TLP521中文资料Word文档下载推荐.docx
- 文档编号:22697359
- 上传时间:2023-02-05
- 格式:DOCX
- 页数:13
- 大小:114.11KB
TLP521中文资料Word文档下载推荐.docx
《TLP521中文资料Word文档下载推荐.docx》由会员分享,可在线阅读,更多相关《TLP521中文资料Word文档下载推荐.docx(13页珍藏版)》请在冰豆网上搜索。
电流传输比是光耦合器的重要参数,通常用直流电流传输比来表示。
当输出电压保持恒定时,它等于直流输出电流IC与直流输入电流IF的百分比。
其公式为:
采用一只光敏三极管的光耦合器,CTR的范围大多为20%~300%(如4N35),而PC817则为80%~160%,达林顿型光耦合器(如4N30)可达100%~5000%。
这表明欲获得同样的输出电流,后者只需较小的输入电流。
因此,CTR参数与晶体管的hFE有某种相似之处。
线性光耦合器与普通光耦合器典型的CTR-IF特性曲线,分别如图2中的虚线和实线所示。
由图2可见,普通光耦合器的CTR-IF特性曲线呈非线性,在IF较小时的非线性失真尤为严重,因此它不适合传输模拟信号。
线性光耦合器的CTR-IF特性曲线具有良好的线性度,特别是在传输小信号时,其交流电流传输比(ΔCTR=ΔIC/ΔIF)很接近于直流电流传输比CTR值。
因此,它适合传输模拟电压或电流信号,能使输出与输入之间呈线性关系。
这是其重要特性。
2线性光耦合器的产品分类及选取原则
2.1线性光耦合器的产品分类
线性光耦合器的典型产品及主要参数见表1,这些光耦均以光敏三极管作为接收管。
2.2线性光耦合器的选取原则
在设计光耦反馈式开关电源时必须正确选择线性光耦合器的型号及参数,选取原则如下:
①光耦合器的电流传输比(CTR)的允许范围是50%~200%。
这是因为当CTR<50%时,光耦中的LED就需要较大的工作电流(IF>5.0mA),才能正常控制单片开关电源IC的占空比,这会增大光耦的功耗。
若CTR>200%,在启动电路或者当负载发生突变时,有可能将单片开关电源误触发,影响正常输出。
②推荐采用线性光耦合器,其特点是CTR值能够在一定范围内做线性调整。
③由英国埃索柯姆(Isocom)公司、美国摩托罗拉公司生产的4N×
×
系列(如4N25、4N26、4N35)光耦合器,目前在国内应用地十分普遍。
鉴于此类光耦合器呈现开关特性,其线性度差,适宜传输数字信号(高、低电平),因此不推荐用在开关电源中。
3线性光耦合器应用举例
多路输出式电源变换器电路如图3所示。
其输入电压为36V到90V的准方波电压,三路输出分别为:
UO1=+5V(2A),UO2=+15V(0.17A),UO3=-15V(0.17A)。
现将UO1定为主输出,其电压调整率SV=±
0.4%;
UO2和UO3为辅输出,总电源效率可达75%~80%。
电路中采用一片TOP104Y型三端单片开关电源集成电路。
主输出绕组电压经过VD2、C2、L1和C3整流滤波后,得到+5V电压。
VD2采用MBR735型35V/7.5A肖特基二极管。
两个辅输出绕组及输出电路完全呈对称结构。
因为±
15V输出电流较小,故整流管VD4和VD5均采用UF4002型100V/1A的超快恢复二极管。
由线性光耦CNY17-2和可调式精密并联稳压器TL431C构成光耦反馈式精密开关电源,可以对+5V电压进行精密调整。
反馈绕组电压通过VD3、C4整流滤波后,得到12V反馈电压。
由P6KE120型瞬态电压抑制器和UF4002型超快恢复二极管构成的漏极钳位保护电路,能吸收由高频变压器漏感形成的尖峰电压,保护芯片内部的功率场效应管MOSFET不受损坏。
外部误差放大器由TL431C组成。
当+5V输出电压升高时,经R3、R4分压后得到的取样电压,就与TL431C中的2.5V带隙基准电压进行比较,使其阴极电位降低,LED的工作电流IF增大,再通过线性光耦IC2(CNY17-2)使控制端电流IC增大,TOP104Y的输出占空比减小,使UO1维持不变,达到稳压目的。
+5V稳压值UO1则由TL431C、光耦中的LED正向压降来设定。
R1是LED的限流电阻。
误差放大器的频率响应由C5、R2和C6来决定。
C5的作用有三个:
滤除控制端上的尖峰电压;
决定自动重启动频率;
与R2一起对控制回路进行补偿。
TLP521是可控制的光电藕合器件,光电耦合器广泛作用在电脑终端机,可控硅系统设备,测量仪器,影印机,自动售票,家用电器,如风扇,加热器等
电路之间的信号传输,使之前端与负载完全隔离,目的在于增加安全性,减小电路干扰,减化电路设计。
东芝TLP521-1,-2和-4组成的砷化镓红外发光二极管耦合到光三极管。
该TLP521-2提供了两个孤立的光耦8引脚塑料封装,而TLP521-4提供了4个孤立的光耦中16引脚塑料DIP封装
集电极-发射极电压:
55V(最小值)
经常转移的比例:
50%(最小)
隔离电压:
2500Vrms(最小)
图1TLP521TLP521-2TLP521-4光藕内部结构图及引脚图
图2TLP521-2光电耦合器引脚排列图
AbsoluteMaximumRatings绝对最大额定值(Ta=25℃)
Characteristic参数
Symbol符号
Rating数值
Unit单位
TLP521−1
TLP521−2TLP521−4
LED
Forwardcurrent正向电流
IF
70
50
mA
Forwardcurrentderating正向电流减率
ΔIF/℃
−0.93(Ta≥50℃)
−0.5(Ta≥25℃)
mA/℃
Pulseforwardcurrent瞬间正向脉冲电流
IFP
1(100μpulse,100pps)
A
Reversevoltage反向电压
VR
5
V
