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新材料的研究与开发模板
第六章第二节新材料的研究与开发
半导体材料
光电子材料
●能源功能材料
超导材料
磁性材料
贮能材料
燃料电池
●纳米材料科学技术
但不同档次的硅芯片在21世纪仍大量存在,并将有所发展。
*在绝缘衬底上的硅(SOI,SiOnInsulator):
功能低、低漏电、集成度高、高速度、工艺简单等。
SOI器件用于便携式通信系统,既耐高温又抗辐照。
*集成系统(IS,IntegratedSystem):
在单个芯片上完成整系统的功能,集处理器、存储器直到器件设计于一个芯片(SystemonaChip)。
*集成电路的总发展趋势:
高集成度、微型化、高速度、低功耗、高灵敏度、低噪声、高可靠、长寿命、多功能。
为了达到上述目标,有赖于外延技术(VPE,LPE,MOCVD及MBE)的发展,同时对硅单晶的要求也愈来愈高。
表1为集成电路的发展对材料质量的要求。
表1集成电路发展对材料质量的要求
(2)第二代半导体材料是Ⅲ-Ⅴ族化合物
GaAs电子迁移率是Si的6倍(高速),禁带宽(高温)广泛用于高速、高频、大功率、低噪音、耐高温、抗辐射器件。
GaAs用于集成电路其处理容量大100倍,能力强10倍,抗辐射能力强2个量级,是携带电话的主要材料。
InP的性能比GaAs性能更优越,用于光纤通讯、微波、毫米波器件。
(3)第三代半导体材料是禁带更宽的SiC、GaN及金刚石。
(4)下一代集成电路的探索
光集成
原子操纵
光电子材料
21世纪光电子材料将得到更大发展
电子质量:
10-31Kg/电子
电子运动:
磁场、电阻热、电磁干扰、光高速、
传输(容量大、损耗低、高速、不受
电磁干扰、省材料)
光电子材料包括:
(1)激光材料(20世纪60年代初)
激光:
高亮度、单色、高方向性
红宝石(Cr+++:
Al2O3
(2)非线性光学晶体(变频晶体)
KDP(磷酸二氢钾)、KTP(磷酸钛氢钾)
LBO(三硼酸锂)¡
表2主要化合物半导体及其用途
(5)显示材料
发光二级管(LED)如表3
表4光纤发展阶段及所需材料
光纤材料:
石英玻璃:
SiO2、SiO2-GeO2、SiO2-B2O3-F
多组分玻璃:
SiO2-GaO-Na2O、SiO2-B2O3¨CNa2O
红外玻璃:
重金属氧化物、卤化物
掺稀土元素玻璃:
Er、Nd、¡
多模只适于小容量近距离(40Km,100Mbps)
单模可传输调制后的信号≥40Gbps到200Km,
而不需放大。
(7)记录材料
21世纪将是以信息存储为核心的计算机时代,在军事方面,如何快速准确地获取记录、存储、交换与发送信息是制胜的关键。
磁记录在21世纪初仍有很强的生命力,经过垂直磁记录技术和纳米单磁畴技术,再加先进磁头(如巨磁电阻)(GMR)的采用,有可能使每平方英寸的密度达100GB,所用介质为氧化物磁粉(γ-Fe2O3及加Co-
γ-Fe2O3、CrO2),金属磁粉或钡铁氧体粉。
磁光记录:
与磁记录不同之处在于记录传感元件是光头而不是磁头。
磁光盘的介质主要是稀土-过渡族金属,如TbFeCo、GdTbFe、NdFeCo,最新的是Pb/Co多层调制膜或Bi石榴石薄膜。
磁光盘的特点在于可重写,可交换介质。
(8)敏感材料
计算机的控制灵敏度与精确度有赖于敏感
材料的灵敏度与稳定性。
敏感材料种类繁多,涉及半导体材料、功
能陶瓷、高分子、生物酶与核酸链(DNA)
等。
限于篇幅不一一列举。
(二)能源功能材料
•低温(液氦温度)超导已产业化,价格问题
•高温(液氮温度)超导已发现30多种
•YBaCuO,Je≥105A/cm2(薄膜,块体)
•(Bi,Pb)SrCaCuO(B12223/Ag)带丝线材生产稳定,
•质量均一性未能解决,
