太阳能电池的原理及制作.docx
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太阳能电池的原理及制作
太阳能电池的原理及制作
太阳能是人类取之不尽用之不竭的可再生能源。
也是清洁能源,不产生任何的环境污染。
在太阳能的有效利用当中;大阳能光电利用是近些年来发展最快,最具活力的研究领域,是其中最受瞩目的项目之一。
制作太阳能电池主要是以半导体材料为基础,其工作原理是利用光电材料吸收光能后发生光电于转换反应,根据所用材料的不同,太阳能电池可分为:
1、硅太阳能电池;2、以无机盐如砷化镓III-V化合物、硫化镉、铜铟硒等多元化合物为材料的电池;3、功能高分子材料制备的大阳能电池;4、纳米晶太阳能电池等。
一、硅太阳能电池
1.硅太阳能电池工作原理与结构
太阳能电池发电的原理主要是半导体的光电效应,一般的半导体主要结构如下:
图中,正电荷表示硅原子,负电荷表示围绕在硅原子旁边的四个电子。
当硅晶体中掺入其他的杂质,如硼、磷等,当掺入硼时,硅晶体中就会存在着一个空穴,它的形成可以参照下图:
图中,正电荷表示硅原子,负电荷表示围绕在硅原子旁边的四个电子。
而黄色的表示掺入的硼原子,因为硼原子周围只有3个电子,所以就会产生入图所示的蓝色的空穴,这个空穴因为没有电子而变得很不稳定,容易吸收电子而中和,形成P(positive)型半导体。
同样,掺入磷原子以后,因为磷原子有五个电子,所以就会有一个电子变得非常活跃,形成N(negative)型半导体。
黄色的为磷原子核,红色的为多余的电子。
如下图。
N型半导体中含有较多的空穴,而P型半导体中含有较多的电子,这样,当P型和N型半导体结合在一起时,就会在接触面形成电势差,这就是PN结。
当P型和N型半导体结合在一起时,在两种半导体的交界面区域里会形成一个特殊的薄层),界面的P型一侧带负电,N型一侧带正电。
这是由于P型半导体多空穴,N型半导体多自由电子,出现了浓度差。
N区的电子会扩散到P区,P区的空穴会扩散到N区,一旦扩散就形成了一个由N指向P的“内电场”,从而阻止扩散进行。
达到平衡后,就形成了这样一个特殊的薄层形成电势差,这就是PN结。
当晶片受光后,PN结中,N型半导体的空穴往P型区移动,而P型区中的电子往N型区移动,从而形成从N型区到P型区的电流。
然后在PN结中形成电势差,这就形成了电源。
(如下图所示)
由于半导体不是电的良导体,电子在通过p-n结后如果在半导体中流动,电阻非常大,损耗也就非常大。
但如果在上层全部涂上金属,阳光就不能通过,电流就不能产生,因此一般用金属网格覆盖p-n结(如图梳状电极),以增加入射光的面积。
另外硅表面非常光亮,会反射掉大量的太阳光,不能被电池利用。
为此,科学家们给它涂上了一层反射系数非常小的保护膜(如图),将反射损失减小到5%甚至更小。
一个电池所能提供的电流和电压毕竟有限,于是人们又将很多电池(通常是36个)并联或串联起来使用,形成太阳能光电板。
2.硅太阳能电池的生产流程
通常的晶体硅太阳能电池是在厚度350~450μm的高质量硅片上制成的,这种硅片从提拉或浇铸的硅锭上锯割而成。
上述方法实际消耗的硅材料更多。
为了节省材料,目前制备多晶硅薄膜电池多采用化学气相沉积法,包括低压化学气相沉积(LPCVD)和等离子增强化学气相沉积(PECVD)工艺。
此外,液相外延法(LPPE)和溅射沉积法也可用来制备多晶硅薄膜电池。
化学气相沉积主要是以SiH2Cl2、SiHCl3、SiCl4或SiH4,为反应气体,在一定的保护气氛下反应生成硅原子并沉积在加热的衬底上,衬底材料一般选用Si、SiO2、Si3N4等。
但研究发现,在非硅衬底上很难形成较大的晶粒,并且容易在晶粒间形成空隙。
