磁控溅射设备说明书.docx
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磁控溅射设备说明书
磁控溅射设备说明书
磁控溅射设备说明书
篇一:
磁控溅射设备说明书
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本手册涉及的字体及符号说明:
字体的大小直接反应父、子关系,符号说明见下表:
绪言.................................................................................................1
一、系统简介................................................................................1
1、概述.......................................................................................1
2、工作原理以及技术指标..........................................................2
工作原理:
...........................................................................................2
技术指标:
...........................................................................................2
3、系统主要组成........................................................................3
溅射真空室组件:
..............................................................................3
上盖组件:
...........................................................................................4
真空获得和工作气路组件:
..............................................................5
安装机台架组件:
..............................................................................7
4、设备安装................................................................................7
安装尺寸:
...........................................................................................7
配套设施:
...........................................................................................7
二、系统主要机械机构简介........................................................8
1、磁控溅射靶组件.....................................................................8
2、单基片加热台组件.................................................................9
3、基片加热公自转台组件........................................................10
4、基片挡板组件......................................................................11
三、操作规程:
...........................................................................11
磁控溅射沉积系统
1、开机前准备工作...................................................................11
2、开机(大气状态下泵抽真空)..............................................12
启动总电源:
.....................................................................................12
大气状态下溅射室泵抽真空:
........................................................12
3、溅射室处于真空状态时抽真空:
..........................................13
4、工作流程:
..........................................................................13
?
装入样品:
.................................................................................13
?
磁控溅射镀膜:
.........................................................................14
5、靶材的取出和更换:
..............................................................15
6、停机:
.................................................................................16
四、电源及控制..........................................................................16
分类:
.......................................................................................17
供电要求:
...............................................................................17
使用说明...................................................................................18
电控单元使用说明:
.................................................................19
五、注意事项..............................................................................20
1、安全用电操作注意事项:
.......................................................20
2、操作注意事项:
...................................................................21
六、常见故障及排除..................................................................22
七、紧急状况应对方法..............................................................23
2
篇二:
高真空单靶磁控溅射镀膜机使用说明
高真空单靶磁控溅射镀膜机
使用说明
沈阳天成真空技术有限责任公司
20011年12月
高真空单靶磁控溅射镀膜机使用说明
本磁控溅射设备是受吉林大学的委托,根据双方签署的技术合同要求而研制的。
本磁控溅射设备可装卡直径70以下的样品,溅射室极限真空度优于2×10-4Pa。
下面就本磁控溅射设备的构成及其配置、操作及其注意事项说明如下:
1设备构成及其配置
本沉积系统主要由镀膜系统、真空获得及测量系统、配气系统、加热器与温度控制系统、升降系统、水路循环系统等组成。
该沉积系统结构图如下:
1.1镀膜系统
镀膜系统由装片架、磁控靶等组成。
1.1.1装片架
装片架主要由架板、样品卡等组成。
详见下图:
1.1.2磁控靶
本沉积系统配有一套磁控靶、一套1kW的RF溅射电源和一套500W的直流溅射电源及一套100W的偏压电源。
镀膜时,可根据需要分别手工连接至直流溅射电源、偏压电源及RF溅射电源。
RF溅射电源、直流溅射电源及偏压电源分别见各自的说明书。
磁控靶的安装:
①如图:
将图中箭头所指示的三个内六角螺钉松开一点,不必
卸下来。
②如图:
将图中箭头所指示的`屏蔽罩向上抽出。
②如图:
将图中箭头所指示的四个内六角螺钉卸下来。
③如图:
将图中箭头所指示的压盖取出。
④如图:
将图中箭头所指示的靶材(76-0.2-0.3×3.2)放到靶面上。
然后将压盖及屏蔽罩装上,拧紧内六角螺钉,然后用万用表检测靶面与真空室腔体是否连通,不通则正常。
至此靶材安装完成。
1.2真空获得、配气及测量系统
真空获得及测量系统主要由沉积室(内壁尺寸为φ300×300)、1台PN2K—600L复合分子泵(抽速为600L/s)及1台FX16型机械泵(抽速为4L/s)、CC150闸板阀、1个隔断阀、1个电磁阀、1个CF35角阀、一个CF16角阀、前级管道、预抽管道、2个D07系列质量流量计、1个D08型流量显示仪、1个电阻规、1个电离规、ZDF-5227复合真空计组成,其极限真空度优于2×10-4Pa。
