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生产实习报告word
生产实习报告
摘要:
此篇报告为本人晶硅电池车间为期2个月的实习报告,主要分三个段分别从生产、工艺、质量三个方面对硅片到电池片的生产过程进行介绍。
●硅片来源代码
HRG6海润G6GJGJ高佳JIJI晶樱HRSF海润顺风JIHR晶樱海润CG太仓协鑫GCL保利协鑫RN荣能
1.超净段
1.1制绒
1.1.1目的:
制绒就是利用硅片的机械损伤层(10um),通过硝酸与氢氟酸的混合溶液对硅片表面腐蚀进行制绒。
在硅片表面形成高低不平的表面及大量的孔洞,增加电池片表面的受光面积降低反射率,从而提高太阳电池的转换效率,制绒减薄量8-12um/两面,湿法制绒后单晶反射率大概为10%-12%,多晶反射率为22-26%。
1.1.2原理:
单晶利用碱溶液在不同晶向上的腐蚀速率不同而产生“金字塔”(pyramid)结构,有“倒金字塔”结构(invertedpyramid);多晶硅表面只有少量的(111)晶面,所以利用HF&HNO3混合液对硅的各向同性腐蚀特性,机械损伤处能量高不稳定,腐蚀更快,得到虫孔状绒面。
不管是哪种绒面,都可以提高硅片的陷光作用。
目前公司所用制绒设备为RENA一代和二代机器,一代设备人称为RENA,而二代设备人称NIAK,为升级版,主要区别是一代为人工上下料,二代为机械自动上下料和自动装篮,二代机器控制界面要比一代功能强大。
1.1.3多晶制绒工艺为:
RenaInTex工艺主要包括三部分:
硝酸+氢氟酸氢氧化钠氢氟酸+盐酸
在制绒整个过程中,硅片都浸没在溶液中,首先是硝酸在损伤层与缺陷处将硅片氧化,形成二氧化硅,然后氢氟酸与二氧化硅反应生成硅的络合物(H2SiF6)与水,这样去损伤层与制绒同时进行。
制绒之后的硅片经过NaOH溶液以液刀方式去除硅片表面的多孔硅,再经过DI水以液刀方式冲洗去掉表面残留的碱液。
最后利用HF与HCl的混合溶液以液刀方式除去硅片表面的各种金属离子等杂质,并用DI水冲洗酸性表面,最后用压缩空气风刀将硅片表面吹干。
所涉及的反应有:
Si+4HNO3=SiO2+4NO2↑+2H2OSiO2+4HF=SiF4↑+2H2O
SiF4+2HF=H2SiF6
HNO3-HF腐蚀原理
1、此体系中生成的一氧化氮与HNO3产生亚硝酸
2、HNO2的产生是一个自催化的过程。
HNO2自身催化生成了更多的HNO2,HNO2生成速率越快,就有更多的氧化反应发生。
如果溶液中没有HNO2存在,腐蚀速率会大大降低(速率并不是零,仍然有相当的反应速率)
3、硅在酸或碱溶液中的腐蚀可以看成硅在电解质水溶液中的电化学腐蚀。
硅片表面由于存在微区杂质浓度的差异或局部微小缺陷及损伤,各个区域出现电位差,如n-Si中杂质浓度高的微区或缺陷损伤处电位较低,成为阳极;而相邻区域电位较高,成为阴极。
腐蚀速度随掺杂浓度的增加而增加,高掺杂浓度的硅片的腐蚀速度是低掺杂浓度的硅片的10倍以上,所以不同片源的硅片制绒结果会有较大差异。
正因为没有HNO2存在腐蚀速率会大大降低,影响制绒效果,生产中有时为激活溶液常会添加NaNO2。
1.1.4制绒各槽参数:
①制绒槽液体体积为500L,HF浓度为70g/L,每100片硅片往储液罐里加0.48LHF,HNO3浓度为500g/L,每100片硅片往储液罐加0.55LHNO3。
