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111>
,最密排面为{110},致密度为0.68,配位数为8。
•9、晶体的宏观对称要素有对称点、对称轴、对称面。
•10、CsCl型结构属于简单立方格子,NaCl型结构属于面心立方格子,CaF2型结构属于面心立方格子。
•11、MgO晶体具有NaCl型结构,其对称型是3L44L36L29PC,晶族是高级晶族,晶系是立方晶系,晶体的键型是离子键。
•12、硅酸盐晶体结构中的基本结构单元是硅氧四面体[SiO4]。
•13、几种硅酸盐晶体的络阴离子分别为[Si2O7]6-、[Si2O6]4-、[Si4O10]4-、[AlSi3O8]1-,它们的晶体结构类型分别为组群状,链状,层状,和架状。
•14、表征晶体中晶向和晶面的方法有解析法和图示法。
(晶体投影图)
二、分析计算
1、(2-3)
(1)晶面A在x、y、z轴上的截距分别是2a、3b和6c,求该晶面的米勒指数;
(2)晶面B在x、y、z轴上的截距分别是a/3、b/2和c,求该晶面的米勒指数。
解:
(1)由已知
所以晶面指数为(321)
(2)晶面指数为(321)
3、写出立方晶系中晶面族{100}、{110}、{111}包含的等价晶面。
写出<
112>
晶向族包含的等价晶向。
4、(2-9)求
(1)晶面(121)和(100)的晶带轴指数;
晶面(100)和(010)的晶带轴指数;
(2)晶向[001]和[111]确定的晶面指数;
包含[010]和[100]晶向的晶面指数。
(1)(121)和(100)面所在的晶带的晶带指数为
,所以晶带指数为[01
]
(100)和(010)面所在的晶带的晶带指数为
,所以晶带指数为[00
]或写为[001]
(2)[001]和[111]晶向所决定的晶面的晶面指数为
,所以晶面指数为(
10)或(1
0)
[010]和[100]晶向所决定的晶面的晶面指数为
,所以晶面指数为(00
)或(001)
5、(2-11)
(1)a≠b≠c、α=β=γ=90°
的晶体属于什么晶族和晶系?
(2)a≠b≠c、α≠β≠γ=90°
(3)能否据此确定这2种晶体的Bravis点阵?
(1)属于正交晶系,由题中条件不能决定是什么布拉菲点阵,因为正交晶系可以有体心、面心、底心和简单正交点阵。
(2)属于三斜晶系,因为三斜晶系只有一种简单点阵,可以确定布拉菲点阵是三斜点阵。
6、Ni为面心立方结构,原子半径r=0.1243nm,求Ni的晶格常数和密度。
;
面心立方结构在面对角线上原子相切,所以,
代入条件可得
,
7、Mo为体心立方结构,晶格常数a=0.3147nm,求Mo的原子半径r。
体心立方结构在体对角线上原子相切,所以,
8、(2-15)CsCl中铯与氯的离子半径分别为0.167nm、0.181nm。
试问
(1)在CsCl内离子在<
100>
或<
方向是否相接触?
(2)每单位晶胞内有几个离子?
(3)各离子的配位数是多少?
(4)密度ρ和堆积系数(致密度)K?
对氯化铯晶体,晶体结构为简单立方,晶胞中含有一个正离子一个负离子,沿体对角线正负离子相切,所以对角线长度
,所以
堆积系数=
9、(2-16)MgO具有NaCl型结构。
Mg2+的离子半径为0.072nm,O2-的离子半径为0.140nm。
试求MgO的密度ρ和堆积系数(致密度)K。
氧化镁结构为面心立方,晶胞中有四个正离子和四个负离子,沿棱边方向正负离子相切,所以边长
0.684
10、(2-24)下列硅酸盐化合物属于什么结构类型?
