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结构设计用EMC资料大全
电磁干扰的屏蔽方法
EMC问题常常是制约中国电子产品出口的一个原因,本文主要论述EMI的来源及一些非常具体的抑制方法。
电磁兼容性(EMC)是指“一种器件、设备或系统的性能,它可以使其在自身环境下正常工作并且同时不会对此环境中任何其他设备产生强烈电磁干扰(IEEEC63.12-1987)。
”对于无线收发设备来说,采用非连续频谱可部分实现EMC性能,但是很多有关的例子也表明EMC并不总是能够做到。
例如在笔记本电脑和测试设备之间、打印机和台式电脑之间以及蜂窝电话和医疗仪器之间等都具有高频干扰,我们把这种干扰称为电磁干扰(EMI)。
EMC问题来源
所有电器和电子设备工作时都会有间歇或连续性电压电流变化,有时变化速率还相当快,这样会导致在不同频率内或一个频带间产生电磁能量,而相应的电路则会将这种能量发射到周围的环境中。
EMI有两条途径离开或进入一个电路:
辐射和传导。
信号辐射是通过外壳的缝、槽、开孔或其他缺口泄漏出去;而信号传导则通过耦合到电源、信号和控制线上离开外壳,在开放的空间中自由辐射,从而产生干扰。
很多EMI抑制都采用外壳屏蔽和缝隙屏蔽结合的方式来实现,大多数时候下面这些简单原则可以有助于实现EMI屏蔽:
从源头处降低干扰;通过屏蔽、过滤或接地将干扰产生电路隔离以及增强敏感电路的抗干扰能力等。
EMI抑制性、隔离性和低敏感性应该作为所有电路设计人员的目标,这些性能在设计阶段的早期就应完成。
对设计工程师而言,采用屏蔽材料是一种有效降低EMI的方法。
如今已有多种外壳屏蔽材料得到广泛使用,从金属罐、薄金属片和箔带到在导电织物或卷带上喷射涂层及镀层(如导电漆及锌线喷涂等)。
无论是金属还是涂有导电层的塑料,一旦设计人员确定作为外壳材料之后,就可着手开始选择衬垫。
金属屏蔽效率
可用屏蔽效率(SE)对屏蔽罩的适用性进行评估,其单位是分贝,计算公式为
SEdB=A+R+B
其中A:
吸收损耗(dB)R:
反射损耗(dB)B:
校正因子(dB)(适用于薄屏蔽罩内存在多个反射的情况)
一个简单的屏蔽罩会使所产生的电磁场强度降至最初的十分之一,即SE等于20dB;而有些场合可能会要求将场强降至为最初的十万分之一,即SE要等于100dB。
吸收损耗是指电磁波穿过屏蔽罩时能量损耗的数量,吸收损耗计算式为
AdB=1.314(f×σ×μ)1/2×t
其中f:
频率(MHz)μ:
铜的导磁率σ:
铜的导电率t:
屏蔽罩厚度
反射损耗(近场)的大小取决于电磁波产生源的性质以及与波源的距离。
对于杆状或直线形发射天线而言,离波源越近波阻越高,然后随着与波源距离的增加而下降,但平面波阻则无变化(恒为377)。
相反,如果波源是一个小型线圈,则此时将以磁场为主,离波源越近波阻越低。
波阻随着与波源距离的增加而增加,但当距离超过波长的六分之一时,波阻不再变化,恒定在377处。
反射损耗随波阻与屏蔽阻抗的比率变化,因此它不仅取决于波的类型,而且取决于屏蔽罩与波源之间的距离。
这种情况适用于小型带屏蔽的设备。
近场反射损耗可按下式计算
R(电)dB=321.8-(20×lgr)-(30×lgf)-[10×lg(μ/σ)]R(磁)dB=14.6+(20×lgr)+(10×lgf)+[10×lg(μ/σ)]
其中r:
波源与屏蔽之间的距离。
SE算式最后一项是校正因子B,其计算公式为
B=20lg[-exp(-2t/σ)]
此式仅适用于近磁场环境并且吸收损耗小于10dB的情况。
由于屏蔽物吸收效率不高,其内部的再反射会使穿过屏蔽层另一面的能量增加,所以校正因子是个负数,表示屏蔽效率的下降情况。
EMI抑制策略
只有如金属和铁之类导磁率高的材料才能在极低频率下达到较高屏蔽效率。