1.3加热器与温度控制系统
加热器由石墨片、钼杆和隔热屏等组成,加热温度优于500℃,
篇三:
磁控溅射操作流程及注意事项
磁控溅射操作流程及注意事项
一、打开冷却水箱电源(注:
水箱电源是设备的总电源。
)检查水压是否足够大(0.1MPa),水压控制器是否起作用。
二、放气
2.1确认磁控溅射室内部温度已经冷却到室温;
2.2检查所有阀门是否全部处于关闭状态;
2.3磁控溅射室的放气阀是V2,放气时旋钮缓慢打开,这可以保证进入气流不会太大;
2.4放气完毕将气阀关紧。
三、装卸试样与靶材
3.1打开B柜总电源(在B9面板上),电源三相指示灯全亮为正常。
3.2提升或降落(B4“升”或“降“)样品台要注意点动操作,不要连续操作。
3.3装卸试样与靶材要戴一次性薄膜手套,避免油污、灰尘等污染。
3.4磁控靶屏蔽罩与阴极间距为2-3毫米,屏蔽罩与阴极应该为断路状态。
3.5装载试样要注意试验所用样品座位置与档板上溅射孔的对应,并记录样品座的编号及目前所对应的靶位。
3.6降落样品台时要注意样品台与溅射室的吻合,并用工业酒精擦洗干净样品台与溅射室的配合面。
四、抽真空
4.1确认D面板“热电偶测量选择”指示“Ⅰ”时;
4.2确认闸板阀G2、G4已经关闭;
4.3打开B4上“机械泵Ⅰ”,再打开气阀V1,开始抽低真空。
4.4打开B3面板的电源开关,同时关闭“复合”键。
可以从B3-1处观察低真空度。
(低真空测量下限为0.1Pa)。
当真空度小于5Pa可以开始抽高真空。
4.5关闭气阀V1,打开B4上“电磁阀Ⅰ”(确认听到响声表示电磁阀已开)
4.6打开B8面板的磁控室分子泵电源,按下“START”键,按下FUNC/DATA键,数字开始逐步上升,等大于H100.0后打开闸板阀G1,随后分子泵速上升并稳定到H400.0。
4.7磁控室的高真空度在B2面板显示,不要一直开着高真空的测量,也不要频繁开关,通常每隔1-2小时可打开观察一次,等示数稳定后再关闭(一般不超过3分钟)。
五、充气
5.1确认高真空度达到了-4、-5的数量级,在充气之前必须关闭高真空计;
5.2打开A1面板上MFC电源,预热3分钟;
5.3稍关闭闸板阀G1到一定程度,但不要完全关紧
5.4打开V4、V6(若是二路进气,V5应和V6同时打开)阀门
5.5将控制阀扳到“阀控“位置
5.6打开气瓶阀门,稍旋紧减压阀至压力示数为0.1MPa即可;
5.7调节MFC阀控的设定(一般在30左右),再进一步关紧闸板阀使得低真空(B3-1)读数接近所需的溅射压强,然后通过微调MFC阀控得到所需的溅射压强。
六、溅射
6.1确认溅射靶位电源已经连接。
6.2确认定位销已经脱开。
6.3直流溅射
6.3.1打开电源开关,调节旋钮至电压达到一定值(一般不超过0.3kv),直流可以顺利启辉,此时电流开始有数值。
6.3.2电压与电流乘积为功率值,可继续调节旋钮到所需溅射功率,但是要小于160W。
6.3.3直流溅射的关闭:
调节旋钮至最小,关闭电源。
6.4射频溅射
6.4.1打开Uf预热5分钟
6.4.2面板E或F上的量程按钮设定为200/40
6.4.3打开Ua,并通过粗调与微调Ua,接近设定工艺功率,然后通过匹配调节,即调整面板E或F上的C1和C2,得到所需溅射功率。
匹配的调整规定如下:
F为设定功率(小于160W),R要小于1.5或F的8%;对于绝缘材料,在满足F功率的要求下,R要尽量小,且最大不能超过F的15%。
6.4.4射频溅射的关闭:
粗调与微调Ua关到最小→关闭Ua→等待3min→关闭Uf。
注:
连续溅射一小时后需暂停溅射,关闭气路,等抽真空30分钟后再重新充气溅射。
七、溅射结束
7.1关闭气瓶阀门,旋松减压阀至压力示数为0;
7.2将MFC阀开关置于“关闭”位,并将流量调至零,然后关闭电源开关;
7.3关闭V6和V4阀门(若是二路进气,V5应和V6同时关闭);
7.4打开闸板阀,继续抽真空30分钟后关闭闸板阀;
7.5关闭分子泵:
按下“STOP”键→等待分子泵速下降到H100.0以下→关闭电源。
7.6关闭电磁阀I与机械泵I。
7.7等30分钟后,关冷却水电源。
八、其他操作说明
8.1加负偏压
加偏压方法:
打开偏压电源,调整偏压为200v即可。
偏压要在开始镀膜之前施加。
8.2基板加热
8.2.1确认热偶回路、加热回路连接正常,完好;
8.2.2打开加热电源I,设定加热温度,调整电流加热;
8.2.3结束加热:
先将电流调到最小,然后关闭电源。
九、清理工作及离开注意事项
9.1将所用工具放回原处,整理室内卫生;
9.2在离开之前,应确认拉闸断电,关闭门窗。
十、紧急情况处理
突然停电后的措施:
尽快关闭闸板阀,然后关闭各路气阀,关闭电路按钮开关。
进样室加热退火操作流程及注意事项
一、打开冷却水箱电源(注:
水箱电源是设备的总电源。
)检查水压是否足够大(0.1MPa),水压控制器是否起作用。
二、放气
2.1确认进样室内部温度已经冷却到室温;
2.2检查所有阀门是否全部处于关闭状态;
2.3进样室的放气阀是V8,放气时旋钮缓慢打开,这可以保证进入气流不会太大;
2.4放气完毕将气阀关紧。
三、装卸样品
3.1打开进样室门,将样品朝下,送入退火炉内,使样品托的尖端插入圆形槽内,保证样品托与退火炉平行;
