.工作于放大状态的PNP管,各电极必须满足()
A.UC>UB>UEB.UC
10.共基极放大电路中三极管的三个电极的电流关系是()。
A.IE=IC+IBB.IC=IE+IBC.IB=IC-IED.IB=IC+IE
三.判断题
1.三极管处于饱和状态时其Ic不受IB的控制。
()
2.三极管的输入特性曲线反映VBE与Ic之间的关系。
()
3.三极管无论工作在何种工作状态,电流IE=IB+IC=(1+β)IB总是成立。
()
4.三极管的发射区和集电区都是同类导体材料,因此c.e级可以互换。
()
5.同一只三极管的β和β数值上很接近,在应用时可互相代替。
()
四.识别题
1.用万用表测的放大电路中某个三极管两个电极的电流值如图.
(1)求另一个电极的电流大小,在图上标出实际方向
(2)判断是PNP还是NPN管?
(3)图上标出管子的E.B.C.极
(4)估算管子的ß值.
2.现测得放大电路中两只管子两个电极的电流如图所示。
分别求另一电极的电流,标出其方向,并在圆圈中画出管子,且分别求出它们的电流放大系数β。
3.图所示的共发射极放大电路的输出电压波形,问:
分别发生了什么失真?
该如何改善?
5.有两只三极管在放大电路中,看不出它的型号和标记,但测得放大电路中两只三极管的三个电极对地电位分别为如下:
试判断它们是硅管还是锗管.是PNP型还是NPN型,并确定e.b.c极。
(1)U1=-1.5V______极
(2)U1=2V______极
U2=-4V______极U2=5.8V______极
U3=-4.7V______极U3=6.2V______极
______管______型______管______型
6.有一只三极管,当基极电流IB由2mA增加到5mA时,集电极电流IC由100mA增加到250mA.问:
(1)求IB=2mA,5mA时发射极电流的大小。
(2)求IB=2mA变化到5mA时,基极电流.集电极电流.发射极电流的增量△iB△ic△iE。
(3)求IB=2mA,5mA时的hFE。
(4)求hFE(β)。
.
第二节三极管基本放大电路
一.填空题
1.已知某小功率管的发射极电流IE=1.3mA,电流放大倍数β=49,则其输入电阻rbe=。
2.功率增益GP与电压放大倍数Av之间的关系是GP=______。
3.画直流通路时,应把视为开路,其他不变。
4.三极管的电流有一微小变化,就能引起电流较大的变化,从而实现放大作用。
但输出变化能量是由转化而来。
5.放大电路基极电流太大,可能产生失真,采取措施是。
6.三极管的输出特性曲线可分为.和三个区域。
7.固定偏置共射极放大电路中,仅增大Rb,UCEQ将(增大.减小或不变);仅减小RC,UCEQ将;仅增大RL,UCEQ将;仅换β小的管子,UCEQ将;仅VCC在一定范围内减小,UCEQ将;
8.既能放大电压也能放大电流的是组态放大电路;可以放大电压,但不能放大电流的是组态放大电路;只能放大电流,但不能放大电压的是组态放大电路。
二.选择题
1.在基本放大电路中,输入耦合电容C1的作用是()。
A.通直流和交流B.隔直流通交流
C.隔交流通直流D.隔交流和直流
2.在放大电路中的交直流电压.电流用表示()。
A.IbIcvceB.IBICVCE
C.iBiCvCED.ibicvce
3.下列各种情况均会使放大器的静态工作点发生变动,其中的不属于不稳定因素()。
A.三极管参数变化B.调整偏置电阻
C.工作环境温度变化D.电源电压变化
4.消除基本共射放大电路中出现的饱和失真,通常采用的方法是()
A.增大RBB.增大RC
C.减小RBD.减小RC
5.若放大器即发生饱和失真,又发生截止失真,则原因()
A.静态工作点太低B.静态工作点太高
C.输入信号幅度过大D.输入信号幅度过小
6.给放大器设置合适静态工作点的目的是()
A.提高放大电路的电压放大倍数
B.避免输出波形出现非线性失真
C.展宽通频带
D.稳定放大电路的放大倍数
7.放大电路的三种组态都具有()
A.电流放大作用B.电压放大作用
C.功率放大作用D.储存能量作用
8.射极输出器的输入电阻大,这说明该电路()
A.带负载能力强B.带负载能力差
C.不能带动负载D.能减轻前级放大电路或信号源的负荷
9.测得放大电路的开路输出电压为6V,接入2kΩ负载电阻后,其输出电压降为4V,则此放大电路的输出电阻Ro为()
A.Ro=1kΩB.Ro=2kΩ
C.Ro=4kΩD.Ro=6kΩ
10.共发射极单管放大电路中,输入电压应视为()
A.Vo=icRCB..Vo=-icRC
C.Vo=ICRCD.Vo=1
三.判断题
1.用大写字母带小写下标表示交流分量的有效值()。
2.在基本共射极放大电路中,电压放大倍数随β增大成正比例增大()。
3.工作点偏低的放大电路一定产生截止失真()。
4.晶体管放大器接有负载置RL后,电压放大倍数AV将比空载时提高()。
5.对共集电极电路而言,输出信号和输入信号同相()。
6.放大电路采用分压式偏置电路,主要目的是为了提高输入电阻()。
7.交流放大电路之所以能实现小信号放大,是由于三极管提供了较大的输出信号能量。
()
8.单级共发射极放大电路中,Ui为交流信号时,UO正半周出现削顶,表明放大电路出现截
止失真。
()
9.交流放大电路只能放大交流信号,直流放大电路只能放大直流信号。
()
10.小信号交流放大器造成饱和失真的原因是工作点选的太高,可以增大Rb使IB减小,从
而使工作点下降到所需要的位置。
()
四.简答
1.什么是静态工作点?