这些材料的导磁率会随着频率增加而降低,另外如果初始磁场较强也会使导磁率降低,还有就是采用机械方法将屏蔽罩作成规定形状同样会降低导磁率。
综上所述,选择用于屏蔽的高导磁性材料非常复杂,通常要向EMI屏蔽材料供应商以及有关咨询机构寻求解决方案。
在高频电场下,采用薄层金属作为外壳或内衬材料可达到良好的屏蔽效果,但条件是屏蔽必须连续,并将敏感部分完全遮盖住,没有缺口或缝隙(形成一个法拉第笼)。
然而在实际中要制造一个无接缝及缺口的屏蔽罩是不可能的,由于屏蔽罩要分成多个部分进行制作,因此就会有缝隙需要接合,另外通常还得在屏蔽罩上打孔以便安装与插卡或装配组件的连线。
设计屏蔽罩的困难在于制造过程中不可避免会产生孔隙,而且设备运行过程中还会需要用到这些孔隙。
制造、面板连线、通风口、外部监测窗口以及面板安装组件等都需要在屏蔽罩上打孔,从而大大降低了屏蔽性能。
尽管沟槽和缝隙不可避免,但在屏蔽设计中对与电路工作频率波长有关的沟槽长度作仔细考虑是很有好处的。
任一频率电磁波的波长为:
波长(λ)=光速(C)/频率(Hz)
当缝隙长度为波长(截止频率)的一半时,RF波开始以20dB/10倍频(1/10截止频率)或6dB/8倍频(1/2截止频率)的速率衰减。
通常RF发射频率越高衰减越严重,因为它的波长越短。
当涉及到最高频率时,必须要考虑可能会出现的任何谐波,不过实际上只需考虑一次及二次谐波即可。
一旦知道了屏蔽罩内RF辐射的频率及强度,就可计算出屏蔽罩的最大允许缝隙和沟槽。
例如如果需要对1GHz(波长为300mm)的辐射衰减26dB,则150mm的缝隙将会开始产生衰减,因此当存在小于150mm的缝隙时,1GHz辐射就会被衰减。
所以对1GHz频率来讲,若需要衰减20dB,则缝隙应小于15mm(150mm的1/10),需要衰减26dB时,缝隙应小于7.5mm(15mm的1/2以上),需要衰减32dB时,缝隙应小于3.75mm(7.5mm的1/2以上)。
可采用合适的导电衬垫使缝隙大小限定在规定尺寸内,从而实现这种衰减效果。
屏蔽设计难点
由于接缝会导致屏蔽罩导通率下降,因此屏蔽效率也会降低。
要注意低于截止频率的辐射其衰减只取决于缝隙的长度直径比,例如长度直径比为3时可获得100dB的衰减。
在需要穿孔时,可利用厚屏蔽罩上面小孔的波导特性;另一种实现较高长度直径比的方法是附加一个小型金属屏蔽物,如一个大小合适的衬垫。
上述原理及其在多缝情况下的推广构成多孔屏蔽罩设计基础。
多孔薄型屏蔽层:
多孔的例子很多,比如薄金属片上的通风孔等等,当各孔间距较近时设计上必须要仔细考虑。
下面是此类情况下屏蔽效率计算公式
SE=[20lg(fc/o/σ)]-10lgn其中fc/o:
截止频率n:
孔洞数目
注意此公式仅适用于孔间距小于孔直径的情况,也可用于计算金属编织网的相关屏蔽效率。
接缝和接点:
电焊、铜焊或锡焊是薄片之间进行永久性固定的常用方式,接合部位金属表面必须清理干净,以使接合处能完全用导电的金属填满。
不建议用螺钉或铆钉进行固定,因为紧固件之间接合处的低阻接触状态不容易长久保持。
导电衬垫的作用是减少接缝或接合处的槽、孔或缝隙,使RF辐射不会散发出去。
EMI衬垫是一种导电介质,用于填补屏蔽罩内的空隙并提供连续低阻抗接点。
通常EMI衬垫可在两个导体之间提供一种灵活的连接,使一个导体上的电流传至另一导体。
封孔EMI衬垫的选用可参照以下性能参数:
·特定频率范围的屏蔽效率·安装方法和密封强度·与外罩电流兼容性以及对外部环境的抗腐蚀能力。
·工作温度范围·成本
大多数商用衬垫都具有足够的屏蔽性能以使设备满足EMC标准,关键是在屏蔽罩内正确地对垫片进行设计。
垫片系统:
一个需要考虑的重要因素是压缩,压缩能在衬垫和垫片之间产生较高导电率。
衬垫和垫片之间导电性太差会降低屏蔽效率,另外接合处如果少了一块则会出现细缝而形成槽状天线,其辐射波长比缝隙长度小约4倍。
