模拟电路考试试题10套和答案.docx
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模拟电路考试试题10套和答案
试卷编号01
………………………………………………………………………………………………………………
一、填空(本题共20分,每空1分):
1.整流电路的任务是__________;滤波电路的任务是__________。
2.在PN结的形成过程中,载流子的扩散运动是由于__________而产生的,漂移运动是__________作用下产生的。
3.放大器有两种不同性质的失真,分别是__________失真和__________失真。
4.在共射阻容耦合放大电路中,使低频区电压增益下降的主要原因是__________的影响;使高频区电压增益下降的主要原因是__________的影响。
5.在交流放大电路中,引入直流负反馈的作用是__________;引入交流负反馈的作用是___________。
6.正弦波振荡电路一般由__________、__________、__________、__________这四个部分组成。
7.某多级放大器中各级电压增益为:
第一级25dB、第二级15dB、第三级60dB,放大器的总增益为__________,总的放大倍数为__________。
8.在双端输入、单端输出的差动放大电路中,发射极公共电阻Re对__________信号的放大无影响,对__________信号的放大具有很强的抑制作用。
共模抑制比KCMR为__________之比。
9.某放大电路的对数幅频特性如图1(在第三页上)所示,当信号频率恰好为上限频率时,实际的电压增益为__________dB。
二、判断(本题共10分,每小题1分,正确的打√,错误的打×):
1、()构成各种半导体器件的基础是PN结,它具有单向导电和反向击穿特性。
2、()稳定静态工作点的常用方法主要是负反馈法和参数补偿法。
3、()在三极管的三种基本组态中,只有电流放大能力而无电压放大能力的是基本共集组态。
4、()若放大电路的放大倍数为负值,则引入的一定是负反馈。
5、()通常,甲类功放电路的效率最大只有40%,而乙类和甲乙类功放电路的效率比甲类功放电路的效率要高。
6、()一般情况下,差动电路的共模电压放大倍数越大越好,而差模电压放大倍数越小越好。
7、()根据负反馈自动调节原理,交流负反馈可以消除噪声、干扰和非线性失真。
8、()要使放大电路的输出电流稳定并使输入电阻增大,则应引入电流串联负反馈。
9、()在放大电路中引入电压负反馈可以使输出电阻减小,在放大电路中引入电流负反馈可以使输出电阻增大。
10、()在正弦波振荡电路的应用中,通常,当要求振荡工作频率大于1MHz时,应选用RC正弦波振荡电路。
三、选择(本题共20分,每个选择2分):
1.在放大电路中,测得某三极管的三个电极的静态电位分别为0V,-10V,-9.3V,则此三极管是()
A.NPN型硅管;B.NPN型锗管;C.PNP型硅管;D.PNP型锗管;
2.为了使放大电路Q点上移,应使基本放大电路中偏置电阻Rb的值()。
A.增大B.不变C.减小
3.典型的差分放大电路中Re()。
A.对差模信号起抑制作用B.对共模信号起抑制作用C.对差模信号和共模信号均无作用
4.在差动电路中,若单端输入的差模输入电压为20V,则其共模输入电压为()。
A.40VB.20VC.10VD.5V
5.电流源的特点是()。
A.交流电阻大,直流电阻小;B.交流电阻小,直流电阻大;
C.交流电阻大,直流电阻大;D.交流电阻小,直流电阻小。
6.影响放大电路高频特性的主要因素是()。
A.耦合电容和旁路电容的存在;B.放大电路的静态工作点不合适;
C.半导体管的非线性特性;D.半导体管极间电容和分布电容的存在;
7.关于理想运算放大器的错误叙述是()。
A.输入阻抗为零,输出阻抗也为零;B.输入信号为零时,输出处于零电位;
C.频带宽度从零到无穷大;D.开环电压放大倍数无穷大
8.有T1、T2和T3三只晶体管,T1的β=200,ICEO=200μA;T2的β=100,ICEO=10μA;T3的β=10,ICEO=100μA,其它参数基本相同,则实用中应选()
A.T1管;B.T2管;C.T3管
9.交流反馈是指()
A.只存在于阻容耦合电路中的负反馈;B.变压器耦合电路中的负反馈;
C.交流通路中的负反馈;D.放大正弦信号时才有的负反馈;
10.RC桥式正弦波振荡电路是由两部分组成,即RC串并联选频网络和()
A.基本共射放大电路;B.基本共集放大电路;C.反相比例运算电路;D.同相比例运算电路;
四、分析与计算(本题共50分):
1.(本小题10分)电路如图2所示,通过分析判断反馈组态,并近似计算其闭环电压增益Ausf。
2.(本小题10分)电路如图3所示,u2=10V,在下列情况下,测得输出电压平均值Uo的数值各为多少?