解决这一问题办法是先用LPCVD在衬底上沉积一层较薄的非晶硅层,再将这层非晶硅层退火,得到较大的晶粒,然后再在这层籽晶上沉积厚的多晶硅薄膜,因此,再结晶技术无疑是很重要的一个环节,目前采用的技术主要有固相结晶法和中区熔再结晶法。
多晶硅薄膜电池除采用了再结晶工艺外,另外采用了几乎所有制备单晶硅太阳能电池的技术,这样制得的太阳能电池转换效率明显提高。
三、纳米晶化学太阳能电池
在太阳能电池中硅系太阳能电池无疑是发展最成熟的,但由于成本居高不下,远不能满足大规模推广应用的要求。
为此,人们一直不断在工艺、新材料、电池薄膜化等方面进行探索,而这当中新近发展的纳米TiO2晶体化学能太阳能电池受到国内外科学家的重视。
以染料敏化纳米晶体太阳能电池(DSSCs)为例,这种电池主要包括镀有透明导电膜的玻璃基底,染料敏化的半导体材料、对电极以及电解质等几部分。
阳极:
染料敏化半导体薄膜(TiO2膜)
阴极:
镀铂的导电玻璃
电解质:
I3-/I-
如图所示,白色小球表示TiO2,红色小球表示染料分子。
染料分子吸收太阳光能跃迁到激发态,激发态不稳定,电子快速注入到紧邻的TiO2导带,染料中失去的电子则很快从电解质中得到补偿,进入TiO2导带中的电于最终进入导电膜,然后通过外回路产生光电流。
纳米晶TiO2太阳能电池的优点在于它廉价的成本和简单的工艺及稳定的性能。
其光电效率稳定在10%以上,制作成本仅为硅太阳电池的1/5~1/10.寿命能达到20年以上。
但由于此类电池的研究和开发刚刚起步,估计不久的将来会逐步走上市场。
四、染料敏化TiO2太阳能电池的手工制作
1.制作二氧化钛膜
(1)先把二氧化钛粉末放入研钵中与粘合剂进行研磨
(2)接着用玻璃棒缓慢地在导电玻璃上进行涂膜
(3)把二氧化钛膜放入酒精灯下烧结10~15分钟,然后冷却
2.利用天然染料为二氧化钛着色
如图所示,把新鲜的或冰冻的黑梅、山梅、石榴籽或红茶,加一汤匙的水并进行挤压,然后把二氧化钛膜放进去进行着色,大约需要5分钟,直到膜层变成深紫色,如果膜层两面着色的不均匀,可以再放进去浸泡5分钟,然后用乙醇冲洗,并用柔软的纸轻轻地擦干。
3.制作正电极
由染料着色的TiO2为电子流出的一极(即负极)。
正电极可由导电玻璃的导电面(涂有导电的SnO2膜层)构成,利用一个简单的万用表就可以判断玻璃的那一面是可以导电的,利用手指也可以做出判断,导电面较为粗糙。
如图所示,把非导电面标上‘+’,然后用铅笔在导电面上均匀地涂上一层石墨。
4.加入电解质
利用含碘离子的溶液作为太阳能电池的电解质,它主要用于还原和再生染料。
如图所示,在二氧化钛膜表面上滴加一到两滴电解质即可。
5.组装电池
把着色后的二氧化钛膜面朝上放在桌上,在膜上面滴一到两滴含碘和碘离子的电解质,然后把正电极的导电面朝下压在二氧化钛膜上。
把两片玻璃稍微错开,用两个夹子把电池夹住,两片玻璃暴露在外面的部分用以连接导线。
这样,你的太阳能电池就做成了。
6.电池的测试
在室外太阳光下,检测你的太阳能电池是否可以产生电流。
参考文献
新型二氧化钛纳米管可以提高太阳能电池的光转化效率
美国宾夕法尼亚大学的研究人员在染料敏感太阳能电池中用二氧化钛纳米管阵列代替二氧化钛纳米微粒,以提高电池的光转化效率。
据宾州大学克雷格·格芮姆教授介绍,他们采用非常短的负电极产生极高的光电流强度,振幅和各点吸收的光波长成正比。
如果加长纳米管的长度,仍能保持这个特性,就能打破理论的束缚,研制低成本、高效能的太阳能电池。
首先用掺杂氟的氧化锌包被玻璃基质,其次在玻璃基质上喷涂500nm厚的钛薄层,这种透明的基质可以从电池的前侧照进阳光。
然后在含氢氟酸和乙酸的电解液中在12伏的电压下对薄层进行阳极化处理。
最后,研究人员在氧气中对薄层进行退火使之结晶。
最终的二氧化钛纳米管阵列产品,管孔直径46nm、厚17nm、长360nm。
高度整齐的纳米管阵列有显著的电荷迁移和光触反应特性。
