电子器件检验细则.docx
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电子器件检验细则
浙江泰康电子有限公司企业标准
Q/AVU2.J041-2007
电子器件检验细则
批准:
日期:
2007-3-20发布2007-3-20实施
浙江泰康电子有限公司发布
电子器件检验细则
Q/AVU2.J041-2007
1.总则及范围
本检验细则根据我公司的具体情况而编制,适用于所有电子产品有源器件的初检(入库检验)和老化试验后的复测。
未经检测或不合格品严禁入库、发放和组装。
2.外观质量
2.1器件的型号、商标等表面标识应清晰可见。
2.2封装表面平滑、完整、引脚光亮,无缺损、氧化和绣蚀现象。
2.3外形、安装尺寸须符合封装标准。
3.测试条件
VF(M)和VCE(Sat)分别为二极管的(最大)正向导通压降和三极(MOS、IGBT、SCR)管的饱和导通压降,右侧为最大电流,要尽可能选择接近它的档位进行该项目检验。
4.老化试验
4.1电子器件初检合格后须进行高低温循环老化试验,时间总计8小时。
4.2低温试验温度为-40+5℃,高温试验温度为60+5℃,循环时间各为2小时。
4.3温度试验设备采用GDJS-100型高低温交变湿热试验箱。
5检验方案
采用GB/T2828.2-2003正常一次检验方案,接收质量限AQL=0.40、检验水平IL=11
图形封装
名称型号
检验项目
技术要求
检测手段
开关二极管
IN4148/4448
正向:
VFM/450mA
反向击穿电压VBR
≤0.65V
≥100V
JL294-3型晶体管直流参数测试表
整流二极管
IN4007,6A10
SJ56
RAGW
P37
A4
G4.L
G5B
2E29.105
GU3-1
正向:
VFM/1A,6A
反向击穿电压VBR
正向:
VFM/1A,6A
反向击穿电压VBR
正向:
VFM/1A,6A
反向击穿电压VBR
正向:
VFM/1A,6A
反向击穿电压VBR
正向:
VFM/1A,6A
反向击穿电压VBR
正向:
VFM/1A,6A
反向击穿电压VBR
正向:
VFM/1A,6A
反向击穿电压VBR
正向:
VFM/0.5A,
反向击穿电压VBR
正向:
VFM/0.5A
反向击穿电压VBR
≤0.7V
≥1400V
≤0.7V
≥600V
≤0.7V
≥180V
≤0.7V
≥180V
肖特基二极管
S4
4148
正向:
VFM/2A
反向击穿电压VBR
≤0.3V
≥60V
快恢复二极管
ERA34-10
正向:
VFM/100mA
反向击穿电压VBR
≤3.0V
≥1500V
快恢复对管
CTL12/22/32S
快恢复对管
FMXS/G/U-22S
08GS、A7、A4
A4t
正向:
VFM/5/10/20A
反向击穿电压VBR
正向:
VFM/8A
反向击穿电压VBR
≤0.5V
≥200V
≤0.45V
200/350/450V
快恢复二极管
DS(E)I60-10A
正向:
VFM/60A
反向击穿电压VBR
≤0.6V
≥1500V
超快恢复二极管
Uo76
正向:
VFM/300mA
反向击穿电压VBR
≤0.55V
≥1000V
LED发光二极管
正向:
VFM/10mA
反向击穿电压VBR
1.8/2.2/5/6V
图形封装
名称型号
检验项目
技术要求
检测手段
0.5W玻封稳压管
HZ3B1/2.8-3V
C3V0/3V
IN4689/5.1V
IN4691/6.2V
IN4702/15V
IN4711/27V
正向导通压降VF
反向稳定电压VZ
测试电流:
IZ=5-10mA
0.6-0.7V
标称值±5%V
2.85-3.15V
4.85-5.35V
5.89-6.51V
14.2-15.7V
25.7-28.3V
稳压电源
专用测试台
1W玻封稳压管
IN4733A/5.1V
IN4734A/5.6V