为何设置静态工作点?
2.放大电路中交直流通路的画法有什么原则?
五.计算分析题
1.放大器的输入信号电压V=0.3V,Ii=1mA,输出电压V0=3V,IO=0.1A,那么,求电压增益.电流增益.功率增益。
2.三极管共发射极放大电路如图所示。
已知三极管参数β=50,Rs=1kΩ,并忽略三极管的发射结压降,其余参数如图中所示,试计算:
(1)试画出该电路的交直流通路
(2)放大电路的静态工作点;
(3)电压放大倍数;
(4)放大电路的输入电阻和输出电阻;
(5)当放大电路的输出端接入6kΩ的负载电阻RL时,电压放大倍数有何变化?
3.分压式偏置电路如图所示,三极管的发射结电压为0.7V。
试求放大电路的静态工作点.电压放大倍数,输入.输出电阻,画出交直流电路并写出稳压过程。
4.画出图所示各放大电路的直流通路和交流通路。
第三节多级放大电路
一.填空题
1.多级放大电路通常有三种耦合方式,即,和耦合方式。
静态工作点相互独立的是和耦合电路。
只能放大交流信号的是和耦合电路。
前后级工作点相互影响的是耦合电路,即能放大直流信号又能放大交流信号的是耦合电路。
2.单级共射放大电路与由这样两个单级构成的多级放大电路相比较,多级放大电路的电压放大倍数值,上线频率fH,下降频率fL通频带BW。
3.幅频特性曲线反映放大电路电压放大倍数的与之间的关系。
4.和的作用是引起低频段放大倍数下降的主要因素,从而使低频段信号受到衰减。
和的作用是引起高频段放大倍数下降的主要因素,从而使高频段信号受到衰减。
5.多级放大电路中总的电压放大倍数为,用增益表示为。
二.选择题
1.两级放大器的放大倍数AV1=50,AV2=50,输入信号有效值V1=1mV,输出端信号有效值应为()。
A.80mVB.1.5VC.0.15VD.150V
2.阻容耦合放大电路中加入频率为fL的输入信号时,高频区电压放大倍数下降的主要原因是放大倍数的( )倍
A .3 B.1.414 C. 0.707 D.20
3.两级放大电路的电压放大倍数Au与构成他的各单级放大电路的电压放大倍数之间的关系为( )
A. Au=Au1 B.Au=Au2 C.Au=Au1*Au2 D. Au=Au1+Au2
4.阻容耦合放大电路中加入不同频率的输入信号时,高频区电压放大倍数下降的主要原因是由于存在( )
A 耦合电容和旁路电容 B三极管结电容和电路分布电容
C 三极管非线性特性 D其他
5.多级放大电路与单级放大电路相比( )
A 电压增益提高 B电压增益减小
C 通频带不变 D通频带变窄
三.判断题
1.所谓“有载电压放大倍数”是指接上后级时的电压放大倍数。
( )
2.两级放大电路的输入电阻Ri与构成它的各级放大电路的输入电阻之间的关系为Ri=Ril+Ri2。
( )
3.多级阻容耦合放大电路的通频带比组成它的单级放大电路的同频带宽。
( )
4.直接耦合放大电路各级的Q点相互影响,他只能放大直流信号。
()
5.通频带BW=fH-fL。
()
四.简答画图题
1.多级放大电路中电压放大倍数是如何定义的?
什么是有载电压放大倍数?
2.是画出多级放大电路的幅频特性曲线,并对曲线进行描述?
五.计算题
1.设三级放大电路测得
- 配套讲稿:
如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制:
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词:
- 模拟 电子技术 章节 检测