二输入与非门或非门版图设计.docx
- 文档编号:24316608
- 上传时间:2023-05-26
- 格式:DOCX
- 页数:15
- 大小:627.46KB
二输入与非门或非门版图设计.docx
《二输入与非门或非门版图设计.docx》由会员分享,可在线阅读,更多相关《二输入与非门或非门版图设计.docx(15页珍藏版)》请在冰豆网上搜索。
二输入与非门或非门版图设计
课程名称
Course
集成电路设计技术
项目名称
Item
二输入与非门、或非门版图设计
与非门电路的版图:
.spc文件(瞬时分析):
*CircuitExtractedbyTannerResearch'sL-EditV7.12/ExtractV4.00;
*TDBFile:
E:
\cmos\yufeimen,Cell:
Cell0
*ExtractDefinitionFile:
C:
\ProgramFiles\TannerEDA\L-Edit\spr\morbn20.ext
*ExtractDateandTime:
05/25/2011-10:
03
.includeH:
\ml2_125.md
VPowerVDDGND5
vaAGNDPULSE(0505n5n100n200n)
vbBGNDPULSE(0505n5n50n100n)
.tran1n400n
.printtranv(A)v(B)v(F)
*WARNING:
LayerswithUnassignedAREACapacitance.
*
*
*
*
*
*
*WARNING:
LayerswithUnassignedFRINGECapacitance.
*
*
*
*
*
*
*
*
*WARNING:
LayerswithZeroResistance.
*
*
*
*
*NODENAMEALIASES
*1=VDD(34,37)
*2=A(29.5,6.5)
*3=B(55.5,6.5)
*4=F(42.5,6.5)
*6=GND(25,-22)
M1VDDBFVDDPMOSL=2uW=9uAD=99pPD=58uAS=54pPS=30u
*M1DRAINGATESOURCEBULK(47.514.549.523.5)
M2FAVDDVDDPMOSL=2uW=9uAD=54pPD=30uAS=99pPS=58u
*M2DRAINGATESOURCEBULK(39.514.541.523.5)
M3FB5GNDNMOSL=2uW=9.5uAD=52.25pPD=30uAS=57pPS=31u
*M3DRAINGATESOURCEBULK(47.5-1849.5-8.5)
M45AGNDGNDNMOSL=2uW=9.5uAD=57pPD=31uAS=52.25pPS=30u
*M4DRAINGATESOURCEBULK(39.5-1841.5-8.5)
*TotalNodes:
6
*TotalElements:
4
*ExtractElapsedTime:
0seconds
.END
与非门电路仿真波形图(瞬时分析):
.spc文件(直流分析):
*CircuitExtractedbyTannerResearch'sL-EditV7.12/ExtractV4.00;
*TDBFile:
E:
\cmos\yufeimen,Cell:
Cell0
*ExtractDefinitionFile:
C:
\ProgramFiles\TannerEDA\L-Edit\spr\morbn20.ext
*ExtractDateandTime:
05/25/2011-10:
03
.includeH:
\ml2_125.md
VPowerVDDGND5
vaAGND5
vbBGND5
.dcva050.02vb050.02
.printdcv(F)
*WARNING:
LayerswithUnassignedAREACapacitance.
*
*
*
*
*
*
*WARNING:
LayerswithUnassignedFRINGECapacitance.
*
*
*
*
*
*
*
*
*WARNING:
LayerswithZeroResistance.
*
*
*
*
*NODENAMEALIASES
*1=VDD(34,37)
*2=A(29.5,6.5)
*3=B(55.5,6.5)
*4=F(42.5,6.5)
*6=GND(25,-22)
M1VDDBFVDDPMOSL=2uW=9uAD=99pPD=58uAS=54pPS=30u
*M1DRAINGATESOURCEBULK(47.514.549.523.5)
M2FAVDDVDDPMOSL=2uW=9uAD=54pPD=30uAS=99pPS=58u
*M2DRAINGATESOURCEBULK(39.514.541.523.5)
M3FB5GNDNMOSL=2uW=9.5uAD=52.25pPD=30uAS=57pPS=31u
*M3DRAINGATESOURCEBULK(47.5-1849.5-8.5)
M45AGNDGNDNMOSL=2uW=9.5uAD=57pPD=31uAS=52.25pPS=30u
*M4DRAINGATESOURCEBULK(39.5-1841.5-8.5)
*TotalNodes:
6
*TotalElements:
4
*ExtractElapsedTime:
0seconds
.END
与非门电路仿真波形图(直流分析):
或非门电路的版图:
.spc文件(瞬时分析):
*CircuitExtractedbyTannerResearch'sL-EditV7.12/ExtractV4.00;
*TDBFile:
E:
\cmos\huofeimen,Cell:
Cell0
*ExtractDefinitionFile:
C:
\ProgramFiles\TannerEDA\L-Edit\spr\morbn20.ext
*ExtractDateandTime:
05/25/2011-10:
04
.includeH:
\CMOS\ml2_125.md
VPowerVDDGND5
vaAGNDPULSE(0505n5n100n200n)
vbBGNDPULSE(0505n5n50n100n)
.tran1n400n
.printtranv(A)v(B)v(F)
*WARNING:
LayerswithUnassignedAREACapacitance.
*
*
*
*
*
*
*WARNING:
LayerswithUnassignedFRINGECapacitance.
*
*
*
*
*
*
*
*
*WARNING:
LayerswithZeroResistance.