Junctiontemperature结温
Tj
125
℃
接收侧
Collector−emittervoltage集电极发射极电压
VCEO
55
Emitter−collectorvoltage发射极集电极电压
VECO
7
Collectorcurrent集电极电流
IC
Collectorpowerdissipation(1circuit)集电极功耗
PC
150
100
mW
Collectorpowerdissipationderating(1circuitTa≥25℃)集电极功耗减率
ΔPC/℃
−1.5
−1.0
mW/℃
Storagetemperaturerange储存温度范围
Tstg
−55~125
Operatingtemperaturerange工作温度范围
Topr
−55~100
Leadsolderingtemperature无铅焊接温度
Tsol
260(10s)
Totalpackagepowerdissipation整体功耗
PT
250
Totalpackagepowerdissipationderating(Ta≥25℃)整体功耗减率
ΔPT/℃
−2.5
Isolationvoltage隔离电压
BVS
2500(AC,1Min最小,R.H.≤60%)
Vrms
注:
使用连续负载很重的情况下(如高温/电流/温度/电压和重大变化等),可能会导致本产品的可靠性下降明显甚至损坏。
RecommendedOperatingConditions建议操作条件
Min最小
Typ典型
Max最大
Supplyvoltage电源电压
VCC
―
24
16
25
1
10
Operatingtemperature操作温度
−25
85
型号
Classi−fication(*1)分级标准
CurrentTransferRatio(%)(IC/IF)经常转移率(%)(IC/IF)
MarkingOfClassification标志的分类
IF=5mA,VCE=5V,Ta=25℃
最小
最大
TLP521
600
Blank,Y,Y■,G,G■,B,B■,GB
RankY
Y,Y■
RankGR
300
G,G■
RankBL
200
B,B■
RankGB
G,G■,B,B■,GB
Blank,GR,BL,GB
GR,BL,GB
*1:
Ex.rankGB:
TLP521−1(GB)
(Note):
Applicationtypenameforcertificationtest,pleaseusestandardproducttypename,i.e.
TLP521−1(GB):
TLP521−1,TLP521−2(GB):
TLP521−2
IndividualElectricalCharacteristic单独的电气特性参数(Ta=25℃)
TestCondition测试条件
Forwardvoltage正向电压
VF
IF=10mA
1.0
1.15
1.3
Reversecurrent反向电流
IR
VR=5V
—
μA
Capacitance电容
CT
V=0,f=1MHz
30
pF
接收侧
Collector−emitterbreakdownvoltage集电极发射极击穿电压
V(BR)CEO
IC=0.5mA
Emitter−collectorbreakdownvoltage发射极集电极击穿电压
V(BR)ECO
IE=0.1mA
Collectordarkcurrent集电极暗电流
ICEO
VCE=24V
nA
VCE=24V,Ta=85℃
2
Capacitance(collectortoemitter)电容(集电极到发射极)
CCE
V=0,f=1MHz
CoupledElectricalCharacteristic耦合电气特性参数s(Ta=25℃)
Currenttransferratio经常转移的比率
IC/IF
IF=5mA,VCE=5VRankGB
%
SaturatedCTR饱和率
IC/IF(sat)
IF=1mA,VCE=0.4VRankGB
60
Collector−emittersaturationvoltage集电极-发射极饱和电压
VCE(sat)
IC=2.4mA,IF=8mA
0.4
IC=0.2mA,IF=1mARankGB
0.2
IsolationCharacteristic耦合电气特性参数(Ta=25℃)
Capacitance(inputtooutput)电容(输入输出)
CS
VS=0,f=1MHz
0.8
Isolationresistance隔离电阻
RS
VS=500V,R.H.≤60%
1011
Ω
AC,1Min最小ute
2500
AC,1second,inoil
5000
DC,1Min最小ute,inoil
Vdc
SwitchingCharacteristic开关特性参数(Ta=25℃)
Risetime上升时间
tr
VCC=10VIC=2mARL=100Ω
μs
Falltime下降时间
tf
3
Turn−ontime开启时间
ton
Turn−offtime关断时间
toff
tON
RL=1.9kΩ(Fig.1)VCC=5V,IF=16mA
μs
Storagetime存储时间
ts
15
tOFF
图3TLP521-1封装图图4TLP521-2封装图
图5TLP521-4封装图
图6开关时间测试电路
- 配套讲稿:
如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制:
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词:
- TLP521 中文 资料
![提示](https://static.bdocx.com/images/bang_tan.gif)