集成电路分析与设计课程实验一.docx
- 文档编号:23905036
- 上传时间:2023-05-22
- 格式:DOCX
- 页数:18
- 大小:4.47MB
集成电路分析与设计课程实验一.docx
《集成电路分析与设计课程实验一.docx》由会员分享,可在线阅读,更多相关《集成电路分析与设计课程实验一.docx(18页珍藏版)》请在冰豆网上搜索。
集成电路分析与设计课程实验一
集成电路分析与设计
课程实验1(2010-03-18)
熟悉Cadence设计软件中的SchematicEditing进行原理图编辑,并使用Spectre工具进行仿真验证。
要求及说明:
1.NMOS和PMOS晶体管的1级模型参数参考教材(拉扎维,P32)中表,相应的Spectre模型为。
2.假设VDD=3V,NMOS和PMOS器件的衬底端子(B,除非另有说明)分别接地和VDD(或最正的电压节点),(W/L)=50/2(即W=50u,L=2u)。
3.采用直流扫描(DCSweep,改变VX),画出IX和晶体管的跨导关于VX的函数曲线图。
4.解释分析结果,比较仿真分析结果与你的手工计算结果。
5.报告截止提交日期为2008年3月25日。
题目:
(参考拉扎维的模拟CMOS集成电路设计P34-35)
2.5对图的每个电路,画出IX和晶体管跨导(gm)关于VX的函数曲线。
VX从0变化到VDD。
2.6对图的每个电路,画出IX和晶体管跨导(gm)关于VX的函数曲线。
VX从0变化到VDD。
I原理图绘制篇
1.右键openTerminal
2.输入icfb&
4.Tools–LibraryManager…
’tneedaTechfile-OK
8.File-CellView新建项目
10.输入器件按快捷键I
11.选择Browse–analoglib-nmos4-symbol输入nmos器件
12.在属性框里填写器件的模型和参数:
模型名称:
nmos、参数W=50uL=2u点Hide完成
13.修改器件参数如果想修改器件参数,选择该器件后按快捷键q,可以在属性框里修改
14.输入直流电源:
快捷键I–analoglib–vdc–symbol
15.放置直流电压源,如果放置位置不满意可以按快捷键m移动位置,移动到指定位置后按ESC退出
16.修改电压源参数:
按q,然后逐一修改
18.按W进行连线
19.CheckandSave
请确认保存,不保存仿真无法正常进行
II仿真验证篇
1.Tools–AnalogEnvironment启动模拟电路仿真环境ADE
2.在ADE中选择Setup-ModelLibraries
3.按浏览Browse选择我们需要的模型:
-OK
4.Add-OK
5.Analyses-Choose…
6.选择DC–ComponentParameter
7.通过选择SelectComponent,选择需要进行参数扫描的电压源,然后在弹出页选DC项,OK
或者自己手动在ChoosingAnalyses中填写也行
8.填写DC扫描的起止值Start=0Stop=3OK
9.选择输出节点波形OUTPUTS-ToBePlotted–SelectonSchhematic
10.在原理图上选择输出节点波形,电压选连线电流选器件的节点,我们需要器件电流,所以我们选择NMOS的漏端。
11.设置完成后选择netlistandRun运行
- 配套讲稿:
如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制:
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词:
- 集成电路 分析 设计 课程 实验