,
第一种,Si:
O=1:
4所以是岛状,共顶数为0;
第二种共顶数一个,成对硅氧团;
第三种Si:
3,共顶数为两个,三节环;
第四种Si:
3六节环;
第五种三节环,这几种都是组群状;
第六种Si:
O=2:
5为层状,第七种第八种Si(Al):
2为架状。
第三章晶体结构缺陷
一、填空题
•1、按几何组态,晶体中的缺陷分为点缺陷、线缺陷、面缺陷和体缺陷。
2、点缺陷主要包括空位、间隙原子、置换原子;
线缺陷有位错;
面缺陷包括晶界、相界、表面等。
3、描述位错性质及特征的是柏氏矢量b。
4、位错的类型有刃位错、螺位错和混合位错。
5、位错线与柏氏矢量垂直的位错为刃位错,位错线与柏氏矢量平行的位错称为螺位错。
6、位错的基本运动方式有滑移和攀移。
7、刃位错可以滑移和攀移,螺位错可以滑移而不攀移,能进行交滑移的位错必然是螺位错。
8、位错滑移一般沿着晶体的密排(面)和密排(方向)进行。
9、柏氏矢量实际上反应了位错线周围区域晶格畸变的大小和方向。
10、两平行同号螺位错间的作用力为斥力
11、全位错是柏氏矢量等于点阵矢量的位错;
不全位错是柏氏矢量不等于点阵矢量的位错。
12、面心立方晶体的不全位错类型主要有Shockley不全位错和Franker不全位错,柏氏矢量分别为b=a/6<
,b=a/3<
。
只能发生攀移运动的位错是Franker不全位错。
13、位错间转化(位错反应)要满足的条件有几何条件:
柏氏矢量守恒和能量条件:
反应后位错的总能量降低。
14、两个不全位错夹一片层错的位错称为扩展位错。
二、分析题
•1、(3-6)画一个方形位错环,
•
(1)在此平面上画出柏氏矢量,使其平行于位错环的其中一边,任意选择并画出位错线方向,据此指出位错环各段的性质。
•
(2)能否使该位错环处处为刃位错?
•(3)能否使该位错环处处为螺位错?
•2、在滑移面上有一位错环,柏氏矢量为b,位错环的方向和柏氏矢量的方向如图所示。
(1)指出位错环各段的性质。
•(4)该位错环滑移出晶体后,晶体有怎样的滑动(大小和方向)?
•3、(3-11)试分析在fcc中,下列位错反应能否进行?
并指出其中三个位错的性质类型?
反应后生成的新位错能否在滑移面上运动?
几何条件:
能量条件:
b=a/3<
和{111}面垂直。
纯刃位错。
b垂直于滑移面,不是fcc晶体的滑移方向,不能滑移,只可攀移。
刃位错
螺位错
不
同
点
位错线和柏氏矢量的关系
垂直。
刃位错线不一定是直线,可以是折/曲线
平行。
螺位错线一定是直线。
有无
交滑移
刃位错的滑移面只有一个。
无(位错线和柏氏矢量垂直所以其构成的平面,不能改变)。
螺位错的滑移面不是唯一的。
有(位错线和柏氏矢量平行,滑移可以从一个滑移面到另一个滑移面,滑移面可以改变)。
应力场
刃位错周围的应力场既有切应力,又有正应力;
螺位错只有切应力而无正应力。
攀移
有(有多余半原子面)
无(无多余半原子面)
相同点
都是线缺陷。
位错的运动使扫过区间两边的原子层发生b的相对滑动,
晶体两部分的相对移动量只决定于b的大小和方向。
第四章晶态固体中的扩散
1、菲克第一定律描述的是稳态扩散状态下的扩散规律;
菲克第二定律描述的是非稳态扩散状态下的扩散规律。
2、稳态扩散是指单位时间内通过垂直于给定方向的单位面积的净原子数(扩散通量/浓度)不随时间变化;
非稳态扩散是指单位时间内通过垂直于给定方向的单位面积的净原子数(扩散通量/浓度)随时间变化。
3、Fick扩散第二方程的高斯解适合求解总量为M的扩散元素沉积为一薄层扩散问题;
Fick扩散第二方程的误差函数解适合求解无限长棒(扩散偶)或半无限长棒的扩散问题。
4、扩散的微观机理有空位扩散、间隙扩散、位错扩散、表面扩散、晶界扩散等。
5、空位扩散的阻力比间隙扩散大,激活能高。
6、在表面扩散、晶界扩散、体扩散、位错扩散方式中,扩散系数D最大的是
表面扩散。
7、在间隙固溶体中,H、O、C等原子以间隙扩撒机制方式扩散。
8、Cu-Al合金和Cu组成的扩散偶发生柯肯达尔效应,标记向Cu-Al合金一侧漂移,则Al的扩散通量大。
9、上坡扩散是指物质从低浓度向高浓度处聚集的反向扩散。
10、扩散的驱动力是化学位梯度。
11、伴随有反应的扩散称为反应扩散
二、计算题
(4-1)含0.85%C的普碳钢加热到900℃在空气中保温1小时后外层碳浓度降到零。
(a)推导脱碳扩散方程的解,假定t>
0时,x=0处,ρ=0。
(b)假如要求零件外层的碳浓度为0.8%,表面应车去多少深度?