下一步,研究人员在氯化钛溶液中处理纳米管阵列以增强导电性。
他们将纳米管阵列浸在染料溶液中过夜处理,使其附着一层钌基染料。
为制造染料敏感太阳能电池,科研人员还要加一种电解液和由喷涂铂的导电玻璃薄片组成的反向电极。
在0.25平方厘米的激活区,这种太阳能电池产生的光电流强度为7.87毫安每平方厘米,总体转化效率是2.9%,比未用氯化钛处理的纳米管太阳能电池的效率高五倍。
而且这种纳米管比普通染料敏感电池所用的二氧化钛纳米微粒有更好的重组性能。
现在,研究人员正努力延长透明纳米管阵列的长度。
因为他们不能研制出厚度超过500nm的纳米管阵列,所以长度还不能超过360nm,此外,科研人员还要找到一种钛薄片沉积的简便方法。
1.太阳能概况
2.光伏效应
3.太阳能电池
4.多晶硅及其他光电转换材料
5.晶体硅太阳电池及材料
6.非晶硅太阳电池
7.非晶硅(a-硅)太阳能技术
8.多晶薄膜与薄膜太阳电池
9.多晶硅薄膜太阳电池
10.世界太阳能开发利用现状
11.21世纪我国太阳能利用发展趋势
12.国内外太阳电池和光伏发电的进展与前景
13.20世纪太阳能科技发展的回顾与展望
14.光伏板:
与太阳一同升起的希望
15.光伏水泵系统
16.光伏发电系统中逆变电源的原理与实现
17.平板玻璃工业新技术
18.热壁外延(HWE)在导电玻璃上生长GaAs
19.科普知识
20.科普童话:
太阳公公发电
1.太阳能概况
太阳能是各种可再生能源中最重要的基本能源,生物质能、风能、海洋能、水能等都来自太阳能,广义地说,太阳能包含以上各种可再生能源。
太阳能作为可再生能源的一种,则是指太阳能的直接转化和利用。
通过转换装置把太阳辐射能转换成热能利用的属于太阳能热利用技术,再利用热能进行发电的称为太阳能热发电,也属于这一技术领域;通过转换装置把太阳辐射能转换成电能利用的属于太阳能光发电技术,光电转换装置通常是利用半导体器件的光伏效应原理进行光电转换的,因此又称太阳能光伏技术。
二十世纪50年代,太阳能利用领域出现了两项重大技术突破:
一是1954年美国贝尔实验室研制出6%的实用型单晶硅电池,二是1955年以色列Tabor提出选择性吸收表面概念和理论并研制成功选择性太阳吸收涂层。
这两项技术突破为太阳能利用进入现代发展时期奠定了技术基础。
70年代以来,鉴于常规能源供给的有限性和环保压力的增加,世界上许多国家掀起了开发利用太阳能和可再生能源的热潮。
1973年,美国制定了政府级的阳光发电计划,1980年又正式将光伏发电列入公共电力规划,累计投入达8亿多美元。
1992年,美国政府颁布了新的光伏发电计划,制定了宏伟的发展目标。
日本在70年代制定了“阳光计划”,1993年将“月光计划”(节能计划)、“环境计划”、“阳光计划”合并成“新阳光计划”。
德国等欧共体国家及一些发展中国家也纷纷制定了相应的发展计划。
90年代以来联合国召开了一系列有各国领导人参加的高峰会议,讨论和制定世界太阳能战略规划、国际太阳能公约,设立国际太阳能基金等,推动全球太阳能和可再生能源的开发利用。
开发利用太阳能和可再生能源成为国际社会的一大主题和共同行动,成为各国制定可持续发展战略的重要内容。
自“六五”以来我国政府一直把研究开发太阳能和可再生能源技术列入国家科技攻关计划,大大推动了我国太阳能和可再生能源技术和产业的发展。
二十多年来,太阳能利用技术在研究开发、商业化生产、市场开拓方面都获得了长足发展,成为世界快速、稳定发展的新兴产业之一。
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2.光 伏 效 应
光生伏特效应简称为光伏效应,指光照使不均匀半导体或半导体与金属组合的不同部位之间产生电位差的现象。
产生这种电位差的机理有好几种,主要的一种是由于阻挡层的存在。
以下以P-N结为例说明。
