精品武汉理工科学基础考研参考试题答案docx.docx

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一、1：

4；

2：

（f离子做面心立方密堆积，Na填全部四面体空隙；

3：

UNm44CN0=8[NaO,][ONaJ；

4：

0〉电价饱和，因为0"的电价二（NA的电价/N『的配位数）X0,的配位数；

5：

二、1：

AhESiAo]（0H）8；

2：

单网层状结构；

3：

一层硅氧层一层水铝石层且沿C轴方向堆积；

4：

层内是共价键，层间是氢键；

5：

片状微晶解理。

三、1：

点缺陷，线缺陷，而缺陷；

2：

由低浓度向高浓度的扩散；

3：

坯体间颗粒重排，接触处产生键合，大气孔消失，但固-气总表面积变化不大；

4：

按硅氧比值分类或按硅氧聚和体的大小分类；

5：

表面能的降低，流动传质、扩散传质、气相传质和溶解-沉淀传质;

6：

随自由能的变化而发生的相的结构的变化，一级相变、二级相变和三级相变。

四、1：

0--VNaz+VC1*

2：

AgAg-Agi*+VAg‘

3：

3Ti023TiNl）-+VNb-+6Ou2TiO22门血・+0「+30。

Nb2-xTi3xO3可能成立Nb2-2xTi2xO3H.x

4：

NaClNaCa/+C1C1+VC1*

五、一是通过表面质点的极化、变形、重排來降低表面能，二是通过吸附來降低表面能。

122

六、根据[1・（1・G）-J-M和l--G-（l-G）-=k:

t来计算

33孑

1：

t二195h2：

t二68h

七当0/Si由2->4时，熔体中负离子团的堆积形式由三维架状转化为孤立的岛状，负离子团的聚合度相应的降至最低。

一般情况下，熔体中负离子团的聚合度越高，特別是形成三维架状的空间网络时，这些大的聚合离子团位移、转动、重排都比较困难，故质点不易调整成规则排列的晶体结构，易形成玻璃。

熔体屮负离子团的对称性越好，转变成晶体越容易，则形成玻璃愈难，反Z亦然。

八、晶界上质点排列结构不同于内部，较晶体内疏松，原子排列混乱，存在着许多空位、位错、键变形等缺陷，使Z处丁应力畸变状态，具有较高能量，质点在晶界迁移所需活化能较晶内为小，扩散系数为大。

九、二次再结晶出现后，由于个别晶粒异常长大，使气孔不能排除，坯体不在

致密，加Z大晶粒的晶界上有应力存在，使其内部易岀现隐裂纹，继续烧结时坯

体易膨胀而开裂，使烧结体的机械、电学性能下降。

工艺上常采用引入适当的添

加剂，以减缓晶界的移动速度，使气孔及时沿晶界排除，从而防止或延缓二次再

结晶的发生。

4

1、

P

R

S

Z

3a20

10

45

5

510

60

45

85

3c70

30

10

10

试题二答案

一、

（1）1、

（010）

（111）[111][101]；（4分）

2sCN焙+=6,CNo>=6,CNc“+=12；|TiOJQCaJi］［CaOJ；（3分）

3、1；Ti卜添八而体空隙，八而体空隙利用率1/4,四八面体空隙全；（3分）

4、否，因为Ti，和间没有明显的共价键成分。

（2分）

（2）1、岛状结构;（1分）；

2、（T与一个［SiO］、三个［Mg06］配位：

4/4X1+2/6X3二2二（T的电价，0"的电价（2分）;

3、结构中有两种配位多面体［SiO】、［虺0订（2分）；［SiO］呈孤立的岛状，中间被［MgOe］隔开,SiO］与［Mg06］±间共顶或共棱连接,同层的［MgOe］Z间共棱、不同层的［MgOjZ间共顶连接；（4分）

4、不易，因为镁橄榄石的Si/0二1/4,最低，网络连接程度弱，结构屮络阴离子团尺寸小，迁移阻力小，熔体的粘度低，冷却过程屮结构调整速率很快。

（2分）

二、写岀下列缺陷反应式（10）:

1、0?