(900℃时,Dcγ=1.1×
10-7cm2/s)
(4-3)20钢在930℃渗碳,表面碳浓度达到奥氏体中碳的饱和浓度Cs=1.4%,此时Dcγ=3.6×
10-2mm2/h,若渗层深度定为从表面到碳含量0.4%的位置,求渗层深度与时间的关系。
(4-7)870℃渗碳与927℃渗碳相比较,优点是热处理产品晶粒细小,淬火后变形小。
若已知D0=2.0×
10-5m2/s,Q=140KJ/mol,
求:
(1)在上两温度下,碳在γ铁中的扩散系数。
(2)若忽略不同温度下碳在γ铁中的溶解度差别,870℃渗碳需用多少时间才能获得927℃渗碳10小时的渗层厚度?
(4-9)纯铁渗硼,900℃4h生成的Fe2B层厚度为0.068mm,960℃4h为0.14mm,假定Fe2B的生长受扩散速度的控制,求硼原子在Fe2B中的扩散激活能Q。
1.组元是组成材料最基本的、独立存在的物质,组元一般是化学元素或化合物。
第五章相与相平衡
2.相是系统中成分、结构相同,性能一致的均匀组成部分,不同相之间有界面分开,相界处物质的性能发生突变。
相平衡是指各相的化学热力学平衡。
3.组织是由各种不同形貌及含量的相或组元所构成的微观图像。
。
平衡凝固是指极其缓慢冷却条件下的凝固。
4.在二元系合金相图中,杠杆法则只能用于两相区。
5.根据渗碳体的形状,钢中珠光体分为片状珠光体和球状珠光体两种。
6.根据含碳量,钢分类为亚共析钢、共析钢和过共析钢。
随着碳含量的增加,钢的硬度和塑性的变化规律是硬度提高,塑性下降。
7.在三元系浓度三角形中,凡成分位于过一顶点直线上的合金,它们含有另两个顶角所代表的两组元含量之比相等。
平行于一边的任一直线上的合金,其成分共性为含这个边对应顶点的组元含量均相等。
8.根据三元相图的垂直截面图,可以分析合金的凝固过程
9.根据三元相图的水平(等温)截面图,可以用杠杆法则计算各相的相对量。
10.二元合金相图三相平衡转变的类型主要有共晶(析)反应和包晶(析)反应。
三元合金相图四相平衡转变的类型主要有共晶反应,包共晶反应和包晶反应。
•(5-4)根据Pb-Sn相图,说明ω(Sn)=30%的Pb-Sn合金在下列温度时,其组织中存在哪些相,并求相的相对含量。
(1)高于300℃;
(2)刚冷至183℃,共晶转变尚未开始;
(3)在183℃共晶转变完毕;
(4)冷到室温。
•4.(5-7)画出简易的铁碳相图,
•
(1)指出PSK、ECF各点成分、各线的反应特征及反应式;
•
(2)标出各相区的相组成物;
•(3)标出各相区的组织组成物。
5-9:
•(4)含80%的Al2O3时
(20%ZrO2)室温平衡组织:
•Al2O3+(Al2O3+ZrO2)
•Al2O3%=(42.6-20)/42.6=53%
•(Al2O3+ZrO2)%=20/42.6=47%
(3)一种由SiO2-30%Al2O3(wt%)构成的耐高温材料,分析其平衡凝固后的室温组织是什么,并计算组织组成物的含量。
该材料能否用来盛装熔融态的钢(1600℃)?