热平衡态下的P-N结
P-N结的形成:
同质结可用一块半导体经掺杂形成P区和N区。
由于杂质的激活能量ΔE很小,在室温下杂质差不多都电离成受主离子NA-和施主离子ND+。
在PN区交界面处因存在载流子的浓度差,故彼此要向对方扩散。
设想在结形成的一瞬间,在N区的电子为多子,在P区的电子为少子,使电子由N区流入P区,电子与空穴相遇又要发生复合,这样在原来是N区的结面附近电子变得很少,剩下未经中和的施主离子ND+形成正的空间电荷。
同样,空穴由P区扩散到N区后,由不能运动的受主离子NA-形成负的空间电荷。
在P区与N区界面两侧产生不能移动的离子区(也称耗尽区、空间电荷区、阻挡层),于是出现空间电偶层,形成内电场(称内建电场)此电场对两区多子的扩散有抵制作用,而对少子的漂移有帮助作用,直到扩散流等于漂移流时达到平衡,在界面两侧建立起稳定的内建电场。
热平衡下P-N结模型及能带图
P-N结能带与接触电势差:
在热平衡条件下,结区有统一的EF;在远离结区的部位,EC、EF、Eν之间的关系与结形成前状态相同。
从能带图看,N型、P型半导体单独存在时,EFN与EFP有一定差值。
当N型与P型两者紧密接触时,电子要从费米能级高的一方向费米能级低的一方流动,空穴流动的方向相反。
同时产生内建电场,内建电场方向为从N区指向P区。
在内建电场作用下,EFN将连同整个N区能带一起下移,EFP将连同整个P区能带一起上移,直至将费米能级拉平为EFN=EFP,载流子停止流动为止。
在结区这时导带与价带则发生相应的弯曲,形成势垒。
势垒高度等于N型、P型半导体单独存在时费米能级之差:
qUD=EFN-EFP
得
UD=(EFN-EFP)/q
q:
电子电量
UD:
接触电势差或内建电势
对于在耗尽区以外的状态:
UD=(KT/q)ln(NAND/ni2)
NA、ND、ni:
受主、施主、本征载流子浓度。
可见UD与掺杂浓度有关。
在一定温度下,P-N结两边掺杂浓度越高,UD越大。
禁带宽的材料,ni较小,故UD也大。
光照下的P-N结
P-N结光电效应:
当P-N结受光照时,样品对光子的本征吸收和非本征吸收都将产生光生载流子。
但能引起光伏效应的只能是本征吸收所激发的少数载流子。
因P区产生的光生空穴,N区产生的光生电子属多子,都被势垒阻挡而不能过结。
只有P区的光生电子和N区的光生空穴和结区的电子空穴对(少子)扩散到结电场附近时能在内建电场作用下漂移过结。
光生电子被拉向N区,光生空穴被拉向P区,即电子空穴对被内建电场分离。
这导致在N区边界附近有光生电子积累,在P区边界附近有光生空穴积累。
它们产生一个与热平衡P-N结的内建电场方向相反的光生电场,其方向由P区指向N区。
此电场使势垒降低,其减小量即光生电势差,P端正,N端负。
于是有结电流由P区流向N区,其方向与光电流相反。
实际上,并非所产生的全部光生载流子都对光生电流有贡献。
设N区中空穴在寿命τp的时间内扩散距离为Lp,P区中电子在寿命τn的时间内扩散距离为Ln。
Ln+Lp=L远大于P-N结本身的宽度。
故可以认为在结附近平均扩散距离L内所产生的光生载流子都对光电流有贡献。
而产生的位置距离结区超过L的电子空穴对,在扩散过程中将全部复合掉,对P-N结光电效应无贡献。
光照下的P-N结电流方程:
与热平衡时比较,有光照时,P-N结内将产生一个附加电流(光电流)Ip,其方向与P-N结反向饱和电流I0相同,一般Ip≥I0。
此时
I=I0eqU/KT-(I0+Ip)
令Ip=SE,则
I=I0eqU/KT-(I0+SE)
开路电压Uoc:
光照下的P-N结外电路开路时P端对N端的电压,即上述电流方程中I=0时的U值:
0=I0eqU/KT-(I0+SE)
Uoc=(KT/q)ln(SE+I0)/I0≈(KT/q)ln(SE/I0)
短路电流Isc:
光照下的P-N结,外电路短路时,从P端流出,经过外电路,从N端流入的电流称为短路电流Isc。
即上述电流方程中U=0时的I值,得Isc=SE。
Uoc与Isc是光照下P-N结的两个重要参数,在一定温度下,Uoc与光照度E成对数关系,但最大值不超过接触电势差UD。
弱光照下,Isc与E有线性关系。
a)无光照时热平衡态,NP型半导体有统一的费米能级,势垒高度为qUD=EFN-EFP。
b)稳定光照下P-N结外电路开路,由于光生载流子积累而出现光生电压Uoc不再有统一费米能级,势垒高度为q(UD-Uoc)。
c)稳定光照下P-N结外电路短路,P-N结两端无光生电压,势垒高度为qUD,光生电子空穴对被内建电场分离后流入外电路形成短路电流。
d)有光照有负载,一部分光电流在负载上建立起电压Uf,另一部分光电流被P-N结因正向偏压引起的正向电流抵消,势垒高度为q(UD-Uf)。
3.太阳能电池
电池行业是21世纪的朝阳行业,发展前景十分广阔。
在电池行业中,最没有污染、市场空间最大的应该是太阳能电池,太阳能电池的研究与开发越来越受到世界各国的广泛重视。
太阳的光辉普照大地,它是明亮的使者,太阳的光除了照亮世界,使植物通过光合作用把太阳光转变为各种养分,供人们食用,产生纤维质供人们做衣服,生长木材给我们
建筑房屋以外,太阳的光还可以通过太阳能电池转变为电。
太阳能电池是一种近年发展起来的新型的电池。
太阳能电池是利用光电转换原理使太阳的辐射光通过半导体物质转变为电能的一种器件,这种光电转换过程通常叫做“光生伏打效应”,因此太阳能电池又称为“光伏电池”,用于太阳能电池的半导体材料是一种介于导体和绝缘体之间的特殊物质,和任何物质的原子一样,半导体的原子也是由带正电的原子核和带负电的电子组成,半导体硅原子的外层有4个电子,按固定轨道围绕原子核转动。
当受到外来能量的作用时,这些电子就会脱离轨道而成为自由电子,并在原来的位置上留下一个“空穴”,在纯净的硅晶体中,自由电子和空穴的数目是相等的。
如果在硅晶体中掺入硼、镓等元素,由于这些元素能够俘获电子,它就成了空穴型半导体,通常用符号P表示;如果掺入能够释放电子的磷、砷等元素,它就成了电子型半导体,以符号N代表。
若把这两种半导体结合,交界面便形成一个P-N结。
太阳能电池的奥妙就在这个“结”上,P-N结就像一堵墙,阻碍着电子和空穴的移动。
当太阳能电池受到阳光照射时,电子接受光能,向N型区移动,使N型区带负电,同时空穴向P型区移动,使P型区带正电。
这样,在P-N结两端便产生了电动势,也就是通常所说的电压。
这种现象就是上面所说的“光生伏打效应”。
如果这时分别在P型层和N型层焊上金属导线,接通负载,则外电路便有电流通过,如此形成的一个个电池元件,把它们串联、并联起来,就能产生一定的电压和电流,输出功率。
制造太阳电池的半导体材料已知的有十几种,因此太阳电池的种类也很多。
目前,技术最成熟,并具有商业价值的太阳电池要算硅太阳电池。
1953年美国贝尔研究所首先应用这个原理试制成功硅太阳电池,获得6%光电转换效率的成
果。
太阳能电池的出现,好比一道曙光,尤其是航天领域的科学家,对它更是注目。
这是由于当时宇宙空间技术的发展,人造地球卫星上天,卫星和宇宙飞船上的电子仪器和设备,需要足够的持续不断的电能,而且要求重量轻,寿命长,使用方便,能承受各种冲击、振动的影响。
太阳能电池完全满足这些要求,1958年,美国的“先锋一号”人造卫星就是用了太阳能电池作为电源,成为世界上第一个用太阳能供电的卫星,空间电源的需求使太阳电池作为尖端技术,身价百倍。
现在,各式各样的卫星和空间飞行器上都装上了布满太阳能电池的“翅膀”,使它们能够在太空中长久遨游。
我国1958年开始进行太阳能电池的研制工作,并于1971年将研制的太阳能电池用在了发射的第二颗卫星上。
以太阳能电池作为电源可以使卫星安全工作达20年之久,而化学电池只能连续工作几天。