VNa'+VC1•

2、AgAgfA^+Va^

3、3Ti02>3Tig+Vg，…+60。

2Ti0,2TG+0—+30°

Nb2-,TisQ可能成立Nb2-2xTi2x03+x

三、1・（2分）粘度增加；

2.（2分）扩散也可以从低浓度向高浓度进行；

3.（2分）都是晶界移动的结果。

正常长大是晶粒平均尺寸增加，反常长大是个别大晶粒尺寸异常增加。

4.（2分）正确

5.（2分）两个固相和一个液相

四、表面上的原子产生相对于正常位置的上、下位移，称为表面弛豫。

（2分）NaCl单品中处于表而层的负离子只受到上下和内侧止离子的作用，而外侧是不饱和的。

电子云将被拉向内侧的正离子一方而变形，使该负离子诱导成偶极子。

这样就降低了晶体表面的负电场。

接着，表面层离子开始重排以使Z在能量上趋于稳定。

为此，表面的负离子被推向外侧，正离子被拉向内侧从而形成了表面双电层。

（4分）

nric-3f357732x4.18

=6x10exp（—J=1.12x10/s

五RT（2分）

nou1c-3/338904x4.18l7/d»“・552/

RT

^o/aoo-8-5x10exp（-）=1.37x10mis

4”（2分）

因为,所以钳丝向Cr2O3方向移动。

（2分）

六、由热力学可知，在等温、等压下有=在平衡条件下，AG=0,则有山-恥式中：

厂0是相变的平衡温度；为相变热。

若在任意温度丁的不平衡条件下，则有AG=A^-^^0若AH与不随温度而变化，将上式代入上式得：

佗=bfi

可见，相变过程要自发进行，必须有AG<0，贝\\LHKrlT^<0o

（1）若相变过程放热（如凝聚、结晶等）<0o要使AG<0,必须有AT>0,A7=^_r>0,即丫,这表明系统必须“过冷”。

（2）若相变过程吸热（如蒸发、熔融等）>0,耍满足A。

"这一条件

则必须AT<°,即％

七、扬德方程［1—（1—G）‘丁二Kit=194.6h（2分）

金斯特林格方程1—2/3G—（1-G）2/3=K6tt=68.lt=68.1（2分）

扬德方程假设反应过程中扩散截面不变，而金斯特林格方程考虑了反应中扩散截面的变化。

随反应的进行，反应物体积减小，扩散截面变小，所需反应时间要比扬德假设所计算岀的时间短。

（2分）

八、陶瓷材料中晶粒的大小与物料的原始粒度、烧结温度和时间等因素有关；（3分）

控制晶粒尺寸方法：

控制原始粒度均匀细小，控制烧结温度和时间，添加剂等。

（3分）

见图，付三角形3分，界线性质1分，界线上温度降低的方向4.5

九、1、

分；

的两条边CM、BM的平行线UH】、IIII2,

C%二BH2/BCXIOO%,B%=CHi/BCX100%,C%=HiH2/BCX100%（3分）。

2B

试题三答案

一、1（100）（111）[111][0-11]各1分

2CNTf二6[TQ]CNc?

=12[Ca012]CN02-=6[OTi2Ca4]各1分

3Z=l（l分）Tf（1分）占据1/4八面体空隙（1分）

4因为：

Zf2/12*4+4/6*2二2二Z_所以：

饱和（3分）

5不存在，因为是复合氧化合物。

（2分）

二、岛状、架状、链状、层状、组群状、链状各1分

三、

（1）CaCly+2Clci+CaNa/（2分）

NaC1-2xCaxCl（1分）

（2）OfJ+VJ（2分）

（3）…是因为晶体中的间隙位置有限，二是因为间隙质点超过…定的限度

会不破坏晶体结构的稳定性。

舛、[SiO]为基本结构单元，四面体组成形状不规则大小不同的聚合力子团，络

阴离子团之间依靠金属离子连接。

（4分）；

从Na2O—Si02系统岀发，随引入B2O3量的增加，[BO：

]与游离氧结合，转变

为[130],使断裂的网络重新连接，系统粘度增加（3分）:

继续引AB203,B2O3以层状或链状的[BO3]存在,系统的粘度降低（3分）o

五、固体表面通过表面质点的极化、变形、重排降低固体的表面能（3分）；

液体分子可自由移动，通过形成球形表面來降低表面能（2分）；

固体质点不能自由移动，只能通过表面质点的极化、变形、重排降低表面能，

因此表面能总是高于同组成的液体的表面能（3分）。

六、由公式D=Doexp（-Q/RT）；（1分）计算叽二6.72*10=（1分）D、’二2・7*10弋

（1分）；DQDy；（1分）因为体心结构较面心结构疏松（2分）。

七、由热力学可知，在等温、等压下有心曲-畑在平衡条件下，AG二0,则有A//-W=0蚯=卜旳％式中：

T。

是相变的平衡温度；为相变热。

若在任意温度T的不平衡条件下，则有AG=A^-^^O

若AH与不随温度而变化，将上式代入上式得:

可见，相变过程要自发进行，必须有△G<0,WijA//A7/7i<0。

（3）若相变过程放热（如凝聚、结晶等g<0o要便AG<0,必须有AT>0,

A7=7^-Z>0,即To>T,这表明系统必须“过冷”。

（4）若相变过程吸热（如蒸发、熔融等）>0,要满足山人0这一条件则

必须AZ<0,即TKT,这表明系统耍自发相变则必须“过热”。

八、选择Mg（0H）2、Y-ALO3（3分）；因为反丿应活性高，结构不稳定（3分）。

九、蒸发冷凝、表面扩散

十、1•见图（6分）；

2.Si二元不一致熔融化合物，S2二元不致熔融化合物，％三元不一致熔融化合物；（各1分）

3.P.：

过渡点A+B亠>S；P2：

双转熔点L+B+S尸S3；匕：

低共熔点L二B+C+£；P.：

单转熔点L+A=S2+S1；P5单转熔点L+S产S2+S3；P6低共熔点

L二C+S2+S3；（各1分）

4.（4分）

L:

GK几宀坷H

Ep,（结晶结束）

S：

4t£tAtD1tD1tD2tD2tD3tG（产物h+S2+S3）

5.P3,H,B：

C：

S3=CC1：

BBI：

B.Q（5分）

试题四答案

一、填空题（第1题每空0.5分，其它每空1分，总计20分）

1.晶胞参数，三斜，正交（斜方），立方。

2.化学位梯度，浓度梯度的，定向迁移。

3•原子排列状况相同但位向不同，数字相同、数序和正负号不同。

4.沸石〉萤石>Ti02>Mg0o

5.烧结初期、烧结中期和烧结后期，再结晶和晶粒长大。

6.是，固体质点不能自由移动。

7.在垂直于表而的方向上原子间距不同于该方向上晶格内部原子间距的表而，

驰豫表面。

8.相界面上的化学反应和反M物通过产物层的扩散，相界面上的化学反应速率

远小于反应物通过产物层的扩散速率。

9.镁橄榄石〉辉石〉长石。

10.垂直平行。

二、（10分）解：

（1）D=Doexp（-Q/RT）2分

T二563+273二836K时,D=3X10_Hcm7s2分

T二450+273二723K时,D=l.OX10'Hcm7s2分代入上式可求Q二48875J,Do=O.34X10l,cm2/s2分

（2）D二D°exp（—Q/RT）=1.1X1014cm7s2分

三、（10分）解：

（1）有两种配位多面体,［SiOj,［MgOj,同层的［MgOs］八面

体共棱,如59［Mg06］和49［MgO6］共棱750"和270=不同层的［驱0訂八面体共顶,

如1［Mg06］和51［MgO6〕共顶是220=同层的［MgOe］与［SiO.J共顶，如T［Mg06］和

7［SiOj共顶2202-,不同层的［MgOe］与［SiO］共棱,T［Mg06］和43［SiOj共280?

-和

2802-；2.5分

（2）o律3个［矽』和1个［sioj配位，y£i=2=|f|,

rcw

（3）z=4（2.5分）;

（4）Si"占四面体空隙=1/8,Mg"占八面体空隙二1/2。

（2.5分）

4

・△Gy+A兀•厂・O

2cr

_打・r

四、1、•・•AG=3

令知

已知：

AGv=—3.6X106J/cmJ；o=0.15J/cm'2x0.15

心皿家4

aa

・.k-3.6x106=8.33X10^cni（5分）

-7rx（8.33xl0^y

占x4=206个（5分）

（0.361x10"）

五、1・如右图，I表不核化速率，u表不晶化速率（5分）；

2.在阴影部分以外的温度对形成玻璃有利，因为此时核化速率与晶化速率祁较小或只存在一种情况（5分）。

•b

3TiO:

—^2Q3>3Tiu*+%'…西0。

2TiO：

—2Tiu#+OJ+3O。

2）Of+Vci*（1分）

2体心立方点阵的晶胞结构图（2分），

（112）晶面和［110］晶向（各1.5分）。

3选择Mg（0H）2、Y-ALO3；因为反应活性高，结构不稳定。

（3+2）

七、1、见图；（6分）

2、G,一致熔融二元化合物；F,不一致熔融二元化合物；H,不一致熔融三元化合物（3分）

（结晶结朿）（13消失）（4分）

S：

（产物A+F+H）边分）

5、比温度，M?