为保证制绒效果制绒槽温度设定为8±2℃预警,8±3℃报警;②碱槽液体体积为75L,NaOH质量分数为5%,而碱槽温度设定为20±10℃预警,20±15℃报警;③酸洗槽液体体积为230L,HF体积分数为40%,HCl体积分数为37%,酸洗槽反应温度为常温,每300片硅片往储液罐里加0.6LHF,加HCl0.65L④水洗槽基本无要求,温度为常温。
制绒设备中有反应槽和储液罐,反应槽与储液罐形成一循环体系,生产过程中根据硅片数量由管道向储液罐加定量溶液,再由储液罐引出两根管道在硅片上下面形成液刀,液体再流向反应槽,当反应槽液面达到一定时能过管道流向储液罐,从而实现循环,为保证制绒效果需要定期换槽,将槽与罐中液体全部排空,再加规定剂量的溶液。
1.1.5多晶制绒生产流程:
领硅片→开盒→外观检查→上料→下料→装篮→倒篮→清洗→烘干→传片
1.1.6制绒段生产质量控制及碎片率标准
上料岗位生产质量控制:
检查硅片是否有崩边、色差、线痕宽度大于15mm、毛边、碎片、脏片、连续性缺口、亮线、开盒不良等,需挑出分别集中放置处理。
下料岗位生产质量控制:
制绒表面异常包括出片后带水、有黄斑、制绒面有较深的滚轮印、有脏污、有麻点、暗纹较重、黑斑。
制绒段碎片率标准:
上料碎片率<0.3,小组内碎片率要求<0.09,下料碎片率<0.18,整个超净碎片率<0.19,制绒段碎片主要由机器造成,正常情况下碎片率是不会超出标准的。
1.1.7生产工艺标准及生产质量监控调节
目前一期车间RENA制绒机为8道的,测试片需放4片,放的位置为中间4道,而二期车间NIAK制绒机为5道的,放3片测试片于中间3道,开机后,取3片测试片试跑,测其值,调节工艺(加溶液、水、调节带速)使其值在上下线内方能开始生产,调节工艺将标准控制在控制线内,每隔20min放测试片监测制绒质量,反射率测试频率为每小时每机台测一次,为避免间距对测试结果的影响,反射率测试片直接从下料处取片,不能用减重测试片。
上料放片,片间距在2cm,保证均匀放片,若只有一个人放片的时候,则选取中间道放片。
生产质量工艺标准
M6P
LSL
LCL
TA
UCL
USL
反射率(%)
21.5
23
24
25
26.5
制绒深度(um)
3.1
3.45
3.6
3.75
4
质量通知工艺规则
OOC(outofcontrol)规则
制绒深度:
1.单组均值超过控制线,由质检通知主机手调节;2.同一机台连续2次或2次以上制绒深度偏离Target同一侧超过0.1μm(3.5-3.7μm),由质检通知主机手或工艺工程师进调节;3.连续4点递增或递减通知工艺调节;4.连续5点偏中心值同一侧通知工艺调节;
反射率:
1.反射率超过控制线,由质检通知工艺调节。
2.反射率低于22.5%,在流程单或流程卡上用大字号注明“反射率低于22.5%”字样,通知制绒/KP工艺。
3.对于反射率低于22.5%的情况,工艺调节后未达到质检测试频率要求的批次,由工艺复测确认是否需要通知后段。
如果产线出现异常,质量会按通知规则第一时间通知工程部门,工程部门接到通知会第一时间赶到现场处理。
制绒工艺调节
腐蚀量情况
调节方法
单次调节最佳幅度
单次调节最大幅度
备注
腐蚀量偏低