IN4735A/6.2V
IN4739A/9.1V
IN4740A/10V
IN4745A/16V
IN4752A/33V
CC09
7227
正向导通压降VF
反向稳定电压VZ
测试电流:
IZ=5-10mA
0.6-0.7V
标称值±5%V
4.85-5.35V
5.32-5.88V
5.89-6.51V
8.65-9.55V
9.5-10.5V
15.2-16.8V
31.4-34.6V
2DW231/0.2W
1、2脚有色点的为负,另一脚为正,3脚备用。
5.8-6.6V
单相整流桥
QL-40A
正向:
VFM/40A
反向击穿电压VBR
≤2V
≥150V
JL294-3型晶体管直流参数测试表
单相整流桥
75L6P43K
正向:
VFM/40A
反向击穿电压
≤2V
≥150V
PNP型硅三极管
9012、9015
8550
2SA733
43.8E、
F23、
P37、
D571、
DTC143EKA(F23)
F23.47、
1GM.2、
E13
BD.RR、
1JR.1B
L31
L32、
L33、
L6、
H039
D1582、
S9L(A.B)
BDRV
、JR23
、N26
N20、
N10.27
KRC403(NC)
直流放大倍数hEF
击穿电压BVCEO
VCE(Sat)/500、50mA
击穿电压BVCEO
VCE(Sat)/1A
击穿电压BVCEO
VCE(Sat)/0.1A
击穿电压BVCEO
VCE(Sat)/0.1A
击穿电压BVCEO
VCE(Sat)/0.1A
击穿电压BVCEO
VCE(Sat)/0.1A
击穿电压BVCEO
VCE(Sat)/0.1A
击穿电压BVCEO
VCE(Sat)/0.1A
击穿电压BVCEO
VCE(Sat)/0.1A
击穿电压BVCEO
VCE(Sat)/0.1A
击穿电压BVCEO
VCE(Sat)/0.1A
击穿电压BVCEO
VCE(Sat)/0.1A
击穿电压BVCEO
VCE(Sat)/0.1A
击穿电压BVCEO
VCE(Sat)/0.1A
击穿电压BVCEO
VCE(Sat)/0.1A
击穿电压BVCEO
VCE(Sat)/0.1A
击穿电压BVCEO
VCE(Sat)/0.1A
击穿电压BVCEO
VCE(Sat)/0.1A
击穿电压BVCEO
VCE(Sat)/0.1A
击穿电压BVCEO
VCE(Sat)/0.1A
击穿电压BVCEO
VCE(Sat)/0.1A
击穿电压BVCEO
VCE(Sat)/0.1A
击穿电压BVCEO
VCE(Sat)/0.1A
击穿电压BVCEO
VCE(Sat)/0.1A
用万用表测试1.2脚内阻
100-300
≥45V
≤0.1V
≥30V
≤0.2V
≥40V
≤0.2V
≥40V
≤0.2V
≥40V
≤0.2V
≥40V
≤0.2V
≥40V
≤0.2V
≥40V
≤0.2V
≥40V
≤0.2V
≥40V
≤0.2V
≥40V
≤0.2V
≥40V
≤0.2V
≥40V
≤0.2V
≥40V
≤0.2V
≥40V
≤0.2V
≥40V
≤0.2V
≥40V
≤0.2V
≥40V
≤0.2V
≥40V
≤0.2V
≥40V
≤0.2V
≥40V
≤0.2V
≥40V
≤0.2V
≥40V
≤0.2V
≥40V
≤0.2V
44K+/-5%
JL294-3型晶体管直流参数测试表
或
QT@型晶体管特性图示仪(当电流大于2A时)
图形封装
名称型号
检验项目
技术要求
检测手段
NPN型硅三极管
9013、9014、8050
1008
5551
2SA945、C1815
5609
直流放大倍数hEF
击穿电压BVCEO
VCE(Sat)/0.5、0.05、1A
击穿电压BVCEO
VCE(Sat)/700mA
击穿电压BVCEO
VCE(Sat)/600mA
击穿电压BVCEO
VCE(Sat)/100/150mA
击穿电压BVCEO
VCE(Sat)/100mA
