低频电子线路复习题一.docx
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低频电子线路复习题一
低频电子线路复习题一
1.1在晶体管放大电路中,测得晶体管的各个电极的电位如图1.1所示,该晶体管的类型是[B]
A.NPN型硅管
B.PNP型硅管
C.NPN型锗管图1.12V6V
D.PNP型锗管1.3V
1.2某三极管各个电极的对地电位如图1-2所示,可判断其工作状态是[B]
A.
饱和
B.放大
C.
截止图1.2
D.已损坏
1.3在如图1.3所示电路中,当电源V=5V时,测得I=1mA。
若把电源电压调整到V=10V,则电流的大小将是[A]
A.I=2mAB.I<2mA
C.I>2mAD.不能确定
图1.3
1.4在如图1-7所示电路中电源V=5V不变。
当温度为20OC时测得二极管的电压UD=0.7V。
当温度上生到为40OC时,则UD的大小将是[C]
A.仍等于0.7VB.大于0.7V
C.小于0.7VD.不能确定
图1.4
1.5在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于[C]
A.温度B.掺杂工艺C.杂质浓度D.晶体缺陷
1.6对于同一个晶体管而言,反向电流最小的是[A]
A.ICBOB.ICESC.ICERD.ICEO
1.7二极管的主要特性是[C]
A.放大特性B.恒温特性
C.单向导电特性D.恒流特性
1.8温度升高时,晶体管的反向饱和电流ICBO将[A]
A.增大B.减少C.不变D.不能确定
1.9下列选项中,不属三极管的参数是[B]
A.电流放大系数βB.最大整流电流IF
C.集电极最大允许电流ICMD.集电极最大允许耗散功率PCM
1.10温度升高时,三极管的β值将[A]
A.增大B.减少C.不变D.不能确定
1.11在N型半导体中,多数载流子是[A]
A.电子B.空穴C.离子D.杂质
1.12下面哪一种情况二极管的单向导电性好[A]
A.正向电阻小反向电阻大B.正向电阻大反向电阻小
C.正向电阻反向电阻都小D.正向电阻反向电阻都大
1.13在如图1.13所示电路中,设二极管的正向压降可以忽略不计,反向饱和电流为0.1mA,反向击穿电压为25V且击穿后基本不随电流而变化,这时电路中的电流I等于[C]
A.0.1mAB.2.5mA
C.5mAD.15mA
图1.13
1.14在P型半导体中,多数载流子是[B]
A.电子B.空穴C.离子D.杂质
1.15下列对场效应管的描述中,不正确的是[C]
A场效应管具有输入电阻高,热稳定性好等优点;
B场效应管的两种主要类型是MOSFET和JFET;
C场效应管工作时多子、少子均参与导电;
D场效应管可以构成共源、共栅、共漏这几种基本类型的放大器。
1.16在放大电路中,场效应管应工作在漏极特性的[A]
A.可变电阻区B.截止区C.饱和区D.击穿区
1.17表征场效应管放大作用的重要参数是[B]
A.电流放大系数βB.跨导gm=ΔID/ΔUGS
C.开启电压UTD.直流输入电阻RGS
1.18下列选项中,不属场效应管直流参数的是[A]
A.饱和漏极电流IDSSB.低频跨导gm
C.开启电压UTD.夹断电压UP
1.19双极型晶体三极管工作时参与导电的是[C]
A多子B少子C多子和少子D多子或少子
1.20双极型晶体三极管在放大状态工作时的外部条件是[B]
A发射结正偏,集电结正偏B发射结正偏,集电结反偏
C发射结反偏,集电结反偏D发射结反偏,集电结正偏
1.21选择括号中的答案填空(只填答案a、b、c、……)。
1、在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于c,而少数载流子的浓度则与a有很大关系,(a.温度,b.掺杂工艺,c.杂质浓度,d.晶体缺陷)
2、当PN结外加正向电压时,扩散电流a漂移电流,耗尽层d。
当PN结外加反向电压时,扩散电流b漂移电流,耗尽层e。
(a.大于,b.小于,c.等于,d.变窄,e.变宽f.不变)
3、温度升高时,晶体管的电流放大系数βa,反向饱和电流ICBOa,正向结电压UBEa。