降低带速(生产带速下限为1.4m/min),如果带速降低到1.4m/min腐蚀量仍偏低,需添加硝酸与氢氟酸
带速降低幅度为0.1m/min
单次最大调整幅度为0.3m/min
复机时腐蚀量上升速度较快,须及时调节带速
腐蚀量偏低
硝酸补液量与氢氟酸补液量比例(每次)
HNO3:
HF=0.3L:
0.45L
单次补硝酸0.6L,氢氟酸0.9L
腐蚀量偏高
提高带速(生产带速上限为2.6m/min),如果带速提高到2.5m/min腐蚀量仍偏高,须通知值班工艺工程师
带速调增幅度为0.1m/min
单次最大调整幅度0.3m/min
反应时间由传送带速决定,减重少多加减HF量,反射率低高加减HNO3量,调节的量大小一般是剂量的整数倍。
1.1.8自动炉前清洗机复机流程
a)确定洁净度是否达标,确认设备状态:
排水、排酸是否通畅;空篮运行10min,确认系统运行是否稳定;
b)清洗机停止生产,3天以内复机时需对酸槽进行彻底清理,用IPA(二甲基甲醇)擦拭后,DIW冲洗,停止生产3天以上或车间排风停止复机时除需对酸槽进行彻底清理,用IPA擦拭后,DIW冲洗外,还应每槽加8LHCL,加水至槽沿,浸泡15min,排出后DIW冲洗。
工艺工程师确认清洗机打扫是否干净;
c)由工艺工程师确认工艺各参数值后加水、加酸;
d)记录清洗后前三组硅片批号及流程单号,观察清洗效果,正常后方可用于生产。
1.1.9制绒段返工流程:
确认返工片→根据不同的返工类型确定返工工艺→对于超净返工及KP返工片返工后要测PN型→扩散
1.1.9.1制绒段返工注意事项:
返工前需由质量和工艺共同确认返工片是否达到返工标准和返工数量及类型;返工时均需按正常流程称前重和后重,填写在流程单上,并附上返工单;返工后的硅片,重量无异常正常下传,重量偏轻,质检盖偏轻章下传;对于超净返工-方阻超标和烧焦片及KP返工片,返工后要测PN型,以保证PN节已经完全去除;每篮抽测2片,测试显示全部为P型才允许下传,发现N型通知工艺处理;返工完后溶液不允许做正常生产的硅片,故单多晶返工后均需换槽;
1.1.9.2返工标准及处理
制绒返工片
多晶M6P
返工前重量
m≥9.57g
8.68g≤m<9.57g
m<8.68g
采取措施
返工
直接下传
申请报废
制绒反工片:
返工片时将硅片制绒面向下
1.1.9.2返工片流程单命名规则
1.1.10制绒机停复机步骤
停机步骤:
NIAK正常停止→将所有槽排放清洗
RENA正常停止→手动→由槽向罐排放药液
复机步骤:
NIAK向所有槽添加药品→待所有槽准备就绪→正常生产
RENA手动→向所有槽添加化学药品→选定刻蚀槽→手动→由罐向槽添加化学药品→温度(10度以下)→待所有槽准备就绪→自动模式→正常生产
1.2扩散
1.2.1原理:
扩散制结,是在高温条件下把需要的掺杂杂质扩散进入硅片的表面,在表面形成与基体材料导电类型相反的薄层。
以P型基底硅为例,采用POCl3液态源气体携带法扩散制结,制出的结均匀性好,方块电阻的不均匀度<5-10%,少子寿命>10μs,POCl3在>600℃时发生分解,P2O5在300℃升华。
扩散过程中所发生的化学反应为:
4POCl3+3O2=2P2O5+6Cl2↑
2P2O5+5Si=5SiO2+4P↓
沉积在硅表面的磷原子在扩散温度下以替位方式进入规则排列的硅晶格中。