100-300
≥30V
≤0.1/0.2V
≥60V
≤0.2V
≥160V
≤0.2V
≥50V
≤0.1V
≥40V
≤0.1V
JL294-3型晶体管直流参数测试表
或
QT@型晶体管特性图示仪(当电流大于2A时)
大功率硅三极管
PNP型:
A940
A1441
TIP127
TIP42C
直流放大倍数hEF
击穿电压BVCEO
VCE(Sat)/1.5A
击穿电压BVCEO
VCE(Sat)/7A
击穿电压BVCEO
VCE(Sat)/5A
击穿电压BVCEO
VCE(Sat)/6A
40-200
≥150V
≤0.2V
≥100V
≤0.3V
≥100V
≤0.3V
≥60V
≤0.3V
大功率硅三极管
NPN型:
TIP41C
D880
直流放大倍数hEF
击穿电压BVCEO
VCE(Sat)/6A
击穿电压BVCEO
VCE(Sat)/3A
40-200
≥60V
≤0.2V
≥60V
≤0.2V
大功率硅三极管
2SC3979
NPN型,全塑封
直流放大倍数hEF
击穿电压BVCEO
VCE(Sat)/3A
≥8
≥800V
≤1.5V
NPN型硅三极管
2SC2625
2SC4419
C3679
直流放大倍数hEF
击穿电压BVCEO
VCE(Sat)/20A
击穿电压BVCEO
VCE(Sat)/6A
击穿电压BVCEO
VCE(Sat)/5A
10-45
≥400V
≤1.2V
≥800V
≤1.0V
≥800V
≤0.5V
NPN型硅三极管
2N3055
2N5685
直流放大倍数hEF
击穿电压BVCEO
VCE(Sat)/15A
击穿电压BVCEO
VCE(Sat)/50A
15-45
≥60V
≤1.1V
≥60V
≤1.4V
达林顿GTR模块
NPN型:
1DI300MP-030
直流放大倍数hEF
击穿电压BVCEO
VCE(Sat)/300A
30-100
≥300V
≤2.5V
JL294-3型晶体管直流参数测试表
或
QT@型晶体管特性图示仪(当电流大于2A时)
N-MOS场效应管
50N06
IRF3205
2SK1307-01MR
直流放大倍数hEFIb10mA
击穿电压BVCEO
VCE(Sat)/50A
击穿电压BVCEO
VCE(Sat)/110A
击穿电压BVCEO
VCE(Sat)/9A
≥1500
≥60V
≤1.5V
≥55V
≤0.4V
≥600V
≤2.5V
N-MOS场效应管
2SK962-01
(TC-3P)
IXTH75N10/15/20
TO-247AD
IXTK80N25
TO-247AD
直流放大倍数hEFIb10mA
击穿电压BVCEO
VCE(Sat)/8A
击穿电压BVCEO
VCE(Sat)/75A
击穿电压BVCEO
VCE(Sat)/80A
≥1500
≥900V
≤2.5V
≥100/150/200V
≤1.5V
≥250V
≤1.5V
SCR单向可控硅
MCR100-6/8
TRIAC双向可控硅
MAC97A6
电流(hEF)/Ib10mA
击穿电压BVCEO
VCE(Sat)/0.8A
电流(hEF)/Ib10mA
击穿电压BVCEO
VCE(Sat)/0.8A
触发/维持特性
≥400/800V
≤0.7V
触发/维持特性
≥400/800V
≤0.7V
TRIAC双向可控硅
TBA12/16-600B
TBA41-600B
电流(hEF)/Ib10mA
击穿电压BVCEO
VCE(Sat)/12/16A
击穿电压BVCEO
VCE(Sat)/40A
触发/维持特性
≥600V
≤1.5V
≥600V
≤2.0V
三端电源稳压器
7805
7812
7815
7820
7824
7905
7912
7820
79L05
1117M5
1117M3
4266G
输出电压(V)
5
12
15
20
24
-5
-12
20
-5
5
3
5
标称值±5%
475-525
11.4-12.6