空间应用范围有限,当时太阳电池造价昂贵,发展受到限。
70年代初,世界石油危机促进了新能源的开发,开始将太阳电池转向地面应用,技术不断进步,光电转换效率提高,成本大幅度下降。
时至今日,光电转换已展示出广阔的应用前景。
太阳能电池近年也被人们用于生产、生活的许多领域。
从1974年世界上第一架太阳能电池飞机在美国首次试飞成功以来,激起人们对太阳能飞机研究的热潮,太阳能飞机从此飞速地发展起来,只用了六七年时间太阳能飞机从飞行几分钟,航程几公里发展到飞越英吉利海峡。
现在,最先进的太阳能飞机,飞行高度可达2万多米,航程超过4000公里。
另外,太阳能汽车也发展很快。
在建造太阳能电池发电站上,许多国家也取得了较大进展。
1985年,美国阿尔康公司研制的太阳能电池发电站,用108个太阳板,256个光电池模块,年发电能力300万度。
德国1990年建造的小型太阳能电站,光电转换率可达30%多,适于为家庭和团体供电。
1992年美国加州公用局又开始研制一种“革命性的太阳能发电装置”,预计可供加州1/3的用电量。
用太阳能电池发电确实是一种诱人的方式,据专家测算,如果能把撒哈拉沙漠太阳辐射能的1%收集起来,足够全世界的所有能源消耗。
在生产和生活中,太阳能电池已在一些国家得到了广泛应用,在远离输电线路的地方,使用太阳能电池给电器供电是节约能源降低成本的好办法
。
芬兰制成了一种用太阳能电池供电的彩色电视机,太阳能电池板就装在住家的房顶上,还配有蓄电池,保证电视机的连续供电,既节省了电能又安全可靠。
日本则侧重把太阳能电池应用于汽车的自动换气装置、空调设备等民用工业。
我国的一些电视差转台也已用太阳能电池为电源,投资省,使用方便,很受欢迎。
当前,太阳能电池的开发应用已逐步走向商业化、产业化;小功率小面积的太阳能电池在一些国家已大批量生产,并得到广泛应用;同时人们正在开发光电转换率高、成本低的太阳能电池;可以预见,太阳能电池很有可能成为替代煤和石油的重要能源之一,在人们的生产、生活中占有越来越重要的位置。
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4.多晶硅及其他光电转换材料
光伏效应
现代工业的发展,一方面加大对能源的需求,引发能源危机;另一方面在常规能源的使用中释放出大量的二氧化碳气体,导致全球性的“温室效应”。
为此各国力图摆脱对常规能源的依赖,加速发展可再生能源。
作为最理想的可再生能源,太阳能具有“取之不尽,用之不竭”的特点,而利用太阳能发电具有环保等优点,而且不必考虑其安全性问题。
所以在发达国家得到了高度重视,欧洲联盟国家计划在2010年太阳能光电转换的电力占所有总电力的1.5%,美国启动了“百万屋顶”计划。
在能源短缺,环境保护问题日益严重的我国,低成本高效率地利用太阳能尤为重要。
太阳能电池就是利用光伏效应将太阳能直接转换为电能的一种装置。
常规太阳电池简单装置如图1所示。
当N型和P型两种不同型号的半导体材料接触后,由于扩散和漂移作用,在界面处形成由P型指向N型的内建电场。
当光照在太阳电池的表面后,能量大于禁带宽度的光子便激发出电子和空穴对,这些非平衡的少数载流子在内电场的作用下分离开,在电池的上下两极累积,这样电池便可以给外界负载提供电流。
从本世纪70年代中期开始了地面用太阳电池商品化以来,晶体硅就作为基本的电池材料占据着统治地位,而且可以确信这种状况在今后20年中不会发生根本的转变。
以晶体硅材料制备的太阳能电池主要包括:
单晶硅太阳电池,铸造多晶硅太阳能电池,非晶硅太阳能电池和薄膜晶体硅电池。
单晶硅电池具有电池转换效率高,稳定性好,但是成本较高;非
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- 太阳能电池 原理 制作