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超净高纯资料摘要
霍尼韦尔公司可为全球半导
体行业供应杂质在100ppt(万亿分之一百)以下的高纯度湿法电子化学品,
如氢氟酸、氢氧化铵、过氧化氢和盐酸等产品,其材料部每年可创出约10亿
美元的收入,公司在美国、中国、韩国、日本、印度和新加坡都经营电子化
学品业务。
另外,公司最近对其设在新加坡的地区总部投资2500万美元,以
发展其在亚太地区业务,并将重点发展在中国和印度的电子化学品业务
通过对新型超净高纯试剂同常规CMOS酸碱试剂同时进行CMOS工艺中栅
氧化前的清洗实验,从清洗后硅片残留金属量的电感耦合高频等离子体原子
发射光谱分析、硅片表面形貌的AFM分析和MOS电容测量三个方面进行了应
用实验.结果表明,以超净高纯乙腈为主要组分的新型试剂,其清洗效果总体
优于常规CMOS酸碱试剂,可以考虑在半导体器件相应清洗工艺中采用。
超净高纯试剂的主要用途,一是用于基片在涂胶前的湿法清洗,二是用于
在光刻过程中的蚀刻及最终的去胶,三是用于硅片本身制作过程中的清洗。
硅圆片在进行工艺加工过程中,常常会被不同的杂质所沾污,这些杂质的沾污
将导致IC的产率下降大约50%。
为了获得高质量、高产率的集成电路芯片,
必须将这些沾污物去除干净
。
氮化硅膜在室温下用氢
氟酸或磷酸进行蚀刻。
半导体膜蚀刻:
主要是指单晶硅和多晶硅的蚀刻,通常采用混合酸蚀刻液
进行蚀刻。
导体膜蚀刻:
在Si材料集成电路中,金属导线常采用Al、Al-Si合金膜,
湿法蚀刻图形化后Al和Al-Si金属膜常采用磷酸蚀刻液进行蚀刻。
有机材料蚀刻:
主要是指光刻胶在经过显影和图形转移后的去胶。
常用
的正胶显影液有四甲基氢氧化铵,去胶剂可采用热的过氧化氢-硫酸氧化去胶
或采用厂家提供的专用去胶剂或剥离液来去除胶膜。
2007年默克化工技术(上海)有限公司建立了松江基地
Ashland亚什兰集团在中国的业务稳步增长,先后成立了四家全资子公司,胜牌(上
海)润滑油有限公司、亚什兰(常州)化学有限公司、亚什兰聚酯(昆山)
有限公司、常州亚什兰现代化学有限公司,一家合资企业康胜(上海)润滑
油有限公司,在北京、上海设立了销售代表处。
亚什兰集团对常州和昆山的
生产工厂进行扩建和升级,其中在常州的项目2005年投产。
2006年4月,西格玛·奥德里奇进军中国,并收购了北京舒伯伟化工仪
器公司。
2008年在无锡投资建厂,从事高纯度化学品、生化试剂的规模化生
产及分装,2009年中国市场销售额约6.5亿元。
德国默克集团于1995年开
始开拓中国市场,2009年在中国市场销售额约7亿元,制药业务和化工业务
分别占6成和4成。
2009年国内化学试剂行业的市场规模约为80亿元,其中排名第一和第
二的分别是默克和西格玛·奥德里奇;西陇化工排名第三,当年实现营收6.36
亿元;国药集团和光华化学分列第四和第五名。
超净高纯硫酸占超净高纯试剂的27%-30%。
在标准的集成
电路制造工艺流程中,涉及晶圆清洗或表面预处理的工艺就超过100步之多,
包括曝光后光刻胶的剥离、灰化残留物的去除、本征氧化物的去除,甚至还有
选择性刻蚀
超净高纯试剂盐酸占超净高纯试剂的3%-8%。
尽管干法工艺不断发展,且
在某些应用中具有独特的优势,但是大多数晶圆清洗/表面预处理工艺还是湿
法,即使用由多种化学物质组成的混合溶液,包括氢氟酸、盐酸、硫酸、磷酸、
双氧水,以及大量用于稀释与冲洗的去离子水。
苏州晶瑞化学有限公司2001.11.29注册成立,位于苏州市吴中经济开发
区澄湖东路,是一家生产销售微电子业用超纯化学材料和其他精细化工产品
的外资企业。
品种包括氢氟酸、过氧化氢、氨水、盐酸、硫酸、硝酸、异丙
醇、冰醋酸、混合酸(硅腐蚀液、铝腐蚀液、铬腐蚀液)等。
目前主要产品
的纯度为,单项金属杂质含量小于10ppb。
产品广泛应用于超大规模集成电
路和TFT-LCD面板制造过程及太阳能硅片的蚀刻与清洗。
北京化学试剂研
究所主要有9大系列产品:
锂电池电解液、锂离子电池电解液、超净高纯试剂、高纯物质、新型扩散源、光刻胶及配套试剂、金属表面处理专用化学品、
标准溶液及实验试剂、其他精细化学品.年产3000吨生产规模。
产品针对正
极材料分为:
