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填空判断题
一、判断下列说法是否正确,用“对”或“错”表示判断结果(每题1分,共10分)
1.半导体是指导电性能介于导体与绝缘体之间的一类物质。
( )
2.三极管共集电极电路的发射极电阻Re可以稳定静态工作点。
( )
3.结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其RGS大的特点。
()
4.差分放大电路采用双端输出时,在理想对城情况下其共模抑制比为无穷大。
( )
5.只有直接耦合放大电路中晶休管的参数才随温度而变化。
()
6.可以用电子电压表测量三极管放大电路的静态工作电压。
( )
7.共集电极电路的输入阻抗高,输出阻抗低,电压放大倍数大。
( )
8.过零比较器的抗干扰能力比迟滞比较器强。
( )
9.互补输出级应采用共集或共漏接法。
()
10.乙类功率放大电路的效率最高,理论上可达78.5%,但存在交越失真。
( )
11.因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。
()
12.在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。
()
13.放大电路的输出功率是由有源元件提供的;()
14.由于放大的对象是变化量,所以当输入信号为直流信号时,任何放大电路的输出都毫无变化;()
15.差分放大电路中的发射极公共电阻对共模信号和差模信号都存在影响,因此,这种电路是靠牺牲差模电压放大倍数来换取对共模信号的抑制作用的。
( )
16.若放大电路的负载不固定,为使其电压放大倍数稳定,可以引入电压负反馈,也可以引入电流负反馈。
( )
17.电子电压表不可以用来测量三极管放大电路的静态工作电压。
( )
18.功放电路的效率是指输出功率与输入功率之比。
( )
19.迟滞比较器的抗干扰能力比过零比较器强。
( )
20.在RC桥式正弦波振荡电路中,若RC串并联选频网络中的电阻均为R,电容均为C,则振荡频率fo=1/RC。
( )
21.在P型半导体中如果掺入足够量的五价元素,可将其改型为N型半导体。
()
22.PN结在无光照、无外加电压时,结电流为零。
()
23.JFET工作在放大状态时,其栅源间PN结应为正偏。
()
24.放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的。
()
25.放大电路中由线性电抗元件所引起的失真称非线性失真。
()
26.多级放大电路的频带宽度比其中任一单级电路的频带都宽。
()
27.当放大电路的参数确定以后,其增益带宽积为一常数。
()
28.若放大电路的放大倍数为负,则引入的反馈一定是负反馈。
()
29.石英晶体在电容三点式振荡电路中,起电感作用。
()
30.只要电路引入了正反馈,就一定会产生正弦波振荡。
()
31.在运算电路中,同相输入端和反相输入端均为“虚地”。
32.电压负反馈稳定输出电压,电流负反馈稳定输出电流。
33.使输入量减小的反馈是负反馈,否则为正反馈。
34.产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。
35.利用两只NPN型管构成的复合管只能等效为NPN型管。
36.本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。
37.未加外部电压时,PN结中电流从P区流向N区。
38.集成运放在开环或施加负反馈情况下一定工作在非线性区。
39.只要引入正反馈,电路就会产生正弦波振荡。
40.直流稳压电源中的滤波电路是低通滤波电路。
41.只要满足相位平衡条件,电路就会产生正弦波振荡。