•可望产业化
•探索高温超导,及高温超导机理问题
•趋导失超后的安全问题
磁性材料
硅钢片是最重量要的软磁材料(全世界650万吨)
铁基非晶态合金有明显优越性(表5)
特别用于:
电焊机,节能,体积小(1/10)
作为结构材料:
耐磨(作磁头),耐蚀(代不锈钢)
硬磁材料发展很快,20世纪40年代AlNiCo,50年代铁氧体,65年ReCO5,72年R2CO17,83年NdFeB,磁能积提高了几十倍,从性能价格比来看,(表6)铁氧体永磁远比其它磁性材料更具有竞争能力;
NdFeB则单位体积的性能比铁氧体高出10倍而得到更快的发展,当前世界产量近万吨,中国占了一半左右,但性能有待进一步提高。
下一代永磁发展目标是纳米技术的应用与新材料的探索,如:
SmFeN等。
过去每提高40kJ/m3,达可到600-800kJ/m3。
表6-永磁体价格/性能比(1995)
贮能材料(贮氢与高能电池)
电网调峰与环保的需要,信息电子工业所必须,与太阳能配套。
太阳能发电电解水-氢-贮氢
电-蓄电池
也是机械能动力源
贮氢材料:
金属间化物贮氢基本成熟(表7),但用于汽
车燃料存在比重大,易中毒和价格问题。
表7-几种金属间化物贮氢材料
表8为几种典型电池反应机理与特性,当前
最有发展前景的是Ni-MH电池,但从比能量密度,
锂电池最好,而价格是前者3.5倍,其中塑料锂
电池具有重量轻,形状可任意改变,安全性更好
的特点,可能是21世纪开发的重点。
Ni-MH电池-汽油混合汽车已实用化,低速
与起动用电池,而高速时自动跳到汽油并充电,
如比可节油(1/2),排放减至1/10,CO2(1/2)。
表8-几种典型电池反应机理和特性
燃料电池是将化学能转变为电能的一种装置,效率高、污染小,是21世纪重点发展的一种技术。
当前正在开发的燃料电池,如表9:
表9-正在开发的燃料电池类型
以氢氧燃料电池为例其理论比容量为2975A.h/kg,比能量为3660w.h/kg,远高于蓄电池、燃料电池的发展,有电极材料问题。
据报导,Benz厂用甲醇作燃料电池的燃料已用于汽车。
最近美国NASA正在开展一种试验,即太阳能电池与氢氧燃料电池联合开动的小飞机,白天太阳能电池工作,用剩余电来电解水、晚上H2O燃料电池工作,当前载人还不现实,计划在实现用于通信。
(三)纳米材料科学技术将成
为21世纪最活跃领域
纳米科技的提出
•3.在宏观领域和微观领域的研究中出现的三次工业革命:
•
(1)在宏观领域中,人类研究了天体宇宙的运动规律,建立了伽利略-牛顿的经典物理学理论体系,奠定了机械学基本原理,蒸汽机的出现(1769),以蒸汽动力代替人力,宣告了第一次工业革命。
随着蒸汽机的创造和不断完善,蒸汽机作为一种动力机不但在纺织、采矿业中得到广泛的应用,而且还被推广应用到交通运输、冶金、机械、化工等一系列工业部门,使社会生产力以前所未有的高速度发展.
•
(2)19世纪30年代,(1831)法拉弟总结出电磁感应定律,随后建立了电力工业系统,带来了工业电气化,出现了电报、电话、电视和无线电通讯技术,导致了第二次工业革命。
•(3)继蒸汽机时代和电力时代之后,20世纪中叶,随着半导体、晶体管和集成电路的创造,人类迈向了微电子信息时代,出现了第一台电子计算机(1945年,底花费了48万美元,使用了1.8万个电子管)。
引发了第三次工业革命。
美国半导体协会予计:
到,半导体器件的尺寸将达到0.1m(100nm)极限,由于量子效应,小于这一尺寸的所有芯片就不再保持原有的性能,需要按新的原理来设计,要突破这一极限,我们就得研究纳米尺度中的理论问题和技术问题。
纳米科技的重要意义
中国纳米科技成果
产业前景
21世纪初各国对纳米科技的攻关
社会需要真纳米
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