半导体制造业精.docx
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半导体制造业精.docx
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半导体制造业精
公私場所名稱:
公私場所地址:
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負責人姓名:
聯絡人姓名:
聯絡人電話:
工廠登記證編號:
所屬製程編號:
申報月份:
中華民國年月~年月
申報日期:
中華民國年月日
半導體製造業
揮發性有機物及無機酸
污染防制紀錄申報書
半導體製造業揮發性有機物及無機酸污染防制紀錄申報書
所屬年月份:
年月~月;所屬行業別:
一、揮發性有機物及三氯乙烯(TCE)輸入紀錄
產品名稱
平均產量(單位:
)
1
2
3
4
平均每日工作
時數(小時)
年月
年月
年月
合計
1.含VOC的物質使用量(□公升/月□公斤/月)
時間
種類
年月
年月
年月
合計
光阻劑
去光阻劑
顯影液
IPA
丙酮
合計
2.含三氯乙烯(TCE)的物質使用量(□公升/月□公斤/月)
三氯乙烯
合計
頁次
半導體製造業揮發性有機物及無機酸污染防制紀錄申報書
二、無機酸輸入紀錄
1.含硫酸(H2SO4)物質使用量(□公升/月□公斤/月)
時間
種類
年月
年月
年月
合計
合計
2.含鹽酸(HCl)物質使用量(□公升/月□公斤/月)
合計
3.含硝酸(HNO3)物質使用量(□公升/月□公斤/月)
合計
頁次
半導體製造業揮發性有機物及無機酸污染防制紀錄申報書
二、無機酸輸入紀錄
4.含磷酸(H3PO4)物質使用(□公升/月□公斤/月)
時間
種類
年月
年月
年月
合計
合計
5.含氫氟酸(HF)物質使用量(□公升/月□公斤/月)
合計
6.混合酸使用量(□公升/月□公斤/月)
合計
頁次
半導體製造業揮發性有機物及無機酸污染防制紀錄申報書
三、空氣污染物輸出紀錄
1.廢液委外處理量(□公升/月□公斤/月)
時間
委外處理種類
年月
年月
年月
合計
廢光阻劑
廢酸
2.廢水排放量(公噸/月)
廢水
污泥
頁次
半導體製造業揮發性有機物及無機酸污染防制紀錄申報書無機酸洗滌適用
所屬月份:
年月~月
防制設備編號
排放口編號
四、空氣污染防制設備操作紀錄資料
防制設備名稱
設計參數
填充段空塔滯留時間
填充物比表面積
洗滌循環水量下限
洗滌循環水PH值下限
設計處理風量
SEC
m2/m3
m2/hr
Nm3/min
月份
紀錄項目
日期
月
月
月
洗滌循環水量(m3/hr)
洗滌循環水
pH值
廢氣排放量
(Nm3/min)(N)
洗滌循環水量(m3/hr)
洗滌循環水
pH值
廢氣排放量
(Nm3/min)(N)
洗滌循環水量(m3/hr)
洗滌循環水
pH值
廢氣排放量
(Nm3/min)(N)
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
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30
31
備註1:
請併附固定污染源設置操作許可表AP-M之製程設備、污染防制設備及排放口之方塊流程圖。
2:
廢氣排放量應記錄比測修正之結果。
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半導體製造業揮發性有機物及無機酸污染防制紀錄申報書揮發性有機物洗滌適用
所屬月份:
年月
防制設備編號
排放口編號
四、空氣污染防制設備操作紀錄資料
防制設備名稱
設計參數
填充段空塔滯留時間
填充物比面積
洗滌循環水量下限
廢水排放量下限
設計處理風量範圍
SEC
m2/m3
m3/hr
噸/日
Nm3/min
紀錄項目
日期
洗滌循環
水量(m3/hr)
廢水排放量(噸/日)
廢氣處理前
濃度(ppm)
廢氣處理後
濃度(ppm)
去除率
(%)
廢氣排放量
(Nm3/min)
VOC排放量
(kg/hr)
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
備註1:
請併附固定污染源設置操作許可表AP-M之製程設備、污染防制設備及排放口之方塊流程圖。
2:
未設置濃度監測器者,免填廢氣處理前濃度、廢氣處理後濃度、去除率或VOC排放量。
3:
廢氣處理前濃度、廢氣處理後濃度及廢氣排放量應記錄比測修正之日平均值。
請以附頁註明去除率,廢氣排放量及VOC排放量之計算方式。
4:
廢水排放量係指本洗滌塔所汰換之廢水量,請記錄放流量或清水補充量。
頁次
半導體製造業揮發性有機物及無機酸污染防制紀錄申報書濃縮後焚化(合併排放)適用
所屬月份:
年月
防制設備編號
排放口編號
四、空氣污染防制設備操作紀錄資料
防制設備名稱
設計處理風量
Nm3/min
燃燒溫度下限
℃
濃縮脫附溫度下限
℃
紀錄項目
日期
廢氣處理前
濃度(ppm)
廢氣處理後濃度(ppm)