14.3-15.8
19.0-21.0
23.0-25.0
-475-(-5.25)
-11.4-(-12.6)
19.0-21.0
-4.75-(-5.25)
4.75-5.25
2.85-3.15
4.75-5.25
JL294-3型晶体管直流参数测试表
基准源TL431
基准源LM385
2.5
1.2
2.45-2.55
1.20-1.25
专用测试台
可调稳压器
三端LM317
五端L200C
输入电压:
15-25
15-37
输出电压:
13.5-14.5
10-30
稳压二极管性能参数表
型号
额定电压
最小电压
最大电压
备注
IN4678
1.8
1.710
1.890
IN4679
2.0
1.900
2.100
IN4680
2.2
2.090
2.310
IN4681
2.4
2.280
2.520
IN4682
2.7
2.565
2.835
IN4683
3.0
2.850
3.150
IN4684
3.3
3.135
3.465
IN4685
3.6
3.420
3.780
IN4686
3.9
3.705
4.095
IN4687
4.3
4.085
4.515
IN4688
4.7
4.465
4.935
IN4689
5.1
4.845
5.355
IN4690
5.6
5.320
5.880
IN4691
6.2
5.890
6.510
IN4692
6.8
6.460
7.140
IN4693
7.5
7.125
7.875
IN4694
8.2
7.790
8.610
IN4695
8.7
8.265
9.135
IN4696
9.1
5.645
9.555
IN4697
10
9.500
10.50
IN4698
11
10.45
11.55
IN4699
12
11.4
12.6
IN4700
13
12.35
13.65
IN4701
14
13.30
14.70
IN4702
15
14.25
15.75
IN4703
16
15.20
16.80
IN4704
17
16.15
17.85
IN4705
18
17.10
18.90
IN4706
19
18.05
19.95
IN4707
20
19.00
21.00
IN4708
22
20.90
23.10
IN4709
24
22.80
25.50
IN4710
25
23.75
26.25
IN4711
27
25.65
28.35
IN4712
28
26.60
29.40
IN4713
30
28.50
31.50
IN4714
33
31.35
34.65
IN4715
36
34.20
37.80
电阻器
1.1电阻单位的文字符号
文字符号
表示的单位
R
欧姆(100Ω)
K
千欧姆(103Ω)
M
兆欧姆(106Ω)
G
千兆欧姆(109Ω)
T
兆兆欧姆(1012Ω)
1.2表示允许偏差的文字符号
文字符号
允许偏差
B
±0.1%
C
±0.25%
D
±0.5%
F
±1%
G
±2%
J
±5%
K
±10%
M
±20%
N
±30%
2.电阻器的色标法
2.1两位有郊数字的色标法。
普通电阻器用4条色带表示标称值和允许偏差,其中二条表示阻值,一条表示偏差。
详见如下表:
颜色
第一有效数
第二有效数
倍率
允许偏差
黑
0
0
100Ω
棕
1
1
101Ω
红
2
2
102Ω
橙
3
3
103Ω
黄
4
4
104Ω
绿
5
5
105Ω
篮
6
6
106Ω
紫
7
7
107Ω
灰
8
8
108Ω
白
9
9
109Ω
+50%~-20%
金
10-1Ω
±5%
银
10-2Ω
±10%
无色
±20%
2.2三位有效数字的色标法。
精密电阻器用五条色带表示标称值和允许偏差,其中三条表示阻值,一条表示偏差。
详见如下表:
颜色
第一有效数
第二有效数
第三有效数
倍率
允许偏差
黑
0
0
0
100Ω
棕
1
1
1
101Ω