(a.变大,d.变小,c.不变)
4、温度升高时,晶体管的共射输入特性曲线将a,输出特性曲线将a,而且输出特性曲线之间的间隔将g。
(a.上移,b.下移,c.左移,d.右移,e.增大,f.减小,g.不变)
1.22用大于号(>)、小于号(<)或等号(=)填空:
1、在本征半导体中,电子浓度=空穴浓度;
2、在P型半导体中,电子浓度<空穴浓度;
3、在N型半导体中,电子浓度>空穴浓度。
1.23判断下列说法是否正确,并在相应的括号内画√或×。
1、P型半导体可通过在纯净半导体中掺入五价磷元素而获得。
(×)
2、在N型半导体中,掺入高浓度的三价杂质可以发型为P型半导体。
(×)
3、P型半导体带正电,N型半导体带负电。
(×)
4、PN结构的扩散电流是载流子在电场作用下形成的。
(×)
5、漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的。
(√)
6、由于PN结交界面两边存在电位差,所以,当把PN结两端短路时就有电流流过。
(×)
7、PN结方程可以描述PN结在的正向特性和反向特性,也可以描述PN结的反向击穿特性。
(×)
8、通常的BJT管在集电极和发射极互换使用时,仍有较大的电流放大作用。
(×)
9、通常的JFET管在漏极和源极互换使用时,仍有正常的放大作用。
(√)
10、有人测得某晶体管的UBE=0.7V,IB=20μA,因此推算出rbe=UBE/IB=0.7V/20μA=35kΩ。
(×)
11、有人测得晶体管在UBE=0.6V,IB=5μA,因此认为在此工作点上的rbe大约为26mV/IB=5.2kΩ。
(×)
12、有人测得当UBE=0.6V,IB=10μA。
考虑到当UBE=0V时IB=0因此推算得到
(×)
1.24选择正确的答案填空:
1、用万用表判别放大电路中处于正常工作的某个晶体管的类型(指NPN型还是PNP型)与三个电极时以测出b最为方便。
a.中极间电阻b.各极对地电位c.各极电流
2、一个硅二极管在正向电压UD=0.6V时,正向电流ID=10mA。
若UD增大到0.66V(即增加10%),则电流IDa。
a.约为11mA(也增加10%);b.约为20mA(增大1倍);
c.约为100mA(增大到原先的10倍);d.仍为10mA(基本不变)。
3、设电路中保持V=5V不变,当温度为20℃时测得二极管的电压UD=0.7V。
当温度上升到40℃时,则UD的大小将是。
a.I=2mAb.I<2mAc.I>2mA
1.25填空:
1、半导体中载流子的基本运动形式有:
漂移和扩散。
2、二极管的最主要特性是单向导电性,它的两个主要参数是反映正向特性的
外加正向电压和反映反向的特性的外加反向电压。
3、在常温下,硅二极管的开启电压约V,导通后在较大电流下的正向压降约0.7V;锗二极管的开启电压约V,导通后在较大电流下的正向压降约
0.3V。
4、场效应管从结构上分成金属-氧化物-半导体场效应管(MOSFET)和(结型场效应管)JFET两大类型。
它们的导电过程仅仅取决于一种(电子或空穴导电)载流子。
5、场效应管属于电压控制型器件。
6、双极型晶体管从结构上看可以分成和两种类型,它们工作时有和两种载流子参于导电。
7、双极型晶体管从结构上看可以分成和两种类型,它们工作时有和两种载流子参与导电。
场效应管从结构上分成和
两大类型,它们的导电过程仅仅取决于载流子的流动。
8、场效应管属于控制型器件,而晶体管若用简化的h参数等效电路来分析则可以认为是控制型器件。
9、晶体三极管用来放大时,应使发射结处于正向偏置,集电结处于反向偏置。
2.1在基本放大电路的三种组态中,输入电阻最大的放大电路是[C]
A.共射放大电路B.共基放大电路
C.共集放大电路D.不能确定
2.2在基本共射放大电路中,负载电阻RL减小时,输出电阻RO将[C]
A.增大B.减少C.不变D.不能确定
2.3在三种基本放大电路中,输入电阻最小的放大电路是[B]
A.共射放大电路B.共基放大电路
C.共集放大电路D.不能确定
2.4在电路中我们可以利用[B]实现高内阻信号源与低阻负载之间较好的配合。