*
*
*
*
*NODENAMEALIASES
*1=VDD(34,37)
*2=A(29.5,6.5)
*3=B(55.5,6)
*4=F(42.5,6.5)
*5=GND(25,-22)
M16AVDDVDDPMOSL=2uW=9uAD=54pPD=30uAS=49.5pPS=29u
*M1DRAINGATESOURCEBULK(39.514.541.523.5)
M2FB6VDDPMOSL=2uW=9uAD=49.5pPD=29uAS=54pPS=30u
*M2DRAINGATESOURCEBULK(47.514.549.523.5)
M3FAGNDGNDNMOSL=2uW=9.5uAD=57pPD=31uAS=104.5pPS=60u
*M3DRAINGATESOURCEBULK(39.5-1841.5-8.5)
M4GNDBFGNDNMOSL=2uW=9.5uAD=104.5pPD=60uAS=57pPS=31u
*M4DRAINGATESOURCEBULK(47.5-1849.5-8.5)
*TotalNodes:
6
*TotalElements:
4
*ExtractElapsedTime:
0seconds
.END
或非门电路仿真波形图(瞬时分析):
.spc文件(直流分析):
*CircuitExtractedbyTannerResearch'sL-EditV7.12/ExtractV4.00;
*TDBFile:
E:
\cmos\huofeimen,Cell:
Cell0
*ExtractDefinitionFile:
C:
\ProgramFiles\TannerEDA\L-Edit\spr\morbn20.ext
*ExtractDateandTime:
05/25/2011-10:
04
.includeH:
\CMOS\ml2_125.md
VPowerVDDGND5
vaAGND5
vbBGND5
.dcva050.02vb050.02
.printdcv(F)
*WARNING:
LayerswithUnassignedAREACapacitance.
*
*
*
*
*
*
*WARNING:
LayerswithUnassignedFRINGECapacitance.
*
*
*
*
*
*
*
*
*WARNING:
LayerswithZeroResistance.
*
*
*
*
*NODENAMEALIASES
*1=VDD(34,37)
*2=A(29.5,6.5)
*3=B(55.5,6)
*4=F(42.5,6.5)
*5=GND(25,-22)
M16AVDDVDDPMOSL=2uW=9uAD=54pPD=30uAS=49.5pPS=29u
*M1DRAINGATESOURCEBULK(39.514.541.523.5)
M2FB6VDDPMOSL=2uW=9uAD=49.5pPD=29uAS=54pPS=30u
*M2DRAINGATESOURCEBULK(47.514.549.523.5)
M3FAGNDGNDNMOSL=2uW=9.5uAD=57pPD=31uAS=104.5pPS=60u
*M3DRAINGATESOURCEBULK(39.5-1841.5-8.5)
M4GNDBFGNDNMOSL=2uW=9.5uAD=104.5pPD=60uAS=57pPS=31u
*M4DRAINGATESOURCEBULK(47.5-1849.5-8.5)
*TotalNodes:
6
*TotalElements:
4
*ExtractElapsedTime:
0seconds
.END
或非门电路仿真波形图(直流分析):
课程名称
Course
集成电路设计技术
项目名称
Item
二输入与非门、或非门
版图设计
目的
Objective
1.掌握利用E-EDIT进行IC设计方法,设计二输入与非门版图并仿真
2.掌握利用L-EDIT进行IC设计方法,设计二输入或非门版图并仿真
3.领会并掌握版图设计最优化实现方法。
内容(方法、步骤、要求或考核标准及所需工具、设备等)
一、实训设备与工具
1.PVI计算机一台;
2.TannerPro集成电路设计软件
二、实训方法、步骤与要求
1.二输入与非门电路的线路结构
2.二输入或非门电路的线路结构
3.CMOS倒相器电路的版图
4.根据与非门、或非门线路结构,在一个工程中,重新新建两个新CELL,分别对应与非门和或非门版图,并设计与非门、或非版图结构。
1)按照最佳噪声容限合理设计与非门、或非门单元电路中的N管和P管的尺寸;
2)版图结构最简单,版图尺寸最小;(高度均为70um)
3)加入正确的电路端口,并在抽取的网表中存在A、B和F;
4)版图设计规则检查(DRC)无错误
5.熟记基本、重要的版图设计规则
6.进行CMOS与非门、或非门版图网表抽取,加入仿真命令,进行瞬时和直流分析
ToolExtract
General选项
ExtractDefinitionFile:
C:
\ProgramFiles\TannerEDA\L-Edit\spr\morbn20.ext
SpiceExtractOutputFile:
d:
\design\nand2.spc
Output选项
Comment:
√WriteNodename
٠Names
√WriteVerboseSpiceStatement
SpiceIncludeStatement
.Includec:
\tanner\models\ml2_125.md
插入相应的仿真命令,则可进行二输入与非门、或非门的瞬时或直流仿真
7.合理设计三输入与或非门、或与非门的N管和P管尺寸与版图结构。
8.合理设计三输入与或非门、或与非门的N管和P管尺寸与版图结构。
三、注意事项:
1)如果对版图设计的基本规则不熟悉,可以在L-EDIT中,打开SETUPDRC,列出了所有的设计规则,可学习和记忆其中的一些主要和常用的版图设计规则
2)在进行版图设计规则检查时,应选择输出检查文件一项,版图设计中出现的所有错误,都可以在
该输出文件中列出,并标明出错的原因,与哪条规则相违背,可打开规则进行对照,并在版图上进
行相应的修改。
- 配套讲稿:
如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制:
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词:
- 输入 与非门 非门 版图 设计