点所在温度；过点做副三角形CGH的

两条边GH、GC的平行线览X、M2Y,C%=YH/HCX100%,

H%=CX/HCX100%,G%=XY/HCX100%o（4分）

AFB

试题五

试题五答案

一、填空题（1x10=10分）

dtdx2

3・结构相同或相似，或具有相似的原了排列，或接触角为0,或接触角较小。

4.环境的作用。

5.晶粒长大和再结晶。

6.较低，速度较慢；反应开始明显进行的温度或较高。

7.—定的温度。

8.垂直。

二、晶体结构分析（20分）

1、1）Ca面心立方堆积，简单立方堆积；（4分）

2）钙的配位数为8,[CaFs]立方体；F的配位数为

4,[FCaJ四面体;（4分）

3）[CaFj立方体Z间共棱（共用2个顶点）连接;

（2分）

4）见图（1分），平行（111）面存在同号离子层,外力作用下沿平行（111）面方向有解理现象（3分。

2、Si/0二1/2,架状结构;Si/0二4/10,层状结构;Si/0=4/ll,双链结构；Si/0二2/6,单链结构；Si/0=2/7,组群状（双四面体）结构；Si/0二2/7,组群状（双四面体）结构；Si/0二1/3,组群状（环状）结构；Si/0二1/4,岛状结构；（6分）

三、晶体结构缺陷（10分）

1、都不对（2分）。

若B进入顶点位置，则形成固溶体化学式为>48xB\,简化后得九6“乞，X取1到8的整数，全部取代顶点住置的质点，得AB（4分）

2、间隙型固溶体：

加2。

?

」^>24几+20。

+0；©分）Al2xMgl_2x01+x或

A12xMg2-2xO2+x（1分）”

置换型固溶体：

仏03亠—2/1仏+30。

+%‘（2分）Al2xMgl_3x0或Al2xMg3

-3x03（1分）

四、（10分）

长石〈辉石（MgO•Si02）<镁橄榄石（2分）

长石〉辉石（MgO・SiOj〉镁橄榄石（2分）

I理由：

从长石、辉石（MgO•Si02）到镁橄榄石，熔体结构从架状、链状到岛状，络阴离子团尺寸减小，作用力矩减小，因此表而张力增大；同理，长石熔体具有架状结构，氧硅比2,网络连接程度好，冷却过程中不易规则排列而容易形成玻璃，镁橄榄石具有岛状，氧硅比4,硅氧四而体孤立存在，冷却过程中易规则排列而最不容易形成玻璃，辉石形成玻璃的能力居中。

（6分）

五（10分）、1、cos。

二了內20川）二_0.837vo（2分）

yw,液）

接解角大于90°,所以液态银不能润温氧化铝瓷件表面（2分）

最有可能实现的措施:

在液态银中加入表面活性剂,降低Y血液小畑固”可使其润湿。

（2分）

2、Pbl2>CaF2（2分）。

与C孑+和F相比,Pb"与I一具有较大的极化性能,因此表面双电层的厚度较厚（2分）。

（个）2分

1分

1分

纟龙•厂*3-^x（1.28xl0-7）3

n=x4=——x4=744

a3（0.3615xIO'7）3

2、R*=r*=l.28X10_,cm

h=0.2R*二0.2X1.28X10_7=0.256X10_7cm

V=^L（3/?

*-/?

）=”x（（）.25fxl（）丄x（3xi28xl（r7一0.256xl0_7）=0.24xIO'21cm3

1分

V,0.24x10—2】/人、1△

w=—x4=—x4=20（个）1分

a3（0.3615x10-7）3

七、（5分）

固溶体类型不同，扩散机制不同，导致扩散系数差别很大。

1分

氢在面心立方铁中形成间隙固溶体，按间隙扩散机制进行扩散，其扩散活化能比较小，故扩散系数大；2分

而银在面心立方铁中形成置换固溶体，按空位扩散机制进行扩散，具扩散活化能比较大，故扩散系数小。

2分

或答原子半径小，在相同的扩散基质中进行扩散，阻力小，活化能低，扩散系数大。

（5分）

八、（5分）

选择MgCO3>Y—AI2O3较好。

3分

MgCO3在加热到350°C〜400°C分解为MgO和C02,具有比较高的反应活性；1

Y-A1A在加热到950°C吋转变为a-AlA，由于发生晶格重排，会使晶格活化，具有比较高的反应活性。

1分

九、（20分）

1.见图。

三个副三角形，各0.5分，计1.5分；温降箭头和性质各0.5分，计3分。

合计4.5分；

2.不一致熔融二元、低温稳定高温分解的化合物，各0.5分，合计1.5分；

3.E：

三元低共熔点LoC+B+D

Ji：

过渡点A+BD

J2：

单转熔点厶+4OC+D各1分，合计3分；

4.d°&>cEE（液相消

失，结晶结束,产物C+B+D）,3分。

B%=xy/CD,C%=yD/CD,B%=Cx/CD,1.5分。

合计4.5分

5.

m2

LtA

A+7?

LfC+D+B

（液

相消失,结晶结束,产物C+B+D）,3分。

L%=fM2/fJbA%二J^/fJi*Bf/AB,

B%=JiM2/fJ.W/AB,1.5分。

A先消失,因为此时系统中A与B的比小

丁•化合物D中A与B的比，2分。

合计6.5分。