A共射电路B共基电路C共集电路D共射-共基电路
2.5在基本放大电路的三种组态中,输出电阻最小的是[C]
A.共射放大电路B.共基放大电路
C.共集放大电路D.不能确定
2.6在由NPN晶体管组成的基本共射放大电路中,当输入信号为1kHz,5mV的正弦电压时,输出电压波形出现了底部削平的失真,这种失真是[A]
A.饱和失真B.截止失真C.交越失真D.频率失真
2.7以下电路中,可用作电压跟随器的是[]
A.差分放大电路B.共基电路
C.共射电路D.共集电路
2.8晶体三极管的关系式iE=f(uEB)|uCB代表三极管的
A.共射极输入特性B.共射极输出特性
C.共基极输入特性D.共基极输出特性
2.9对于图2.9所示的复合管,穿透电流为(设ICEO1、ICEO2分别表示T1、T2管的穿透电流)
A.ICEO=ICEO2ICEO
B.ICEO=ICEO1+ICEO2
C.ICEO=(1+2)ICEO1+ICEO2
D.ICEO=ICEO1图2.9[]
2.10在由PNP晶体管组成的基本共射放大电路中,当输入信号为1kHz,5mV的正弦电压时,输出电压波形出现了顶部削平的失真,这种失真是[]
B.饱和失真B.截止失真C.交越失真D.频率失真
2.11对于基本共射放大电路,Rb减小时,输入电阻Ri将[]
A.增大B.减少C.不变D.不能确定
2.12在基本共射放大电路中,信号源内阻RS减小时,输入电阻Ri将[]
A.增大B.减少C.不变D.不能确定
2.13在三种基本放大电路中,电压增益最小的放大电路是[]
A.共射放大电路B.共基放大电路
C.共集放大电路D.不能确定
2.14在三种基本放大电路中,电流增益最小的放大电路是[]
A.共射放大电路B.共基放大电路
C.共集放大电路D.不能确定
2.15某放大电路的负载开路时的输出电压为4V,接入3K的负载电阻后输出电压降为3V,这说明放大电路的输出电阻为。
2.16双极型晶体管工作在放大区的偏置条件是发射结、集电结。
2.17对于基本共射放大电路,试判断某一参数变化时放大电路动态性能的变化情况(a.增大,b.减小,c.不变),选择正确的答案填入空格。
1、Rb减小时,输入电阻Ri。
2、Rb增大时,输出电阻Ro。
3、信号源内阻Rs增大时,输入电阻Ri。
4、信号源内阻Rs减小时,电压放大倍数
。
5、负载电阻RL增大时,电压放大倍数
。
6、负载电阻RL减小时,输出电阻Ro。
2.18选择正确的答案填空。
1、复合管的额定功耗是。
(a.各晶体管额定功耗之和;b.前面管子的额定功耗;c.后面管子的额定功耗;d.各晶体管额定功耗的平均值)
2、复合管的反向击穿电压等于。
(a.各晶体管反向击穿电压之和;b.前面管子的反向击穿电压;c.后面管子的反向击穿电压;d.各晶体管反向击穿电压值中的较小者)
3、复合管的集电极最大允许电流等于。
(a.各晶体管集电极最大允许电流之和;b.前面管子的集电极最大允许电流;c.后面管子的集电极最大允许电流;d.各晶体管集电极最大允许电流值中的较小者)
4、有两个放大倍数相同、输入和输出电阻不同的放大电路A和B,对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。
在负载开路的条件下测得A的输出电压小。
这说明A的。
a.输入电阻大b.输入电阻小
c.输出电阻大d.输出电阻小
2.19在实验桌上放有下列仪器:
A、WQ-2-A型直流稳压电源:
输出电压在0~30V范围内可调;
B、FG-163型函数发生器:
可产生正弦波、三角波、方波等信号,频率范围为0.0001Hz~20MHz,输出电阻约为50Ω;
C、DA-16型晶体管毫伏表:
频率范围为20Hz~1MHz,输入电阻在频率为1kHz时大于1MQ,输入电容为50~70pF;
D、DT-830型数字万用表:
交、直流挡的输入电阻均为10MΩ
,交流电压挡的频率范围45~500Hz,输入电容为100pF;
E、CS-1830型示波器:
频率范围为0~30MHz,输入电阻为1MΩ
,输入电容为23pF。
问测量放大电路的下列性能指标需用哪些仪器设备?
