长沙理工大学模电试题及答案.docx
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长沙理工大学模电试题及答案
长沙理工大学模电试题及答案
A卷
「、判断下列说法是否正确,用“X”或“V”表示判断结果。
(10分)
(1)在运算电路中,同相输入端和反相输入端均为“虚地”。
()
(2)电压负反馈稳定输出电压,电流负反馈稳定输出电流。
()
(3)使输入量减小的反馈是负反馈,否则为正反馈。
()
(4)产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。
()
(5)利用两只NPN型管构成的复合管只能等效为NPN型管。
()
(6)本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。
()
(7)未加外部电压时,PN结中电流从P区流向N区。
()
(8)集成运放在开环情况下一定工作在非线性区。
()
(9)只要引入正反馈,电路就会产生正弦波振荡。
()
(10)直流稳压电源中的滤波电路是低通滤波电路。
()
二、选择填空(10分)
(1)为了减小输出电阻,应在放大电路中引入;
为了稳定静态工作点,应在放大电路中引入
(A)电流负反馈(B)电压负反馈(C)直流负反馈(D)交流负反馈
1
(2)RC串并联网络在ff。
—时呈。
2RC
(A)感性(B)阻性(C)容性
(3)通用型集成运放的输入级多采用。
(A)共基接法(B)共集接法(C)共射接法(D)差分接法
(4)两个B相同的晶体管组成复合管后,其电流放大系数约为—
(A)B(B)B2(C)2B(D)1+B
(5)在(A)、(B)、(C)三种电路中输出电阻最小的电路是;
既能放大电流,又能放大电压的电路是—
(A)共基放大电路(B)共集放大电路(C)共射放大电路
(6)当NPN型晶体管工作在放大区时,各极电位关系为ucubue。
(A)>(B)<(C)=(D)<
(7)硅二极管的正向导通压降比锗二极管的。
◎2歹把,乂孑
(a)大(B)小(C)相等
三、(5分)图示电路中二极管为理想二极管,请判断它是否导通,并求出
U0O
四、(10分)在图示电路中,已知晶体管静态时B-E间电压为UBEQ,电流
放大系数为B,B-E间动态电阻为rbeo填空:
静态时,Ibq的表达式为,
Icq的表达式为,Uceq的表达式
为;电压放大倍数的表
达式为,输入电阻的表达式
为,输出电阻的表达式
为;若减小Rb,贝UIcq将,rbe
将,Au将,Ri将o
五、(10分)在图示电路中,已知晶体管静态时Ubeq=0.7V,电流放大系数为p=100,rbe=1kQ,Rbi=5kQ,Rb2=15kQ,Re=2.3kQ,Rc=Rl=3kQ,Vcc=12Vo
(1)估算电路的静态工作点、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。
(2)估算信号源内阻为Rs=1kQ时,AUs
UoUs的数值。
六、(10分)在图示电路中,已知Vcc=12V,Vee=6V,恒流源电路
1=1mA,Rbi=Rb2=1kQ,Rci=Rc2=10kQ;两只晶体管特性完全相同,且B1=B2=100,rbe1=rbe2=2kQ。
估算:
(1)电路静态时T1和T2管的集电极电位;
(2)电路的差模放大倍数Ad、共模放大倍数Ac、输入电阻Ri和输出电阻R0
七、(5分)在图示OCL电路中,已知
Ti、T2管的Uces1V,电源电压为土9V,负
载电阻Rl=8Q,试计算最大输出功率Pom及效率n。
八、(8分)设图示各电路均引入了深度交流负反馈,试判断各电路引入了哪种组态的交流负反馈,并分别估算它们的电压放大倍数。
九、(6分)在图示电路中,要求和R的阻值。
Rf=100kQ,比例系数为11,试求解R、
十
uo
十、(6分)求解图示电路的运算关系式。
Rz
Ri
ut?
»—d
十^一、(9分)在图示文氏桥振荡电路中,已知Ri=10kQ,R和C的可调范围分别为1~100kQ、0.001~1讦
(1)振荡频率的可调范围是多少?
(2)Rf的下限值为多少?