±1%
红
2
2
2
102Ω
±2%
橙
3
3
3
103Ω
黄
4
4
4
104Ω
绿
5
5
5
105Ω
±0.5%
篮
6
6
6
106Ω
±0.25%
紫
7
7
7
107Ω
±0.1%
灰
8
8
8
108Ω
白
9
9
9
109Ω
金
10-1Ω
银
10-2Ω
3.电阻器的型号命名方法
第一部分:
主称
第二部分:
电阻材料
第三部分:
类别
第四部分:
序号
字母
含义
字母
含义
字母
产品类别
用数字表示
R
电阻器
T
碳膜
0
1
普通
H
合成膜
2
普通
3
超高频
S
有机实芯
4
高阻
5
高阻
N
无机实芯
6
7
精密
W
电位器
J
金属膜
8
高压
9
特殊
Y
金属氧化膜
G
高功率
G
化学存积膜
W
微调
I
玻璃釉膜
T
可调
X
线绕
D
多圈
3.有特殊的电阻器按厂家规格书上的要求检验入库。
3.1压敏电阻未注精度公差按10%检验入库。
注:
入库检验时,没有精度要求的按5%检验。
二.电容器
1.电容器型号命名法
表6 电容器型号命名法
第一部分:
主称
第二部分:
材料
第三部分:
特征、分类
第四部分:
序号
符号
意
义
符号
意义
符号
意义
瓷介
云母
玻璃
电解
其他
电
容
器
C
瓷介
1
圆片
非密封
-
箔式
非密封
对主称、材料相同,仅尺寸、性能指标略有不同,但基本不影响互使用的产品,给予同一序号;若尺寸性能指标的差别明显;影响互换使用时,则在序号后面用大写字母作为区别代号。
Y
云母
2
管形
非密封
-
箔式
非密封
I
玻璃釉
3
迭片
密封
-
烧结粉固体
密封
O
玻璃膜
4
独石
密封
-
烧结粉固体
密封
Z
纸介
5
穿心
-
-
-
穿心
J
金属化纸
6
支柱
-
-
-
-
B
聚苯乙烯
7
-
-
-
无极性
-
L
涤纶
8
高压
高压
-
-
高压
Q
漆膜
9
-
-
-
特殊
特殊
S
聚碳酸脂
J
金属膜
H
复合介质
W
微调
D
铝
A
钽
N
铌
G
合金
T
钛
E
其他
示例:
(1)铝电解电容器
C D 1 1
第四部分:
序号
第三部分:
特征分类(箔式)
第二部分:
材料(铝)
第一部分:
主称(电容器)
(2)圆片形瓷介电容器
C C 1-1
第四部分:
序号
第三部分:
特征分类(圆片)
第二部分:
材料(瓷介质)
第一部分:
主称(电容器)
(3)纸介金属膜电容器
C Z J X
第四部分:
序号
第三部分:
特征分类(金属膜)
第二部分:
材料(纸介)
第一部分:
主称(电容器)
2.电容器的主要技术指标
(1)电容器的耐压:
常用固定式电容的直流工作电压系列为:
6.3V,10V,16V,25V,40V,63V,100V,160V,250V,400V。
(2)电容器容许误差等级:
常见的有七个等级如表7所示。
表7
容许误差
2%
5%
10%
20%
+20%
-30%
+50%
-20%
+100%
-10%
级别
0.2
I
II
III
IV
V
VI
♦電容常用字母代表誤差﹕B:
±0.1﹪,C:
±0.25﹪,D:
±0.5﹪,F:
±1﹪,G:
±2﹪,J:
±5﹪,K:
±10﹪,M:
±20﹪,N:
±30﹪,Z:
+80﹪-20﹪。
(3)标称电容量:
表8 固定式电容器标称容量系列和容许误差
系列代号
E24
E12
E6
容许误差
5%(I)或(J)
10%(II)或(K)
20%(III)或(m)
标称容量对应值
10,11,12,13,15,16,18,20,22,24,27,30,33,36,39,43,47,51,56,62,68,75,82,90
10,12,15,18,22,27,33,39,47,56,68,82
10,15,22,23,47,68
注:
标称电容量为表中数值或表中数值再乘以
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