MOSFET功放电路.docx
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MOSFET功放电路
目录
场效应管功率放大电路1
场效应管80W音频功率放大电路1
一款性能极佳的JFET-MOSFET耳机功放电路图2
100W的MOSFET功率放大器2
场效应管(MOSFET)组成的25W音频功率放大器电路图4
一种单电源供电的MOSFET功放电路6
100W的V-MOSFET功率放大器电路6
100W场效应管功率放大电路8
全对称MOSFETOCL功率放大器电路图9
场效应管功率放大电路
如图所示电路是采用功率MOSFET管构成的功率放大器电路。
电路中差动第二级采用2SJ77***率MOSFET,电流镜像电路采用2SK214。
其工作电流为6mA,但电源电压较高(为±50V),晶体管会发热,因此要接人小型散热器。
场效应管80W音频功率放大电路
一款性能极佳的JFET-MOSFET耳机功放电路图
100W的MOSFET功率放大器
电路图
关于电路
电容C8是阻止直流电压,如果从输入源的输入直流去耦电容。
如果畅通,将改变这个直流电压偏置值S后续阶段。
电阻R20限制输入电流到Q1C7-绕过任何输入的高频噪声。
晶体管Q1和Q2的形式输入差分对和Q9和Q10来源1毫安左右建成的恒流源电路。
预设R1用于调整放大器的输出电压。
电阻R3和R2设置放大器的增益。
第二差的阶段是由晶体管,第三季度和Q6,而晶体管Q4和Q5形式电流镜,这使得第二个差分对漏一个相同的电流。
这样做是为了提高线性度和增益。
Q7和Q8在AB类模式运行的功率放大级的基础上。
预设R8可用于调整放大器的静态电流。
电容C3和电阻R19组成的网络,提高了高频率稳定度和防止振荡的机会。
F1和F2是安全的保险丝。
电路设置
设置在中点R1开机前,然后慢慢调整为了得到一个最低电压(比50mV)输出。
下一步是成立的静态电流,并保持在最低电阻预设的R8和万用表连接跨标记点电路图X和Y的调整R8使万用表读取16.5mV对应50mA的静态电流。
注意事项
质量好的印刷电路板组装的电路。
使用一个45/-45V直流,3A的双电源供电电路。
电源电压不得超过55/-55V直流。
连接扬声器前,检查零信号放大器的输出电压,在任何情况下不应该大于50mV。
如果是大于50mV,检查电路中的任何错误。
另一套更换Q1,Q2,也可以解决问题。
Q7和Q8适合2°C/W的散热片。
Q7和Q8都必须被隔离,使用云母片。
很容易在市场上几乎所有的功率晶体管/几乎所有封装形式的MOSFET散热器安装包。
所有电阻R10,R11和R19的其他1/4瓦的金属膜电阻。
R10和R11是5W线绕型,而R19是一个3W线绕类型。
场效应管(MOSFET)组成的25W音频功率放大器电路图
功放电路技术参数:
输出功率:
25V,8ohm负载.
灵敏度:
200mV输入25W输出
频率响应:
30Hzto20KHz-1dB
THD@1KHz:
0.1W0.014%1W0.006%10W0.006%20W0.007%25W0.01%
THD:
0.1W0.024%1W0.016%10W0.02%20W0.045%25W0.07%
音频功放电路:
R1,R4=47K1/4W电阻
R2=4K71/4W电阻
R3=1K51/4W电阻
R5=390R1/4W电阻
R6=470R1/4W电阻
R7=33K1/4W电阻
R8=150K1/4W电阻
R9=15K1/4W电阻
R10=27R1/4W电阻
R11=500R1/2W
R12,R13,R16=10R1/4W电阻
R14,R15=220R1/4W电阻
R17=8R22W电阻
R18=R224W电阻(wirewound)
C1=470nF63V薄膜电容器
C2=330pF63V薄膜电容器
C3,C5=470uF63V电解电容器
C4,C6,C8,C11=100nF63V薄膜电容器s
C7=100uF25V电解电容器
C9=10pF63V薄膜电容器
C10=1uF63V薄膜电容器
Q1-Q5=BC560C45V100mA低噪声高增益PNP三极管
Q6=BD14080V1.5APNP三极管
Q7=BD13980V1.5ANPN三极管
Q8=IRF532100V12AN沟道场效应管
Q9=IRF9532100V10AP沟道场效应管
电源电路
Parts:
R1=3K31/2W电阻
C1=10nF1000V薄膜电容器
C2,C3=4700΅F50V电解电容器
C4,C5=100nF63V薄膜电容器
D1200V8A整流桥,读都也可以用四个整流二极管
D2绿色发光二极管(电源指示灯)
F1,F23.15A保险丝
电源变压器次级输出双25V(中间抽头).