确保导通性首先要保证垫片表面平滑、干净并经过必要处理以具有良好导电性,这些表面在接合之前必须先遮住;另外屏蔽衬垫材料对这种垫片具有持续良好的粘合性也非常重要。
导电衬垫的可压缩特性可以弥补垫片的任何不规则情况。
所有衬垫都有一个有效工作最小接触电阻,设计人员可以加大对衬垫的压缩力度以降低多个衬垫的接触电阻,当然这将增加密封强度,会使屏蔽罩变得更为弯曲。
大多数衬垫在压缩到原来厚度的30%至70%时效果比较好。
因此在建议的最小接触面范围内,两个相向凹点之间的压力应足以确保衬垫和垫片之间具有良好的导电性。
另一方面,对衬垫的压力不应大到使衬垫处于非正常压缩状态,因为此时会导致衬垫接触失效,并可能产生电磁泄漏。
与垫片分离的要求对于将衬垫压缩控制在制造商建议范围非常重要,这种设计需要确保垫片具有足够的硬度,以免在垫片紧固件之间产生较大弯曲。
在某些情况下,可能需要另外一些紧固件以防止外壳结构弯曲。
压缩性也是转动接合处的一个重要特性,如在门或插板等位置。
若衬垫易于压缩,那么屏蔽性能会随着门的每次转动而下降,此时衬垫需要更高的压缩力才能达到与新衬垫相同的屏蔽性能。
在大多数情况下这不太可能做得到,因此需要一个长期EMI解决方案。
如果屏蔽罩或垫片由涂有导电层的塑料制成,则添加一个EMI衬垫不会产生太多问题,但是设计人员必须考虑很多衬垫在导电表面上都会有磨损,通常金属衬垫的镀层表面更易磨损。
随着时间增长这种磨损会降低衬垫接合处的屏蔽效率,并给后面的制造商带来麻烦。
如果屏蔽罩或垫片结构是金属的,那么在喷涂抛光材料之前可加一个衬垫把垫片表面包住,只需用导电膜和卷带即可。
若在接合垫片的两边都使用卷带,则可用机械固件对EMI衬垫进行紧固,例如带有塑料铆钉或压敏粘结剂(PSA)的“C型”衬垫。
衬垫安装在垫片的一边,以完成对EMI的屏蔽。
衬垫及附件
目前可用的屏蔽和衬垫产品非常多,包括铍-铜接头、金属网线(带弹性内芯或不带)、嵌入橡胶中的金属网和定向线、导电橡胶以及具有金属镀层的聚氨酯泡沫衬垫等。
大多数屏蔽材料制造商都可提供各种衬垫能达到的SE估计值,但要记住SE是个相对数值,还取决于孔隙、衬垫尺寸、衬垫压缩比以及材料成分等。
衬垫有多种形状,可用于各种特定应用,
包括有磨损、滑动以及带铰链的场合。
目前许多衬垫带有粘胶或在衬垫上面就有固定装置,如挤压插入、管脚插入或倒钩装置等。
各类衬垫中,涂层泡沫衬垫是最新也是市面上用途最广的产品之一。
这类衬垫可做成多种形状,厚度大于0.5mm,也可减少厚度以满足UL燃烧及环境密封标准。
还有另一种新型衬垫即环境/EMI混合衬垫,有了它就可以无需再使用单独的密封材料,从而降低屏蔽罩成本和复杂程度。
这些衬垫的外部覆层对紫外线稳定,可防潮、防风、防清洗溶剂,内部涂层则进行金属化处理并具有较高导电性。
最近的另外一项革新是在EMI衬垫上装了一个塑料夹,同传统压制型金属衬垫相比,它的重量较轻,装配时间短,而且成本更低,因此更具市场吸引力。
结论
设备一般都需要进行屏蔽,这是因为结构本身存在一些槽和缝隙。
所需屏蔽可通过一些基本原则确定,但是理论与现实之间还是有差别。
例如在计算某个频率下衬垫的大小和间距时还必须考虑信号的强度,如同在一个设备中使用了多个处理器时的情形。
表面处理及垫片设计是保持长期屏蔽以实现EMC性能的关键因素。
五、产品内部的EMC设计技巧
目前电子器材用于各类电子设备和系统仍然以印制电路板为主要装配方式。
实践证明,即使电路原理图设计正确,印制电路板设计不当,也会对电子设备的可靠性产生不利影响。
例如,如果印制板两条细平行线靠得很近,则会形成信号波形的延迟,在传输线的终端形成反射噪声。
因此,在设计印制电路板的时候,应注意采用正确的方法。
A、地线设计
在电子设备中,接地是控制干扰的重要方法。