3.2关闭进样室门并锁紧旋钮。
四、抽真空
4.1确认闸板阀G2、G4已经关闭
4.2打开B5面板上“机械泵Ⅲ”,再打开气阀V9,开始抽低真空。
4.3打开B3面板的电源开关,同时关闭“复合”键。
可以从B3-2处观察低真空度。
(低真空测量下限为0.1Pa)。
当真空度小于5Pa可以开始抽高真空。
4.4关闭气阀V9,打开B4上“电磁阀Ⅲ”(确认听到响声表示电磁阀已开);
4.5打开B7面板的进样室分子泵电源,按下“工作”键,高速/转速指示灯亮,随后分子泵速上升并稳定到704,然后打开闸板阀G3,。
4.6进样室的高真空度在B3-2面板显示(复合键灯亮,测量值为高真空度),不要一直开着高真空的测量,也不要频繁开关,通常1小时后可达到4x10-3Pa,打开后等示数稳定后再关闭(一般不超过1分钟)
五、加热退火
5.1确认热偶回路、加热回路连接正常,完好;
5.2打开对应加热电源,设定加热温度,调整电流加热;
5.3结束加热:
先将电流调到最小,然后关闭电源。
六、结束
6.1关闭闸板阀;
6.2关闭分子泵:
按下“工作”键→等待分子泵速下降到0→关闭电源;
7.6关闭电磁阀III与机械泵III;
7.7等1小时后,关冷却水电源。
七、清理工作及离开注意事项
9.1将所用工具放回原处,整理室内卫生;
9.2在离开之前,应确认拉闸断电,关闭门窗。
八、紧急情况处理
突然停电后的措施:
尽快关闭闸板阀,关闭电路按钮开关。
附:
简单操作步骤
一、磁控溅射
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5准备工作:
打开冷却水箱电源→打开V2放气→关闭V2→打开磁控室装样品与靶材→关闭磁控室抽真空:
开机械泵I→打开V1气阀→至低真空小于5Pa→关闭V1气阀→开电磁阀I→开分子泵→至转速大于H100.0→打开闸板阀G1充气:
打开MFC预热3分钟→稍关闭闸板阀G1→打开V4→打开V6(或V5)→将MFC打到“阀控”→打开气瓶→关紧闸板阀G1→调节MFC溅射:
打开电源开关→调节功率至启辉溅射结束:
将功率调至最小→关闭电源→关闭气瓶→关MFC→关V6
(或V5)→关V4→打开闸板阀G1→抽真空30分钟→关闭闸板阀→关闭分子泵→关闭电磁阀I→关机械泵I→30分钟后关冷却水电源
整理工作:
整理仪器和卫生→拉闸断电,关闭门窗1.6
二、进样室退火
2.1
2.2
2.3
2.4
2.5
准备工作:
打开冷却水箱电源→打开V2放气→关闭V2→打开进样室装样品→关闭进样室抽真空:
开机械泵III→打开V9气阀→至低真空小于5Pa→关闭V9气阀→开电磁阀III→开分子泵→至转速稳定704→打开闸板阀G3加热:
打开电源→设定加热程序→调整电流开始加热加热结束:
将电流调至最小→关闭电源→关闭闸板阀→关闭分子泵→关闭电磁阀III→关机械泵III→1小时后关冷却水电源整理工作:
整理仪器和卫生→拉闸断电,关闭门窗
附:
SR93温度控制器说明书(进样室退火和磁控室基板加热)
1.打开电源,按GRP,进入Prog(程序)设置:
Step1(升温曲线):
*按“step”调加热温度(℃),按“Ent”确认;
*,按“Ent”确认;
Step2(保温曲线):
重复上述步骤
Step3(降温曲线):
重复上述步骤(但一般都随炉冷却,保温时间到后直接关电源即可)
2.设定完程序,退回到初始状态,按“Run”约3秒,绿灯亮,就开始运行
3.缓慢顺时针旋转面板功率调节旋钮,将电流调至4A,停留2分钟后,将电流调至8A(将旋钮再旋1/2圈即可),一般加热到最高温度只需8A电流。
4.关电源时,先调节功率旋钮到底,再关闭电源。
注:
为了到温时实际温度与设定温度偏差不要太大,可分两段升温,低温升温速度加快,高温升温速度降低。
篇四:
溅射台说明书
超高真空磁控溅射设备
使用说明书
沈阳奇汇真空技术有限公司
一设备简介
该设备是用于在真空状态下进行磁控溅射试验的科学仪器。
设备的密封采用金属密封与氟胶圈密封相结合的方式,电极采用陶封技术,运动采用金属焊接波纹管结构。
设备整体用优质不锈钢制造,系统可靠,运动灵活,定位准确。
1设备的主要结构及介绍
设备按外观结构可分为三部分,磁控溅射室、磁控靶、工作台如图
(一)
2.1磁控溅射室
磁控溅射室由加热水冷样品架、真空获得及测量系统等组成。
如图
(二)。
2.1.1加热及其水冷样品台
加热样品台安装在磁控溅射室的上方,采用陶瓷炉盘及高温炉丝盘制而成,升温与降温速度快,温度均匀性良好。
可加热到600℃,长时间在500℃条件下工作,控温精度±2℃。
水冷样品台可以和加热样品台更换使用,安装在磁控溅射室上方,采用不锈钢焊接而成,冷却效果良好。
(如图三)
加热样品台(图三)水冷样品台
2.1.2真空获得系统
由2X—4B机械泵1台,620C分子泵(中科科仪KYKY620C)1台,上海三井的100L离子泵一台,K-100扩散泵一台,CF150超高真空闸板阀1台,CF100超高真空闸板阀1台,CF35超高真空角阀1只。
通
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- 磁控溅射 设备 说明书