扩散后,硅片的外层形成一层磷硅玻璃,厚度为1000埃,中间层是N型层,薄层厚度大约为0.3-0.5um,里层是P型半导体本体材料。
1.2.2影响扩散方阻均匀性的因素
对于管式扩散炉而言,影响扩散均匀性的因素分两类。
第一类是设备方面,主要有恒温区温度度的控制、炉门密封性、石英保温挡板、匀流板的设计、石英舟的结构、排风口位置、源瓶恒温水槽的温度稳定性等。
第二类是工艺方面,主要有硅片绒面的质量、扩散工艺气体流量、各种反应气体的比例、扩散时间和温度设定、源瓶液位、恒温水槽温度设置、废气排放流量与炉内的平衡压强等。
因为这些因素相互影响,使得生产中的工艺优化显得更加困难。
下面从各个方面分别讨论影响扩散均匀性的因素。
(1)表面氧化层
杂质磷在氧化层中的扩散系数远小于在硅中的扩散系数,因此氧化层具有阻挡杂质磷向硅中扩散的能力。
利用这一性质,在扩散步骤前通入一定量的氧气,在硅片表面上制作出一层二氧化硅薄膜,氧化层能减缓磷扩散的速度,使其扩散更加均匀。
(2)小氮与氧气的流量比例在扩散工艺中,一般会在扩散时往石英管内同时通入小氮和氧气。
然后再分别讨论小氮与氧气的流量是否会对扩散方阻的均匀性产生影响。
扩散的化学反应方程式为:
2Si+2POCl3+O2→2SiO2+2P↓+3Cl2↑
(2)
根据式
(2),从理论上来说小氮和氧气的比例应该是2:
1。
小氮在扩散工艺中是最重要的一种气源,它的流量大小直接影响着扩散的质量。
如果流量过大,在扩散预淀积时可能造成表面浓度过高,甚至在扩散后硅片表面会出现合金点;如果流量偏小,扩散反应管内杂质源浓度不够,就会导致扩散的不均匀。
所以,小氮流量的最佳值应该是兼顾前后两者的平衡点。
在生产调试中,由于三氯氧磷是通过氮气携带进入石英管内的。
这时,三氯氧磷的流量主要由源温和小氮流量来决定,因此在小氮中实际携带的磷源流量较难计算,一般通过不同流量的实验来寻找一个小氮的最佳流量值。
从另外一个角度来看,如果氧气的比例太小,三氯氧磷热分解产生的五氯化磷就不能充分分解,对硅片和石英管都有腐蚀性。
如果氧气比例过大,就会造成硅片表面的磷硅玻璃过厚,对后面的扩散再分布影响就大。
因此,氧气的流量决定了三氯氧磷的反应程度以及磷硅玻璃产生的厚度,这两者都对方块电阻有影响。
所以,小氮与氧气的流量比例也会关系到扩散均匀性。
(3)扩散温度
扩散系数是描述杂质在硅中扩散速度的一个重要参量,用字母D表示,D=D0exp(
)
(2)式中,D0为本征扩散系数;E为扩散激活能;k为波尔兹曼常数;T为温度。
从数学表达式上来看,扩散系数主要由温度决定。
扩散温度越高,扩散系数就越大,扩散速率就越快,而扩散速率越快,扩散均匀性和重复性也就越难以得到控制。
但是扩散温度又不能太低,因为三氯氧磷热分解需要大于600℃的温度,温度越高,化学反应就越完全,而且扩散温度低了,扩散时间相对就得更长生产周期就要延长,扩散的均匀性和重复性就差。
所以,扩散温度的设定需要考虑温度的变化对杂质的固溶度、扩散系数和杂质源的热分解速度的影响,尽量减少在扩散过程中温度波动对扩散结果的影响。
(4)各区温度分布
通常,管式扩散炉的恒温区会按炉口到炉尾被等分为5个区。
在生产进片时,炉尾的硅片总是比炉口的先进入到炉管内;而在出片时,炉口的硅片则比炉尾的先被运出炉管。