如能将接地和屏蔽正确结合起来使用,可解决大部分干扰问题。
电子设备中地线结构大致有系统地、机壳地(屏蔽地)、数字地(逻辑地)和模拟地等。
在地线设计中应注意以下几点:
1.正确选择单点接地与多点接地
在低频电路中,信号的工作频率小于1MHz,它的布线和器件间的电感影响较小,而接地电路形成的环流对干扰影响较大,因而应采用一点接地。
当信号工作频率大于10MHz时,地线阻抗变得很大,此时应尽量降低地线阻抗,应采用就近多点接地。
当工作频率在1~10MHz时,如果采用一点接地,其地线长度不应超过波长的1/20,否则应采用多点接地法。
2.将数字电路与模拟电路分开
电路板上既有高速逻辑电路,又有线性电路,应使它们尽量分开,而两者的地线不要相混,分别与电源端地线相连。
要尽量加大线性电路的接地面积。
3.尽量加粗接地线
若接地线很细,接地电位则随电流的变化而变化,致使电子设备的定时信号电平不稳,抗噪声性能变坏。
因此应将接地线尽量加粗,使它能通过三位于印制电路板的允许电流。
如有可能,接地线的宽度应大于3mm。
4.将接地线构成闭环路
设计只由数字电路组成的印制电路板的地线系统时,将接地线做成闭环路可以明显的提高抗噪声能力。
其原因在于:
印制电路板上有很多集成电路组件,尤其遇有耗电多的组件时,因受接地线粗细的限制,会在地结上产生较大的电位差,引起抗噪声能力下降,若将接地结构成环路,则会缩小电位差值,提高电子设备的抗噪声能力。
B、电磁兼容性设计
电磁兼容性是指电子设备在各种电磁环境中仍能够协调、有效地进行工作的能力。
电磁兼容性设计的目的是使电子设备既能抑制各种外来的干扰,使电子设备在特定的电磁环境中能够正常工作,同时又能减少电子设备本身对其它电子设备的电磁干扰。
1.选择合理的导线宽度
由于瞬变电流在印制线条上所产生的冲击干扰主要是由印制导线的电感成分造成的,因此应尽量减小印制导线的电感量。
印制导线的电感量与其长度成正比,与其宽度成反比,因而短而精的导线对抑制干扰是有利的。
时钟引线、行驱动器或总线驱动器的信号线常常载有大的瞬变电流,印制导线要尽可能地短。
对于分立组件电路,印制导线宽度在1.5mm左右时,即可完全满足要求;对于集成电路,印制导线宽度可在0.2~
1.0mm之间选择。
2.采用正确的布线策略
采用平等走线可以减少导线电感,但导线之间的互感和分布电容增加,如果布局允许,最好采用井字形网状布线结构,具体做法是印制板的一面横向布线,另一面纵向布线,然后在交叉孔处用金属化孔相连。
为了抑制印制板导线之间的串扰,在设计布线时应尽量避免长距离的平等走线。
C、去耦电容配置
在直流电源回路中,负载的变化会引起电源噪声。
例如在数字电路中,当电路从一个状态转换为另一种状态时,就会在电源线上产生一个很大的尖峰电流,形成瞬变的噪声电压。
配置去耦电容可以抑制因负载变化而产生的噪声,是印制电路板的可靠性设计的一种常规做法,配置原则如下:
●电源输入端跨接一个10~100uF的电解电容器,如果印制电路板的位置允许,采用100uF以上的电解电容器的抗干扰效果会更好。
●为每个集成电路芯片配置一个0.01uF的陶瓷电容器。
如遇到印制电路板空间小而装不下时,可每4~10个芯片配置一个1~10uF钽电解电容器,这种器件的高频阻抗特别小,在500kHz~20MHz范围内阻抗小于1Ω,而且漏电流很小(0.5uA以下)。
●对于噪声能力弱、关断时电流变化大的器件和ROM、RAM等存储型器件,应在芯片的电源线(Vcc)和地线(GND)间直接接入去耦电容。
●去耦电容的引线不能过长,特别是高频旁路电容不能带引线。
D、印制电路板的尺寸与器件的布置
印制电路板大小要适中,过大时印制线条长,阻抗增加,不仅抗噪声能力下降,成本也高;过小,则散热不好,同时易受临近线条干扰。
在器件布置方面与其它逻辑电路一样,应把相互有关的器件尽量放得靠近些,这样可以获得较好的抗噪声效果。