在此情况下有多少百分率的耐热材料会熔化?
•(3)SiO2-30%Al2O3(wt%)材料,
•平衡凝固后的室温组织:
A3S2+(A3S2+SiO2)
•A3S2%=(30-10)/(75-10)=30.8%(A3S2+SiO2)%=(75-30)/(75-10)=69.2%
•不能盛装熔融态的钢(1600℃),会熔化。
•有69.2%的耐热材料会熔化。
8.(5-14)下图为A-B-C三元共晶相图的投影图,指出n1、n2、n3(E)、n4点从液态平衡冷却结晶的室温相和组织组成物,并分别计算相和组织的相对含量。
第六章材料的凝固
•1、凝固过程包括形核和长大2个过程。
•2、材料的凝固的驱动力是液固相变自由能差,阻力是界面能。
•3、凝固形核的方式有均匀形核和非均匀形核,其中非均匀形核的临界形核功较小。
•4、均匀形核时液、固两相自由能差只能补偿表面能的(2/3),其他靠系统中的(能量起伏)补偿。
•5、液/固界面的微观结构分为粗糙界面和光滑界面。
•6、在正温度梯度下,晶体生长成平直界面;
负温度梯度下成长时,一般金属界面都呈树枝状。
•7、在正的温度梯度下,纯金属以平面状形式长大,固溶体合金由于存在成分过冷以树枝状形式长大。
•8、固溶体结晶的形核条件是结构起伏、能量起伏、温度场、成分过冷和过冷度。
•9、固溶体结晶与纯金属结晶的差异表现为温度场、浓度场及成分过冷现象。
•10、平衡结晶是指无限缓慢冷却,组元间互扩散充分,每个阶段都达到平衡相均匀成份。
•11、晶内偏析(枝晶偏析)是一个晶粒内部出现的成份不均匀现象。
•消除晶内偏析(枝晶偏析)方法扩散退火或均匀化退火。
•12、宏观偏析是非平衡凝固条件下,沿长度方向上溶质的偏析(富集)现象。
•13、对于ko<1的合金棒,从左端向右端区域提纯,杂质元素会富集于右端。
•14、固溶体不平衡凝固时,凝固速度很慢,充分对流、搅拌,扩散很快混合均匀条件下凝固后溶质分布愈不均匀,宏观偏析愈严重。
•15、成分过冷是由液相浓度变化引起熔点变化,与实际温度分布之差决定的特殊过冷现象。
•16、界面前沿温度梯度G越小,凝固速度R越大,成分过冷倾向大。
•17、液-固界面前沿成分过冷区越大,晶体越易长成树枝状形貌。
•18、常见的共晶组织形态有片层状、棒条状、球状、针状、螺旋状等。
•19、铸锭组织包括激冷层(表面细晶区)、柱状晶区和中心等轴晶区三个晶区。
•20、对于液-固相变过程可通过控制过冷度来获得数量和尺寸不等的晶体,要获得晶粒多而尺寸小的细晶,则△T大。
第七章晶态固体材料中的界面
•1、表面能来源于表面原子一侧无原子键结合(断键),能量较高;
一般地,割断的键数越多,表面能越高。
最密排表面,割断的键数少,表面能最低。
因此,晶体的外表面一般为最密排面。
•2、根据晶粒取向差的大小,晶界分为小角晶界和大角晶界。
•3、小角晶界分为倾转晶界和扭转晶界。
倾转晶界由刃位错构成,扭转晶界由螺位错构成。
•4、晶界迁移的驱动力是变形储存能和弯曲界面化学位差。
晶界移动的结果是小晶粒消失(更小),大晶粒长大。
•5、根据两相界面上的原子排列情况,相界分为共格相界,半共格相界和非共格相界。
•6、单相多晶体平衡时一般规律是两个晶粒相遇于晶面,三个晶粒相遇于晶棱,四个晶粒相遇于角隅。
•7、在晶粒内部形成第二相时,若第二相和基体之间的界面能大,则其形状一般为球状,若要减少弹性应变能,一般会长成薄片(圆盘)形状。
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