这就导致了同一炉的硅片,扩散反应时间的不一致。
另外,在进出炉炉门打开的时候,炉口区域由于受到外界温度的影响,其损失的热量是最多的,所以炉口区域需要的升温时间也就相对较长。
因此,虽然是同一炉生产的硅片,其扩散时间和温度都是不一样的,从而导致了片与片之间的方阻不均匀。
在炉口区域设置较高的温度对其进行温度补偿可以改善炉口到炉尾的片间方阻均匀性。
(5)炉内压强
扩散炉内的压强主要由大氮流量和排风量的大小决定,而炉内压强会影响到炉内温度和气氛的稳定性,从而影响扩散的均匀性。
小氮携带的磷源从炉尾进气管进入炉内,然后保护气体大氮把磷源从炉尾输送到炉口。
这样就不难理解,如果大氮流量太小,可能会导致输送到炉口的氮气中,磷源的浓度太低了,最后就会造成整炉硅片的片间不均匀。
另外一方面,由于炉口的电池片靠近排风口,所以炉口位置的工艺气体相对更不稳定,因此电池片的均匀性也就更难以得到保障。
一般来说,如果炉口的电池片均匀性较差,也有可能是因为炉口的排风量过大引起的。
因此对于生产调试而言,大氮流量和排风量要配合着调,炉内压强的最佳值应该是能够使输入输出达到动态平衡,这样才能使炉管内的气体浓度更加平衡和均匀,硅片上的掺杂浓度也就更加均匀。
(6)绒面质量
制作单晶硅太阳电池的第一道工序是清洗制绒,绒面的质量同样也可以影响到扩散的均匀性。
制绒的方向是改善绒面的均匀性。
如果硅片表面的金字塔绒面细小而均匀,在扩散炉内硅片表面与工艺气体的接触反应也就会更加均匀,扩散出来的方阻均匀性也就更好。
(7)其他因素
影响到扩散均匀性的因素还有很多,譬如说在炉口和炉尾放置匀流板,对于扩散反应气体的均匀分流也会有积极的作用,使进入到扩散管内的化学反应气体更加均匀,有效提高扩散的均匀性。
另外还需定期清洗石英管,然后重新升温饱和后生产的电池片均匀性一般都会有好转。
总之,影响扩散均匀性的因素错综复杂,任何一个细节的变化,都有可能影响到扩散杂质的分布,想要提高均匀性必须要全方面的考虑。
1.2.3扩散工艺及调节
扩散步中有前通氧和后通氧,前通氧的作用是在硅的表面形成一层二氧化硅,杂质磷在氧化层中的扩散系数远小于在硅中的扩散系数,因此氧化层具有阻挡杂质磷向硅中扩散的能力,利用这一性质,使其扩散更加均匀;后通氧的作用是将扩散层中余留的PCl5反应完全,P2O5与硅片反应在硅片表面形成一层磷硅玻璃,磷硅玻璃在此有个P吸杂的作用,磷硅玻璃含有大量的微缺陷,成为间隙态金属杂质的吸杂点,在磷扩散的同时,金属原子也扩散并沉积在磷硅玻璃中。
磷源工艺条件:
液态POCl3源瓶要求恒温水浴20±0.7℃,源瓶容量为1L,水位要求浸没孔,当POCl3液面降至2-4cm高度更换源瓶。
工艺调节:
扩散中方块电阻偏高,在只调节LN2流量情况下加大LN2流量,一般15cc/min变动对应着1Ω/sqr的变动。
思考:
工艺设定的方阻目标值是与栅线的数目匹配的,方阻越高,需要的细栅数目越多,这里还要考虑保证印刷时细栅线与硅片形成欧姆接触的实现。
1.2.4扩散生产流程:
接片→装舟→扩散→卸舟→传片
1.2.5各岗位职责及硅片质量控制:
装舟岗位:
在前舟的第一槽和后舟的最后一槽装好挡片(放置最前和最后位置的一片硅片因方阻偏低而影响效率),一般的舟都设有挡板。