时钟发生器、晶振和CPU的时钟输入端都易产生噪声,要相互靠近些。
易产生噪声的器件、小电流电路、大电流电路等应尽量远离逻辑电路,如有可能,应另做电路板,这一点十分重要。
E、散热设计
从有利于散热的角度出发,印制版最好是直立安装,板与板之间的距离一般不应小于2cm,而且器件在印制版上的排列方式应遵循一定的规则:
·对于采用自由对流空气冷却的设备,最好是将集成电路(或其它器件)按纵长方式排列;对于采用强制空气冷却的设备,最好是将集成电路(或其它器件)按横长方式排。
·同一块印制板上的器件应尽可能按其发热量大小及散热程度分区排列,发热量小或耐热性差的器件(如小信号晶体管、小规模集成电路、电解电容等)放在冷却气流的最上流(入口处),发热量大或耐热性好的器件(如功率晶体管、大规模集成电路等)放在冷却气流最下游。
·在水平方向上,大功率器件尽量靠近印制板边沿布置,以便缩短传热路径;在垂直方向上,大功率器件尽量靠近印制板上方布置,以便减少这些器件工作时对其它器件温度的影响。
·对温度比较敏感的器件最好安置在温度最低的区域(如设备的底部),千万不要将它放在发热器件的正上方,多个器件最好是在水平面上交错布局。
·设备内印制板的散热主要依靠空气流动,所以在设计时要研究空气流动路径,合理配置器件或印制电路板。
空气流动时总是趋向于阻力小的地方流动,所以在印制电路板上配置器件时,要避免在某个区域留有较大的空域。
引言
近几年来,随着电磁兼容工作的开展,电磁屏蔽技术应用得越来越广泛。
为了对电磁屏蔽技术有更深入的理解,应当对屏蔽材料的性能和应用场合、屏蔽技术的注意事项、屏蔽效能的检测以及特殊部位的屏蔽措施等进行更深入的探讨。
1电磁屏蔽的技术原理
电磁屏蔽是电磁兼容技术的主要措施之一。
即用金属屏蔽材料将电磁干扰源封闭起来,使其外部电磁场强度低于允许值的一种措施;或用金属屏蔽材料将电磁敏感电路封闭起来,使其内部电磁场强度低于允许值的一种措施。
1.1静电屏蔽
用完整的金属屏蔽体将带正电导体包围起来,在屏蔽体的内侧将感应出与带电导体等量的负电荷,外侧出现与带电导体等量的正电荷,如果将金属屏蔽体接地,则外侧的正电荷将流入大地,外侧将不会有电场存在,即带正电导体的电场被屏蔽在金属屏蔽体内。
1.2交变电场屏蔽
为降低交变电场对敏感电路的耦合干扰电压,可以在干扰源和敏感电路之间设置导电性好的金属屏蔽体,并将金属屏蔽体接地。
交变电场对敏感电路的耦合干扰电压大小取决于交变电场电压、耦合电容和金属屏蔽体接地电阻之积。
只要设法使金属屏蔽体良好接地,就能使交变电场对敏感电路的耦合干扰电压变得很小。
电场屏蔽以反射为主,因此屏蔽体的厚度不必过大,而以结构强度为主要考虑因素。
1.3交变磁场屏蔽
交变磁场屏蔽有高频和低频之分。
低频磁场屏蔽是利用高磁导率的材料构成低磁阻通路,使大部分磁场被集中在屏蔽体内。
屏蔽体的磁导率越高,厚度越大,磁阻越小,磁场屏蔽的效果越好。
当然要与设备的重量相协调。
高频磁场的屏蔽是利用高电导率的材料产生的涡流的反向磁场来抵消干扰磁场而实现的。
1.4交变电磁场屏蔽
一般采用电导率高的材料作屏蔽体,并将屏蔽体接地。
它是利用屏蔽体在高频磁场的作用下产生反方向的涡流磁场与原磁场抵消而削弱高频磁场的干扰,又因屏蔽体接地而实现电场屏蔽。
屏蔽体的厚度不必过大,而以趋肤深度和结构强度为主要考虑因素。
2屏蔽效能计算
屏蔽效能(SE)的定义是:
在电磁场中同一地点无屏蔽时的电磁场强度与加屏蔽体后的电磁场强度之比。
常用分贝数(dB)表示。
SE=A+R+B
(1)
式中:
A为吸收损耗;
R为反射损耗;
B为多次反射损耗。
2.1电磁波反射损耗
由于空气和屏蔽金属的电磁波阻抗不同,使入射电磁波产生反射作用。
而空气的电磁波阻抗在不同场源和场区中是不一样的,分别计算如下。
磁场源近场中的反射损耗R(dB)为