W7806的输出电压为6V,
十二、(5分)在图示电路中,已知R1=R2=R3=200Q,试求输出电压U)的调节范围。
十三、(6分)串联型稳压电路如图
财I乂孑
所示,T2和T3管特性完全相同,T2管基极电流可忽略不计,稳压管的稳定电压为
UZ。
填空:
调整管为,输出电压采样电阻由组成,
基准电压电路由组成,比较放大电路组成;
输出电压调节范围的表达式为
《模拟电子技术基础》试题(B卷)
学号姓名
「、判断下列说法是否正确,用“X”或“V”表示判断结果。
(10分)
(1)只要满足相位平衡条件,电路就会产生正弦波振荡。
()
(2)引入直流负反馈可以稳定静态工作点。
()
(3)负反馈越深,电路的性能越稳定。
()
(4)零点漂移就是静态工作点的漂移。
()
(5)放大电路采用复合管是为了增大放大倍数和输入电阻。
()
(6)镜像电流源电路中两只晶体管的特性应完全相同。
()
(7)半导体中的空穴带正电。
()
(8)P型半导体带正电,N型半导体带负电。
()
(9)实现运算电路不一定非引入负反馈。
()
(10)凡是引入正反馈的集成运放,一定工作在非线性区。
()
二、选择填空(10分)
(1)为了增大输出电阻,应在放大电路中引入;
为了展宽频带,应在放大电路中引入—
(A)电流负反馈(B)电压负反馈(C)直流负反馈(D)交流负反馈
(2)在桥式(文氏桥)RC正弦波振荡电路中,。
(A)©a=-180°,©f=+180(B)©a=+180,f=+18C0(C)©a=0°,f=C0
(3)集成运放的互补输出级采用。
(A)共基接法(B)共集接法(C)共射接法(D)差分接法
(4)
(5)
两个B相同的晶体管组成复合管后,其电流放大系数约为
(A)B(B)B
在(A)、(B)、(C)三种电路中输入电阻最大的电路是
(C)2B
0
(D)1+B
既能放大电流,又能放大电压的电路是。
(A)共基放大电路(B)共集放大电路(C)共射放大电路
(6)当PNP型晶体管工作在放大区时,各极电位关系为UCUBUE
(a)>(B)<(C)=(D)<
(7)硅二极管的正向导通压降比锗二极管的。
(A)大(B)小(C)相等
三、(5分)图示电路中二极管为理想二极管,请判断它是否导通,并求出
U0O
四、(10分)在一个放大电路中,三只三极管三个管脚①、②、③的电位分别如表所示,将每只管子所用材料(Si或Ge)、类型(NPN或PNP)及管脚为哪个极(e、b或c)填入表内。
管号
T1
T2
T3
管号
T1
T2
T3
管脚
电位
(V)
①
0.7
6.2
3
电极
名称
①
②
0
6
10
②
③
5
3
3.7
③
材料
类型
五、(10分)在图示电路中,已知晶体管静态时Ubeq=0.7V,电流放大系数为3=80,rbe=1.2kQ,Rb=500kQ,Rc=Rl=5kQ,Vcc=12V。
(1)估算电路的静态工作点、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。
(2)估算信号源内阻为Rs=1.2kQ时,代sU0US的数值。
六、(10分)在图示电路中,已知Vcc=12V,Vee=6V,恒流源电路
1=1mA,Rbi=Rb2=1kQ,Rci=Rc2=10kQ;两只晶体管特性完全相同,且B1=B2=100,rbe仁rbe2=2kQ。
估算:
(1)电路静态时T1和T2管的集电极电位;
(2)电路的差模放大倍数Ad、共模放大倍数Ac、输入电阻Ri和输出电阻R0
七、(5分)在图示OCL电路中,已知Ti、T2管的Uces1V,电源电压
为土9V,负载电阻Rl=8Q,试计算最大输出功率Pom及效率n。
八、(8分)设图示各电路均引入了深度交流负反馈,试判断各电路引入了哪种组态的交流负反馈,并分别估算它们的电压放大倍数。
九、(6分)在图示电路中,要求其输入电阻为20kQ,比例系数为-15,试求解R、Rf和R的阻值。
11
J
」
十、(6分)求解图示电路的运算关系式。
十一、(9分)将图示电路合理连接,构成桥式(即文氏桥)正弦波振荡电路,并估算电路的振荡频率和Ri的最大值。
RTjsOkQ
C^h0.02pF
十二、(5分)在图示电路中,已知W7805的输出电压为5V,Iw=5mA,Ri=1kQ,R2=200Q。
试求输出电压U的调节范围。
十三、(6分)串联型稳压电路如图所示,稳压
管的稳定电压为UZ。
填空:
调整管为,输出电压采样电阻
由组成,基准电压电路由
组成,比较放大电路由
组成;输出电压调节范围的表达式为
。
A卷参考答案
(1)X
(2)v(3)X(4)v(5)V
(6)V(7)X(8)V(9)X(10)V
、
(1)B、C
(2)B(3)
(6)AA(7)A
三、
二极管D导通,
-3V
四、
VCCUBEQ
1•
1
BQ
「ICQ
Rb
RiRB〃rbe;R0
RC;
D(4)B(5)B、C
1BQ;UCEQVCC1CQRc;Au
增大;减小;减小;减小
Rl.
rbe
五、3V;1mA10uA;6.7V;-150;0.79kQ;-66.7
六、7V;-333;0;6kQ;20kQ
七、4Vy5.7W70%
八、(a)电压并联负反馈;-R2/R1(b)电压串联负反馈;1+R/Ri
九、10kQ;9kQ
R2R2、
十、UoU11
(1)Ui2
十-一、1.6Hz—160kH;20kQ十二、9V;8V
十三、
T1;R、R、R;R、DZ;T2、T3、R>
RC;
R2R3
Uz
U0
R1
R
R3
B卷参考答案
一、
(1)
X
(2)V(3)
X(4)
V(5)
V
(6)
V
(7)V(8)
X(9)
X(10)
X
二、
(1)
A
D
(2)C(3)
B(4)
B(5)B、
C
(6)
B、
B(7)A
三、二极管D截止,-6V
四、
管号
T1
T2
T3
管号
T1
T2
T3
管脚
①
0.7
6.2
3
电极
①
B
E
E
电位
(V)
②
0
6
10
名称
②
E
B
C
③
5
3
3.7
③
C
C
B
材料
S
Ge
Si
类型
NPN
PNP
NPN
五、22.6uA;1.8mA3V;-167;1.2kQ;5kQ;-83.5
六、7V;-333;0;6kQ;20kQ
七、4W5.7W70%
八、(a)电压串联负反馈;1+F2/Ri(b)电压并联负反馈;-R2/R1
九、20kQ;300kQ;18.75kQ
R2
十、UoU|1U12
R1
十-一、160Hz;50kQ
十二、5V--35V
十三、T;R、R、R;R、DZ;A;
R1R2R3UzU0
R2R3
R1
R
R3
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