装好后填写流程单,每组硅片可装396片,多余硅片提出放入提片蓝内,如有坏片或不足396片时,要补齐396片,填写在流程单上,并填写相应其它信息。
两舟摆放整齐,将流程单置于石英舟下方,等待进炉。
若发现装舟前的硅片有清洗不净片时,应将其挑出放在花篮中,通知清洗人员重新清洗,若有未烘干的硅片时,应通知烘干人员烘干,切不可将未烘干或清洗不净的硅片装舟进炉扩散。
若发现硅片的绒面异常,将其挑出集中返回制绒,若同一组出现10片以上时,应立即通知工艺工程师。
若发现有绒面反片,应将其倒正后重新装舟。
在搬石英舟时,用手拿住舟凳,不可用手直接接触石英舟,防止污染石英舟而间接污染硅片,将倒好的硅片放在的石英舟的下位,以3°的倾斜角轻轻插入舟槽内,这里3°的倾斜是朝磷源方向,目的是使扩散更均匀。
注意要插到舟的底部,尽量防止与舟杠磕碰;注意任何物体均不可从硅片上过,不可用手拿片,防止污染硅片造成烧焦片。
卸舟岗位:
卸舟岗位最重要的是对异常片的辨认与区分。
1、扩散反片,即扩散在非制绒面(会降低效率,不能下传)。
2、三片,在装舟时,被夹在两片中间,未被扩散到。
3、烧焦片,颜色较深,有发黄,发蓝,发白。
4、电阻异常片,质检检测后方阻超出规格线的,质检会通知电阻异常的炉管,流程单号及片数。
卸完后将空石英舟整齐的摆放到规定位置,然后将卸舟底座上的硅片轻轻拿出,并把片子整理整齐。
将卸好的片子整理好,将裂纹、缺口、烧焦、反片等不合格片挑出来,填写流程单记清炉号、不合格片。
整理好后双手拿片将硅片与流程单一起送往传片处。
传片岗位:
传片人员接到片后要仔细整理硅片,将突出、翘出一角的片子从中挑出,重新整理好,并将挑出的硅片数记录到流程单所对应位置。
若发现硅片有崩点,缺角,碎片,烧焦片(不可下传)应挑出,禁止下传;对盖有“超净不良”的硅片应查看是否附有实验单,若无实验单则不能下传,并通知工艺工程师附实验单后方可下传。
所有盖有“超净返工”的硅片禁止下传,若发现有误传,应立即通知工艺工程师并将其追回。
对于实验片,应按要求下传,对于“扩散后库存”的实验片应打包库存于超净氮气柜。
1.2.6扩散工艺标准
方阻(Ω/□)
LSL
LCL
TA
UCL
USL
单点方阻
65
68
80
92
95
单片方阻
72
73
80
87
88
单组方阻
74
76
80
84
86
1.2.6.1质检扩散测试片取片规则:
扩散完成后取片进行测试,取前舟大概1/4处为第一片(1F),取前舟靠舟尾处为第二片(2F),取后舟大概3/4处为第三片(3F)。
1.2.6.2异常片处理办法
1.2.6.2.1当1F、3F超标时:
取其相邻左右两片复测,如复测两片均合格,将整舟下传。
如复测两片有任何一片超标,以1F为例,抽测所在舟的1/8和3/8处各一片。
a)如1/8处合格,3/8处也合格,则将1/8到3/8转为处理片;
b)如1/8处合格,3/8处超标,则将1/8到1/2转为处理片;
c)如1/8处超标,3/8处也超标,则将前1/2转为处理片;
d)如1/8处超标,3/8处合格,则将前3/8处转为处理片;
1.2.6.2.2当2F超标时:
取其相邻左右两片复测,如复测两片均合格,将整舟下传,如复测两片有任何一片超标,抽测前舟3/4和后舟1/4处各一片。