(只需写出上述仪器设备的标号,如A、B等)
1、静态工作点:
2、电压放大倍数:
3、输入电阻:
4、输出电阻:
5、上限截止频率(预计约1MHz):
2.20为了测量交流放大电路的电压放大倍数,需要在放大电路的输入端加进10mV的正弦信号。
问下列几种获取信号的方法是否正确?
为什么?
1、调整信号发生器的电压幅度,利用信号发生器上的表头指示和衰减倍数产生10mV的正弦电压,然后将它加到放大电路的输入端。
2、调整信号发生器的电压幅度,利用晶体管毫伏表测量其输出端电压,从而得到10mV信号。
然后将它接到放大电路的输入端。
3、先将尚无输出电压的信号发生器连接到放大电路的输入端,然后由小到大地调节信号源的电压幅度,用晶体管毫伏表测量其大小,使之达到10mV。
2.21某同学为验证基本共射放大电路电压放大倍数与静态工作点的关系,在线性放大条件下对同一个电路测了四级数据。
试找出其中错误的一组。
a.Ic=0.5mA,Ui=10mV,Uo=0.37V
b.Ic=1.0mA,Ui=10mV,Uo=0.62V
c.Ic=1.5mA,Ui=10mV,Uo=0.96V
d.Ic=2mA,Ui=10mV,Uo=0.45V
2.22判断下列说法是否正确,对的画√,错的画×。
1、晶体管的输入电阻rbe是一个动态电阻,故它与静态工作点无关。
()
2、在基本共射放大电路中,若晶体管的β增大一倍,则电压放大倍数也相应地增大一倍。
()
3、共集放大电路的电压放大倍数总是小于1,故不能用来实现功率放大。
()
4、只有当两个晶体管的类型相同(都为NPN管或都为PNP管)时才能组成复合管。
()
5、复合管的类型(NPN或PNP)与组成它的最前面的管子类型相同。
()
6、只要把两个晶体管的复合管,一定可以提高管子的输入电阻。
()
7、复合管的β值近似等于组成它的各晶体管β值的乘积。
()
8、复合管的空透电流等于组成它的各晶体管的空透电流之和。
()
9、两个同类晶体管(例如都是NPN管)复合,由于两管的UBE叠加,受温度的影响增大,所以它产生的漂移电压比单管大。
()
10、由于场效应管的栅极几乎不取电流,所以两个场效应管不能组成复合管。
()
11、由于场效应管的栅极几乎不取电流,所以场效应管与双极型晶体管也不能级成复合管。
()
4.1输入失调电压UIO是[]
A.两个输入端电压之差B.两个输入端电压之和
C.输入端都为零时的输出电压D.输出端为零时输入端的等效补偿电压。
4.2为了减小温漂,通用型集成运放的输入级多采用[]
A.共射电路B.共集电路C.差动放大电路D.OCL电路
4.3集成运算放大器在电路结构上放大级之间通常采用[]
A.阻容耦合B.变压器耦合C.直接耦合D.光电耦合
4.4集成运算放大器输入级通常采用[]
A.共射放大电路B.OCL互补对称电路
C.差分放大电路D.偏置电路
4.5理想运放的开环差模增益AOd为[]
A.0B.1C.105D.∞
4.6集成运算放大器是一种采用耦合方式的放大电路,因此低频性能,最常见的问题是。
4.7理想运放工作在线性区存在虚短和虚断的概念,虚短指,虚断是指。
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