42.引入直流负反馈可以稳定静态工作点。
43.负反馈越深,电路的性能越稳定。
44.零点漂移就是静态工作点的漂移。
45.放大电路采用复合管是为了增大放大倍数和输入电阻。
46.镜像电流源电路中两只晶体管的特性应完全相同。
47.半导体中的空穴带正电。
48.P型半导体带正电,N型半导体带负电。
49.实现运算电路不一定非引入负反馈。
50.凡是引入正反馈的集成运放,一定工作在非线性区。
二、填空题(每空1分,共28分)
1.当PN结正向偏置时,扩散电流_____漂移电流,耗尽层 。
当PN结反向偏置时,扩散电流_____漂移电流。
(填大于、小于、等于、不变、变宽、变窄)
2.三极管的外加偏置满足 和 时,工作在放大区。
当温度升高时,晶体三极管的UBE将_ ,ICEO ,β_ 。
(增大或减小)
3.场效应管是通过改变 来改变 的,所以它是一个 器件;根据结构的不同,场效应管可分为 和 两种类型。
4.集成运放的输入级一般采用高性能的恒流源差分放大电路,其目的是 。
5.在差分放大电路中,两输入端获得的一对大小相等,极性相反的信号称 为 信号;而大小相等,极性相同的信号称为 信号。
6.已知某深度负反馈电路AUd=100,F=0.1,则AUf= 。
7.正弦波振荡电路一般由 、 、 和 等四个环节组成,而且缺一不可。
8.正弦波振荡电路产生自激振荡的两个条件是:
和 。
9.若采用市电供电,则通过 、 、 和 后可得到稳定的直流电。
10.硅二极管的门槛电压约为 ,导通压降约为 。
11.要使三极管处于放大状态,发射结必须 ,集电结必须 。
12.根据结构的不同,晶体三极管可分为 和 两种类型。
13.理想运算放大器的开环放大倍数Aod为______,输入阻抗Rid为____,输出阻抗Rod为__ _,共模抑制比为KCMR为____,频带宽度BW为 。
14.功率放大器的基本要求是:
1)应有 输出功率;2)效率要 ;3)非线性失真要 ;4)放大管要采取散热等保护措施。
15.乙类互补对称功率放大电路的效率高,但存在 ,解决的方法是采用 。
16.为得到一电流-电压转换电路,应采用负反馈放大电路;为得到一电压-电流转换电路,应采用负反馈放大电路。
17.放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是电容和电容的存在。
18.P型半导体的多子是 ,N型半导体的多子是 ,二极管的最主要特性是 。
19.多级放大器级间耦合方式一般有 , 和变压器耦合三种,其中多用于集成电路中。
20.射级输出器具有______,______和_____等特点。
21.三极管具有电流放大作用的外部条件是 、 。
22.已知一个放大器的中频增益为40dB,fL=100KHZ,则该电路在fL处的增益为 _______dB,该电路的中频放大倍数为 倍。
23.差动放大电路在不带负载的情况下,其双入双出差模放大倍数是单入双出差模放大倍数的 倍。
24.在差分电路中,两输入端所获得对地大小相等,极性相反的信号电压称 信号,大小相等极性相同的信号电压称 信号。
25.已知某深度负反馈电路Aud=50,F=0.1,则AUf= 。
26.差分放大电路是为了 而设置的,衡量其对共模信号抑制能力的参数是 。
27.乙类互补对称功率放大电路中存在的失真为。
28.二极管最主要的特性是。
29.差分放大电路,若两个输入信号uI1=uI2,则输出电压uO=;若uI1=100V,
uI2=80V,则差模输入电压uId=V;共模输入电压uIc=V。
30.若三级放大电路中Au1=Au2=30dB,Au3=20dB,则其总电压增益为dB,折合为
倍。
31.乙类功率放大电路中,功放晶体管静态电流ICQ=、静态时的电源功耗PDC=。
这类功放的能量转换效率在理想情况下可达到,但这种功放有失真。
三、单项选择题
1.
