元件参数符号含义精简版精文档格式.docx

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toff---关断时间,Toff=Td（off+TfGpG---共栅极中和高频功率增益

td（off---关断延迟时间GPD---共漏极中和高频功率增益

tf---下降时间ggd---栅漏电导

IGM---栅极脉冲电流gds---漏源电导

IGP---栅极峰值电流K---失调电压温度系数

IF---二极管正向电流Ku---传输系数

RDS（on---漏源通态电阻L---负载电感（外电路参数 

RDS（of---漏源断态电阻LD---漏极电感

R（thjc---结壳热阻Ls---源极电感

R（thja---结环热阻RGD---栅漏电阻

VDD---漏极（直流电源电压（外电路参数RGS---栅源电阻

VGG---栅极（直流电源电压（外电路参数Rg---栅极外接电阻（外电路参数

Vss---源极（直流电源电压（外电路参数RL---负载电阻（外电路参数

VDS（on---漏源通态电压PIN--输入功率

VGD---栅漏电压（直流POUT---输出功率

D---占空比（占空系数,外电路参数Vsu---源衬底电压（直流

PPK---脉冲功率峰值（外电路参数VDu---漏衬底电压（直流

IDS---漏源电流VGu---栅衬底电压（直流

IGF---正向栅电流Zo---驱动源内阻

IGR---反向栅电流η---漏极效率（射频功率管

VDS（sat---漏源饱和电压Vn---噪声电压

TL---晶格温度（Latticetemp/或指下限温度与TH相对aID---漏极电流温度系数

Te---电子温度（ElectrontempTe=TLards---漏源电阻温度系数

IAR（IA---雪崩电流（AvalancheCurrentEAR---重复雪崩电压（RepetitiveAvalancheEnergy

半导体二极管参数符号及其意义

Ta---环境温度

Tc---壳温

Tj（TVJ---结温

TjM（TVJM---最高结温

Tstg---温度补偿二极管的贮成温度

VRRM---反向重复峰值电压（反向浪涌电压

IF（AV---正向平均电流

IF---正向直流电流（正向测试电流。

锗检波二极管在规定的正向电压VF下,通过极间的电流;

硅整流管、硅堆在规定的使用条件下,在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值,硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流;

测稳压二极管正向电参数时给定的电流 

trr---反向恢复时间

Pd（Ptot---总耗散功率

VF---正向压降（正向直流电压

IRM---反向峰值电流

IFRM---正向重复峰值电流

PM---额定功率。

硅二极管结温不高于150度所能承受的最大功率

IFM（IM---正向峰值电流（正向最大电流。

在额定功率下,允许通过二极管的最大正向脉冲电流。

发光二极管极限

电流。

IF（ov---正向过载电流 

IFMP---正向脉冲电流

IFSM---正向不重复峰值电流（浪涌电流

IRRM---反向重复峰值电流

V（BR---击穿电压

VF（AV---正向平均电压

VRM---反向峰值电压（最高测试电压

VRWM---反向工作峰值电压

VR---反向工作电压（反向直流电压

Vs---通向电压（信号电压或稳流管稳定电流电压

Vz---稳定电压

f---频率

Ii--- 

发光二极管起辉电流

IP---峰点电流

IR（AV---反向平均电流

IR（In---反向直流电流（反向漏电流。

在测反向特性时,给定的反向电流;

硅堆在正弦半波电阻性负载电路中,加

反向电压规定值时,所通过的电流;

硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流;

稳压二极管在反向电压下,产生的漏电流;

整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。

PK---最大开关功率

PMP---最大漏过脉冲功率

PMS---最大承受脉冲功率

Pomax---最大输出功率

Po---输出功率

R（thja----结到环境的热阻

R（thjc---结到壳的热阻

r（th---瞬态电阻

Rth----热阻

td---延迟时间

tfr---正向恢复时间

tf---下降时间

tgt---门极控制极开通时间

tg---电路换向关断时间

toff---关断时间

ton---开通时间

tr---上升时间

Vc---整流输入电压

VDRM---断态重复峰值电压

av---电压温度系数

a---温度系数

IGD---晶闸管控制极不触发电流

IGT---晶闸管控制极触发电流

ir---反向恢复电流

iR---反向总瞬时电流

Is---稳流二极管稳定电流

PFT（AV---正向导通平均耗散功率

PFTM---正向峰值耗散功率

PFT---正向导通总瞬时耗散功率

PR---反向浪涌功率

Rs（rs----串联电阻

ts---存储时间

Vop---工作电压

Vp---峰点电压

IH---恒定电流、维持电流。

Vth---阀电压（门限电压

Cs---管壳电容或封装电容

CTV---电压温度系数。

在测试电流下,稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比CT---势垒电容

Ct---总电容

Io---整流电流。

在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流

△ 

λ---光谱半宽度

△VF---正向压降差

△Vz---稳压范围电压增量

Cjo/Cjn---结电容变化

Cjo---零偏压结电容

Cjv---偏压结电容

Cj---结（极间电容, 

表示在二极管两端加规定偏压下,锗检波二极管的总电容Co---零偏压电容

CTC---电容温度系数

Cvn---标称电容

di/dt---通态电流临界上升率

dv/dt---通态电压临界上升率

IB2---单结晶体管中的基极调制电流

ICM---最大输出平均电流

IDR---晶闸管断态平均重复电流

ID---暗电流

IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流

IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流

IEM---发射极峰值电流

iF---正向总瞬时电流

IGFM---控制极正向峰值电流

IL---光电流或稳流二极管极限电流

IOM---最大正向（整流电流。

在规定条件下,能承受的正向最大瞬时电流;