燃燒溫度(oC)
濃縮脫附
溫度(oC)
去除率
(%)
廢氣排放量
(Nm3/min)
VOC排放量
(kg/hr)
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
備註1:
請併附固定污染源設置操作許可表AP-M之製程設備、污染防制設備及排放口之方塊流程圖。
2:
未設置濃度監測器者,免填廢氣處理前濃度、廢氣處理後濃度、去除率或VOC排放量。
3:
廢氣處理前濃度、廢氣處理後濃度及廢氣排放量應記錄比測修正之日平均值。
請以附頁註明去除率、廢氣排放量及VOC排放量之計算方式。
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半導體製造業揮發性有機物及無機酸污染防制紀錄申報書濃縮後焚化(分別排放)適用
所屬月份:
年月
防制設備編號
排放口編號
四、空氣污染防制設備操作紀錄資料
防制設備名稱
設計處理風量
Nm3/min
燃燒溫度下限
℃
濃縮脫附溫度下限
℃
紀錄項目
日期
廢氣處理前
濃度(ppm)
廢氣吸附後濃度(ppm)
燃燒溫度(oC)
濃縮脫附
溫度(oC)
去除率
(%)
廢氣吸附後排放量
(Nm3/min)
廢氣燃燒後排放量(Nm3/min)
VOC排放量
(kg/hr)
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
備註1:
請併附固定污染源設置操作許可表AP-M之製程設備、污染防制設備及排放口之方塊流程圖。
2:
未設置濃度監測器者,免填廢氣處理前濃度、廢氣處理後濃度、去除率或VOC排放量。
3:
廢氣處理前濃度、廢氣處理後濃度及廢氣排放量應記錄比測修正之日平均值。
請以附頁註明去除率、廢氣吸附後、廢氣燃燒後排放量及VOC排放量之計算方式。
頁次
半導體製造業揮發性有機物及無機酸污染防制紀錄申報書濃縮後冷凝適用
所屬月份:
年月
防制設備編號
排放口編號
四、空氣污染防制設備操作紀錄資料
防制設備名稱
設計處理風量
Nm3/min
冷凝溫度上限
℃
濃縮脫附溫度下限
℃
紀錄項目
日期
廢氣處理前
濃度(ppm)
廢氣處理後濃度(ppm)
冷凝溫度(oC)
濃縮脫附溫度
(oC)
冷凝液量
(公升/日)
去除率
(%)
廢氣排放量
(Nm3/min)
VOC排放量
(kg/hr)
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
備註1:
請併附固定污染源設置操作許可表AP-M之製程設備、污染防制設備及排放口之方塊流程圖。
2:
未設置濃度監測器者,免填廢氣處理前濃度、廢氣處理後濃度、去除率或VOC排放量。
3:
廢氣處理前濃度、廢氣處理後濃度及廢氣排放量應記錄比測修正之日平均值。
請以附頁註明去除率、廢氣排放量及VOC排放量之計算方式。
頁次
半導體製造業揮發性有機物及無機酸污染防制紀錄申報書生物濾床適用
所屬月份:
年月
防制設備編號
排放口編號
四、空氣污染防制設備操作紀錄資料
防制設備名稱
設計處理風量
Nm3/min
進口溫度上限
℃
出口相對溼度下限
%
紀錄項目
日期
廢氣處理前
濃度(ppm)
廢氣處理後濃度(ppm)
進口溫度(oC)
出口相對溼度
(﹪)
去除率
(%)
廢氣排放量
(Nm3/min)
VOC排放量
(kg/hr)
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
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半導體製造業揮發性有機物及無機酸污染防制紀錄申報書
所屬月份:
年月~月熱焚化適用
防制設備編號
排放口編號
四、空氣污染防制設備操作紀錄資料
防制設備名稱
燃燒溫度下限
℃
設計處理風量
Nm3/min
紀錄月份
月
月
月
紀錄項目
日期
燃燒溫度(oC)
廢氣排放量
(Nm3/min)
燃燒溫度(oC)
廢氣排放量
(Nm3/min)
燃燒溫度(oC)
廢氣排放量
(Nm3/min)
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
備註1:
請併附固定污染源設置操作許可表AP-M之製程設備、污染防制設備及排放口之方塊流程圖。
2:
廢氣排放量記錄比測修正之結果。
頁次
半導體製造業揮發性有機物及無機酸污染防制紀錄申報書
所屬月份:
年月觸媒焚化適用
防制設備編號
排放口編號
四、空氣污染防制設備操作紀錄資料
防制設備名稱
設計處理風量
Nm3/min
使用觸媒種類
使用觸媒總重量(公噸)
紀錄項目
日期
觸媒床進口溫度(oC)
觸媒床出口溫度(oC)
是否更換
觸媒
是否再生
觸媒
廢氣排放量
Nm3/min
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
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