测得工作在放大电路中的某晶体管的两个电极在无交流信号输入时的电流大小和方向如图3-1所示。
则管子的类型、从左至右的管脚极性和β值分别为( )。
A.NPN,c,e,b,61 B.PNP,e,c,b,61
C.NPN,c,b,e,60 D.PNP,c,b,e,60
2.图3-2所示电路中,二极管为理想二极管,以下说法正确的是( )
A. VD导通,UAO=9V
B. VD截止,UAO=-12V
C. VD截止,UAO=12V
D. VD导通,UAO=-9V
3.如果将三极管的基极和发射极短路,则( )
A.管子深度饱和 B.发射结反偏
C.管子截止 D.集电结烧坏
4.图3-4电路中,当输入1KHz、5mV的正弦波时,输出电压波形出现了顶部削平的失真,则
①这种失真是( );
A.饱和失真 B.截止失真
C.交越失真 D.频率失真
②为了消除此失真,应( )。
A.减小集电极电阻RcB.改换β小的管子
C.增大基极偏置电阻RbD.减小基极偏置电阻Rb
5.若要得到一个PNP型复合管,可选择下列4种接法中的( )。
A B C D
6.( )放大电路便于集成,但各级的静态工作点不独立,相互影响。
A.直接耦合 B.变压器耦合 C.阻容耦合
7.要得到一个Ri大,Ro小的阻抗变换电路,应选择( )负反馈电路。
A.电压串联 B.电压并联 C.电流串联 D.电流并联
8.对直流通路而言,放大电路中的电容应视为( )。
A.直流电源 B.开路 C.短路
9.放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是( ),而低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是( )。
A.耦合电容和旁路电容的存在B.半导体管极间电容和分布电容的存在。
C.半导体管的非线性特性D.放大电路的静态工作点不合适
10.
在晶体管放大电路中,测得晶体管的三个电极的电位如下图所示。
试判断:
管子的类型为_____,三个电极:
①②③为_____。
A.NPN B.PNPC.b,e,c D.c,e,b E.e,c,b
11.放大电路在已经设置了合理的静态工作点后,若在输入端加入交流信号,这时工作点将。
A.沿直流负载线移动 B.沿交流负载线移动
C.不移动 D.不确定
12.右图示电路中,当输入1KHz、5mV的正弦波时,输出信号波形出现了底部削平的失真,则:
①这种失真是;
A.饱和失真 B.截止失真
C.交越失真 D.频率失真
②为了消除此失真,应。
A.减小集电极电阻RcB.改换β小的管子
C.增大基极偏置电阻RbD.减小基极偏置电阻Rb
13.电路中各级的静态工作点相互独立,互不影响,但不能用于直流或缓慢变化信号的放大。
A.直接耦合 B.光电耦合 C.阻容耦合
14.三极管共集电极电路属于负反馈。
A、电压串联 B、电压并联 C、电流串联 D、电流并联
15.若差分放大电路为双端输入,输出方式由双端输出变为单端输出时,其差模电压放大倍数。
A.增大一倍 B.减小一倍 C.不变 D.不能确定
16.集成运放的输入级一般采用高性能的恒流源差分放大电路,其目的是。
A.提高共模抑制比 B.提高电路的稳定性
C.提高电路的增益 D.增大输入电阻
17.正弦波振荡电路的振幅起振条件是。
A.|AF|<1 B.|AF|=1 C.|AF|>1 D.|AF|=0
18.某放大电路在负载开路时的输出电压为4V,接入3KΩ的负载电阻后输出电压降为3V,这说明放大电路的输出电阻为 。
A.0.5KΩB.1KΩC.2KΩD.3KΩ
19.放大电路中某三极管三个管脚测得的对地电压分别为-5,-1,-1.7V,则其类型为 。
A.NPN锗三极管B.PNP锗三极管C.NPN硅三极管D.PNP硅三极管
20.若要得到一个NPN型复合管,可选择下列4种接法中的 。
B C D
ABCD
21.UGS=0V时,不能够工作在放大区的场效应管有。
A.结型管B.增强型MOS管C.耗尽型MOS管
22.通用型集成运算放大器,其输出级采用的电路形式为____。
A.差分式放大电路B.互补对称式放大电路C.射级输出器
23.已知放大电路输入信号电压为2mV,输出电压为0.2V;加入负反馈后,为达到同样输出时需要加的输入信号为20mV,该电路的反馈深度为,反馈系数为。
A:
1B:
10C:
0.9D:
0.09
24.为使放大电路的输入电阻增加,输出电流稳定,应采用 。
A.电压串联负反馈B.电压串联负反馈C.电压串联负反馈D.电压串联负反馈
25.某乙类功率放大电路的最大输出功率为POM,则选取的BJT的最大功耗应_____。
A.大于POMB.大于0.5POMC.大于0.2POM