钴酸锂用电解液、锰酸锂用电解液、磷酸铁锂用电解液、钴锰
镍三元材料用电解液四大系列。
对于每一系列又细分为锂离子动力电池电解
液、高倍率放电电解液、高温型电解液、低温型电解液及根据不同用户特殊
要求专门配制的电解液等多种产品。
高纯物质主要包括三氧化二硼、高纯尿素溶液等。
高纯三氧化二硼用于半导体材料砷化镓、磷化镓、磷化铟晶体成长的液封剂、半导体材料的掺杂,剂和制取多种硼化物、氟硼化物。
年产3-5吨。
高纯尿素溶液主要用于新型柴油发动机尾气消除剂,使汽车尾气排放达到欧Ⅳ标准,年生产能力达8000吨。
新型扩散源主要用于半导体的基区和隔离区的扩散。
质量达到进口同类产品水平,根据不同生产线的要求分为三种型号,还可根据用户的要求配置专用型号的扩散源胶液,年生产能力15-20吨。
无锡华晶(器件、双极、上华等)、福州福顺、丹东安
顺、北京燕东、绍兴华越、上海贝岭、上海先进、四川二十四所、吉林华微、
深圳深爱、汕头华汕、扬州晶来(新)、上海丽正等国内几十家集成电路、半
导体器件厂家;洛阳MCL、北京有研硅股、浙江海纳、峨眉739、上海晶华等多家硅材料厂;上海贝尔等多家PCB厂家使用。
到目前,中国集成电路产业已经形成了IC设计、芯
片制造、封装测试三业及支撑配套业共同发展的较为完善的产业链格局
芯片制造业方面,20世纪90年代908工程(无锡华晶项目)和909工
程(上海华虹NEC项目)的建成,分别使我国拥有了第一条6英寸和第一条
8英寸芯片生产线。
2004年中芯国际北京芯片生产线的建成投产则使中国拥
有了首条12英寸芯片生产线。
截至到2007年底,国内已经有集成电路芯片
制造企业近50家,拥有各类集成电路芯片生产线50条
在国内封装测试业的发展上,1995年之前行业主体一直由无锡华晶(现
华润微电子)、华越、首钢NEC等芯片制造企业内部的封装测试线和江苏长电、南通富士通、天水永红(现华天科技)等国内独立封装测试企业组成Freescale、Intel、ST、Renesas、Spansion、Infineon、Sansumg、
Fairchild、NS等众多国际大型半导体企业来华建立封装测试基地,国内封
装测试行业的产量和销售额大幅增长,外资企业也开始成为封装测试业行的
一支主要力量。
目前国内具有一定规模的集成电路封装测试企业已超过70
家,其中年封装量超过10亿块的企业超过20家。
国内多条8英寸生产线的建成量
产,国内芯片大生产技术的主体已经由5、6英寸,0.5微米以上工艺水平过
渡至8英寸,0.25微米-0.18微米,中芯国际(北京)、中芯国际(上海)
以及海力士-意法无锡12寸芯片厂的相继投产标志着国内芯片大生产技术的
最高水平已经达到12英寸、90纳米乃至65纳米的国际先进水平
传统封装形式:
如DIP、SOP、QFP等都已大批量生产,同时随着跨国
公司来华投资设厂和现有封装企业的改造升级,PGA、BGA、MCM等新型封装形式已开始形成规模生产能力。
“龙芯”等为代表的国产CPU、中国华大、大唐微电子等开发的第二代身份证卡芯片、中星微电子的“星光”系列音视频解码芯片、展讯通信的GSM/GPRS基带处理芯片和TD-SCDMA手机核心芯片等大量国内具有自主知识产权的产品研制成功并投向市场,标志着国内集成电路设计业的设计水平已经开始步入世界先进行列
中芯国际(上海、北京)、宏力半导体(上海)、和舰科技(苏州)、台积电(上海)等多个大型芯片制造项目,和包括Infineon(苏州)、NS(苏州)、Fairchild(苏州)、Intel(成都)等一大批封装测试项目相继开工建设并陆续投产
中国集成电路行业出现第一家上市公司——上海贝岭股份有限公司。
已有
杭州士兰、长电科技等多家集成电路企业在国内上市珠海炬力、中星微、展讯通信等多家企业在海外成功上市
中国集成电路产业结构不断趋于合理,IC设计、制造、封装测试
三业开始接近于“3:
4:
4”的合理比重,芯片封装悄然从长江三角洲地区向西
部转移,成都、西安以及甘肃的芯片封装渐成气候,开始与东部沿海地区的
设计、制造形成错位互补的发展态势。
。