式中:
μr为相对磁导率;
σr为相对电导率;
f为电磁波频率(Hz);
D为辐射源到屏蔽体的距离(cm)。
电场源近场中的反射损耗R(dB)为
电磁场源远场中的反射损耗R(dB)为
R=168-10log10(μrf/σr) (4)
2.2电磁波吸收损耗
当进入金属屏蔽内的电磁波在屏蔽金属内传播时,由于衰减而产生吸收作用。
吸收损耗A(dB)为
式中:
d为屏蔽材料厚度(mm)。
2.3多次反射损耗
电磁波在屏蔽层间的多次反射损耗B(dB)为
式中:
Zm为屏蔽金属的电磁波阻抗;
Zw为空气的电磁波阻抗。
当A>10dB时,一般可以不计多次反射损耗。
2.4屏蔽效能计算实例
场源距离不同材料的屏蔽体(厚度0.254mm)30cm远的屏蔽效能(dB)计算结果见表1。
表1中近场和远场的分界点为λ/2π,λ为电磁场的波长。
表1场源距离不同材料的屏蔽体(厚度0.254mm)30cm远的屏蔽效能dB
频率/Hz
铜
铁
铝
磁场近场
电场近场
远场
磁场近场
电场近场
远场
磁场近场
电场近场
远场
60
3.46
空
空
3.22
空
空
空
空
空
1k
24.89
空
空
14.66
空
空
空
空
空
10k
44.92
212.73
128.73
51.50
217.50
134.00
空
空
空
150k
69.40
190.20
130.40
188.0
308.0
248.00
空
空
空
1M
97.60
185.40
141.60
391.0
479.0
435.00
88.00
176.0
-
15M
205.0
245.0
225.0
1102.0
1143.0
1123.0
174.0
215.0
-
100M
418.0
426.0
422.0
1425.0
1434.0
1430.0
342.0
350.0
-
3屏蔽的注意事项
3.1屏蔽的完整性
如果屏蔽体不完整,将导致电磁场泄漏。
特别是电磁场屏蔽,它利用屏蔽体在高频磁场的作用下产生反方向的涡流磁场与原磁场抵消而削弱高频磁场干扰。
如果屏蔽体不完整,涡流的效果降低,即屏蔽的效果大打折扣。
3.2屏蔽材料的屏蔽效能和应用场合
电磁屏蔽技术的进展,促使屏蔽材料的形式不断发展,而不再局限于单层金属平板模式,屏蔽效能也不断提高。
应用时要特别注意不同的屏蔽材料具有不同的屏蔽效能和应用场合。
3.2.1金属平板
电子设备采用金属平板做机箱,既坚固耐用,又具有电磁屏蔽作用。
其电磁屏蔽效能与金属平板材料性质、电磁场源性质、电磁场源与金属平板的距离、屏蔽体接地状况等参数有关。
各种金属屏蔽材料的性能见表2。
表2各种金属屏蔽材料的性能
金属屏蔽材料
相对于铜的电导率(σCu=5.8×107Ω/m)
f=150kHz时的相对磁导率
f=150kHz时的吸收损耗/(dB/m)
银
1.05
1
52
铜
1.00
1
51
金
0.70
1
42
铝
0.61
1
40
锌
0.29
1
28
黄铜
0.26
1
26
镉
0.23
1
24
镍
0.20
1
23
磷青铜
0.18
1
122
铁
0.17
1000
650
钢#45
0.10
1000
500
坡莫合金
0.03
80000
2500
不锈钢
0.02
1000
220
3.2.2屏蔽薄膜
当今许多电子设备采用工程塑料做机箱,由于工程塑料的加工工艺性能好,使机箱既造型美观,又成本低、质量轻。
但工程塑料无电磁防护性能。
屏蔽薄膜是采用喷涂、真空沉积、电镀和粘贴等工艺技术,在工程塑料和有机介质的表面覆盖一层导电膜,从而起到平板屏蔽的作用。
一般导电膜的厚度小于电磁波在其内部传播波长的1/4。
几种喷涂工艺达到的屏蔽效能见表3。
表3几种喷涂工
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