26.放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是。
A:
耦合电容和旁路电容的存在; B:
半导体管极间电容和分布电容的存在。
C:
半导体管的非线性特性 D:
放大电路的静态工作点不合适
27.在某放大电路中,测得三极管三个电极的静态电位分别为0V,-10V,-9.3V,则这只三极管是()。
A.NPN型硅管B.NPN型锗管
C.PNP型硅管D.PNP型锗管
28.某场效应管的转移特性如图所示,该管为()。
A.P沟道增强型MOS管B、P沟道结型场效应管
C、N沟道增强型MOS管D、N沟道耗尽型MOS管
29.通用型集成运放的输入级采用差动放大电路,这是因为它的()。
A.输入电阻高B.输出电阻低C.共模抑制比大D.电压放大倍数大
30.RC桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC串并联选频网络和()。
A.基本共射放大电路B.基本共集放大电路
C.反相比例运算电路D.同相比例运算电路
31.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是()。
A.积分运算电路B.微分运算电路C.过零比较器D.滞回比较器
32.与甲类功率放大方式相比,乙类互补对称功放的主要优点是()。
a.不用输出变压器b.不用输出端大电容c.效率高d.无交越失真
33.稳压二极管稳压时,其工作在(),发光二极管发光时,其工作在()。
a.正向导通区b.反向截止区c.反向击穿区
34.1.N型半导体中的多子是_________。
A.电子B.空穴C.正离子D.负离子
35.在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于_________。
A.温度B.掺杂工艺C.杂质浓度D.晶体缺陷
36.当PN结外加正向电压时,扩散电流_________漂移电流。
A.大于B.小于C.等于
37.当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏
38.
二极管电路如图所示,判断图中二极管是导通还是截止后,可确定电路的输出电压Vo为_________。
.(设二极管的导通压降为0。
)
A.5.6VB.-4.3VC.-5VD.6V
39.当温度升高时,双极型晶体管的
将。
A.增大B.减小C.不变
40.
设硅稳压管DZ1和DZ2的稳定电压分别为5V和8V,正向压降均为0.7V,可求出图中电路的输出电压Vo为_________。
A.4.3VB.8VC.5VD.0.7V
41.场效应管是控制器件。
A.电流B.电压
42.测得图示放大电路中晶体管各电极的直流电位如图所示,由此可知该管为。
A.Ge,PNP管B.Ge,NPN管C.Si,PNP管D.Si,NPN管
43.在集成运算放大器中,输入级采用差分放大电路的主要目的是。
A.提高输入电阻B.稳定放大倍数C.克服温度漂移
44.直接耦合放大电路能放大信号,阻容耦合放大电路能放大信号。
A.直流B.交流C.交、直流
45.为稳定输出电流、减小输入电阻,应引入负反馈。
A.电压串联B.电压并联C.电流串联D.电流并联
46.欲将方波电压转换成三角波电压,应选用电路。
A.微分运算B.积分运算C.同相比例
47.正弦波振荡器的振荡条件为。
A.
B.
C.
D.
48.石英晶体发生串联谐振时,呈现。
A.电感性B.纯阻性C.电容性
49.图示放大电路中,图(a)中T1、T2分别是接法,图(b)中T1、T2分别是接法。
A.共集-共基B.共射-共集C.共射-共基D.共集-共射
(a)(b)
50.图(a)放大电路是耦合方式,图(b)放大电路是耦合方式。
。
A.阻容B.变压器C.直接
51.在单级共射放大电路中,若输入电压为正弦波形,则vo和vi的相位_________。
A.同相B.反相C.相差90度D.不确定
52.在放大电路中,为了稳定静态工作点,可以引入_________。
A.交流负反馈和直流负反馈B.直流负反馈C.交流负反馈D.交流正反馈
53.如果希望减小放大电路从信号源获取的电流,同时希望增加该电路的带负载能力,则应引入_________。
A.电流串联负反馈B.电压串联负反馈C.电流并联负反馈D.电压并联负反馈
54.在甲类放大电路中,放大管的导通角等于_________。
在乙类放大电路中,放大管的导通角等于_________。
A.180oB.360oC.270o
55.PN结加正向电压时,空间电荷区将。
A.变宽B.变窄C.基本不变
56.场效应管是控制器件。
A.电流B.电压
57.当晶体管工作在饱和区时,发射结电压和集电结电压应为。
A.前者反偏后者也反偏B.前者正偏后者反偏C.前者正偏后者也正偏
58.