在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二极管的最大工作电流

Iop---工作电流

Irp---反向恢复电流

IRR---晶闸管反向重复平均电流

IRSM---反向不重复峰值电流（反向浪涌电流

IV---谷点电流

Izk---稳压管膝点电流

IZM---最大稳压电流。

在最大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流

IZSM---稳压二极管浪涌电流

Iz---稳定电压电流（反向测试电流。

测试反向电参数时,给定的反向电流

n---电容变化指数;

电容比

PB---承受脉冲烧毁功率

PC---控制极平均功率或集电极耗散功率

PGM---门极峰值功率

PG---门极平均功率

Pi---输入功率

Psc---连续输出功率

PSM---不重复浪涌功率

PZM---最大耗散功率。

在给定使用条件下,稳压二极管允许承受的最大功率

Q---优值（品质因素

r 

δ---衰减电阻

RBB---双基极晶体管的基极间电阻

RE---射频电阻

RF（r---正向微分电阻。

在正向导通时,电流随电压指数的增加,呈现明显的非线性特性。

在某一正向电压下,电压增加微小量△V,正向电流相应增加△I,则△V/△I称微分电阻

RL---负载电阻

Rz（ru---动态电阻

V 

v---谷点电压

VB2B1---基极间电压

VBE10---发射极与第一基极反向电压

VB---反向峰值击穿电压

VEB---饱和压降

VFM---最大正向压降（正向峰值电压

VGD---门极不触发电压

VGFM---门极正向峰值电压

VGRM---门极反向峰值电压

VGT---门极触发电压

Vk---膝点电压（稳流二极管

VL 

---极限电压

Vn---中心电压

VOM---最大输出平均电压

Vo---交流输入电压

δvz---稳压管电压漂移

η---单结晶体管分压比或效率

λp---发光峰值波长

双极型晶体管参数符号及其意义

Tc---管壳温度

Tj---结温

tstg---温度补偿二极管的贮成温度

VCEO---发射极接地,基极对地开路,集电极与发射极之间在指定条件下的最高耐压

ICM---集电极最大允许电流或交流电流的最大平均值。

hFE---共发射极静态电流放大系数

ts---存贮时间

fT---特征频率

ICMP---集电极最大允许脉冲电流

PCM---集电极最大允许耗散功率

Pc---集电极耗散功率

Ts---结温

Vcc---集电极（直流电源电压（外电路参数

VEE---发射极（直流电源电压（外电路参数

av---电压温度系数

BV 

cer---基极与发射极串接一电阻,CE结击穿电压

BVcbo---发射极开路,集电极与基极间击穿电压

BVceo---基极开路,CE结击穿电压

BVces---基极与发射极短路CE结击穿电压

BVebo--- 

集电极开路EB结击穿电压

Ccb---集电极与基极间电容

Cce---发射极接地输出电容

Cc---集电极电容

Cib---共基极输入电容

Cic---集电结势垒电容

Cieo---共发射极开路输入电容

Cies---共发射极短路输入电容

Cie---共发射极输入电容

Ci---输入电容

Cjo---零偏压结电容

Cjv---偏压结电容

Cj---结（极间电容, 

表示在二极管两端加规定偏压下,锗检波二极管的总电容CL---负载电容（外电路参数

Cn---中和电容（外电路参数Cob---共基极输出电容.在基极电路中,集电极与基极间输出电容Coeo---共发射极开路输出电容Coe---共发射极输出电容Co---零偏压电容Co---输出电容Cp---并联电容（外电路参数Cre---共发射极反馈电容Cs---管壳电容或封装电容CTC---电容温度系数CTV---电压温度系数.在测试电流下,稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比Ct---总电容Cvn---标称电容di/dt---通态电流临界上升率dv/dt---通态电压临界上升率D---占空比ESB---二次击穿能量fmax---最高振荡频率.当三极管功率增益等于1时的工作频率f---频率h 

RE---共发射极静态电压反馈系数hfe---共发射极小信号短路电压放大系数hIE---共发射极静态输入阻抗hie---共发射极小信号短路输入阻抗 

hOE---共发射极静态输出电导hoe---共发射极小信号开路输出导纳hre---共发射极小信号开路电压反馈系数IAGC---正向自动控制电流IB2---单结晶体管中的基极调制电流IBM---在集电极允许耗散功率的范围内,能连续地通过基极的直流电流的最大值,或交流电流的最大平均值IB---基极直流电流或交流电流的平均值Icbo---基极接地,发射极对地开路,在规定的VCB反向电压条件下的集电极与基极之间的反向截止电流Iceo---发射极接地,基极对地开路,在规定的反向电压VCE条件下,集电极与发射极之间的反向截止电流Icer---基极与发射极间串联电阻R,集电极与发射极间的电压VCE为规定值时,集电极与发射极之间的反向截止电流Ices---发射极接地,基极对地短路,在规定的反向电压VCE条件下,集电极与发射极之间的反向截止电流Icex---发射极接地,基极与发射极间加指定偏压,在规定的反向偏压VCE下,集电极与发射极之间的反向截止电流ICM---最大输出平均电流Ic---集电极直流电流或交流电流的平均值IDR---晶闸管断态平均重复电流ID---暗电流IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流Iebo---基极接地,集电极对地开路,在规定的反向电压VEB条件下,发射极与基极之间的反向截止电流IEM---发射极峰值电流IE---发射极直流电流或交流电流的平均值IF（AV---正向平均电流IF（ov---正向过载电流IFM（IM---正向峰值电流（正向最大电流.在额定功率下,允许通过二极管的最大正向脉冲电流.发光二极管极限电流.电子档文件名:

元件参数符号含义（精简版.xls第6页,共6页