a)如前舟3/4处超标,后舟1/4超标,则抽测前舟5/8处一片和后舟3/8处一片,如前舟5/8处合格,后舟3/8片也合格,则将前舟5/8到后舟3/8处转为处理片;如前舟5/8处合格,后舟3/8片超标,则将前舟5/8到后舟1/2处转为处理片;如前舟5/8处超标,后舟3/8片也超标,则将前舟1/2到后舟1/2处转为处理片;如前舟5/8处超标,后舟3/8片合格,则将前舟1/2到后舟3/8处转为处理片。
b)如前舟3/4处合格,后舟1/4处超标,则抽测前舟7/8处一片和后舟3/8处一片,如前舟7/8处合格,后舟3/8处也合格,则将前舟7/8到后舟3/8处转为处理片;如前舟7/8处合格,后舟3/8处超标,则将前舟7/8到后舟1/2处转为处理片;如前舟7/8处超标,后舟3/8处也超标,则将前舟3/4处到后舟1/2处转为处理片;如前舟7/8处超标,后舟3/8处合格,则将前舟3/4到后舟3/8处转为处理片。
1.2.7开OCAP(OutofControlActionPlan)单情况
1.2.7.1电阻超标时,质量人员应通知工程值班人员并开出OCAP单,并要求工程人员查找异常原因,相应责任单位给出有效的改善方案,生产需根据OCAP的处理结果,对异常片处理。
1.2.7.2针对电阻异常超出下限3欧姆以内(含)或超出上限1欧姆以内(含)以及单片平均值超控制线,单组平均值超上下线的,工程附实验单下传,将超出该范围的超标片按1.2.6.2转为处理片,集中处理。
1.2.7.3针对工程附实验单的硅片,若为本段的实验,方阻超标无需开OCAP单,需在日报表中注明本段实验片,若非本段实验,方阻超标仍需开OCAP单,并要求工程人员查找异常产生的根本原因。
1.2.8扩散段返工处理流程:
确认返工片→根据不同的异常类型确定不同的返工工艺→将返工片分类并按返工流程进行返工→扩散正常后下传
1.2.8.1扩散段共有四种类型返工片:
清洗不净及脏片,扩散反片,方阻异常片及烧焦片;返工片产生后均需单独存放,返工时按工艺规定返工流程进行;
a)清洗不净硅片或者脏片
b)扩散反片
c)烧焦片
d)方阻异常片
1.2.8.2烧焦片异常现象分析及处理
a.异常现象:
正面无异常,背面有一点烧焦(不发蓝,中心不发白);
异常分析:
原料表面有杂质(金属离子等),高温下引起的烧焦;
b.异常现象:
背面无异常,正面边缘有轻微发黄烧焦;
异常分析:
若在舟齿处,为舟被轻微污染;或者装舟镊子被污染;
c.异常现象:
正面无异常,背面边缘2mm内有发蓝烧焦;
异常分析:
硅片未烘干或者清洗不净;硅片在进炉前没有完全烘干,由于硅片两片中间的部分不容易蒸发,所以在扩散时遇到磷源就引起烧焦。
d.异常现象:
正面无异常,背面有发黄烧焦;正面或者背面有多点烧焦(不发蓝、中心不发白);
异常分析:
清洗不净;未及时装舟;原料较脏;
e.异常现象:
同一组硅片扩散完,在硅片上部同一位置,间隔的有如上图的烧焦现象;
异常分析:
若正反面均有,则为倒片时镊子被污染所致;若只有散面有,则为装舟时镊子被污染,导致硅片被污染而引起的烧焦;装舟镊子上有杂质,装舟时会在镊子接触硅片的部位受污染,导致硅片上装舟镊子接触位置有较明显的熏黑甚至发蓝现象。
f.异常分析:
手印烧焦为用手拿片导致硅片表面有赃物形成舟齿烧焦为舟栏上有东西污染硅片,导致
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