图示电路,二极管是理想的,则开关S打开时的输出电压Uo为。
A.5.7VB.6VC.12V
59.当温度升高时,双极型晶体管的β将。
A.增大B.减小C.不变
60.放大电路中晶体管各电极的直流电位如图所示,由此可知该管为。
A.Ge,PNP管B.Ge,NPN管C.Si,PNP管D.Si,NPN管
61.
在集成运算放大器中,输入级采用差分放大电路的主要目的是。
A.提高输入电阻B.稳定放大倍数C.克服温度漂移
62.变压器耦合放大电路能放大信号,直接耦合放大电路能放大信号。
A.直流B.交流C.交、直流
63.图示放大电路中,T1、T2分别是接法。
A.共集-共基B.共射-共集C.共射-共基
64.为稳定输出电流、增大输入电阻,应引入负反馈。
A.电压串联B.电压并联C.电流串联D.电流并联
65.欲将三角波电压转换成方波电压,应选用电路。
A.微分运算B.积分运算C.同相比例
66.正弦波振荡器的振荡条件为。
67.A.
B.
C.
D.
68.石英晶体发生串联谐振时,呈现。
A.电感性B.纯阻性C.电容性
69.电压比较器中的运算放大器工作在,运算电路中的运算放大器工作在。
A.负反馈B.开环或正反馈
70.在图1-1所示的电路中,当电源V=5V时,测得I=1mA。
若把电源电压调整到V=10V,则电流的大小将是_____。
A.I=2mA B.I<2mA C.I>2mA
71.设上述电路中保持V=5V不变。
当温度为20摄氏度时,测得二极管正向电压VP=0.7V。
当温度上升到40摄氏度时,则VP的大小是______。
A.等于0.7V B.大于0.7 C.小于0.7V
72.PN结外加正向电压时,扩散电流_______漂移电流,耗尽层_______。
A.等于 B.大于 C.小于D.变宽E.变窄F.不变
73.在由PNP晶体管组成的基本共射放大电路中,当输入信号为1KHz、5mV的正弦电压时,输出电压波形出现了顶部削平的失真。
这种失真是____。
A.饱和失真 B.截止失真 C.交越失真 D.频率失真
74.为了使一个电压信号能得到有效的放大,而且能向负载提供足够大的电流,应在这个信号源后面接入什么电路?
A.共射电路 B.共基电路 C.共集电路
75.用一个PNP型和一个NPN型管组成等效PNP型符合管时,图1-6所示的abcd接法中,_______是正确的。
76.负反馈所能抑制的干扰和噪声是________。
A.输入信号所包含的干扰和噪声;B.反馈环内的干扰和噪声;
C.反馈环外的干扰和噪声;D.输出信号中的干扰和噪声。
77.共模抑制比KCMR是之比。
A:
差模输入信号与共模成分B:
输出量中差模成分与共模成分
C:
差模放大倍数与共模放大倍数(绝对值)。
78.抑制温漂(零漂)最常用的方法是采用电路。
A:
差放;B:
正弦;C:
数字
79.场效应管属于()控制型器件,晶体三极管则属于()控制器件。
a:
电压;b:
电流;c:
电感;d:
电容。
80.二极管的最主要特性是(),它的两个主要参数是反映正向特性的()和反映反向特性的()。
a:
单向导电性;b:
平均整流电流;c:
反向工作电压。
81.一晶体管的极限参数:
PCM=150mW,ICM=100mA,U(BR)CEO=30V。
若它的工作电压UCE=10V,则工作电流IC不得超过()mA;若工作电压UCE=1V,则工作电流Ic不得超过()mA;若工作电流Ic=1mA,则工作电压UCE不得超过()V。
a:
15;b:
100;c:
30;d:
150。
82.并联反馈的反馈量以( )形式馈入输
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