PL1插座
SW1开关
注意事项
CanbedirectlyconnectedtoCDplayers,tunersandtaperecorders.Simplyadda10KLogpotentiometer(dualgangforstereo)andaswitchtocopewiththevarioussourcesyouneed.
Q6&Q7musthaveasmallU-shapedheatsink.
Q8&Q9mustbemountedonheatsink.
AdjustR11tosetquiescentcurrentat100mA(bestmeasuredwithanAvo-meterinserieswithQ8Drain)withnoinputsignal.
Acorrectgroundingisveryimportanttoeliminatehumandgroundloops.ConnectinthesamepointthegroundsidesofR1,R4,R9,C3toC8.ConnectC11atoutputground.Thenconnectseparatelytheinputandoutputgroundsatpowersupplyground.
一种单电源供电的MOSFET功放电路
Q2作为恒流源,Q1作为甲类功放管。
100W的V-MOSFET功率放大器电路
下面是[100W的V-MOSFET功率放大器电路]的电路图
材料清单:
∙R1=27Kohm
∙R2-11=4.7Kohm
∙R3-4=5.6Kohm
∙R5=47Kohm
∙R6=1Kohm
∙R7-10-21=22Kohm
∙R8=12ohm
∙R9=1Mohm
∙R12=33ohm
∙R13-20=82ohm
∙R14=33ohm
∙R15=2.7Kohm
∙R16=270ohm
∙R17-19=680ohm
∙R18=33Kohm
∙R22-23=0.33ohm5W
∙R24=8.2ohm
∙R25=10ohm1W
∙TR1=470ohmtrimmer
∙TR2=4.7Kohmtrimmer
∙C1=1uF63Vmkt
∙C2=1nF100V*
∙C3=100uF16V
∙C4=100nF100V*
∙C5-7=22uF16V
∙C6=4.7pFceramic
∙C8=47uF16V
∙C9=1nF100V*
∙C10-11=100uF100V
∙C12-14=100nF250Vmkt
∙C13=150nF100Vmkt
∙C15=100uF35V
∙D1=12V0.5WZener
∙D2.....5=8.2V1WZener
∙L1=20turns0.6mmonR25
∙Q1-2=BC547
∙Q3=2N5460fet
∙Q4-5=MPSA93
∙Q6-8-11=BC182
∙Q7-10=MPSA43
∙Q9=BC212
∙Q12=2SK134or2SK135
∙Q13=2SJ49or2SJ50
(责任编辑:
电路图)
100W场效应管功率放大电路
上传者:
dolphin
MOSFET功放电路主要应用于大功率AV电路中。
如图所示为100W的MOSFET功放电路。
该电路的输入级采用JEFT输入型运放TL071,其输入阻抗大、转换速率高。
VTl和VT3为运放TL071的互补恒流源负载。
VT4和VT5组成典型的推动级,其线性好、响应快。
输出级VT6和VT7采用MOSFET管,其音色优美,放大倍数约为5。
C1选用金属化聚丙烯电容,以避免产生失真。
该放大器的技术指标为;全功率时的频响为15Hz~125kHz,转换速率为25V/μs,输出噪声-95dB,阻尼系数大于400(8Ω负载)。
全对称MOSFETOCL功率放大器电路图
全对称OCL电路是目前比较完善的功率放大器。
它把差动输入放大、激励、功率输出等各部分电路都接成互补对称形式,充分发挥了PNP型和NPN型晶体管能互补工作的优点。
因而全称OCL电路比普通OCL电路稳定性更好。
保真度更佳。
现介绍一种采用具有“胆”机音色的对称互补MOSFET管2SK405和2SJ115担任输出功放电路。
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- 关 键 词:
- MOSFET 功放 电路
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