多晶清洗工艺与流程.pps
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多晶清洗工艺多晶清洗工艺工程技术中心工程技术中心宋文涛宋文涛2008.092008.09摘要:
摘要:
1.1.概述概述2.2.一次清洗(扩散前清洗)一次清洗(扩散前清洗)3.3.二次清洗(去磷硅玻璃清洗)二次清洗(去磷硅玻璃清洗)4.4.操作注意事项操作注意事项5.5.安全注意事项安全注意事项1.1整个产业链整个产业链1.21.2太阳能电池片的生产流程:
太阳能电池片的生产流程:
分选测试PECVD一次清洗二次清洗烧结印刷电极刻蚀检验入库扩散2.12.1一次清洗的目的:
一次清洗的目的:
a.去除切割硅片时硅片表面产生的损伤层,清除硅片表面的油类分子及金属杂质。
b.对硅片表面进行织构化处理,降低硅片表面对光的反射率。
酸制绒酸制绒继续腐蚀继续腐蚀继续腐蚀继续腐蚀扫描电镜照片扫描电镜照片2.22.2绒面的作用及其陷光机理绒面的作用及其陷光机理:
作用:
作用:
减少光的反射率,提高短路电流(减少光的反射率,提高短路电流(Isc),最终提高电池的光电转换),最终提高电池的光电转换效效解释机理:
解释机理:
当光入射到一定角度的斜面或粗糙的表面,光会反射到另一角度的当光入射到一定角度的斜面或粗糙的表面,光会反射到另一角度的斜面,形成二次或者多次吸收,从而增加吸收率。
斜面,形成二次或者多次吸收,从而增加吸收率。
绒面减少反射的机理绒面减少反射的机理2.22.2一次清洗设备一次清洗设备2.32.3一次清洗工艺流程:
一次清洗工艺流程:
酸制绒漂洗碱洗漂洗HF漂洗溢流酸洗漂洗溢流喷淋2.42.4一次清洗中各反应原理:
一次清洗中各反应原理:
制绒槽制绒槽:
HF-HNO3溶液,去除表面油污、切割损伤层以及制备绒面;反应如下:
3Si+18HF+4HNO33H2SiF6+8H2O+4NO碱洗槽碱洗槽:
NaOH溶液,主要中和残留在硅片表面的酸,同时发生下列化学反应:
Si+2NaOH+H2O=Na2SiO3+2H2酸洗槽酸洗槽:
HF去除硅片在清洗过程中形成的很薄的SiO2层,反应如下:
SiO2+6HF=H2SiF6+2H2OHCL,HF同一些金属离子络合,使金属离子脱离硅片表面。
3.13.1二次清洗的目的:
二次清洗的目的:
在形成PN结的扩散过程中,在硅片表面生长了一层一定厚度的磷硅玻璃,磷硅玻璃不导电,为了形成良好的欧姆接触,减少光的反射,在沉积减反射膜之前,必须把磷硅玻璃腐蚀掉。
3.23.2二次清洗工艺流程:
二次清洗工艺流程:
插片插片HF漂洗溢流漂洗溢流喷淋喷淋3.33.3二次清洗腐蚀原理:
二次清洗腐蚀原理:
扩散中磷硅玻璃的形成:
4POCl4POCl33+3O+3O22=2P=2P22OO55+6Cl+6Cl22在较高的温度的时候,P2O5作为磷源与Si发生了如下反应:
2P2P22OO55+5Si=5SiO+5Si=5SiO22+4P+4P去除SiOSiO22SiOSiO22+6HF=H+6HF=H22SiFSiF66+2H+2H22OO所以去磷硅玻璃清洗实质上就是去除硅片表面的SiO2。
正确使用劳保用品,防患于未然4.4.操做注意事项:
操做注意事项:
控制溶液倒出的速度用力均匀叉子和片盒要有一定的角度轻微振动,有助于气泡释放表面疏水时,表明已合格均匀均匀,缓,缓慢慢5.5.安全注意事项:
安全注意事项:
HNO3、HF、NaOH、HCl、都是强腐蚀性的化学药品,其溶液、蒸汽会伤害到人的皮肤、眼睛、呼吸道,所以操作人员要按照规定穿戴防护服、防护面具、防护眼镜、长袖胶皮手套。
一旦有化学试剂伤害了员工的身体,立即用纯水冲洗,并送医院就医。
氢氟酸氢氟酸:
1.六氟灵的使用2.葡萄糖软膏的使用
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