(1)正常情况时;
(2)电容虚焊时;(3)RL开路时;(4)一只整流管和电容C同时开路时。
3.(本小题12分)如图4所示电路中,A为理想运放,Vcc=16V,RL=8Ω,R1=10kΩ,R2=100kΩ,三极管的饱和管压降UCES=0V,Uo=-10V。
(1)合理连接反馈电阻R2;
(2)设A输出电压幅值足够大,估算最大输出功率Pom;(3)估算单个三极管的最大集电极耗散功率PCM值。
4.(本小题18分)电路图5中,C1、C3和CE的容量足够大,晶体管的β=50,rbb’=200Ω,VBEQ=0.7V,RS=2kΩ,RB1=25kΩ,RB2=5kΩ,RC=5kΩ,RL=5kΩ,RE1=1.7kΩ,RE2=300Ω,VCC=12V。
计算:
(1)电路的静态工作点;
(2)电压放大倍数AuS、输入电阻Ri和输出电阻RO。
图1图2
图3图4
图5
试卷编号02
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一、填空(本题共18分,每空1分):
1.本征半导体中,自由电子浓度________空穴浓度;在P型半导体中,自由电子浓度________空穴浓度;在N型半导体中,自由电子浓度________空穴浓度。
2.放大电路中,测得三极管三个电极1,2,3的电位为;则该三极管是________型,电极1为________,2为________,3为________。
3.射极输出器的特点是:
电压放大倍数________,输入电阻________,输出电阻________。
4.半导体三极管属________控制器件,而场效应管属________控制器件。
5.正弦波振荡电路产生自激振荡的条件是________,φ+φ=________。
6.若希望提高放大电路的输入电阻且稳定输出电流,应选用________反馈。
7.文氏电桥正弦波振荡器用________网络选频,当这种电路产生振荡时,该选频网络的反馈系数=________,=________。
二、简答(本题共10分,每小题5分):
1.什么是零点漂移,产生的原因是什么,抑制零点漂移最有效的方法是什么?
2.什么是交越失真,如何克服交越失真?
三、分析与计算(本题共72分):
1.(本小题15分)放大电路如图示1,,R=8.7kΩ,=1.3KΩ,,+V=+15V,β=20,U=0.7V,电容容量足够大,求:
⑴静态工作点;⑵电压放大倍数;⑶输入电阻和R;⑷若=1kΩ,求;⑸若开路,求。
2.(本小题12分)电路如图2所示,和的性能一致,;,;试求:
⑴:
求,;⑵:
电路改成从的集电极与地之间输出时
图1图2
3.(本小题15分)电路如图3所示,已知:
,,输入电压,和的性能一致,死区影响和均可忽略。
试求:
输出功率,电源消耗功率及能量转换效率η,每管功耗。
4.(本小题15分)反馈电路如图4所示,试回答:
⑴:
该电路引入了何种反馈(极性和组态);
⑵:
该反馈对输入和输出电阻有何影响(增大或减小);
⑶:
在深度负反馈条件下,求电压增益。
图3图4
5.(本小题15分)电路如图5所示,集成运放均为理想运放,试写出输出电压的表达式。
图5
试卷编号03
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一、填空(本题共20分,每空1分):
1、构成各种半导体器件的基础是PN结,它具有和特性。
2、稳压二极管根据击穿机理可以分为击穿和击穿。
3、三极管正常工作(起放大作用)必须具备的两个外部条件是和。
4、多级放大电路内部各级之间常用的耦合方式有耦合、耦合和耦合。
5、在集成电路中,高阻值电阻多用BJT或FET等有源器件组成的电路来代替。
6、乙类互补对称功率放大电路的输出波形会出现,在整个信号周期内,三极管的导通角θ等于。
7、在集成运放中,一般采用差分放大电路来克服现象。
8、负反馈放大电路产生自激振荡的主要原因是在低频或高频段的,要消除它,则必须采用的方法来破坏电路自激振荡的条件。
9、在深度负反馈条件下,闭环增益主要取决于,而与开环增益基本无关。
10、正弦波振荡电路主要由、、和这四个部分组成。
二、单项选择(本题共20分,每小题2分):
1.当温度升高时,二极管反向饱和电流将()。
A增大B减小C不变D等于零
2.当稳压管在正常稳压工作时,其两端施加的外部电压的特点为()。
A反向偏置但不击穿B正向偏置但不击穿C反向偏置且被击穿D正向偏置且被击穿
3.直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是()。
A电阻阻值有误差B晶体管参数的分散性
C晶体管参数受温度影响D受输入信号变化的影响
4.差动放大电路的主要特点是()。
A有效放大差模信号,有力抑制共模信号;B既放大差模信号,又放大共模信号
C有效放大共模信号,有力抑制差模信号;D既抑制差模信号,又抑制共模信号。
5.互补输出级采用射极输出方式是为了使()。
A电压放大倍数高B输出电流小C输出电阻增大D带负载能力强
6.集成运放电路采用直接耦合方式是因为()。
A可获得较高增益B可使温漂变小
C在集成工艺中难于制造大电容D可以增大输入电阻
7.放大电路在高频信号作用下放大倍数下降的原因是()。
A耦合电容和旁路电容的影响B晶体管极间电容和分布电容的影响
C晶体管的非线性特性D放大电路的静态工作点设置不合适
8.当信号频率等于放大电路的和时,放大倍数的数值将下降到中频时的()。
A0.5倍B0.7倍C0.9倍D1.2倍
9.在输入量不变的情况下,若引入反馈后(),则说明引入的是负反馈。
A输入电阻增大B输出量增大C净输入量增大D净输入量减小
10.在RC桥式正弦波振荡电路中,当相位平衡条件满足时,放大电路的电压放大倍数()时电路可以起振。
A等于1/3B等于1C等于3D略大于3
三、分析与计算(本题共60分):
1.(本小题20分)如图1所示电路中,设电路中VCC=12V,各个电容的容量足够大,Rb1=Rc=RL=5kΩ,Rb2=25kΩ,Re=1kΩ,Rf=300Ω,晶体管的β=100,UBE=0.7V,rbb’=100Ω。
(1)估算电路静态工作点;
(2)画出简化的h参数等效电路;
(3)计算电压放大倍数Au、输入电阻Ri和输出电阻Ro。
2.(本小题10分)电路
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