士兰微电子3年投入8亿元研发高频高压器件工艺,在LED显示屏的研制中取得重要进展;北京君正充分发挥自主知识产权CPU核Xbust的潜能,北京创毅视讯抓住CMMB标准带来的机会,新一代产品已研发成功,预计2010年两个企业的销售额均可望有2倍到4倍的提升;锐迪科微电子打破阻碍中国通信产业发展的瓶颈,可以提供TD-SCDMA、GSM/GPRS等全系列移动通信核心射频芯片。
“高密度集成电路封装技术国家工程实验室”,由长电科技与中国科学院微电子研究所、中国科学院深圳先进技术研究院、清华大学等5家单位联合实施。
中电科技中国电子和华润集团都已经参与到相关整合中,对集成电路行业的整合有很好的推动作用。
例如,晶门科技业绩在近几年出现下滑,原因是其业务的60%来自摩托罗拉手机京东方和CEC合作,而且CEC成为拥有29%股份的股东,这一合作立刻吸引了很多新的订单。
与此同时,士兰、比亚迪、贝岭、华为、中兴通讯、海尔、京东方、长虹等整机企业积极与设计企业相结合,有可能打造出新型的IDM。
展讯通信有限公司7月30日宣布,其首款WCDMA基带芯片-SC7701B已
实现大规模量产
格科微电子同比增
长51%;联芯科技同比激增92%。
昂宝电子、盈方电子等一批新锐企业在国际
国内市场份额中也名列前茅。
以张江高科技园区为例,集成电路产业已占上海50%、全国15%,占全球
1.5%,并形成了从芯片设计、制造、测试、封装等完整的产业链条。
作为集
成电路产业最高端科技体现的芯片设计方面,全国前三位芯片设计公司均落
户在张江,带动全国的集成电路产业向前跨越。
与北京工业投资公司和中芯国际签订合作协议,共同出资在北京建设
45-28纳米晶圆工艺、月产3.5万片12英寸集成电路生产线。
如此高技术水
平和高产能的生产线,在国内尚属首条。
五年内带动15家相关企业落户光谷
武汉集成电路产业再添新军。
5月21日,新思科技武汉全球研发中心揭
牌,其将为全球开发领先的知识产权产品,并带动我市芯片设计产业集群式
发展。
武汉半导体产业促进恳谈会同日举行,中芯国际、台积电、海思半导体等十多家企业云集现场。
2012年,武汉市电子信息产业产值超过2000亿元,东湖高新区已聚集芯片设计、制造企业50余家,其中芯片设计企业30余家,从业人员2000余人。
。
武汉已决心打造继北京、上海之后的半导体产业“第三极”,竭尽全力为企业提供发展空间
海思半导体来自全志科技的最新四核平板平台,也可以了解集创
北方的最新incell触控方案,可以了解格科微的CMOS传感器方案,可以了
解龙芯的最新多核嵌入式方案以及来自华力微、华芯的最新产品
电子创新网CEO张国斌就发表《创客如何改变世界》的演讲,而深圳中微电
科市场总监费浙平将发表《系统公司应用创新的若干思考》,此外,半导体业
界知名的风投企业华登国际总经理黄庆都将发表主题为《中国高科技产业创
新创业与投资》的精彩演讲。
英特尔、台积电、三星电子分别入股全球最大的光刻机厂商ASML,共同研发18英寸生产线关键设备及技术。
英特尔、三星电子、台积电等7家半导体企业
大规模生产0.09~0.2μm技术用的超净高纯试剂,其中的过氧化氢、硫酸、异丙醇等主要品种一般在5000~10000吨/年的规模,65nm及以下技术用工艺化学品也已完成技术研究,具备相应的生产能力。
离子液体是近年来兴起并被广泛关注的新型绿色试剂,是当今绿色化学
和纳米化学的前沿。
仪器的发展对试剂的检测及鉴定具有意义重大。
超净高纯试剂的应用超净高纯试剂是集成电路和分立器件制作过程中的
关键性基础材料,其性能和质量直接影响芯片几何图形的能否实现,因此可以
说这些材料是直接制约微电子技术发展的最为关键的材料
集成电路前工序生产所用的微电子化工材料约占集成电路材料总成本的
15%左右,其中超净高纯试剂约占5%。
图表:
2012-2013年我国超净高纯试剂市场规模统计表
年份2012年2013年
市场规模13.2%16.1%
图表:
2012-2013年我国超净高纯试剂市场规模及增长率变化图
图:
2012-2013年我国超净高纯试剂市场规模及增长率变化
图
13.20%
16.10%
0.00%
5.00%
10.00%
15.00%
20.00%
2012年2013年
市场规模
图表:
2012-2013年我国超净高纯试剂产能统计表
年份2012年2013年
产能15.2%14.9%
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